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電子發(fā)燒友網(wǎng)>3G手機(jī)>3G行業(yè)新聞>三星S8首發(fā)10nm工藝+8G內(nèi)存!小米6或?qū)⒏S其后

三星S8首發(fā)10nm工藝+8G內(nèi)存!小米6或?qū)⒏S其后

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組合,可以說是安卓機(jī)型里面的王者。該機(jī)現(xiàn)在升級(jí)到android2.2系統(tǒng),更具性價(jià)比,感興趣的朋友可以保持關(guān)注。三星I9000(8G版) 感謝送測(cè)經(jīng)銷商:譜康科技(十天包換,二年硬件保修,軟件終生維護(hù)
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小米6拋棄Helio X30 聯(lián)發(fā)科的高端夢(mèng)還有戲嗎?

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小米款自主處理器發(fā)布 會(huì)成功嗎?

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ARM 三星四核 4418開發(fā)板

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H3LiS331DL所有軸和Z軸數(shù)據(jù)的噪聲約為+/- 10g,總是偏移約+8g的值。

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2016-07-21 17:07:54

工藝制程,Intel VS臺(tái)積電誰會(huì)贏?

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三星s8+不開機(jī) #硬聲創(chuàng)作季

三星s8手機(jī)技術(shù)電路維修
學(xué)習(xí)硬聲知識(shí)發(fā)布于 2022-10-30 14:02:25

三星s8不開機(jī) #硬聲創(chuàng)作季

三星s8手機(jī)技術(shù)電路維修
學(xué)習(xí)硬聲知識(shí)發(fā)布于 2022-10-30 14:03:14

三星s8充電不開機(jī) #硬聲創(chuàng)作季

三星s8手機(jī)技術(shù)電路維修
學(xué)習(xí)硬聲知識(shí)發(fā)布于 2022-10-30 14:03:55

三星galaxy S8 VS iphone 7防摔測(cè)試! #智能手機(jī)

測(cè)試SamsungGalaxygalgalaxy s三星galaxy產(chǎn)品評(píng)測(cè)三星
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-03 09:40:24

蘭花灰三星galaxy s8耐用測(cè)評(píng)! #智能手機(jī)

SamsungGalaxygalgalaxy s三星galaxy三星手機(jī)技術(shù)
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-03 10:31:54

10nm工藝+6GB LPDDR4內(nèi)存三星Galaxy Note 6實(shí)力爆表

日前在深圳召開的2016三星移動(dòng)解決方案論壇上,這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝,承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
2016-05-23 15:20:391099

三星/TSMC/Intel/AMD爭(zhēng)先恐后研發(fā)7nm

10nm主要針對(duì)低功耗移動(dòng)芯片,下下個(gè)節(jié)點(diǎn)7nm才是高性能工藝,是首次突破10nm極限,也是三方爭(zhēng)搶的重點(diǎn),TSMC及三星都準(zhǔn)備搶首發(fā)。
2016-05-30 11:53:53834

曝高通10nm處理器將由三星代工生產(chǎn)

導(dǎo)語:聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程,高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶,據(jù)悉,高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27669

驍龍830將采用三星10nm工藝獨(dú)家制造 S8將搭載

)將采用三星10nm工藝獨(dú)家制造,作為交換,拿下高通驍龍830(或835)全部訂單,三星要在Galaxy S8的大部分手機(jī)上采用驍龍830(或835)。
2016-10-18 14:06:101118

傳臺(tái)積電10nm工藝良率不夠,聯(lián)發(fā)科或受影響

臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝,不過臺(tái)媒指其10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題,這意味著其10nm工藝產(chǎn)能將相當(dāng)有限,在它優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能供給蘋果的情況下,對(duì)另一大客戶聯(lián)發(fā)科顯然不是好消息。
2016-12-23 10:36:28544

臺(tái)積電10nm工藝存在較嚴(yán)重良率問題 多家廠商或受影響

臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝,不過臺(tái)媒指其10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題,這意味著其10nm工藝產(chǎn)能將相當(dāng)有限,在它優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能供給蘋果的情況下,對(duì)另一大客戶聯(lián)發(fā)科顯然不是好消息
2016-12-23 10:42:11769

驚呆了,逆天的配置三星Galaxy S8:8GB內(nèi)存+UFS 2.1閃存芯片

現(xiàn)在有消息稱,三星的Galaxy S8有可能會(huì)采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432386

