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集成高速串行接口的EMI濾波及ESD保護(hù)問題(2)

2011年08月19日 10:34 本站整理 作者:網(wǎng)絡(luò) 用戶評論(0
傳統(tǒng)共模濾波器在商業(yè)溫度范圍內(nèi)(特別是在+85℃時)也會出現(xiàn)性能問題。溫度升高時,鐵芯飽和,阻抗增加,濾波性能發(fā)生變化。而在功率放大器工作及無線設(shè)備在蜂窩系統(tǒng)中通信時,智能手機(jī)內(nèi)部溫度可能高達(dá)+85℃。

  基于鐵芯或陶瓷襯底的傳統(tǒng)共模濾波器的尺寸相對較大,目的單一(即共模濾波)。它們抑制EMI,但從節(jié)省空間或成本的角度而言,并不高效,而且不足以解決ESD保護(hù)問題,而ESD保護(hù)是使用最新基帶及應(yīng)用處理器的智能手機(jī)的一項關(guān)鍵問題。這些器件的性價比、電路板空間/性能比并不具備吸引力。

  集成EMI抑制及ESD保護(hù)的途徑

  如果智能手機(jī)持續(xù)演進(jìn),傳統(tǒng)共模濾波器就會成為束縛,這些產(chǎn)品的復(fù)雜度及能夠支持的功能就會存在局限。但有利的是,業(yè)界開發(fā)出了創(chuàng)新的半導(dǎo)體技術(shù),使手機(jī)制造商能夠提供豐富功能的智能手機(jī)。硅濾波器的出現(xiàn),能夠幫助智能手機(jī)設(shè)計持續(xù)進(jìn)步。安森美半導(dǎo)體率先意識到了從并行接口到串行接口的過渡,開發(fā)出了集成EMI抑制及ESD保護(hù)的串行接口硅方案產(chǎn)品線。安森美半導(dǎo)體運用為低通濾波器產(chǎn)品開發(fā)的構(gòu)建銅鋁(copper over aluminum)電感工藝中獲得的專知,擴(kuò)展了這種工藝,創(chuàng)建出嵌入在硅襯底中的共模濾波器線圈,能夠有效地抑制共模噪聲,同時對差分信令的影響甚微,使差分信號事實上順暢無陰地通過。

  將不同的單獨裸片共同封裝在一起,能夠為智能手機(jī)設(shè)計團(tuán)隊提供一種總體方案,提供強固的噪聲抑制及ESD保護(hù)能力,適用于最流行的接口,如USB、MIPI、DSI、CSI及HDMI等。后續(xù)還會衍生出將這些共模濾波器結(jié)構(gòu)構(gòu)建在極低電容ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)上的新方案,進(jìn)一步提升集成度及簡化制造流程。

  

圖4:硅共模濾波器制造流程

 

  圖4:硅共模濾波器制造流程

  安森美半導(dǎo)體身為應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商,為了應(yīng)對智能手機(jī)等便攜設(shè)備高速串行接口的EMI抑制及ESD保護(hù)需求,推出了集成了ESD保護(hù)的EMI2121、EMI4182及EMI4183等新的硅共模濾波器,用于抑制噪聲及提供高信號完整性,除了適合智能手機(jī),還可用于平板電腦、無線連接底座、數(shù)碼攝像機(jī)及機(jī)頂盒和DVD播放機(jī)等應(yīng)用。這些新的共模濾波器不同于傳統(tǒng)的EMI濾波器,乃是基于硅片制造,更適合以更深度及更高頻率抑制EMI,非基于陶瓷或鐵氧體的方案可比。這些集成ESD保護(hù)及EMI抑制功能的新器件,比競爭方案節(jié)省空間多達(dá)50%,從而可以可觀的節(jié)省物料單(BOM),且為無線手機(jī)設(shè)計人員提供了整體(turnkey)解決方案。

  

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( 發(fā)表人:小蘭 )

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