當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv
2015-01-14 17:10:29
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米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開(kāi)通過(guò)程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過(guò)后GS電壓又開(kāi)始上升直至完全導(dǎo)通。為什么會(huì)有穩(wěn)定值這段
2018-09-28 08:02:0019124 MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-09-29 09:26:071441 上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線(xiàn)的細(xì)微之處，希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識(shí)別三種特性曲線(xiàn)的區(qū)別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開(kāi)一個(gè)重要現(xiàn)象——Miller效應(yīng)，今天我們就一起探討下，一次聊不完，可能會(huì)分幾篇來(lái)探討。
2023-02-01 10:18:411547 從多個(gè)維度分析了米勒效應(yīng)，針對(duì)Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們?cè)俸痛蠹乙黄?，結(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺(tái)。
2023-02-14 09:25:467164 對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開(kāi)關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。
2023-04-26 09:20:532057 
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái)，并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通過(guò)了解MOS管的的開(kāi)關(guān)過(guò)程，以及MOS米勒電容的影響，來(lái)改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
2023-07-21 09:19:364571 
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:55915 
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導(dǎo)其小信號(hào)模型。
2023-10-02 17:36:001342 
SOT-89 N溝道MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管HN0801產(chǎn)品應(yīng)用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷(xiāo)，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu)，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)20-150V
2020-11-14 13:54:14
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng)30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)HC020N03L參數(shù)：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。按溝道半導(dǎo)體資料
2018-10-29 22:20:31
(VGE)：5.5VG-E極漏電流(IGES)：100na工作溫度：-55~+150℃引線(xiàn)數(shù)量：3 MOS管25N120又稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，我們首先介紹一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件——MOS電容，可以更好地理解MOS管
2021-10-30 15:41:50
本帖最后由 菜鳥(niǎo)到大神 于 2020-5-17 21:24 編輯
MOS管類(lèi)型MOS管有N溝道型和P溝道型兩種，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理的不同又可分為耗盡型和增強(qiáng)型。因此，MOS管可構(gòu)成P溝道增強(qiáng)型、P
2020-05-17 21:00:02
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開(kāi)MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)
2019-04-15 12:04:44
了，沒(méi)錯(cuò)就是米勒電容。我們都知道因?yàn)槎嗑Ч鑼挾?、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結(jié)摻雜輪廓等因素，MOS管會(huì)產(chǎn)生寄生電容?！ ∷鼈兎謩e是輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss
2023-03-15 16:55:58
MOS管也就是常說(shuō)的場(chǎng)效應(yīng)管（FET），有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（又分為增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管）。也可以只分成兩類(lèi)P溝道和N溝道。場(chǎng)效應(yīng)管的作用主要有信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷，這里我們講解
2021-10-28 07:46:04
影響不明顯，可是當(dāng)開(kāi)關(guān)速度比較高，而且VDD供電電壓比較高，比方310V下，經(jīng)過(guò)Cgd的電流比較大，強(qiáng)的積分很容易引起振動(dòng)，這個(gè)振動(dòng)叫米勒振動(dòng)。所以Cgd也叫米勒電容，而在MOS管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時(shí)刻
2019-04-09 11:39:46
也叫米勒電容，而在MOS管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時(shí)間，也就是積分那段時(shí)間，叫米勒平臺(tái)，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺(tái)，右邊的是振蕩嚴(yán)重的米勒振蕩：因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個(gè)電容足夠大，并且
2018-11-21 14:43:01
米勒振蕩可以認(rèn)為是開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心關(guān)鍵。A、減緩驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度 1、提高MOS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開(kāi)關(guān)速度越緩。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
上一節(jié)講了MOS管的等效模型，引出了米勒振蕩，可以這么講，在電源設(shè)計(jì)中，米勒振蕩是一個(gè)很核心的一環(huán)，尤其是超過(guò)100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應(yīng)加熱電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍
2018-11-20 16:00:00
，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿(mǎn)電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)
2021-01-27 15:15:03
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
網(wǎng)上查詢(xún)到的MOS管防過(guò)壓原理圖，求大神解析原理，跪謝！
2022-10-13 09:37:04
MOS_場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡
2018-10-27 11:36:33
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫(xiě)
2011-06-08 10:43:25
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
mos管叫場(chǎng)效應(yīng)管，mos管和三極管不能直接代換，因它們的工作機(jī)理不一樣。mos管是電壓控制器件而三極管是電流控制器
