伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測(cè)試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢？ 晶體管有三個(gè)引腳，因此需用通過(guò)兩個(gè)伏安特性來(lái)展示晶體管的特征，這兩個(gè)伏安特性分別為輸入伏安特性和輸出伏安特性。
2023-02-20 15:04:42
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8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無(wú)線(xiàn)電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專(zhuān)家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱(chēng)，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
晶體管特性圖示儀測(cè)三極管直流參數(shù)
2012-08-20 07:47:47
晶體管特性圖示儀測(cè)三極管直流參數(shù)
2012-08-20 09:43:57
題庫(kù)來(lái)源：特種作業(yè)?？碱}庫(kù)小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過(guò)VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線(xiàn)、放大倍數(shù)、開(kāi)啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線(xiàn)的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號(hào)幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級(jí)放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
晶體管式電流傳感器內(nèi)部設(shè)有檢測(cè)電流用電阻。使負(fù)荷電流通過(guò)該電阻，并利用運(yùn)算放大器（OP比較電路）將其電壓降值與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，當(dāng)電流檢測(cè)電阻上的電壓降低于基準(zhǔn)電壓時(shí)，比較器的輸出電流點(diǎn)亮報(bào)警
2018-10-31 17:13:28
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱(chēng)反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
? 01晶體管測(cè)量模塊在 淘寶購(gòu)買(mǎi)到的晶體管測(cè)試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測(cè)試線(xiàn)是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點(diǎn)陣液晶屏，顯示內(nèi)容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
的定義如圖Z0213?！ ?hie、hre、hfe、hoe 這4個(gè)參數(shù)稱(chēng)為晶體管的等效h 參數(shù)，它們的物理意義為： hie稱(chēng)為輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，簡(jiǎn)稱(chēng)輸入電阻。它反映輸出電
2021-05-13 07:56:25
或使其特性變壞。(5) 集電極--發(fā)射極反向電流ICEOICEO是指晶體管基極開(kāi)路時(shí)，集電極、發(fā)射極間的反向電流，也稱(chēng)穿透電流。ICEO越小越好，現(xiàn)在應(yīng)用較多的硅晶體管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過(guò)在基極流過(guò)電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉(zhuǎn)換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出?！?：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級(jí)視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級(jí)視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
，晶體管的輸入特性類(lèi)似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達(dá)式為：。晶體管輸出特性曲線(xiàn)的三個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于 晶體管的三個(gè)工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
; 晶體管，本名是半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出
2010-08-12 13:57:39
輸出為1瓦至600瓦。產(chǎn)品型號(hào): AM81214-030產(chǎn)品名稱(chēng)：晶體管AM81214-030產(chǎn)品特性內(nèi)部輸入/輸出匹配網(wǎng)絡(luò)PG＝7.2 dB，在5 W（峰值）/ 1400 MHzOMNIORD金屬化
2018-07-17 15:08:03
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問(wèn)下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫(kù)里沒(méi)找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥(niǎo)了，請(qǐng)見(jiàn)諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
PLC晶體管輸出和繼電器輸出區(qū)別
2012-08-20 08:26:07
PLC繼電器和晶體管輸出
2012-08-20 08:24:48
，因?yàn)殡娏鞅仨氹x開(kāi)基極。通常，PNP晶體管可以替代大多數(shù)電子電路中的NPN晶體管;主要區(qū)別在于電壓和電流流向的極性。七、PNP晶體管電路PNP 晶體管的輸出特性曲線(xiàn)與等效的 NPN 晶體管的輸出特性曲線(xiàn)
