失效分析是指研究產(chǎn)品潛在的或顯在的失效機理，失效概率及失效的影響等，為確定產(chǎn)品的改進措施進行系統(tǒng)的調(diào)查研究工作，是可靠性設(shè)計的重要組成部分。失效
2009-07-03 14:33:23
3510 節(jié)能燈功率管失效機理分析
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1引言
節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源，在全世界得到了廣泛的
2009-07-29 12:20:19824 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機理：是導致失效的物理、化學、熱力學或其他過程。1、電阻器的主要
2017-10-11 06:11:0012633 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。 失效機理：是導致失效的物理、化學、熱力學或其他過程。 1、電阻器的主要失效模式與失效機理為 1) 開路：主要失效機理為電阻膜燒毀或大面積脫落，基體斷裂，引線
2018-01-16 08:47:1129569 
電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。
2022-10-24 16:10:442332 半導體元器件在整機應用端的失效主要為各種過應力導致的失效，器件的過應力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應力，當半導體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應力時，元器件發(fā)生失效。應力的種類繁多，如表1，其中過電應力導致的失效相對其它應力更為常見。
2023-01-06 13:36:251931 所以掌握各類電子元器件的實效機理與特性是硬件工程師比不可少的知識。下面分類細敘一下各類電子元器件的失效模式與機理。
2023-02-01 10:32:471255 失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。
2023-09-06 10:28:051332 
當功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復雪崩的失效機理并不相同。
2024-02-25 15:48:081123 
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17:28
額定值，另外，了解這些MOSFET的失效機理之后再進行電路設(shè)計和工作條件設(shè)置是非常重要的。下面是每篇文章的鏈接和關(guān)鍵要點匯總。什么是SOA（Safety Operation Area）失效本文的關(guān)鍵要點?
2022-07-26 18:06:41
完整性、品種、規(guī)格等方面)來劃分材料失效的類型。對機械產(chǎn)品可按照其相應規(guī)定功能來分類。 2.2 按材料損傷機理分類 根據(jù)機械失效過程中材料發(fā)生變化的物理、化學的本質(zhì)機理不同和過程特征差異
2011-11-29 16:46:42
分析委托方發(fā)現(xiàn)失效元器件，會對失效樣品進行初步電測判斷，再次會使用良品替換確認故障。如有可能要與發(fā)現(xiàn)失效的人員進行交流，詳細了解原始數(shù)據(jù)，這是開展失效分析工作關(guān)鍵一步。確認其失效機理，失效機理是指失效
2020-08-07 15:34:07
`v失效：產(chǎn)品失去規(guī)定的功能。v失效分析：為確定和分析失效器件的失效模式，失效機理，失效原因和失效性質(zhì)而對產(chǎn)品所做的分析和檢查。v失效模式：失效的表現(xiàn)形式。v失效機理：導致器件失效的物理，化學變化
2011-11-29 17:13:46
丟失、數(shù)據(jù)寫入出錯、亂碼、全“0”全“F”等諸多失效問題，嚴重影響了IC卡的廣泛應用。因此，有必要結(jié)合IC卡的制作工藝及使用環(huán)境對失效的IC卡進行分析，深入研究其失效模式及失效機理，探索引起失效
2018-11-05 15:57:30
IGBT傳統(tǒng)防失效機理是什么IGBT失效防護電路
2021-03-29 07:17:06
IGBT的失效機理 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
`對于LED產(chǎn)品在可靠性的視角來看，光輸出功率以及電性能隨著時間的推移逐漸退化[1-3] 為了滿足客戶對產(chǎn)品可靠性的要求，研究失效機理顯得尤為重要。 前些年有些科研人員針對負電極脫落開展失效分析工作
2017-12-07 09:17:32
分析對象的背景，確認失效現(xiàn)象，接著制定LED失效分析方案，研究LED失效原因與機理，最后提出后續(xù)預防與改進措施。 金鑒實驗室綜合數(shù)千個失效分析案例，將LED芯片失效原因歸納為以下幾類： 1.封裝
2020-10-22 09:40:09
分析對象的背景，確認失效現(xiàn)象，接著制定LED失效分析方案，研究LED失效原因與機理，最后提出后續(xù)預防與改進措施。 金鑒實驗室綜合數(shù)千個失效分析案例，將LED芯片失效原因歸納為以下幾類： 1.封裝
2020-10-22 15:06:06
