射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開(kāi)發(fā)面向?yàn)殡娏﹄娮討?yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開(kāi)發(fā)幾種不同的方法，以實(shí)現(xiàn)GaN功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:53
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功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，理解GaN有可能帶來(lái)的性能提升，以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。
2015-11-08 18:00:004908 
長(zhǎng)期以來(lái)，寬帶隙氮化鎵硅（GaN-on-Si）晶體管現(xiàn)已上市。他們被吹捧為取代硅基MOSFET，這對(duì)于許多高性能電源設(shè)計(jì)而言效率低下。最近，市場(chǎng)上出現(xiàn)了幾家基于GaN-on-Si的HEMT和FET
2019-01-24 09:07:003145 
或消除了對(duì)散熱片的需求。通過(guò)使用基于GaN的晶體管和IC，設(shè)計(jì)人員一直在生產(chǎn)小型充電器。Power Integrations一直處于GaN革命的最前沿，可為許多客戶(hù)批量提供完整的電源解決方案。本文探討了GaN器件的功能，并討論了解決該技術(shù)帶來(lái)的挑戰(zhàn)的
2021-04-07 17:15:013447 
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長(zhǎng)的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計(jì)算，以及許多新的汽車(chē)
2021-03-31 11:47:002732 GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開(kāi)關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗，這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:511366 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-18 10:06:19779 對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:091274 
。對(duì)于當(dāng)今的大電流、高功率應(yīng)用和 650 V GaN 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強(qiáng)制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK 封裝，可以提供更佳散熱性能。
2022-08-30 11:25:511297 的權(quán)衡標(biāo)準(zhǔn)和注意事項(xiàng)，包括 PCB 布局、熱界面、散熱器選擇和安裝方法指南。還將提供使用 50mΩ 和 70mΩ GaN 器件的設(shè)計(jì)示例。
2022-11-18 09:42:25719 TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:001421 不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-29 03:28:004586 
首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51420 
新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表著下一代電源系統(tǒng)未來(lái)
2023-12-01 14:11:45406 
的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級(jí)聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對(duì)此
2023-12-11 11:43:37259 
）。另一方面，功率GaN的技術(shù)路線從不同的層面看還有非常豐富的種類(lèi)。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強(qiáng)型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強(qiáng)型GaN FET是單芯片常關(guān)器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關(guān)器件（共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 的 FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器。GaN FET 的開(kāi)關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多，而將驅(qū)動(dòng)器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感，并且可優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能以降低功率損耗，從而有助于設(shè)計(jì)人員減小散熱器的尺寸。節(jié)省的空間
2018-10-31 17:33:14
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開(kāi)關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級(jí)尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2018-10-26 10:32:18
應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開(kāi)始取代汽車(chē)、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
需要臨界偏置網(wǎng)絡(luò)才能正常工作。這種電力系統(tǒng)配置通常用于數(shù)據(jù)中心。更新的發(fā)展是增強(qiáng)型GaN FET或eGaN。這是絕緣門(mén)品種。像所有的GaN器件一樣，它們提供了更高速度的切換，更高的電壓操作和改善散熱
2017-05-03 10:41:53
作者: 德州儀器設(shè)計(jì)工程師謝涌；設(shè)計(jì)與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
散熱解決方案規(guī)格去哪里下載以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文Thermal Solution Specification去哪里下載
2018-11-09 11:31:01
你好我需要知道Artix 7的頂部表面可以施加多大的壓力，以使鋁制散熱器和Artix 7 23mm X 23mm之間的導(dǎo)熱墊足夠接觸。
2020-05-05 14:43:28
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過(guò)較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術(shù)融入到電源
2018-09-11 14:04:25
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
LMG5200 GaN FET moduleFull digital control with UCD3138A enable flexible designS.R buck topology and half-bridge current-doubler
2018-09-26 08:45:25
?！ D2： 數(shù)字平均電流模式控制圖 GaN FET 需要一個(gè)散熱器才能在 1.5 kW 的全輸出功率下工作。使用標(biāo)準(zhǔn)的市售 1/8 磚散熱器。PCB上安裝了四個(gè)金屬墊片，為散熱器安裝提供適當(dāng)?shù)拈g隙
2023-02-21 15:57:35
描述PMP10534 是一種單相同步降壓變換器，采用 LM53603 調(diào)節(jié)器 IC，該 IC 包含頂部集成式 FET 和底部集成式 FET。該設(shè)計(jì)可接受 7V 到 36V 的輸入電壓，提供 5V
2022-09-19 07:42:31
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開(kāi)關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級(jí)尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2022-09-23 07:12:02
我最近訪問(wèn)了德州儀器（TI）的先進(jìn)技術(shù)戰(zhàn)略和營(yíng)銷(xiāo)，寬帶隙解決方案的Masoud Beheshti，以及應(yīng)用工程師Lixing Fu進(jìn)行了演示，該演示演示了TI聲稱(chēng)是業(yè)界最小的納秒級(jí)GaN驅(qū)動(dòng)器
