在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:26
1373 一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET的有效性。所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC
2018-11-27 16:38:39
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
ROHM擅長的低VF特性，還提高了抗浪涌電流性能IFSM，并改善了漏電流IR特性，采用SiC功率元器件的客戶有望進(jìn)一步增加。（未完待續(xù)）
2018-12-03 15:12:02
有些人的印象中是使用在大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實(shí)際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對節(jié)能和小型化貢獻(xiàn)巨大的功率元器件。SiC功率元器件關(guān)于SiC功率元器件，將分以下4部分進(jìn)行講解。何謂SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
線通信終端，終端噪音使得它自身的通信性能劣化，會發(fā)生系統(tǒng)內(nèi)的EMC問題（即自中毒問題），為了使LTE的性能發(fā)揮極致，必須解決掉這一問題。本文中我們將通過噪聲對策的事例，介紹對LTE通信規(guī)范產(chǎn)生影響的噪音對策以及必要的EMC對策元器件的選擇方法。
2019-05-31 06:10:32
的磁珠.5.共模電感的介紹，針對新型高速差分接口USB3.0,HDMI1.3等等，介紹新型的共模電感來濾除共模噪音。 EMC對策的容感器件選擇方法[此貼子已經(jīng)被admin于2010-12-5 10:06:18編輯過]
2010-08-31 20:26:16
的噪聲對策。噪聲的產(chǎn)生也和PCB板布局、元器件配置、元器件性能等有關(guān)系。在某些情況下，可能需要將LC濾波器由簡單的L型升級為π型或T型，或在電路板上設(shè)置屏蔽等。此外，某些設(shè)備規(guī)格還必須符合噪聲標(biāo)準(zhǔn)（比如
2018-11-30 11:39:37
額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計(jì)障礙是低水平寄生效應(yīng)，如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
HEV/EV 用電子元器件的設(shè)計(jì)對策 議程1. HEV/EV Category and Passive Component混合/純電動車種類和被動電子元器件2. DC/DC Converter-
2009-11-26 11:45:54
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-04-12 05:03:38
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
色，VF值更低。＜支持信息＞ROHM在官網(wǎng)特設(shè)網(wǎng)頁中，介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等SiC功率元器件的概況，同時(shí)，還發(fā)布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持
2023-03-02 14:24:46
所擁有的特性和特征的應(yīng)用事例。均分別包含基礎(chǔ)內(nèi)容。如果是幾十瓦的電源，有內(nèi)置功率元器件，可減少個(gè)別地選擇MOSFET或工作確認(rèn)。然而，在大功率電路中，切實(shí)地純熟掌握分立元器件極為重要。后文將詳細(xì)
2018-11-28 14:34:33
確實(shí)無法在21世紀(jì)單芯片化。羅姆積極致力于走在22世紀(jì)前端的一體化封裝電源的開發(fā)，敬請期待未來羅姆具有前瞻性的的產(chǎn)品陣容?！ 《诹_姆提出的四大發(fā)展戰(zhàn)略中，其中之一便是“強(qiáng)化以SiC為核心的功率元器件
2018-09-26 09:44:59
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
的時(shí)間往往很短，但劇烈的脈沖產(chǎn)生的能量往往會對系統(tǒng)產(chǎn)生極大的沖擊。針對HDMI接口，高浪涌形成的原因有很多，但最主要的因素來自于較長的HDMI線纜，以及閃電。這些因素產(chǎn)生的能量一般會比靜電產(chǎn)生的要
2022-11-09 07:07:05
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
的原因，反向電流小，因此噪聲小，???可減少噪聲/浪涌對策元器件，實(shí)現(xiàn)小型化??3.高頻工作，可實(shí)現(xiàn)電感等外圍元器件的小型化以下是具體案例和示意圖。由于其溫度穩(wěn)定性非常優(yōu)異等優(yōu)勢，還支持車載級
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
%的小型化與4kg的輕量化，與未使用SiC功率元器件的第2賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了43%的小型化和6kg的輕量化。此次文圖瑞Formula E車隊(duì)賽車逆變器所搭載的全SiC功率模塊，采用了ROHM獨(dú)有
2018-12-04 10:24:29
了約22%。橙色部分表示開關(guān)損耗，降低的損耗大部分是開關(guān)損耗。在30kHz條件下，首先是IGBT的開關(guān)損耗大幅增加。眾所周知，這是IGBT高速開關(guān)所面對的課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗雖然也有
2018-11-27 16:37:30
關(guān)斷時(shí)（切斷電流）產(chǎn)生較大的浪涌，當(dāng)浪涌超過元器件的額定值時(shí)，甚至可能會致使產(chǎn)品損壞。要有效降低布線電感值，需要靠近電路圖的紅色橢圓圈出來的線路中的元件引腳連接電容器。緩沖用電容器示例緩沖用電容器不僅電氣
2018-11-27 16:39:33
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機(jī)驅(qū)動器電路
2018-12-04 10:26:52
對LTE通信規(guī)范產(chǎn)生影響的噪音對策以及必要的EMC對策元器件的選擇方法。
2021-04-19 08:07:50
沖擊，具有極低的結(jié)電容，應(yīng)用于保護(hù)電子設(shè)備和人身免遭瞬態(tài)高電壓的危害，是防雷保護(hù)設(shè)備中應(yīng)用最廣泛的開關(guān)元器件。東沃供應(yīng)的GDT浪涌電流可達(dá)20KA、40KA、50KA、60KA、100KA、150KA
2019-08-27 14:33:23
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結(jié)構(gòu)這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
