高通新一代旗艦級(jí)處理器驍龍835即將于CES開幕之初發(fā)布，原定于1月6日做主題宣講，但是這次高通的保密工作做得有點(diǎn)差，昨天相關(guān)的PPT就已經(jīng)出現(xiàn)在了網(wǎng)絡(luò)上，詳細(xì)規(guī)格已被曝光，今天網(wǎng)上又出現(xiàn)了驍龍835的官方新聞稿，再次確認(rèn)了規(guī)格信息。

　　驍龍835基于三星10nm FinFET工藝，采用八核心設(shè)計(jì)，4顆2.45GHz大核、4顆1.9GHz小核，大小核均為高通自主的Kryo 280架構(gòu)，GPU為Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝、LPDDR4x四通道內(nèi)存、Quick Charge 4快速充電技術(shù)等。

　　綜合指標(biāo)上，驍龍835的性能比驍龍820提升了27%，能耗降低了40%。

　　基于10nm FinFET工藝，功耗相比驍龍801降低50%正如之前公開的信息所顯示的那樣，高通驍龍835采用的是三星10nm FinFET工藝，是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝。值得注意的是，驍龍835所采用的10nm工藝是三星的第二代FinFET工藝。

　　全新的10nm工藝使得驍龍835的die size更小、封裝更小，能效更高。官方數(shù)據(jù)稱，驍龍835的芯片面積相比驍龍820縮小了30%。這也使得基于驍龍835的芯片手機(jī)能夠做得更輕薄，同時(shí)在擁有更低的功耗和更長(zhǎng)的續(xù)航。

　　得益于三星10nm工藝的加持，驍龍835在CPU功耗上相比之前的驍龍801降低了50%。

　　全新Kryo 280架構(gòu)八核高通驍龍835采用的是八核心，4顆2.45GHz大核、4顆1.9GHz小核（相比之前的驍龍820主頻分別提高了13%和19%），大小核均為高通新一代自主設(shè)計(jì)的Kryo 280架構(gòu)。其中，大核心配備了2M的二級(jí)緩存，小核心配備了1MB的二級(jí)緩存，相比驍龍820都提升了一倍。

　　性能方面，得益于更高的主頻以及新的Kryo 280架構(gòu)和更大的二級(jí)緩存，驍龍835的四顆大核心在APP加載時(shí)間、網(wǎng)頁瀏覽、VR應(yīng)用等方面提升了20%。不過，在80%的使用場(chǎng)景中主要都是更為高效的小核心在工作。

　　更強(qiáng)的圖形和多媒體性能在驍龍820中，高通第一次將Adreno分為GPU、VPU（視頻處理單元）和DPU（顯示處理單元）三部分，而以往的處理器中后面二者都以“Display Processing”和“Multimedia Processing”作為代替。驍龍835與驍龍820一樣，也分成了GPU、VPU和DPU三部分。

　　驍龍835集成了全新的Adreno 540 GPU，繪圖性能提升25%，同時(shí)支持60倍的屏幕色彩顯示，支持DX12，OpenGL ES和Valkan API。驍龍835的Adreno DPU增加了對(duì)10-bit 4K@60fps顯示的支持，同時(shí)支持Q-Sync技術(shù)和更廣的色域顯示特性等。驍龍835集成的Adreno VPU則增加了支持 4K HEVC 10-bit視頻回放，同時(shí)還支持基于視網(wǎng)膜中央凹成像渲染技術(shù)的（VR）游戲和視頻。

　　千兆級(jí)X16 LTE基帶芯片

　　驍龍835還整合了高通X16 LTE基帶芯片，作為移動(dòng)行業(yè)首款商用千兆級(jí)LTE芯片，驍龍X16通過支持跨FDD和TDD頻譜最高達(dá)4×20 MHz的下行鏈路載波聚合（CA）和256-QAM，可以帶來“像光纖一樣”的最高達(dá)1Gbps的LTE Category 16下載速度；同時(shí)通過支持最高達(dá)2x20 MHz的上行鏈路載波聚合以及64-QAM，可以帶來高達(dá)150 Mbps的上行速度。