LLC做，其輸入電壓，輸出電流和輸出電壓都不是恒定電壓，可見工程師對LLC的愛有多深了。但是在平常的客戶拜訪中了解到LLC產(chǎn)品在產(chǎn)線或終端客戶經(jīng)常碰到低失效率的問題，所以今天介紹一下LLC的MOSFET
2016-12-12 15:26:49
LLC諧振變換器中常見MOSFET失效模式有哪幾種?怎么解決？
2021-09-18 07:30:41
`請問SMT焊點的主要失效機理有哪些？`
2019-12-24 14:51:21
MOSFET失效。2：SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管
2018-08-15 17:06:21
進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全
2019-08-28 07:30:00
經(jīng)常碰到電源板上MOSFET失效，煩?。。。?！大家都是怎么解決的呢？
2015-08-31 11:31:46
次的失效原因即是下一層次的失效現(xiàn)象。越是低層次的失效現(xiàn)象，就越是本質(zhì)的失效原因?；靖拍睢 ?.1 失效和失效分析 產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。 判斷失效的模式,查找失效原因和機理,提出預防再失效
2011-11-29 16:39:42
`元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機械等因素的影響。 1、溫度導致失效：1.1環(huán)境溫度是導致元件失效的重要因素。溫度變化對半導體器件的影響：構(gòu)成雙極型半導體器件的基本單元P-N結(jié)對溫度的變化很敏感
2020-09-19 07:59:36
元器件進行診斷過程。1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復出現(xiàn)。3、失效
2016-10-26 16:26:27
失效分析基本概念定義：對失效電子元器件進行診斷過程。1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效
2016-12-09 16:07:04
的失效機理可以分為兩類：過應力和磨損。過應力失效往往是瞬時的、災難性的；磨損失效是長期的累積損壞，往往首先表示為性能退化，接著才是器件失效。失效的負載類型又可以分為機械、熱、電氣、輻射和化學負載等
2021-11-19 06:30:00
本文采用恒定溫度應力加速壽命試驗對功率VDMOS的可靠性進行了研究，得到較為完整的可靠性數(shù)據(jù)，并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是柵極擊穿，從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應用等方面提供有價值的數(shù)據(jù)。
2021-04-14 06:37:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面：1、IGBT過壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
`以IGBT、MOSFET為主的電力電子器件通常具有十分廣泛的應用，但廣泛的應用場景也意味著可能會出現(xiàn)各種各樣令人頭疼的失效情況，進而導致機械設(shè)備發(fā)生故障！因此，正確分析電力電子器件的失效情況，對于
2019-10-11 09:50:49
(1)電機驅(qū)動系統(tǒng)失效模式分類根據(jù)失效原因、性質(zhì)、機理、程度、產(chǎn)生的速度、發(fā)生的時間以及失效產(chǎn)生的后果，可將失效進行不同的分類。電動觀光車常見的失效模式可以分為：損壞型、退化型、松脫型、失調(diào)型、阻漏
2016-04-05 16:04:05
就會縮短。其次，環(huán)境條件中如高溫、高濕、空氣中的塵埃和腐蝕性化學物質(zhì)、ESD等都會影響元器件的壽命。常見的元器件失效如下：（見附件）而按照導致的原因可將失效機理分為以下六種:1、設(shè)計問題引起的劣化 指
2020-12-07 17:03:41
`電容器的常見失效模式和失效機理【上】電容器的常見失效模式有――擊穿短路；致命失效――開路；致命失效――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效――漏液
2011-11-18 13:16:54
`電容器的常見失效模式和失效機理【下】3.2.6鋁電解電容器的失效機理鋁電解電容器正極是高純鋁，電介質(zhì)是在金屬表面形成的三氧化二鋁膜，負極是黏稠狀的電解液，工作時相當一個電解槽。鋁電解電容器常見失效
2011-11-18 13:19:48
`電容器的常見失效模式和失效機理【中】3.2電容器失效機理分析3.2.1潮濕對電參數(shù)惡化的影響空氣中濕度過高時，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此處，對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說
2011-11-18 13:18:38
、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機理也各不一樣。各種常見失效模式的主要產(chǎn)生機理歸納如下。3.1失效模式的失效機理3.1.1 引起電容器擊穿的主要失效機理3.1.2 引起電容器開路的主要失效機理3.1.3