的開關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實(shí)現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢。由
2018-12-04 10:14:32
開關(guān)電源中浪涌電壓吸收元器件
開關(guān) 電源 通常具有較寬的輸入電壓，對輸入電壓的容差范圍較大，同時(shí)根據(jù)浪涌尖峰電壓峰值高，持續(xù)時(shí)間短的特點(diǎn)，通常采用能量吸收型方案對浪涌尖峰電壓進(jìn)行濾除，即采用能量吸收
2023-12-18 15:24:53
不當(dāng)，效果則可能不理想?！癫襟E2：把握噪聲產(chǎn)生源與傳導(dǎo)路徑確認(rèn)所產(chǎn)生的開關(guān)噪聲是從哪一路徑傳導(dǎo)到一次側(cè)或二次側(cè)的。噪聲對策需要在噪聲的傳導(dǎo)路徑實(shí)施。而且，必須對所有的傳導(dǎo)路徑采取對策。哪怕忽略了一處傳導(dǎo)
2019-03-19 06:20:03
，效果則可能不理想。●步驟2：把握噪聲產(chǎn)生源與傳導(dǎo)路徑確認(rèn)所產(chǎn)生的開關(guān)噪聲是從哪一路徑傳導(dǎo)到一次側(cè)或二次側(cè)的。噪聲對策需要在噪聲的傳導(dǎo)路徑實(shí)施。而且，必須對所有的傳導(dǎo)路徑采取對策。哪怕忽略了一處傳導(dǎo)
2018-11-27 16:42:41
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄?shí)際設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對品質(zhì)可靠性
2017-07-22 14:12:43
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
。這就使得MOSFET在SiC功率電子器件中具有重要的意義。2000年研制了國內(nèi)第一個(gè)SiCMOSFETt31。器件最大跨導(dǎo)為0.36mS/mm，溝道電子遷移率僅為14cm2/(V·s)。反型層遷移率低
2017-06-16 10:37:22
(SiC) 注2和GaN注3這類寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體注4的功率元器件。WBG材料的最大特點(diǎn)如表1所示，其絕緣擊穿電場強(qiáng)度較高。只要利用這個(gè)性質(zhì)，就可提高與Si元件相同結(jié)構(gòu)時(shí)的耐壓性能。只要實(shí)現(xiàn)有耐壓余量
2019-07-08 06:09:02
電壓、電流供應(yīng)電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需方式供應(yīng)電力”的范圍中，半導(dǎo)體也發(fā)揚(yáng)著重要的作用，從“處置電力(功率)”的含義動身，其中心半導(dǎo)體部件被稱為功率元器件或功率半導(dǎo)體。 在功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
出現(xiàn)輸入浪涌電流的原因是什么？限制開機(jī)浪涌電流有哪些對策？
2021-06-18 07:26:24
電子元器件的防浪涌應(yīng)用 電浪涌引起的電過應(yīng)力（EOS）損傷或燒毀是電子元器件在使用過程中最常見的失效模式之一。 電浪涌是一種隨機(jī)的短時(shí)間
2009-08-27 18:53:08
67 SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 浪涌、浪涌電流和浪涌電壓的概念解釋，浪涌保護(hù)器是什么，基本元器件的組成，本文針對浪涌和浪涌保護(hù)器做出概述。
2011-11-02 13:46:332352 隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，功率元器件市場在不斷增長。而且，為了進(jìn)一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件
2012-10-22 11:10:361024 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 的功率器件企業(yè)、磁性元器件企業(yè)針對這些市場，開發(fā)出性能更優(yōu)的產(chǎn)品滿足這些市場的需求。 今年10月，磁性元器件大廠威世(Vishay)公司推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT，可用來提高白色家電、醫(yī)療、通信應(yīng)用以及工業(yè)的功率
2021-07-11 16:46:231167 中，我們將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明。
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442121 在電路設(shè)計(jì)中經(jīng)常會對電路元器件做相關(guān)的保護(hù)，這里所說的是關(guān)于浪涌保護(hù)相關(guān)的電路部分，包括元器件選擇和電路設(shè)計(jì)部分。剛開始接觸這一部分有不足大家可以批評指正。
2022-05-30 09:51:087996 
了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。SiC元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。
2022-06-15 16:00:341368 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:50551 
紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負(fù)電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54139 SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè) ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco
2023-06-21 08:10:02287 
緩沖電路來降低線路電感，這是非常重要的。 首先，為您介紹 SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換電路中，發(fā)生在漏極和源極之間的浪涌。 ·? 漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌 ·?緩沖電路的種類和選擇 ·?C緩沖電路的設(shè)計(jì) ·?RC緩沖電路的設(shè)計(jì) ·?放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)
2023-06-21 08:35:02425 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49132 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107 
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