2012-07-11 11:53:45
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動(dòng)經(jīng)常聽(tīng)到米勒效應(yīng)這個(gè)詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個(gè)等效電容在場(chǎng)效應(yīng)管或者IGBT開(kāi)通的時(shí)候在某一階段會(huì)放大較多倍，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
【不懂就問(wèn)】看到TI的一個(gè)三相逆變器設(shè)計(jì)資料中，關(guān)于有源米勒鉗位的設(shè)計(jì)這是一段原話(huà)“開(kāi)關(guān)IGBT過(guò)程中，位移電流流經(jīng)IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導(dǎo)通原因是，當(dāng)逆變器的上管導(dǎo)
2017-12-21 09:01:45
MOS管質(zhì)量過(guò)硬，性能穩(wěn)定，可替換6N40場(chǎng)效應(yīng)管。飛虹的FHP730高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場(chǎng)效應(yīng)管，除了可替代6N40外，還可替代7N40、IRF730B這兩款場(chǎng)效應(yīng)管。FHP730高壓
2019-07-18 20:32:19
。飛虹微電子研發(fā)的這個(gè)FHP3205低壓MOS管在轉(zhuǎn)換效率、安全性能等方面都是可以替換IRF1010E場(chǎng)效應(yīng)管使用的。飛虹的這個(gè)FHP3205低壓場(chǎng)效應(yīng)管是N溝道溝槽工藝MOS管，主要適用于300W
2019-09-03 11:28:28
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)Vmos管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問(wèn)題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過(guò)渡。Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒
2019-07-26 07:00:00
MOSFET開(kāi)時(shí)米勒平臺(tái)的形成過(guò)程的詳細(xì)解析！純手工畫(huà)圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
二極管三極管與晶閘管場(chǎng)效應(yīng)管解析
2021-02-24 09:22:34
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容的充放電過(guò)程；當(dāng)Cgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后， MOSFET就會(huì)進(jìn)入開(kāi)通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開(kāi)通后，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；
2019-09-12 09:05:05
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話(huà)詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
1. 什么是MOS管？MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng)。1.1 如何判斷MOS管的G柵極、D漏極、S源極?（1）引腳一般如上圖所示。（2）萬(wàn)用表測(cè)量，方法如下S源極與D漏極之間應(yīng)該有
2021-12-31 06:20:08
中的作用就是保護(hù)電路，控制過(guò)級(jí)電流大小，HY4004場(chǎng)效應(yīng)管是目前家用電器應(yīng)用得比較多的場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)之一。逆變器的直流轉(zhuǎn)換是由MOS開(kāi)關(guān)管和儲(chǔ)能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經(jīng)過(guò)推挽放大器放大后驅(qū)動(dòng)
2019-08-10 16:05:34
組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大，所以最關(guān)鍵的問(wèn)題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過(guò)渡。 Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。 過(guò)快的充電會(huì)
2020-06-26 13:11:45
負(fù)載適應(yīng)性和穩(wěn)定性。因而為了保證產(chǎn)品質(zhì)量，減少維修成本，廠家就更應(yīng)該選擇一款優(yōu)質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)管，而飛虹電子自主研發(fā)的這個(gè)FHP740高壓MOS管在轉(zhuǎn)換效率、安全性能等方面都是可以替換11N40場(chǎng)效應(yīng)管
2019-07-22 15:36:13
場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的H 橋電路，它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3 組成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！ “礈系腊雽?dǎo)體
2009-04-25 15:38:10
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
的米勒平臺(tái)區(qū)，它會(huì)影響MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程。對(duì)于這個(gè)平臺(tái)區(qū)，在開(kāi)關(guān)電源中會(huì)引起較大的開(kāi)關(guān)損耗，這是它不利的一面；但是在EMI超標(biāo)的時(shí)候，適當(dāng)?shù)脑黾覥gd電容，延長(zhǎng)MOS管的開(kāi)通過(guò)程，又可以用來(lái)降低
2023-03-22 14:52:34
一、MOS管簡(jiǎn)介：MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中
2018-10-25 16:36:05
也叫米勒電容，而在MOS管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時(shí)間，也就是積分那段時(shí)間，叫米勒平臺(tái)，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺(tái)，右邊的是振蕩嚴(yán)重的米勒振蕩： 因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個(gè)電容足夠大，并且
2018-11-27 14:11:15
的半導(dǎo)體器材?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器
2018-12-28 11:54:50
開(kāi)始上升，此時(shí)MOS管進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)ld已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿(mǎn)電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOS管進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)
2018-12-19 13:55:15
` MOS管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求前級(jí)放大器顯示器出越性。根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管兩大類(lèi)型--結(jié)型MOS管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成相應(yīng)
2018-10-30 16:02:32
電壓時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是，利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時(shí)，源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS管，UGS＝0 時(shí)，漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導(dǎo)體）襯底（Substrate，也有稱(chēng)為Bulk或Body）上，形成兩個(gè)高
2023-02-10 15:58:00
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
三極管會(huì)不會(huì)存在米勒效應(yīng)
2019-09-10 04:37:38
