工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
3291 
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時機已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的理論極限，進(jìn)一步發(fā)展只是以緩慢和高成本實現(xiàn)微小
2023-10-25 16:24:43949 
在2012年，整體的電子元器件行業(yè)形勢不佳，尤其是半導(dǎo)體芯片庫存積壓過多，而在今年陸續(xù)有聽說行業(yè)有緩和跡象，不知半導(dǎo)體的發(fā)展將如何呢？
2013-02-27 14:12:58
等公司是這一歷史階段的先驅(qū)?，F(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實施和工藝技術(shù)。在這個階段，半導(dǎo)體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計限制，出現(xiàn)了一個更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計和構(gòu)建定制
2024-03-13 16:52:37
公司是這一歷史階段的先驅(qū)?，F(xiàn)在，ASIC 供應(yīng)商向所有人提供了設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施、芯片實施和工藝技術(shù)。在這個階段，半導(dǎo)體行業(yè)開始出現(xiàn)分化。有了設(shè)計限制，出現(xiàn)了一個更廣泛的工程師社區(qū)，它們可以設(shè)計和構(gòu)建定制
2024-03-27 16:17:34
半導(dǎo)體技術(shù)在汽車動力系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-18 06:09:40
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
減小這些解決方案的尺寸、重量和功率。本文將簡要介紹現(xiàn)有的天線解決方案以及電控天線的優(yōu)勢所在。在此基礎(chǔ)上，本文將介紹半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展如何幫助實現(xiàn)改進(jìn)電控天線SWaP-C這一目標(biāo)，然后舉例說明ADI技術(shù)如何做到這一點。
2021-01-20 07:11:05
最終減小這些解決方案的尺寸、重量和功率。本文將簡要介紹現(xiàn)有的天線解決方案以及電控天線的優(yōu)勢所在。在此基礎(chǔ)上，本文將介紹半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展如何幫助實現(xiàn)改進(jìn)電控天線SWaP-C這一目標(biāo)，然后舉例說明ADI技術(shù)如何做到這一點。
2021-01-05 07:12:20
本文將簡要介紹現(xiàn)有的天線解決方案以及電控天線的優(yōu)勢所在。在此基礎(chǔ)上，本文將介紹半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展如何幫助實現(xiàn)改進(jìn)電控天線SWaP-C這一目標(biāo)，然后舉例說明ADI技術(shù)如何做到這一點。
2021-06-17 07:21:44
的火花,即450mm及EUV 光刻 機。在LinkedIn半導(dǎo)體制造小組中近期從一家成員公司偶然提出一個問題讓我產(chǎn)生了思考。當(dāng)經(jīng)濟(jì)處于復(fù)蘇的好時機時會改潿雜詿50mm硅片的看法嗎？WWK的總裁David Jimenez回答了它的問題。設(shè)備制造商會愿意更多的投資來發(fā)展450mm設(shè)備？傳感技術(shù)
2010-02-26 14:52:33
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個主要步驟： 4簡敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場和功能的擴(kuò)展，消費者對家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競技者
2019-06-21 07:45:46
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
激光器分類二、半導(dǎo)體激光器技術(shù)發(fā)展情況自1962年發(fā)明了世界上第一臺半導(dǎo)體激光器以來，半導(dǎo)體激光器發(fā)生了巨大的變化，極大地推動了其他科學(xué)技術(shù)的發(fā)展。近年來用于信息技術(shù)領(lǐng)域的小功率半導(dǎo)體激光器發(fā)展極快。如用
2019-04-01 00:36:01
增長率高達(dá)15％，占據(jù)了激光器整體市場份額的四成，是絕對的主導(dǎo)地位。2012－2017年全球半導(dǎo)體激光器市場規(guī)模及增長率（單位：億美元）圖片來自O(shè)Fweek產(chǎn)業(yè)研究院技術(shù)發(fā)展 應(yīng)用領(lǐng)域延伸隨著半導(dǎo)體技術(shù)
2019-05-13 05:50:35
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢實際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換
2021-02-22 08:14:57
帶隙高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產(chǎn)生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的硅 MOSFET，在給定的頻率
2022-11-16 06:48:11
來源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) www.ic.bit-bit.com原創(chuàng)摘要：2011年轉(zhuǎn)眼即逝，縱觀2011年，企業(yè)在半導(dǎo)體行業(yè)的市場有著怎么樣的發(fā)展呢？為適應(yīng)市場需求，半導(dǎo)體器件市場出現(xiàn)了哪些新的技術(shù)