2011-12-03 21:29:22
請問一下元器件失效機理有哪幾種？
2021-06-18 07:25:31
節(jié)能燈功率管的失效機理分析
節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源，在全世界得到了廣泛的應用，國內(nèi)節(jié)能燈的生產(chǎn)
2009-05-13 15:25:19677 
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理
1、? 引言
半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:422665 
通過剖析一晶體管的失效機理, 給出了對此類晶體管失效分析的方法和思路。討論了晶體管存在異物、芯片粘結(jié)失效和熱應力失效等失效模式。
2012-03-15 14:18:08
30 判斷失效的模式, 查找失效原因和機理, 提出預防再失效的對策的技術(shù)活動和管理活動稱為失效分析。
2012-03-15 14:21:36121 本文共討論了MEMS加速計的三種高壓滅菌器失效機理。分別說明了每一種失效機理的FA方法（通過建模和測量）和設(shè)計改進。排除了封裝應力作為高壓滅菌器失效的根源。
2013-01-24 10:39:191261 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率MOSFET在汽車電子應用中的失效分析.pdf》資料免費下載
2017-04-17 11:38:0012 基于集成電路應力測試認證的失效機理中文版
2016-02-25 16:08:1110 高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 電機驅(qū)動系統(tǒng)失效模式分類 根據(jù)失效原因、性質(zhì)、機理、程度、產(chǎn)生的速度、發(fā)生的時間以及失效產(chǎn)生的后果，可將失效進行不同的分類。電動觀光車常見的失效模式可以分為：損壞型、退化型、松脫型、失調(diào)
2017-03-09 01:43:231760 元器件長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-17 13:37:3420 元器件的長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-19 08:37:3432 電流Tsc 1、 引言 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA）使用引起的。因此全面了解SOA，并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極發(fā)射極電壓
2017-12-03 19:17:492531 磁珠磁環(huán)的主要失效機理是機械應力和熱應力。作為導磁材料，磁珠磁環(huán)的脆性較強，在受到外部機械應力（如沖擊、碰撞、PCB翹曲）的時候，磁珠本體易出現(xiàn)裂紋。因此磁珠和磁環(huán)的使用需要注意以下事項。
2018-01-18 15:15:4116872 
對電子元器件的失效分析技術(shù)進行研究并加以總結(jié)。方法 通過對電信器類、電阻器類等電子元器件的失效原因、失效機理等故障現(xiàn)象進行分析。
2018-01-30 11:33:4110912 電容器的常見失效模式有：――擊穿短路；致命失效――開路；致命失效――電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等；部分功能失效――漏液；部分功能失效――引線腐蝕或斷裂；致命失效――絕緣子破裂；致命失效――絕緣子表面飛??；
2018-03-15 11:00:1026174 
本文通過大量的歷史資料調(diào)研和失效信息收集等方法，針對不同環(huán)境應力條件下的MEMS慣性器件典型失效模式及失效機理進行了深入探討和分析。
2018-05-21 16:23:456951 
本文主要對變壓器線圈常見的三種失效機理進行了介紹，另外還對電感和變壓器類失效機理與故障進行了分析。
2018-05-31 14:41:529637 
或者全失效會在硬件電路調(diào)試上花費大把的時間，有時甚至炸機。今天主要說的是電容器，電阻器和電感。 電容器失效模式與機理 電容器的常見失效模式有：擊穿短路；致命失效開路；致命失效電參數(shù)變化（包括電容量超差、損耗
2018-06-07 15:18:137239 電容器在工作應力與環(huán)境應力綜合作用下，工作一段時間后，會分別或同時產(chǎn)生某些失效模式。同一失效模式有多種失效機理，同一失效機理又可產(chǎn)生多種失效模式。失效模式與失效機理之間的關(guān)系不是一一對應的。
2018-08-07 17:45:565294 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超越MOSFET的額定電壓，并且超越到達了一定的才能從而招致MOSFET失效。 2：SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET平安工作
2023-03-20 16:15:37231 ? 磁珠磁環(huán)的主要失效機理是機械應力和熱應力。作為導磁材料，磁珠磁環(huán)的脆性較強，在受到外部機械應力（如沖擊、碰撞、PCB翹曲）的時候，磁珠本體易出現(xiàn)裂紋。因此磁珠和磁環(huán)的使用需要注意以下事項： 1.