10nm良率噩耗!三星S8、驍龍835抱頭痛哭

上周,關(guān)于10nm工藝良率依舊不夠理想的消息在媒體傳開,據(jù)說影響到高通驍龍835、蘋果A10X(新iPad)等一眾新品。目前外界普遍傳言,三星確定在今年4月發(fā)布Galaxy S8,而不是2月底的MWC甚至1月的CES。
2016-12-26 11:17:25579

三星/臺(tái)積電10nm產(chǎn)能緊張,小米6要遭殃

在2017年,10nm工藝制程將成為芯片中最主要的技術(shù)。聯(lián)發(fā)科Helio X30和高通驍龍835處理器以及傳聞中的麒麟970芯片都將使用10nm工藝,而這些芯片不出意外會(huì)在明年安卓旗艦中扮演重要角色。
2016-12-26 16:08:44433

臺(tái)積電反駁分析師:10nm制程正按計(jì)劃發(fā)展

三星和臺(tái)積電都在積極完善自家的 10nm 制作工藝,但三星似乎已經(jīng)搶先一步了,不過臺(tái)積電也沒有落后多少。在分析師還在擔(dān)憂臺(tái)積電的 10nm 工藝會(huì)不會(huì)對(duì) iPhone 8 造成影響時(shí),這家公司發(fā)話了。
2016-12-27 08:14:38542

超前三星S8首發(fā)驍龍835!LG G6外形曝光:雙攝后指紋

三星Galaxy S8預(yù)計(jì)4月發(fā)布,據(jù)說和10nm驍龍835的良率有關(guān)。但換一種角度,明年前三個(gè)月就是其他品牌提前卡位的機(jī)會(huì),比如紙面首發(fā)驍龍835或者拿出屏下指紋識(shí)別的產(chǎn)品。
2016-12-27 09:47:42318

又要變成PPT手機(jī)?小米6將早于三星S8,還得搶!

最近,三星和臺(tái)積電10nm良率低的傳言四起,10nm芯片供應(yīng)緊張,三星的產(chǎn)量根本無法滿足驍龍835的需要求,自家的Galaxy S8也跟著遭殃。
2016-12-28 09:33:141019

臺(tái)積電否認(rèn)10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題

12月29日消息,之前有海外媒體報(bào)道,臺(tái)積電的10nm工藝量產(chǎn)時(shí)間本來就較晚,比三星晚了兩個(gè)月,臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝過程中,出現(xiàn)10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題,對(duì)于聯(lián)發(fā)科來說可謂是雪上加霜的事情。
2016-12-29 10:46:04572

三星S8 8895處理器首發(fā)曝光:20核GPU 10nm技術(shù)

不知道大家是不是還記得在今年10月份左右的時(shí)候,有韓國媒體稱,三星一位高管因?yàn)橄蛑袊拘孤?4/10nm工藝機(jī)密而被警方逮捕,報(bào)道還稱三星將在Galaxy S8上首次使用10nm Exynos
2016-12-29 11:52:361648

制程工藝差距大 英特爾10nm處理器將超越三星/臺(tái)積電

特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺(tái)積電和三星10nm工藝。
2017-01-09 11:46:04707

驍龍835:聯(lián)發(fā)科、海思的10nm工藝跟自己無法比!

在CES2017上高通是唯一一家展示10nm半導(dǎo)體工藝的廠家,在聯(lián)發(fā)科以及海思即將推出10nm芯片的當(dāng)下高通犀利指出,聯(lián)發(fā)科、海思的10納米芯片和高通的驍龍835完全不在同一個(gè)水平上,談不上是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,凸顯了高通對(duì)于這款處理器的強(qiáng)大自信。
2017-01-10 09:22:57857

2017年10nm手機(jī)“芯”誰能領(lǐng)先?

雖然摩爾定律即將走向終結(jié),但半導(dǎo)體制程工藝推進(jìn)的腳步卻一直沒有停下過。臺(tái)積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領(lǐng)軍企業(yè),雙方你追我趕大打制程戰(zhàn),已將制程工藝推進(jìn)至10nm,而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:113834

三星Exynos9(8895)正式發(fā)布:10nm制程 三星S8首發(fā)!

2月23日消息今天三星正式發(fā)布了旗下最新的旗艦9系也就是Exynos8895處理器,采用最新的10nm制程工藝,搭載5載波聚合基帶,最高支持1Gbps的下載速率,GPU方面使用的是Mali-G71 mp20,性能相當(dāng)給力。
2017-02-23 14:24:48844

10nm工藝良品率不足 三星S8可能要搶購了

三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代,兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片,不過現(xiàn)據(jù)臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境,預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況,而由于三星S8發(fā)布更早,遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21495

10nm工藝產(chǎn)能不足,三星S8上市或延遲,小米6也將延遲?