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設(shè)計(jì)放大電路的性能共發(fā)射極應(yīng)用電路第三章 增強(qiáng)輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設(shè)計(jì)射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
本晶體管特性曲線(xiàn)描繪儀電路主要由鋸齒波發(fā)生器、階梯波發(fā)生器組成（圖(a)）。因?yàn)槊枥L晶體管特性需要兩種電壓，一是加在b極上的階梯波，以產(chǎn)生不同的基極電流Ib；二是加在c極上的鋸齒波，其周期與階梯波相對(duì)應(yīng)．
2021-04-20 07:06:19
本文資料下載內(nèi)容包括了：二極管的結(jié)構(gòu)與伏安特性二極管伏安特性的數(shù)學(xué)表達(dá)式溫度對(duì)二極管伏安特性的影響
2021-03-23 07:21:56
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類(lèi)型。3.2 晶體管的種類(lèi)及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時(shí)被稱(chēng)為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，驅(qū)動(dòng)功率高，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
?！ ∮?jì)算鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管寬度 （W） 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，F(xiàn)inFET表現(xiàn)出一種稱(chēng)為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29
實(shí)驗(yàn)十 元件伏安特性的測(cè)定?一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?⒈ 學(xué)習(xí)直讀式儀表和晶體管穩(wěn)壓電源等設(shè)備的使用方法。?⒉ 掌握阻值、電壓和電流的測(cè)量方法。?⒊ 掌握線(xiàn)性電阻元件、非線(xiàn)性電阻元件——二極管以及電壓源的伏安
2008-09-24 21:54:48
的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路
2017-06-22 18:05:03
正電壓，以產(chǎn)生從發(fā)射極到集電極的電流。7.如何測(cè)量晶體管的特性？晶體管的輸出特性是通過(guò)檢查不同基極電流下屬于集電極電流的集電極-發(fā)射極端子之間的電壓變化來(lái)確定的。通過(guò)按下移動(dòng)設(shè)備上的“輸出特性”按鈕
2023-02-03 09:32:55
伏安特性分析儀簡(jiǎn)稱(chēng)IV分析儀，專(zhuān)門(mén)用來(lái)測(cè)量二極管的伏安特性曲線(xiàn)、晶體管三極管的輸出特性曲線(xiàn)，以及MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線(xiàn)。
IV分析儀相當(dāng)于實(shí)驗(yàn)室的晶體管圖示儀，需要將晶體管與連接
2023-04-27 16:28:47
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對(duì)于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負(fù)電壓將使其“打開(kāi)”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動(dòng)。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個(gè)簡(jiǎn)單
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
半導(dǎo)體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
1. 內(nèi)容利用LabVIEW設(shè)計(jì)一個(gè)三極管伏安特性測(cè)量程序，采用電壓掃描法實(shí)現(xiàn)對(duì)三極管伏安特性的分析。2. 要求 （1）輸出信號(hào)的幅值可以調(diào)整； （2）顯示集電極電流Ic-集電極與射集間電壓Uce之間的關(guān)系曲線(xiàn)； （3）虛擬儀器前面板的設(shè)計(jì)美觀大方、操作方便，后面板的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔、布線(xiàn)合理、功能完善。
2016-07-05 10:43:24
基于LabVIEW的三極管伏安特性測(cè)量1. 內(nèi)容利用LabVIEW設(shè)計(jì)一個(gè)三極管伏安特性測(cè)量程序，采用電壓掃描法實(shí)現(xiàn)對(duì)三極管伏安特性的分析。2. 要求
2016-07-05 10:34:20
基于單片機(jī)的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
，這反過(guò)來(lái)又使耗盡層盡可能小，從而通過(guò)我們的晶體管的最大電流流動(dòng)。這使得晶體管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?！ D2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
本應(yīng)用指南介紹了一種采用后向設(shè)計(jì)的基本驅(qū)動(dòng)電路，它從輸出晶體管器件開(kāi)始再返回到水平振蕩器，便于加速晶體管的水平輸出級(jí)。
2014-09-22 17:14:04
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
怎樣去設(shè)計(jì)掃描信號(hào)發(fā)生器？掃描信號(hào)發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關(guān)系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-15 06:13:59
