是GaN 功率管； 2. 從氮化鎵GaN產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上對(duì)比 如下圖所示，納微GaN產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，包含HV GaNFET，和Integrated Circuit；電容電阻和LV GaNFET組成
2020-05-12 01:31:00
23135 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強(qiáng)模式開(kāi)發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:312595 
電容電壓（C-V）測(cè)量通常采用交流測(cè)量技術(shù)。而一些電容測(cè)量需要直流測(cè)量技術(shù)，被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V（或QSCV）測(cè)量，因?yàn)樗鼈兪窃诜浅５偷臏y(cè)試頻率下進(jìn)行的，即幾乎是直流的。
2024-02-22 11:44:41377 
04280-90001 (August 1984) The 4280A 1MHz C Meter / C-V Plotter is a discontinued product. This manual is provided for information only.
2018-12-10 16:47:50
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
131.1V，處于開(kāi)關(guān)管的安全工作區(qū)內(nèi)，通過(guò)系統(tǒng)的逆變操作，在輸出電阻負(fù)載側(cè)能夠很好地得到輸入信號(hào)的放大波形。
圖8 GaN Class D系統(tǒng)半橋逆變電路波形
利用功率分析儀實(shí)測(cè)得到此逆變條件下系統(tǒng)效率
2023-06-25 15:59:21
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
異質(zhì)運(yùn)算的典型使用案例是什么？邁向異質(zhì)的編程模型時(shí)會(huì)面臨哪些挑戰(zhàn)？
2021-06-01 06:52:25
CS1233 的AIN0/1/2 可否配置成差分輸入（比如: AIN0/AIN1 差分對(duì)輸入; AIN2/AIN1做差分對(duì)輸入）?
2020-03-04 08:33:05
LTC2217手冊(cè)上寫的，模擬輸入范圍(AIN+減去AIN-)為2.75Vpp，正常的差分輸入AIN+減去AIN-是有負(fù)值的，請(qǐng)問(wèn)該器件AIN+減去AIN-為2.75Vpp到底是什么意思？
2023-12-05 06:27:56
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
調(diào)試AD9214，已經(jīng)燒了1打，感覺(jué)自己不再會(huì)用AD了
1.為什么將AD9214輸入AIN和/AIN 同時(shí)接地會(huì)把AD損壞？
2.按照Datasheet做的原理圖，在調(diào)試輸入網(wǎng)絡(luò)的時(shí)候經(jīng)常燒壞AD，請(qǐng)問(wèn)輸入端有哪些必須注意的地方？
2023-12-20 08:23:29
的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之間形成良好的歐姆接觸（見(jiàn)圖5）。注意到退火溫度僅為400°C時(shí)就會(huì)形成良好的歐姆接觸?；叵胍幌拢@與未注入硅的樣品在600°C以下退火時(shí)沒(méi)有任何電流形成鮮明對(duì)比（見(jiàn)圖6
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對(duì)GaN在測(cè)試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
\adc\ti_adc.c 文件但是改不對(duì)，不知道該改哪些寄存器，才能將AIN0-AIN3 使能為普通的ADC接口，就像AIN4-AIN7那樣。求教TI大俠！剛剛發(fā)現(xiàn)了這個(gè)好像很有用，正在看http://processors.wiki.ti.com/index.php/AM335x_ADC_Driver%27s_Guide
2018-06-21 03:49:53
的柵極電荷（QG），反向恢復(fù)電荷為零 （QRR）。此外，GaN FET的輸出電容也低得多（C開(kāi)放源碼軟件），而不是類似的MOSFET ［1］?！ ∵m用于 48 V 應(yīng)用的 GaN FET 的品質(zhì)因數(shù)提高了
2023-02-21 15:57:35
GaN驅(qū)動(dòng)器的設(shè)置非常簡(jiǎn)單，幾乎不需要外部組件。請(qǐng)參見(jiàn)下圖。TI聲稱該GaN驅(qū)動(dòng)器具有300 V / ns的業(yè)界最高壓擺率。該IC的最高工作溫度為150oC，并采用低電感3×4mm QFN封裝
2019-11-11 15:48:09
關(guān)于半導(dǎo)體C-V測(cè)量的基礎(chǔ)知識(shí)，你想知道的都在這
2021-04-12 06:27:51
`交流C-V測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測(cè)試方式來(lái)評(píng)估新工藝，材料， 器件以及電路的質(zhì)量和可靠性等。比如在MOS結(jié)構(gòu)中
2019-09-29 15:28:11
和可靠性等。比如在MOS結(jié)構(gòu)中， C-V測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底 摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電 荷面密度Qfc等參數(shù)。C-V測(cè)試要求測(cè)試設(shè)備滿足寬頻率范圍的需求
2019-09-27 14:23:43
半導(dǎo)體電容-電壓測(cè)試的方法，技巧與注意事項(xiàng)這價(jià)電子材料旨在幫助實(shí)驗(yàn)室工程技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)，診斷和驗(yàn)證C-V測(cè)量系統(tǒng)。其中討論了如何獲取高品質(zhì)C-V測(cè)量結(jié)果的關(guān)鍵問(wèn)題，包括系統(tǒng)配置和某些擴(kuò)展C-V
2009-11-20 09:13:55
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