　　此外，得益于10nm工藝的加持，驍龍835的基帶模塊封裝面積縮小了45%，能效提升了60%。

　　Quick Charge 4 快速充電技術(shù)在驍龍835正式發(fā)布之前，高通基于已經(jīng)公布了其新一代的Quick Charge 4 快速充電技術(shù)。

　　為了與谷歌的USB PD協(xié)議相配合，高通最新的Quick Charge 4技術(shù)加入了對(duì)USB Type-C和USB-PD的支持。這可能意味著，未來搭載Quick Charge 4的不同手機(jī)之間，混用充電器同樣可以實(shí)現(xiàn)快充了。充電功率方面，進(jìn)一步提升到了28W，有5V5.6A和9V3A兩種輸出方案可供選擇。

　　高通表示Quick Charge 4充電速度提升高達(dá)20%，僅五分鐘的充電，手機(jī)使用時(shí)間延長(zhǎng)五小時(shí)甚至更久。在大約15分鐘或更短時(shí)間內(nèi)，可充入高達(dá) 50%的電池電量。

　　驍龍835將成為首款支持Quick Charge 4快充技術(shù)的芯片。

　　更強(qiáng)的拍照性能驍龍835還集成了全新的Hexagon 690 DSP和Spectra 180 ISP，再加上Adreno 540 GPU的配合，拍照更清晰、對(duì)焦更迅速。新的Spectra ISP在原有支持雙攝的基礎(chǔ)上新增了4倍平滑縮放，并且擁有更快的對(duì)焦速度，色彩捕捉也更加真實(shí)等。

　　軟件算法方面，高通推出了電子防抖3.0、高級(jí)4K視頻防抖、滾動(dòng)快門校正、雙鏡優(yōu)化等。

　　針對(duì)VR做了更多的優(yōu)化通過上面的一些介紹，我們可以看到，驍龍835針對(duì)AR、VR做了很多的優(yōu)化。比如新的Adreno 540 GPU使得驍龍835在3D渲染速度比820快了25%，同時(shí)多支持60倍的屏幕顯示色。此外，驍龍835還支持基于視網(wǎng)膜中央凹成像渲染技術(shù)的（VR）游戲和視頻，支持場(chǎng)景和物理音源，支持解碼DSD原片，動(dòng)作位移延遲減少20%，支持6角度追蹤等。此前，驍龍820已經(jīng)成為了首款支持谷歌Daydream的移動(dòng)處理器，想必驍龍835在VR/AR體驗(yàn)上將會(huì)更進(jìn)一步提升。

　　其他其他方面，高通驍龍835芯片還支持 LPDDR4 四通道內(nèi)存和 UFS 2.1 高速閃存。在安全和深度學(xué)習(xí)方面，驍龍835還集成了高通Haven安全管理和Zeroth認(rèn)知技術(shù)等。

　　小結(jié)：在綜合指標(biāo)上，高通的官方新聞稿顯示，驍龍835的性能比驍龍820/821提升了27%，能耗降低了40%。此外，在拍照、快充、基帶等各方面都有了全面的提升?？胺Q是目前最強(qiáng)的旗艦級(jí)移動(dòng)處理器。據(jù)了解，目前驍龍835已經(jīng)開始進(jìn)行生產(chǎn)，不過它要等到2017年上半年才能正式出貨。三星Galaxy S8有望成為首款搭載高通驍龍835處理器的智能手機(jī)設(shè)備。LG、HTC、華碩以及國(guó)內(nèi)的小米似乎都計(jì)劃推出搭載驍龍835的智能手機(jī)（應(yīng)該是小米6）。此外，非常值得一提的它還是首顆支持Win10桌面系統(tǒng)的ARM處理器，相關(guān)產(chǎn)品今年晚些時(shí)候會(huì)亮相。