2011-12-08 17:24:00
水平，購買或者開發(fā)EUV光刻機是否必要？中國應(yīng)如何切實推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，因為它們的帶隙（價帶最高能級與電導(dǎo)帶最低能級之間的能量差）相對較小。分子軌道理論指出，當(dāng)原子
2021-07-01 09:38:40
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑，包括水性無機酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)中有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過產(chǎn)生特征凹坑或小丘識別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
使用這些納米線陣列，可以實現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽能電池器件的影響，重點是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
在研究雷達(dá)探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為
2019-02-26 17:04:37
滿足市場需求，使用硅的新器件年復(fù)一年地實現(xiàn)更大的功率密度和能效，已經(jīng)越來越成為一個巨大的挑戰(zhàn)。從本質(zhì)上講，芯片的演進(jìn)已經(jīng)接近其基礎(chǔ)物理極限。但是，為什么說寬帶隙半導(dǎo)體的表現(xiàn)已經(jīng)超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
長期演進(jìn)（LTE）等4G技術(shù)的發(fā)展，分立技術(shù)在通信領(lǐng)域中正變得越來越少見。事實上許多人相信，智能手機的普及敲響了手持通信產(chǎn)品中分立實現(xiàn)技術(shù)的喪鐘。這也是為什么大家說，移動終端發(fā)展引領(lǐng)了半導(dǎo)體工藝新方向。
2019-08-02 08:23:59
阻使這些材料成為高溫和高功率密度轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)的理想選擇 ［4］?！ 榱顺浞掷眠@些技術(shù)，重要的是通過傳導(dǎo)和開關(guān)損耗模型評估特定所需應(yīng)用的可用半導(dǎo)體器件。這是設(shè)計優(yōu)化開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器的強大
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對可用
2019-07-31 07:43:42
隨著密集波分復(fù)用（DWDM）技術(shù)、光纖放大技術(shù)，包括摻鉺光纖放大器（EDFA）、分布喇曼光纖放大器（DRFA）、半導(dǎo)體放大器（SOA）和光時分復(fù)用（OTDM）技術(shù)的發(fā)展和廣泛應(yīng)用，光纖通信技術(shù)不斷
2019-10-17 06:52:52
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
醫(yī)療將帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展 英特爾的首席執(zhí)行官貝瑞特表示，通過發(fā)現(xiàn)癌癥和微芯片
2008-08-20 11:31:38
（GaN）寬帶隙器件，助力開發(fā)先進(jìn)、高能效的下一代電動車（EV）和混合動力電動車（HEV），實現(xiàn)更高的安全性、智能性和每次充電后更遠(yuǎn)的續(xù)航里程。 此次安森美半導(dǎo)體與奧迪的全新合作將加快開發(fā)進(jìn)程，打造自動駕駛系統(tǒng)和汽車功能電子化的全新性能，推進(jìn)汽車領(lǐng)域的變革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
全球汽車市場發(fā)展整體向好，汽車中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長，尤其是動力系統(tǒng)、照明、主動安全和車身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車推動汽車動力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂系統(tǒng)，以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場，推動全球汽車半導(dǎo)體市場同比增長7%。
2020-05-04 06:30:06
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
完善IC產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)調(diào)整相關(guān)政策，鼓勵發(fā)展新型電子設(shè)備、電子材料；對于高起點、高技術(shù)的產(chǎn)品予以優(yōu)惠政策使其產(chǎn)業(yè)化、避免低水平的重復(fù)建設(shè)，以此推動我國半導(dǎo)體封裝業(yè)的發(fā)展。3．3 注重新事物新技術(shù)的應(yīng)用在
2018-08-29 09:55:22
時代。當(dāng)前全球LED產(chǎn)業(yè)處于飛速發(fā)展階段，我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)進(jìn)入自主創(chuàng)新發(fā)展時期，今年以來，半導(dǎo)體照明市場呈現(xiàn)高速增長態(tài)勢。加之國家對節(jié)能環(huán)保政策推動，技術(shù)進(jìn)步使得價格降低，市場需求連年上升，驅(qū)動
2016-03-03 16:44:05
尊敬的先生/女士，我想找出所有VIRTEX-6的半導(dǎo)體安裝技術(shù)，是倒裝芯片安裝技術(shù)的芯片嗎？謝謝問候，缺口
2020-06-15 16:30:12