由MOS場(chǎng)效應(yīng)管和普通電源變壓器構(gòu)成，TK8A50D場(chǎng)效應(yīng)管是目前家用電器的逆變器后級(jí)電路應(yīng)用得比較多的場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)之一。冰箱、空調(diào)、LED等是我們每天都會(huì)應(yīng)用到的電器，如果場(chǎng)效應(yīng)管的質(zhì)量不過(guò)關(guān)，無(wú)法進(jìn)行
2019-08-15 15:08:53
的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)等。飛虹研發(fā)的這個(gè)FHP3205低壓MOS管在轉(zhuǎn)換效率、安全性能等方面都是可以替換IRF1010E場(chǎng)效應(yīng)管使用的。飛虹的這個(gè)FHP3205低壓場(chǎng)效應(yīng)管是N溝道溝槽工藝MOS管，主要適用于300W
2019-08-29 13:59:20
請(qǐng)問(wèn)各路大神，場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路，存在米勒效應(yīng)，階躍時(shí)間變得很長(zhǎng)，是不是需要增大前級(jí)驅(qū)動(dòng)電流，就能減小階躍時(shí)間，或者還有其他方法嗎，我看米勒效應(yīng)都在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下來(lái)講解，但在放大狀態(tài)依然有米勒平臺(tái)，這是正常的嗎？
2018-08-08 10:29:41
MOS場(chǎng)效應(yīng)管
表16-3 列出了一些小功率MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 15:54:231094
MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2009-11-06 17:21:00943 米勒效應(yīng)解決
2017-06-09 09:56:40
48 米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中非常顯著?；陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這里存在著潛在的風(fēng)險(xiǎn)。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平臺(tái)（miller plateau）之前，首先來(lái)看看“罪魁禍?zhǔn)住?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
MOS管的等效模型 我們通?？吹降?b class="flag-6" style="color: red">MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱(chēng)為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3727499 
當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)（如圖1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
MOS管的細(xì)節(jié)
2022-02-11 16:33:053 MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開(kāi)關(guān)元件，在開(kāi)關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見(jiàn)，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:464395 
本文介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái)，并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒電容器寄生導(dǎo)通效應(yīng)的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 如下是一個(gè)NMOS的開(kāi)關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開(kāi)啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以同期T=20ms進(jìn)行開(kāi)啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
2022-03-29 13:56:160 從t1時(shí)刻開(kāi)始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會(huì)維持不變。
2022-08-22 09:11:431821 米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開(kāi)通過(guò)程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過(guò)后GS電壓又開(kāi)始上升直至完全導(dǎo)通。
2022-08-30 15:34:142286 MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-10-31 02:03:321073 
在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開(kāi)通過(guò)程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。
2023-02-10 14:05:506736 
在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的，對(duì)各階段做了定量分析，相信看過(guò)的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來(lái)聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。
2023-03-26 13:40:481714 關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開(kāi)始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個(gè)人認(rèn)為今天聊的這個(gè)話(huà)題至關(guān)重要：抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大1+K倍，其中K是該級(jí)放大電路電壓放大倍數(shù)
2023-05-15 16:11:324100 
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)
2023-05-25 17:24:253999 
搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開(kāi)關(guān)延時(shí)不說(shuō)，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對(duì)呢？我們先來(lái)看IGBT開(kāi)通時(shí)的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:061634 
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類(lèi)似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152546 為什么說(shuō)共源共柵結(jié)構(gòu)會(huì)減小米勒電容效應(yīng)呢？ 共源共柵結(jié)構(gòu)是一種常見(jiàn)的放大器電路結(jié)構(gòu)，在多種電路應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。它由共源、共柵、共耦合電容和外部負(fù)載等元件組成。共源共柵結(jié)構(gòu)由于具有許多優(yōu)良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導(dǎo)致電路中的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而影響電路的性能。常見(jiàn)的一種解決方法是使用補(bǔ)償電容，但這么做也會(huì)帶來(lái)其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒電容效應(yīng)怎么解決？? 米勒電容效應(yīng)是指在一個(gè)帶有放大器的電路中，負(fù)載電容會(huì)產(chǎn)生一種反饋效應(yīng)，使得整個(gè)電路的增益降低或者不穩(wěn)定。這種效應(yīng)的產(chǎn)生會(huì)影響到很多電路的穩(wěn)定性和性能，是電子設(shè)計(jì)中必須面對(duì)
2023-09-18 09:15:451230 MOS管開(kāi)通過(guò)程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)中使用共源共柵拓?fù)湎?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)
2023-12-07 11:36:43237 
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