2019-12-19 10:21:251592 
外觀檢查就是目測或利用一些簡單儀器，如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀，尋找失效的部位和相關(guān)的物證，主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。
2020-03-06 14:30:351913 或者全失效會在硬件電路調(diào)試上花費大把的時間，有時甚至炸機。 所以掌握各類電子元器件的實效機理與特性是硬件工程師比不可少的知識。下面分類細敘一下各類電子元器件的失效模式與機理。 電阻器失效 失效模式：各種失效的
2020-06-29 11:15:216642 隨著LED產(chǎn)品制造技術(shù)的逐漸成熟，成本越來越低，性價比越來越高。目前小功率LED產(chǎn)品在大屏幕戶外顯示等商用領(lǐng)域有很大的應用范圍，如何增加使用壽命，減少維護成本也是業(yè)界關(guān)注的要點所在。解決高成本問題的一個積極態(tài)度，就是要分析其失效機理，彌補技術(shù)缺陷，以提高LED產(chǎn)品的可靠性，提高LED的性價比。
2020-06-14 09:07:461111 元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機械等因素的影響。 1、溫度導致失效： 1.1 環(huán)境溫度是導致元件失效的重要因素。 溫度變化對半導體器件的影響：構(gòu)成雙極型半導體器件的基本單元 P-N 結(jié)對溫度
2020-11-03 21:45:30448 。 2、SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。 3、體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。 4、諧振失效：在并
2021-06-22 15:53:297504 或斷裂；致命失效 ――絕緣子破裂；致命失效 ――絕緣子表面飛弧；部分功能失效 引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類電容器的材料、結(jié)構(gòu)、制造工藝、性能和使用環(huán)境各不相同，失效機理也各不一樣。 各種常見失效模式的主要產(chǎn)
2021-12-11 10:13:532688 失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。
失效機理：是導致失效的物理、化學、熱力學或其他過程。
2022-02-10 09:49:0618 MOSFET的失效機理 本文的關(guān)鍵要點 ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:072544 摘要：常用電路保護器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會將保護的電子設(shè)備損壞．這是 TvS 生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免
2022-10-11 10:05:014603 失效分析是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析
2022-10-12 11:08:484175 講述了電子器件的失效進行分類 、對失效的機理行闡失效的評估方法等制 。
2022-10-17 14:26:287 PCB失效的機理，必須遵守基本的原則及分析流程。一般的基本流程是，首先必須基于失效現(xiàn)象，通過信息收集、功能測試、電性能測試以及簡單的外觀檢查，確定失效部位與失效模式，即失效定位或故障定位。
2022-11-09 14:35:48691 失去原有的效力。在各種工程中，部件失去原有設(shè)計所規(guī)定的功能稱為失效。失效簡單地說就是“壞了”，但是“壞了”也有很多種情況。
2022-11-30 10:47:53268 MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 
今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319 介紹了TVS瞬態(tài)抑制二極管的組成結(jié)構(gòu)，失效機理和質(zhì)量因素，希望對你們有所幫助。
2023-03-16 14:53:571 MOSFET等開關(guān)器件可能會受各種因素影響而失效。因此，不僅要準確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件，還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理。
2023-03-20 09:31:07638 失效率是可靠性最重要的評價標準，所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041119 
常用電路保護器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會將保護的電子設(shè)備損壞．這是TVS生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況
2023-05-12 17:25:483682 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中會有一個看似復雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311176 
為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當順序引人新的人為的失效機理，封裝失效分析應按一定的流程進行。
2023-06-25 09:02:30315 
集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導致失效發(fā)生的電學、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26722 集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關(guān)的，導致失效發(fā)生的電學、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應力因素及其相互作用過程。根據(jù)應力條件的不同，可將失效機理劃分為電應力失效機理、溫度-機械應力失效
2023-06-26 14:15:31603 
本文通過對典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當，以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機理；并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15932 PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機理
2023-08-04 09:50:01546 
電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機理為：外部水汽通過表面樹脂保護層浸入到電阻膜層，在內(nèi)部電場作用下，發(fā)生水解反應。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水，加速了電阻膜的水解反應，致使電阻膜腐蝕失效。
2023-08-18 11:41:371102 
肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53295 
保護器件過電應力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45267 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同，如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724 
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導致過早失效，充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。
2023-12-05 17:14:30333 SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。要想安全使用MOSFET，就需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET，超過這個范圍就有可能造成損壞。
2024-01-06 11:31:27207 
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