用DRV_SPI_BufferAddWrite2，那么DRV_SPI_BUFFER_HANDLE*jobHandle如何使用這個(gè)ar紀(jì)念碑？請(qǐng)幫我舉一個(gè)小例子，說(shuō)明如何管理MIS之間的CS PIN
2019-11-07 11:30:26
GaN PA 設(shè)計(jì)？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個(gè)很好的起點(diǎn)。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫(kù)里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)？
2019-07-31 06:44:26
的原型機(jī)。對(duì)于大量原型機(jī)的實(shí)時(shí)監(jiān)視會(huì)提出一些有意思的挑戰(zhàn)，特別是在GaN器件電壓接近1000V，并且dv/dts大于200V/ns時(shí)更是如此。一個(gè)經(jīng)常用來(lái)確定功率FET是否能夠滿足目標(biāo)應(yīng)用要求的圖表是安全
2019-07-12 12:56:17
數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與算法分析：C語(yǔ)音第二版，經(jīng)典資料與你分析
2015-12-10 10:57:57
使用STM32f407 I2C采集ADT7411的電壓，配置好寄存器之后能讀取除AIN3以外的電壓，電壓值也基本正常；只有AIN3的電壓讀不出來(lái)，我用萬(wàn)用表測(cè)量板子上AIN3角發(fā)現(xiàn)是有電壓的，目前完全沒(méi)有頭緒，請(qǐng)大佬們指點(diǎn)一下，謝謝！
2019-07-10 23:20:46
）是常關(guān)型GaN-on-silicon晶體管（圖1）?！ D1.正常關(guān)閉 它們基于HEMT原理，使用在AlGaN-GaN異質(zhì)結(jié)處形成的高度移動(dòng)的2D電子氣體作為導(dǎo)電層。晶體管的有源部分在頂側(cè)完成
2023-02-27 15:53:50
最近用ad7799做電子秤，如何選擇AIN1/AIN2/AIN3通道?？梢匝h(huán)重復(fù)設(shè)置配置寄存器和模式寄存器，然后等待讀取數(shù)據(jù)嗎？我采用這種辦法，用的單次轉(zhuǎn)換模式，讀出來(lái)的三個(gè)通道數(shù)據(jù)完全一樣，糾結(jié)了。我感覺(jué)是單次轉(zhuǎn)換，數(shù)據(jù)寄存器可以把數(shù)據(jù)保存很久而不丟失。還怎么解決？
2023-12-13 07:45:37
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
，ADC數(shù)據(jù)寄存器為58476
AIN0與AIN1壓差為10mv，ADC數(shù)據(jù)寄存器為588558
按照比例計(jì)算 滿量程ADC數(shù)據(jù)寄存器為16777215
上午10時(shí)v=588558
xmv
2023-12-13 07:54:52
1.AD7797的AIN（+）接傳感器的輸出，AIN（-）接地，在讀數(shù)據(jù)寄存器數(shù)據(jù)時(shí)，返回結(jié)果全為FF，其他寄存器的讀寫是正常的，這是什么原因？AIN（+）和AIN（-）必須是接差分信號(hào)嗎？
2.AD7797使用外部參考電壓，是否需要進(jìn)行系統(tǒng)零電平校準(zhǔn)和系統(tǒng)滿量程校準(zhǔn)？
2023-12-01 07:54:20
隨著企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，如何構(gòu)建滿足現(xiàn)代企業(yè)要求的MIS，已成為當(dāng)前研究的熱點(diǎn)問(wèn)題。分析了在多變的市場(chǎng)環(huán)境下企業(yè)對(duì)MIS 的要求和目前MIS 設(shè)計(jì)中存在的不足，探討了結(jié)合兩種技
2009-08-28 12:00:53
9 在論述了MIS 系統(tǒng)應(yīng)用現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，分析了關(guān)系模型數(shù)據(jù)庫(kù)的建模方法，重點(diǎn)對(duì)用ERwin 這一關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用開(kāi)發(fā)的優(yōu)秀CASE 工具的應(yīng)用進(jìn)行了研究，提出了MIS 系統(tǒng)的功能模塊的組成
2009-09-03 08:28:5121 文章深入分析了GIS 可視化技術(shù)和MIS 系統(tǒng)的特征，從利用可視化技術(shù)對(duì)現(xiàn)有的MIS 進(jìn)行改造升級(jí)入手，采用當(dāng)今流行的組件式GIS 直接嵌入MIS 可視化開(kāi)發(fā)語(yǔ)言的集成二次開(kāi)發(fā)方式，從首
2009-12-22 16:28:046 采用混合基表示的第一原理贗勢(shì)方法, 計(jì)算了閃鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN (001) (1×1) 干凈表面的電子結(jié)構(gòu). 分析了得到的各原子分態(tài)密度、面電荷密度分布以及表面能帶結(jié)構(gòu)等性質(zhì), 比較了GaN (001)
2010-01-04 12:23:3211 安全設(shè)計(jì)是管理信息系統(tǒng)(MIS)開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵問(wèn)題之一。本文研究了B/S 模式下三層體系結(jié)構(gòu)的管理信息系統(tǒng)的安全設(shè)計(jì)問(wèn)題，著重研究了Web 頁(yè)面的安全訪問(wèn)控制和數(shù)據(jù)庫(kù)的安全訪問(wèn)控制
2010-01-27 15:06:519 這份電子材料旨在幫助實(shí)驗(yàn)室工程技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)、診斷和驗(yàn)證C-V測(cè)量系統(tǒng)。
2010-03-02 16:51:2064 半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)(吉時(shí)利)
C-V測(cè)量為人們提供了有關(guān)器件和材料特征的大量信息。電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和
2010-03-13 09:04:2735 半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