2019-11-11 15:48:09
，實(shí)現(xiàn)了更高的開(kāi)關(guān)頻率，減少甚至去除了散熱器。圖2顯示了GaN和硅FET之間48V至POL的效率比較。 圖 2：不同負(fù)載電流下GaN與硅直流/直流轉(zhuǎn)換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
諸多應(yīng)用難點(diǎn)，極高的開(kāi)關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過(guò)電流和過(guò)電壓導(dǎo)致器件在高電壓場(chǎng)合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開(kāi)通門(mén)限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓?fù)涞膽?yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
設(shè)計(jì)?；陔p向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一體化“二合一”設(shè)計(jì)，本文提出了一種高效散熱方案采用Navitas集成驅(qū)動(dòng)GaN-Power-IC器件的技術(shù)。CCMPFC的開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置為
2023-06-16 08:59:35
今天觀看了電子研習(xí)社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無(wú)橋PFC參考方案的設(shè)計(jì)（TIDA00961）。下面是對(duì)該方案的介紹：高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
明需要進(jìn)行一些改動(dòng)來(lái)降低頂部層附近裸片上的FET最高溫度，以防止熱點(diǎn)超出150C的T結(jié)點(diǎn)。系統(tǒng)用戶(hù)可以選擇控制該特定序列下的功率分布，以此來(lái)降低裸片上的功率溫度。散熱仿真是開(kāi)發(fā)電源產(chǎn)品的一個(gè)重要組成部分
2021-04-07 09:14:48
明需要進(jìn)行一些改動(dòng)來(lái)降低頂部層附近裸片上的FET最高溫度，以防止熱點(diǎn)超出150C的T結(jié)點(diǎn)。系統(tǒng)用戶(hù)可以選擇控制該特定序列下的功率分布，以此來(lái)降低裸片上的功率溫度。散熱仿真是開(kāi)發(fā)電源產(chǎn)品的一個(gè)重要組成部分
2022-07-18 15:26:16
較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。使用壽命預(yù)測(cè)指標(biāo)功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及
2019-07-12 12:56:17
空間和每克減輕的重量都可以延長(zhǎng)兩次電池充電之間的運(yùn)行時(shí)間。Efficient Power Conversion 的 GaN FET 可幫助設(shè)計(jì)人員提高功率密度以應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)。EPC9145 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源
2022-03-25 11:02:29
伴隨著更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而導(dǎo)致更高的功率密度。但熱管理和寄生效應(yīng)無(wú)法縮放!在更小的體積中集中更多的功率為散熱和封裝帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。較小的模面面積限制了傳統(tǒng)封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景
2018-11-20 10:56:25
各位大便，有沒(méi)有用SM2083在PCB上的散熱方案，現(xiàn)在只將SM2083焊接在PCB上，出現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)。
2016-01-15 18:17:43
到驅(qū)動(dòng)集成電路（IC）中，感測(cè)FET和電流感測(cè)電路可為GaN FET提供過(guò)流保護(hù)。這是增強(qiáng)整體系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵功能。使用增強(qiáng)型GaN器件時(shí)，這種電流檢測(cè)方案無(wú)法實(shí)現(xiàn)。當(dāng)大于40 A的電流流經(jīng)GaN
2023-02-14 15:06:51
FET 的控制器解決方案與采用集成 FET 的轉(zhuǎn)換器相比，更具挑戰(zhàn)性。主要有兩方面的考量因素。首先，在緊湊性方面，采用 MOSFET 和控制器的功率級(jí)的印刷電路板 (PCB) 布局比不上采用優(yōu)化引腳布局和內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)器的功率轉(zhuǎn)換器集成電路…
2022-11-09 08:02:39
描述 PMP10534 是一種單相同步降壓變換器，采用 LM53603 調(diào)節(jié)器 IC，該 IC 包含頂部集成式 FET 和底部集成式 FET。該設(shè)計(jì)可接受 7V 到 36V 的輸入電壓，提供 5V
2018-11-07 16:46:31
困擾著LED技術(shù)人員。下面是一組精心收集的文章供大家參考：?? 高功率LED照明設(shè)計(jì)中的散熱控制方案?? 解析高功率白光LED芯片的散熱問(wèn)題 ?? 如何改善LED散熱性能 ?? 氧化鋁及硅作為L(zhǎng)ED
2011-03-06 16:18:57
輻射散熱解決方案:輻射散熱的原理和特點(diǎn) 熱能是能量的一種，可以用輻射（放射）、傳導(dǎo)和對(duì)流的方式進(jìn)行轉(zhuǎn)換。 CHDS品牌的散熱方案是通過(guò)金屬介質(zhì)
2009-08-27 18:36:34
22 TI推出通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)
2010-01-22 09:40:49932 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）功率級(jí)工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。
2016-05-05 14:41:39874 氮化鎵 （GaN） 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類(lèi)型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
2016-05-09 17:06:562888 產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開(kāi)型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無(wú)線充電、電源開(kāi)關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類(lèi)。
2019-02-03 12:54:0011330 3月7日下午，小米公司產(chǎn)品總監(jiān)王騰科普了小米9散熱方案。王騰表示，大家對(duì)小米9散熱控制評(píng)價(jià)還不錯(cuò)，一方面是驍龍855功耗控制良好，另一方面小米9做了非常細(xì)致完整的散熱方案。
2019-03-07 15:31:543316 ）功率級(jí)工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開(kāi)提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:061929 作為半導(dǎo)體材料，人們關(guān)注GaN（氮化鎵）是從上世紀(jì)90年代的LED燈應(yīng)用開(kāi)始的。然而，但我們看到GaN充電器在更小的體積中實(shí)現(xiàn)更高的效率，以及更好的散熱性能之后，GaN在消費(fèi)電子領(lǐng)域的爆發(fā)便勢(shì)不可擋
2021-01-11 11:45:212093 
GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開(kāi)關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗，這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。為了充分利用 GaN 的快速開(kāi)關(guān)速度，需要更大限度地減小電源環(huán)路電感。
2021-03-16 17:40:322671 
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度
2022-01-12 16:22:471173 
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。
