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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

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2019-05-13 18:30:571418

羅姆推車用級1200V耐壓IGBT 應(yīng)對電動汽車需求

據(jù)外媒報道,最近,日本羅姆半導(dǎo)體公司(ROHM)宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內(nèi)的逆變器,以及正溫度系數(shù)(PTC)加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501493

滿足AEC-Q101標準的車載1200V耐壓IGBTRGS系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:504947

關(guān)于1200V耐壓IGBTRGS系列”性能分析

電流流過PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時會流過大電流,產(chǎn)生大量熱量,隨著發(fā)熱量的增加,電阻值增大,電流受限,從而抑制發(fā)熱量。利用這些特性,可加熱空氣和水,并使之循環(huán),從而成為制熱用的熱源。
2019-08-22 09:29:174400

淺談AEC-Q101認證標準

AECQ101主要對汽車分立器件,元器件標準規(guī)范要求,AECQ101認證將會是汽車級半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認證包含了離散半導(dǎo)體元件(如晶體管,二極管等)最低應(yīng)力測試要求的定義和參考測試條件,目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:385087

Power Integrations推出通過AEC-Q101汽車級認證的200V Qspeed二極管

– 現(xiàn)已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù),可在軟開關(guān)和低反向恢復(fù)電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對于車載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003049

ROHM新推出四款IGBTRGS系列”產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBTRGS系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品非常適用于電動壓縮機※2)的逆變器電路
2020-09-18 16:57:092348

IGBT電動汽車空調(diào)有哪些關(guān)鍵技術(shù)

ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實現(xiàn)小型化,是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:002601

Microchip推出700和1200V碳化硅肖特基勢壘二極管

)今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件,為電動汽車(EV)系統(tǒng)設(shè)計人員提供了符合嚴苛汽車質(zhì)量標準的解決方案,同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統(tǒng)效率的同時保持高質(zhì)
2020-11-05 10:20:351686

應(yīng)用在光伏逆變器中的IGBT晶圓

是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片;1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù);低開關(guān)損耗;正溫度系數(shù);簡單的平行技術(shù)。
2022-07-28 09:27:241021

上海陸芯汽車級IGBT產(chǎn)品獲得AEC-Q101驗證報告

9月20日,廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱:廣電計量)聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司(簡稱:上海陸芯),于廣州順利舉行“廣電計量與上海陸芯合作交流會暨上海陸芯IGBT汽車級AEC-Q101驗證報告頒發(fā)儀式”。
2022-09-22 14:54:251101

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規(guī)級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16874

滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號,業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:24564

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT

反向耐壓1200V 引腳數(shù)量:3 芯片個數(shù):2 最大正向電流:240A 芯片大?。?包裝方式:管裝 產(chǎn)品類型:IBGT、大功率、高耐壓 種類:IGBT 操作溫度:-55°C~150°C 產(chǎn)品描述 AS
2023-02-23 15:37:570

國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認證

2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:332073

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 (左) ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01737

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?

AEC-Q101標準是用于分立半導(dǎo)體器件的,標準全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:082684

陸芯Gen2 IGBT產(chǎn)品通過AEC-Q101認證

盡管當前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于下行周期,總體市場氛圍需求不振,但依然存在IGBT等少數(shù)供不應(yīng)求的領(lǐng)域。消息稱,英飛凌、意法半導(dǎo)體國外大廠IGBT交期均在50周以上,產(chǎn)能緊張或?qū)⒊掷m(xù)至2025年。而這
2023-06-19 15:35:08360

符合AEC-Q101認證的車規(guī)級瞬態(tài)抑制二極管的特性及應(yīng)用

Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規(guī)級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產(chǎn)品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計企業(yè):上海陸芯獲得第三代IGBT車規(guī)級AEC-Q101認證

3月11日,國際獨立第三方檢測檢驗和認證機構(gòu)德國萊茵TV(以下簡稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:39887

車規(guī)級AEC-Q認證技術(shù)的發(fā)展及標準的進化

AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200這三個標準是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標準。在AEC網(wǎng)站上的“文檔”頁面列出了37個標準和子標準,其中七個被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:551390

AEC Q101中文版及內(nèi)容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機制對汽車領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:291128

AEC-Q101的認證對象和測試項目

USAEC-Q101認證的概念AEC-Q101:車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機理的應(yīng)力測試驗證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費電子、計算機及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域,而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:03503

瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn),助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性測試認證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:483175

車規(guī)芯片的AEC-Q100測試標準

AEC其實是Automotive Electronics Council汽車電子協(xié)會的簡稱,并且AECQ標準包括以下幾個領(lǐng)域,對于不同領(lǐng)域的電子器件,適用于不同的標準。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:166231

RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-20A-IGBT /Application: Inverter)

RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500

AEC-Q101 標準之TC解讀

AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應(yīng)力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50567

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474

AEC-Q101功率循環(huán)測試 簡介

功率循環(huán)測試-簡介功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級測試標準內(nèi)的必測項目。相對于溫度循環(huán)測試,功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:59858

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

是車規(guī)元器件重要的認證標準之一。對于1200V耐壓器件,AEC-Q101在H3TRB(高溫高濕反偏試驗)考核標準中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB(高壓高溫高
2023-10-24 15:52:32606

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
2023-10-25 18:28:10423

汽車級直插TVS管LDP系列,符合AEC-Q101標準

汽車級直插TVS管LDP系列特性:Glasspassivatedchip6000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 11:32:450

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實力,也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:21205

SGS為安芯電子、安美半導(dǎo)體頒發(fā)了AEC-Q101認證證書

2024年3月22日, 國際公認的測試、檢測和認證機構(gòu)SGS為安芯電子科技股份有限公司(以下簡稱“安芯電子”)及其子公司安徽安美半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“安美半導(dǎo)體”)頒發(fā)了AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:21:55373

SGS為華微電子頒發(fā)AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構(gòu)SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發(fā)AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:56358

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