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱(chēng)為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管的開(kāi)關(guān)速度即由其開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)表征，開(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)速度就越快。BJT的開(kāi)關(guān)過(guò)程包含有開(kāi)啟和關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程，相應(yīng)地就有開(kāi)啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff，晶體管的總開(kāi)關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
特性 NPN 晶體管可能具有公共基極 （CB） 或共發(fā)射極 （CE） 配置，每種配置都有自己獨(dú)特的輸入和輸出。在常見(jiàn)的發(fā)射極設(shè)置中，從基極（V是） 和收集器 （V菲爾.A 電壓 VE然后離開(kāi)發(fā)射極并進(jìn)
2023-02-17 18:07:22
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)數(shù)字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測(cè)定方法測(cè)定。IO（低電流區(qū)域
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
的選擇和比較進(jìn)行了分析?？紤]了晶體管參數(shù)，如與時(shí)間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會(huì)影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
我最近買(mǎi)了一臺(tái)QT2晶體管特性圖示儀，但是說(shuō)明書(shū)看不懂，有沒(méi)有人能指導(dǎo)一下如何使用QT2晶體管特性圖？我是真的想知道怎么用QT2檢測(cè)各種三極管，場(chǎng)效應(yīng)管，整流管等，不要網(wǎng)上隨便復(fù)制的答案，希望真的懂得的哥們指導(dǎo)指導(dǎo)。。。
2012-07-14 21:37:00
二極管的伏安特性是什么？溫度對(duì)二極管的伏安特性有何影響？
2021-10-08 08:55:17
用555制作的晶體管特性曲線(xiàn)描繪儀本儀器除能測(cè)試晶體管外，還能測(cè)試二極管，測(cè)試方法如圖所示。晶體管特性曲線(xiàn)描繪儀是測(cè)試晶體管特性的專(zhuān)用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線(xiàn)
2008-07-25 13:34:04
。試驗(yàn)后，根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)繪出伏安特性曲線(xiàn)。三 注意事項(xiàng)1.電流互感器的伏安特性試驗(yàn)，只對(duì)繼電保護(hù)有要求的二次繞組進(jìn)行。2.測(cè)得的伏安特性曲線(xiàn)與過(guò)去或出廠(chǎng)的伏安特性曲線(xiàn)比較，電壓不應(yīng)有顯著降低。若有顯著
2020-09-15 22:26:01
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
不導(dǎo)通。當(dāng)UA＞UG時(shí)，P1N1結(jié)正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結(jié)構(gòu)開(kāi)通，A-K間導(dǎo)通并出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象。其過(guò)程及伏安特性與單結(jié)晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管的負(fù)阻特性出現(xiàn)在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)？使用注意事項(xiàng)有哪些？繼電器與晶體管輸出有哪些差別？
2021-10-12 06:28:48
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性?！ ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
晶體管中，輸入回路負(fù)載線(xiàn)與輸入特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)為什么就是Q點(diǎn)？
2019-04-01 06:36:50
`如圖所示，使用STM32輸出通過(guò)光耦驅(qū)動(dòng)晶體管陣列MC1413(同ULN2003)，但是輸出端測(cè)不到，求指教電路是否合適，謝謝。順便貼上MC1413的電氣特性。`
2019-03-18 09:56:56
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠(chǎng)家是哪家
2022-05-30 16:36:56
單結(jié)晶體管具有負(fù)租特性，其工作原理和伏安特性見(jiàn)圖1-31。
圖1-31中電源電壓UBB的
2009-07-31 17:22:552649 
晶體管特性圖示儀,
晶體管特性圖示儀是什么意思
體管
特性圖示儀它是一種能對(duì)
晶體管的
特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試的儀器?！ ∫话?/div>
2010-03-05 14:29:093255 晶體管特性圖示儀原理與使用 晶體管特性圖示儀原理與使用
2016-02-18 14:56:24
48 Multisim 10的元器件庫(kù)提供數(shù)千種電路元器件供實(shí)驗(yàn)選用，虛擬測(cè)試儀器儀表種類(lèi)齊全，有一般實(shí)驗(yàn)用的通用儀器，但沒(méi)有晶體管圖示儀，只能測(cè)試晶體三極管、PMOS和NMOS伏安特性曲線(xiàn)，不具備測(cè)試
2019-01-04 09:18:004248 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是晶體管的特性與參數(shù)詳細(xì)資料說(shuō)明包括了：1 晶體管的工作原理，2 晶體管的伏安特性，3 晶體管的主要參數(shù)
2019-06-17 08:00:0023 本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:256592 
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