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無處不在、IP無處不在和無縫移動連接的總趨勢下，國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
帶隙高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產(chǎn)生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的硅 MOSFET，在給定的頻率
2018-08-30 14:43:17
智能傳感器技術(shù)-隨著半導(dǎo)體集成技術(shù)的發(fā)展，微處理器和存儲器不斷進(jìn)步，敏感元件與信號處理電路有可能集成在同一芯片上，故智能傳感器將成為現(xiàn)實。智能化傳感器是一種帶微處理器的，兼有信息檢測、信息處理、信息記憶、邏輯思維與判斷功能的傳感器。以下重點探討智能傳感器的應(yīng)用和發(fā)展。
2020-04-20 07:24:17
未來半導(dǎo)體照明市場競爭激烈，將如何發(fā)展呢？哪部分照明將占主要部分呢？依業(yè)內(nèi)人士推測，通用照明將是未來半導(dǎo)體照明市場最大部分?！⊥ㄓ谜彰靼ㄊ覂?nèi)照明和室外照明兩大類。這兩類應(yīng)用都要求燈具具有高發(fā)光效率
2013-10-10 18:01:59
半導(dǎo)廠商如何跟汽車工業(yè)打交道？未來車用半導(dǎo)體廠商誰來扮演？
2021-05-14 07:19:40
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
“通過創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車可以自動操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場總監(jiān)Allen Kwang高度評價汽車電子的創(chuàng)新意義。而汽車電子創(chuàng)新顯然與動力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統(tǒng)發(fā)展趨勢息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11
、高頻率等方面特有的優(yōu)勢，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位。 多年以來，世界各國始終對化合物半導(dǎo)體保持高度重視，出臺相關(guān)政策支持本國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2017年美國、德國、歐盟
2019-06-13 04:20:24
本人在半導(dǎo)體研究所工作多年，目前自己成立公司，希望能申請半導(dǎo)體技術(shù)論壇的版主！謝謝
2009-12-22 09:14:02
希爾頓酒店）盛大召開，會期持續(xù)兩天半，參會者近千人，該論壇為海內(nèi)外眾多半導(dǎo)體照明行業(yè)人士提供了全球性、全產(chǎn)業(yè)鏈、高層次的交流平臺。 本次論壇峰會以“協(xié)同創(chuàng)新 融通發(fā)展”為主題，涉及生物農(nóng)業(yè)光照明技術(shù)、光
2017-11-03 14:14:29
半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當(dāng)中
2016-11-27 22:34:51
請問一下半導(dǎo)體發(fā)展至今經(jīng)歷了什么？
2021-06-17 08:10:52
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
怎樣通過ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點？
2021-07-09 06:25:46
在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件作為開關(guān)，能讓開關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14
什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487180 2018年寬帶隙基準(zhǔn)源半導(dǎo)體市場與技術(shù)發(fā)展趨勢
2018-02-06 14:41:13
5 正是由于帶隙，使得半導(dǎo)體具備開關(guān)電流的能力，以實現(xiàn)給定的電子功能;畢竟，晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關(guān)。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導(dǎo)體特性。 相較于硅器件，WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:068783 
近日，為了促進(jìn)寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，IEEE電力電子學(xué)會（PELS）發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體（ITRW）的國際技術(shù)路線圖。
2020-04-13 16:01:314783 摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項關(guān)注度很高的替代技術(shù)。 商用硅基功率MOSFET已有近40年
2020-09-18 17:08:332192 尋找硅替代物的研究始于上個世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來臨
2021-04-01 14:10:192216 
寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個不斷增長的市場，它可以提供效率和功率密度的改進(jìn)，這對能源和成本節(jié)約有很大的影響 。WBG 具有顯著優(yōu)勢，例如更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:511906 
眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:541815 
