最近分析了Mosfet的寄生參數(shù)，其中Eoss是一個(gè)非常重要的參數(shù)。

1、Eoss參數(shù)的重要性

對(duì)于硬開(kāi)關(guān)變換電路來(lái)說(shuō)，MOSFET開(kāi)通之前，Coss需要釋放能量，這部分能量就構(gòu)成一部分導(dǎo)通損耗。

對(duì)于軟開(kāi)關(guān)變換電路來(lái)說(shuō)，MOSFET開(kāi)通之前，電流可以為零，也可以流過(guò)反向二極管續(xù)流。實(shí)現(xiàn)了軟開(kāi)關(guān)減小了導(dǎo)通損耗。

因此，Eoss在于硬開(kāi)關(guān)電路里面是非常重要的。對(duì)于軟開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō)，Eoss并不會(huì)太影響效率。

2、Eoss參數(shù)的來(lái)源

2.1 Coss的來(lái)源

Coss為MOSFET的寄生電容，Coss = Cgd + Cds，

對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō)，當(dāng)Vds是變化的時(shí)候，Coss也是變化的。下圖為英飛凌IPW60R099C7的結(jié)電容與Vds電壓的關(guān)系。

由此可見(jiàn)，Vds電壓越大，結(jié)電容越小。

2.2 Qoss的來(lái)源

上節(jié)描述了Coss的來(lái)源，Coss上的電荷就是Qoss。由于Coss的非線性，導(dǎo)致Qoss為：

以圖形表示為：

2.3 Eoss的推導(dǎo)

Coss放電產(chǎn)生的損耗和容值、頻率成正比，和電壓的平方成正比。

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，Coss對(duì)應(yīng)產(chǎn)生的功耗就是Eoss。

Eoss為參數(shù)Coss儲(chǔ)存的能量，

但是，由于Coss不是一個(gè)常量。因此，不能用Qoss與Vds的函數(shù)曲線，對(duì)Qoss進(jìn)行積分。

2.4 Eoss 的獲取方式

2.4.1 數(shù)據(jù)手冊(cè)直接獲取

對(duì)于低壓MOSFET，Vds很小，導(dǎo)致Eoss值很小?？赡軘?shù)據(jù)手冊(cè)里面忽略不計(jì)了。

對(duì)于中壓MOSFET，Vds也是中壓，一般數(shù)據(jù)手冊(cè)里面給了Eoss與Vds的函數(shù)曲線。

下圖為IPW60R099C7的Eoss與Vds的函數(shù)關(guān)系。

2.4.2 微分法計(jì)算：

Vds電壓從0開(kāi)始，使用小的電壓增幅間隔，在不同的電壓下可以得到相應(yīng)的電容值。當(dāng)電壓從Vds(n)增加到Vds(n+1)時(shí)，增加的Qoss可以由下式計(jì)算：

Vds電壓，需要從0以很小的步長(zhǎng)慢慢增加到最大值。一點(diǎn)一點(diǎn)地?cái)M合出2.4.1的圖形，這個(gè)還是交給器件廠商來(lái)做吧。