通用測(cè)試電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型
2009-08-27 10:37:453046 
異質(zhì)結(jié)
2009-11-07 10:37:413423 MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2為柵介質(zhì)時(shí)，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現(xiàn)過(guò)以Al2O3為柵介質(zhì)的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241425 什么是MIS
金屬－絕緣體－半導(dǎo)體（簡(jiǎn)寫為 MIS）系統(tǒng)的三層結(jié)構(gòu)如圖1所示。如絕緣層采用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體(簡(jiǎn)寫為MOS)
2010-03-04 16:04:267890 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 異質(zhì)結(jié),異質(zhì)結(jié)是什么意思
半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以
2010-03-06 10:43:0416075 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用知識(shí)
2010-03-06 11:26:561778 什么是雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光器
下圖為雙異質(zhì)結(jié)(DH)平面條形結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)由三層不同類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，不同材料發(fā)射不同的光波長(zhǎng)。
圖
2010-04-02 15:39:546355 本文重點(diǎn)闡述了兩種集合活動(dòng)輪廓模型，基于梯度信息的李純明模型和基于區(qū)域信息的C-V模型，在分析了兩種模型的優(yōu)缺點(diǎn)后，將李純明模型中的罰函數(shù)項(xiàng)引入到C-V模型中，提出了無(wú)需
2012-05-25 13:56:0630 Using the Ramp Rate Method for Making Quasistatic C-V Measurements with the 4200A-SCS Parameter Analyzer––APPLICATION NOTE。
2016-09-12 17:50:020 功率AlGaN_GaN肖特基二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)_徐儒
2017-01-08 10:30:291 二、國(guó)外異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池 1、TCO/TiO2/P3HT/Au三明治式結(jié)構(gòu)的p-n異質(zhì)結(jié)的太陽(yáng)能電池 2005年5月份，Kohshin Takahashi等發(fā)表了TCO/TiO2/P3HT/Au
2017-09-29 11:19:1820 本文詳細(xì)介紹了用4200A-SCS參數(shù)分析儀采用升溫速率法實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)靜態(tài)C-V測(cè)量。
2017-11-15 15:25:2910 鎵(Ga)是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過(guò)程中的副產(chǎn)品。 GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見(jiàn)的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。GaN-on-SiC在射頻
2017-11-22 10:41:028548 GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。它在一個(gè)元胞中有4個(gè)原子，原子體積大約為GaAs的一半。因?yàn)槠溆捕雀?，又是一種良好的涂層保護(hù)材料。
2017-12-19 15:22:230 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
針對(duì)MIS軟件研究信息技術(shù)自檔案管理中的應(yīng)用，首先對(duì)目前檔案管理中中存在的問(wèn)題進(jìn)行了研究，分析了MIS軟件對(duì)檔案管理的影響，之后通過(guò)數(shù)據(jù)庫(kù)、軟件開(kāi)發(fā)系統(tǒng)及．NET作為前臺(tái)應(yīng)用及開(kāi)發(fā)工具，對(duì)檔案管理
2018-04-26 14:06:450 今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。
2018-12-18 16:52:144894 “使用ABF膜，MIS的工藝流程基本完全是一樣的。我們只是使用更厚的ABF膜來(lái)替代包封料，我們可以提供這種類型的多層MIS基板，”他說(shuō)?！霸诮衲昴甑鬃笥椅覀兙蜁?huì)開(kāi)始使用基于ABF膜的兩層或三層MIS基板。
2019-09-02 11:12:4711580 在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過(guò)程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:508850 本周《漲知識(shí)啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結(jié)構(gòu)示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:06:422984 
本周《漲知識(shí)啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結(jié)構(gòu)示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:09:445075 
我國(guó)GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?；⑸虡I(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化，8英寸正在進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā)。 GaN材料應(yīng)用范圍仍LED向射頻、功率器件不斷擴(kuò)展。