今日受網(wǎng)友關(guān)注度最高的兩款手機(jī)莫非三星S8小米6了。三星S8三星經(jīng)歷過note7爆炸門之后正式推出的旗艦機(jī)型,而小米6是小米憋大招為了提高產(chǎn)品的銷量。但是這兩款手機(jī)或許并沒那么準(zhǔn)時(shí)的跟我們見面了。
2017-03-08 17:18:57622

小米6領(lǐng)銜的一大波手機(jī)將受影響,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">10nm工藝產(chǎn)能低

2017年是10nm工藝主推的一年。聯(lián)發(fā)科X30從16nm工藝轉(zhuǎn)為了更低功耗的10nm工藝,高通也相對(duì)應(yīng)的推出了10nm工藝的驍龍835處理器。由于10nm制造成本高和10nm工藝的產(chǎn)能低,導(dǎo)致了聯(lián)發(fā)科和高通處理器供貨將受到影響。
2017-03-09 09:42:311081

小米6不延期備貨足!三星砸重金擴(kuò)產(chǎn)10nm驍龍835

三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠,涉及驍龍835、Exynos 8895等移動(dòng)SoC。
2017-03-15 08:30:35502

小米6最新消息:三星10nm良品率穩(wěn)定,小米6等驍龍835手機(jī)可大規(guī)模鋪貨?

高通驍龍835發(fā)布以來,三星就加班加點(diǎn)開始量產(chǎn)旗艦機(jī)S8了,但該機(jī)和小米6等搭載驍龍835的手機(jī)發(fā)布遲到后,外界就開始猜測(cè)由于三星10nm工藝良品率低,造成高通驍龍835芯片難產(chǎn),各大手機(jī)廠商不得不推遲發(fā)布以便有充足的時(shí)間備貨!
2017-03-19 13:14:572461

首發(fā)驍龍835,三星s8發(fā)布!三星s8最新消息,三星s8備貨充足

三星Galaxy S8發(fā)布前,曾有消息稱,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">10nm驍龍835良率的問題,導(dǎo)致備貨有限,S8要延期到4月底發(fā)售。
2017-03-31 08:32:28498

三星宣布10nm制程新突破:已完成二代10nm工藝LPP驗(yàn)證工作

 三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411525

三星完成第二代10nm工藝質(zhì)量驗(yàn)證,即將量產(chǎn)

  據(jù)韓媒報(bào)道,高通已經(jīng)與三星攜手,合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE(low-power early)工藝處理器后,日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02728

三星S810nm驍龍835為何跟華為P10的16nm麒麟960性能相當(dāng)

今年安卓陣營的旗艦手機(jī)芯片當(dāng)屬高通驍龍835莫屬,驍龍835是首批量產(chǎn)的10nm手機(jī)芯片,并且還集成了下行速率高達(dá)1Gbps的基帶;目前在售搭載驍龍835的手機(jī)還較少,三星S8小米6是較早采用
2017-05-16 11:40:481558

揭秘Intel 10nm工藝,晶體管密度是三星10nm工藝的兩倍

作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”,英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久,每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布,眾人翹首以待10nm的到來,可英特爾還是給用戶潑冷水,繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:005018

三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電

根據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn),相比第一代,雖然性能沒有提升,但是功耗再降10%,可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:23884

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014748

三星7nm LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),Intel重申10nm工藝進(jìn)展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:403440

三星采用第二代10nm工藝級(jí)別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55732

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083213

三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163626

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01197

英偉達(dá)安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道,爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462639

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造,請(qǐng)注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:292174

英特爾推出10nm SF工藝,號(hào)稱比其他家7nm工藝還要強(qiáng)

關(guān)于芯片工藝,Intel前幾天還回應(yīng)稱友商的7nm工藝是數(shù)字游戲,Intel被大家誤會(huì)了。不過今年Intel推出了新一代的10nm工藝,命名為10nm SuperFin工藝,簡(jiǎn)稱10nm SF,號(hào)稱是有史以來節(jié)點(diǎn)內(nèi)工藝性能提升最大的一次,沒換代就提升15%性能,比其他家的7nm還要強(qiáng)。
2020-09-27 10:35:063475

Intel的10nm工藝成功解決產(chǎn)能、性能等問題

隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn),Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能等問題,現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin(以下簡(jiǎn)稱10nm SF)工藝,下半年則會(huì)有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝,12代酷睿會(huì)首發(fā)。
2021-01-14 09:48:283076

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