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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>什么是功率器件,具有什么特性

什么是功率器件,具有什么特性

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2023-02-22 09:15:30346

SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件特性

碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

碳化硅器件動態(tài)特性測試技術(shù)剖析

碳化硅功率器件作為新一代功率半導體器件,以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應(yīng)用,同時也對其動態(tài)特性測試帶來了挑戰(zhàn),現(xiàn)階段存在的主要問題有以下三點
2023-07-08 15:14:02325

提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法

功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:08343

實測干貨分享!1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試

點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們! (本文轉(zhuǎn)載自公眾號: 功率器件顯微鏡 ,分享給大家交流學習) GaN HEMT功率器件實測及其測試注意事項。氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表,具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:02711

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151946

氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)說明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同,本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342704

一文看懂SmartFET:功率FET的保護特性及應(yīng)用

列文章將分為四部分,此為第一部分,將介紹應(yīng)用詳情以及功率FET和保護,詳細介紹功率元件(垂直功率FET)的物理結(jié)構(gòu)以及利用功率FET所采用的不同技術(shù)。其中還會介紹該器件中集成的保護特性,這些特性可在系統(tǒng)故障情況下保護器件本身。 本文在解釋某些概念時還提供
2023-11-24 19:15:02374

碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析

碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2023-12-19 09:27:19300

碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件

碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢,主要體現(xiàn)在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286

簡單認識功率器件

功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進行功率處理的半導體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力,處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏,通過電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667

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