2022-02-08 16:32:444 GaN晶體管擁有開(kāi)關(guān)速度快、效率高等優(yōu)勢(shì)，本方案結(jié)合Transphorm公司的GaN FET和士蘭微電子的有源鉗位反激式（ACF）PWM控制器，實(shí)現(xiàn)了94.5%的峰值效率和30W/in3的無(wú)封裝功率密度，用于筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)和其他終端設(shè)備的電源供電。
2022-06-15 09:29:53933 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過(guò) PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來(lái)展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-25 09:15:05488 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過(guò) PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來(lái)展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-29 08:06:37394 
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:08570 
650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開(kāi)關(guān)損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有更低的導(dǎo)通電阻 （R on ），并且 GaN
2022-08-05 08:04:511049 
氮化鎵 (GaN) 開(kāi)關(guān)技術(shù)推動(dòng)了充電器和適配器的小型化。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開(kāi)發(fā)可以在高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行的轉(zhuǎn)換器。GaN 減小了變壓器尺寸，提供了顯著提高系統(tǒng)效率的解決方案，減少或消除了對(duì)散熱器的需求。通過(guò)使用基于 GaN 的晶體管和 IC，設(shè)計(jì)人員一直在生產(chǎn)小型充電器。
2022-08-05 09:57:45595 
Nexperia在 TO-247 和專(zhuān)有 CCPAK 表面貼裝封裝中采用下一代高壓 GaN HEMT H2 技術(shù)的新系列GaN FET 解決方案將主要面向汽車(chē)、5G 和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。Nexperia
2022-08-08 08:09:49897 
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫，這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN FET 和 IC 的芯片級(jí)封裝提供六面冷卻，從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱。高性能熱設(shè)計(jì)可以保證基于 eGaN 的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)具有更高的輸出功率，具有緊湊的尺寸和低導(dǎo)通電阻。
2022-08-09 09:41:461331 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
2022-10-28 12:00:200 指標(biāo)。為了提高電源的效率，80 PLUS鈦金級(jí)電源的設(shè)計(jì)人員正在尋找650 V GaN FET，實(shí)現(xiàn)更小、更快、更涼、更輕的系統(tǒng)，同時(shí)降低總體系統(tǒng)成本。
2023-02-08 09:17:05758 
在過(guò)去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開(kāi)關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:12419 
在半橋拓?fù)渲胁⒙?lián) Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 白皮書(shū)：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032 了解功率 GaN FET 數(shù)據(jù)表參數(shù)-AN90005
2023-02-17 20:08:302 白皮書(shū)：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 GaN FET 半橋的電路設(shè)計(jì)和 PCB 布局建議-AN90006
2023-02-20 19:29:057 近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步
2023-03-01 17:25:56993 
，從而有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。 由于 器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區(qū)， 這導(dǎo)致熱量主要通過(guò) PCB進(jìn)行 傳播 。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過(guò)空氣對(duì)流來(lái)散熱。因此，熱傳遞效率在
2023-03-10 21:50:04799 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15385 保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開(kāi)關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。文章來(lái)源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:18273 
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27411 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Xilinx器件設(shè)計(jì)散熱器和散熱解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 10:59:413 Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強(qiáng)大的GaN功率半導(dǎo)體（下一代電力系統(tǒng)的未來(lái)）領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導(dǎo)通電
2023-10-12 16:40:56251 雖然穩(wěn)壓器模塊的額定功率和轉(zhuǎn)換效率都在不斷提升，然而對(duì)其的預(yù)期尺寸卻正在不斷減小。因此，有效散熱依然是設(shè)計(jì)上的一大挑戰(zhàn)。本博客文章討論了Flex Power Modules旗下產(chǎn)品的一些散熱設(shè)計(jì)選項(xiàng)。
2023-11-24 12:46:49354 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器的高劑量率總電離劑量測(cè)試.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-21 10:42:460 GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開(kāi)創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時(shí)代。
2023-12-24 09:30:06430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《耐輻射12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 71441MM數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 11:06:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《輻射硬化12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 73041SEH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 11:02:050 近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上
2024-01-15 10:44:16436 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580
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