2020-12-23 15:15:092321 ，導(dǎo)致嚴(yán)重的熱衰退（thermal droop）現(xiàn)象。 根據(jù)我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)前期關(guān)于MIS結(jié)構(gòu)的相關(guān)仿真結(jié)果可知，MIS型
2021-12-21 13:55:50555 
STM8S（stm8s003F） ADC AIN7的使用AIN7通道連接到內(nèi)部穩(wěn)壓為1.22V，由此可以推算出供電電壓，省去一路電源電壓采集電路。代碼如下：#define low_bate 388
2021-12-27 18:49:5224 引言 AlN、GaN及其合金因其寬帶隙和獨(dú)特的性能被廣泛應(yīng)用于光電子領(lǐng)域，例如基于AlGaN的紫外線發(fā)光二極管(UV-LEDs) ，激光二極管(LD)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2022-01-14 11:16:262494 
在 MOS 結(jié)構(gòu)中， C-V 測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度 dox、襯底 摻雜濃度 N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度 Q1、和固定電 荷面密度 Qfc 等參數(shù)。
2022-05-31 16:12:040 已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強(qiáng)模式開(kāi)發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:44762 異質(zhì)結(jié)構(gòu)(HS)材料是一類新型材料，由具有顯著不同(>100%)機(jī)械或物理特性的異質(zhì)區(qū)域組成。這些異質(zhì)區(qū)域之間的交互耦合產(chǎn)生了協(xié)同效應(yīng)，其中綜合特性超過(guò)了混合規(guī)則的預(yù)測(cè)。
2022-11-12 11:31:4618881 
和高穩(wěn)定性的低成本電催化劑。具有單金屬原子分散體(SACs)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料是制氫的理想催化劑材料。然而，大規(guī)模制備高穩(wěn)定性和低成本異質(zhì)結(jié)構(gòu)錨定單原子的催化劑仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2022-11-17 09:31:27933 通過(guò)AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對(duì)比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸運(yùn)特性；但是由于材料屬性和生長(zhǎng)工藝的局限性
2023-02-14 09:16:411278 
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結(jié)構(gòu)的關(guān)態(tài)柵漏電曲線，漏極電壓Vd設(shè)定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:541887 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢(shì)壘層、及2nm GaN帽層，勢(shì)壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:161496 
近年來(lái)，具有原子尺度厚度材料的發(fā)現(xiàn)和研究為設(shè)計(jì)各種二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)提供了新的可能性。通過(guò)調(diào)控異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)構(gòu)型和組成異質(zhì)結(jié)的材料間的帶階匹配，能夠使異質(zhì)結(jié)的電子性質(zhì)得到極大的改變
2023-02-21 16:34:491212 基于此，印度理工學(xué)院和韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究所的研究團(tuán)隊(duì)介紹了一種通過(guò)混合金屬氧化物/氫氧化物的硒化實(shí)現(xiàn)的邊緣取向硒化鉬（MoSe2）和鎳鈷硒化物（NiCo2Se4）的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。所開(kāi)發(fā)的片上片異質(zhì)結(jié)構(gòu)
2023-03-23 10:39:14630 GaN基功率開(kāi)關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551654 
摘要：研究了基于AlGaN/GaN型結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器對(duì)于CO的傳感性.制備出AlGaN/GaN型氣敏傳感器器件，并測(cè)試得到了器件在50℃時(shí)對(duì)于不同濃度（1%，9000，8000，5000
2023-09-01 16:22:490 寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11293 
在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)中，ITO薄膜對(duì)其性能的影響是非常重要且直接的，ITO薄膜自身的優(yōu)劣與制備ITO薄膜過(guò)程的順利往往能直接決定異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的后期生產(chǎn)過(guò)程以及實(shí)際應(yīng)用是否科學(xué)有效
2023-10-16 18:28:09703 
異質(zhì)結(jié)電池的性能與其結(jié)構(gòu)和工藝有著密切關(guān)系。其中，薄膜厚度是一個(gè)重要的參數(shù)，它直接影響了異質(zhì)結(jié)電池的光電轉(zhuǎn)換率。因此，研究薄膜厚度對(duì)異質(zhì)結(jié)電池光電轉(zhuǎn)換率的影響，對(duì)于優(yōu)化設(shè)計(jì)和提高效率具有重要的意義
2023-12-12 08:33:34200
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