以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無機酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)具有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過產(chǎn)生特征凹坑或小丘來識
2022-07-06 16:00:211968 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力電子行業(yè)最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比
2022-07-27 15:11:441427 了解半導(dǎo)體價帶和導(dǎo)帶的形成機制對于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行了比較。
2022-07-29 11:18:02917 
用電動汽車市場的爆炸式增長。 在先進(jìn)汽車技術(shù)論壇的電動汽車寬帶隙半導(dǎo)體小組會議上，三位行業(yè)專家討論了解決 GaN 和 SiC 當(dāng)前挑戰(zhàn)和未來機遇的努力。 把握電氣化勢頭 在清潔能源領(lǐng)域，電動汽車市場是迄今為止最具活力的。 2012 年，全球售出約 130,000 輛電動汽車
2022-07-29 12:06:00515 使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 是最近推出的寬帶隙
2022-07-29 08:06:461597 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價帶的最高占據(jù)態(tài)移動到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
2022-07-29 15:10:451803 對硅替代品的探索始于上個世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時研究人員和大學(xué)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力應(yīng)用程序。在新世紀(jì)之初，氮化鎵
2022-08-05 11:58:28710 
寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV 和 HEV 包括幾個功率轉(zhuǎn)換階段，累積功率損耗
2022-08-08 10:21:49768 
自硅問世以來，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個優(yōu)勢，例如能夠管理高功率水平、對輻射不敏感、能夠在
2022-08-08 10:57:391244 
長期以來，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開發(fā)出來，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因為它們利用了重要的特性，與傳統(tǒng)的硅對應(yīng)物（如電力電子）相比，它們可以實現(xiàn)具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:00453 
用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體
2022-12-22 09:32:25780 寬帶隙增強功率轉(zhuǎn)換
2023-01-03 09:45:08355 集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品，是一個不斷增長的市場，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。WBG具有更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀，了解更多關(guān)于基于WBG的半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。
2023-02-02 16:36:161587 寬帶隙半導(dǎo)體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢。考慮帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續(xù)工作，通常高達(dá)400°C。
2023-05-24 11:13:481640 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24523 
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路
2023-09-21 17:09:32471 
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項
2023-11-23 16:56:32401 
新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 18:00:18317 
解決方案（火車、飛機和輪船）。為了控制溫室氣體 (GHG) 排放并減緩全球變暖，我們需要既能最大限度提高效率，又能減少環(huán)境影響的解決方案。 寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體具備多種特性，使得其對交通運輸應(yīng)用具有很大吸引力。使用這些半導(dǎo)體可以打造更高效、更快速、更輕巧的汽車，
2024-02-13 16:38:00805 
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商Nexperia今日宣布將投入高達(dá)2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，以顯著擴(kuò)大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研究、開發(fā)及生產(chǎn)能力。此次投資的核心聚焦于下一代
2024-07-15 17:02:3791 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論