N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
23374 燈具的光學(xué)特性：讓你看懂配光曲線
光強(qiáng)分布
任何燈具在空間各個(gè)方向上的發(fā)光強(qiáng)度都是不一樣
2009-12-29 09:19:459642 示波器的帶寬被稱為示波器的第一指標(biāo)，而示波器的幅頻特性曲線則直接證明了示波器帶寬指標(biāo)是否符合要求，表征了示波器模擬前端放大器的重要特性。##幅頻特性曲線繪制方法，筆者在江湖上遇到過(guò)的有四種
2015-06-30 11:21:4268821 本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合
2020-12-21 14:25:457583 
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出：當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí)，MOS管開始導(dǎo)通電流。
2022-08-29 14:21:4629872 在選用西門子伺服電機(jī)時(shí)，為了能夠滿足實(shí)際工況的需要，需要考慮所選電機(jī)的扭矩轉(zhuǎn)速特性曲線、電壓極限特性曲線。本文為大家進(jìn)行相關(guān)內(nèi)容的介紹。
2023-11-01 15:21:271187 
輸出特性曲線：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時(shí)，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。
2023-12-01 14:13:131564 
轉(zhuǎn)移特性曲線：固定VDS值，MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線。
2023-12-01 14:15:311528 
本文就MOSFET的開關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過(guò)程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來(lái)理解其開通關(guān)斷的過(guò)程，以及MOSFET在開關(guān)過(guò)程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
Multisim仿真幅頻特性曲線和相頻特性曲線的兩種方法
2023-12-11 17:29:572339 
如圖，是N溝JFET的傳輸特性，按理論說(shuō)最大漏源飽和電流IDSS就是VGS等于零時(shí)候的值，但是在實(shí)際的應(yīng)用中，當(dāng)VGS稍微大于零的情況下，IDSS有一小部分的增長(zhǎng)。因此，JFET可應(yīng)用于小信號(hào)的零
2017-11-06 14:36:09
JFET短路失效是什么原因
2017-09-05 09:58:04
電動(dòng)車轉(zhuǎn)換器72V轉(zhuǎn)12V我看到都是用MOSFET的場(chǎng)效應(yīng)管，能不能用JFET的場(chǎng)效應(yīng)管？？？？
2017-06-26 12:45:35
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
的輸出電容與電壓相關(guān)；因此，單點(diǎn)測(cè)量并不能精確地表現(xiàn)組件的電容特性。透過(guò)使用曲線適配方法從該單點(diǎn)找出輸出電容公式。公式1就是25V電壓時(shí)的電容示例。這個(gè)公式的積分可用于代替可用公式中的單值電容。如圖1及圖
2014-10-08 12:00:39
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中，讀取這個(gè)MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時(shí)的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
我看mosfet的技術(shù)手冊(cè)，有兩個(gè)轉(zhuǎn)移特性曲線，但是不知道這兩個(gè)的區(qū)別在哪，為什么不一樣？
2015-10-23 20:51:09
B-11特性曲線
2019-03-14 17:26:39
Labview scipt如何畫近似的和精確地幅頻特性曲線，生成的A，w如何創(chuàng)建數(shù)組顯示兩條曲線，以作比較，那位大俠幫幫我，謝謝啦
2012-05-07 21:40:23
MOSFET自建模工具系統(tǒng)介紹從器件手冊(cè)中獲取MOSFET建模特性曲線Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓曲線（Id_Vgs)自建模一Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓
2017-04-12 20:43:49
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導(dǎo)通電阻。此外，可以看到，與150℃時(shí)的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導(dǎo)通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
multisim中用什么儀器可以測(cè)試差分放大電路的差模傳輸特性曲線？求大神指導(dǎo)啊！{:4:}
2014-01-06 21:08:14
柵極電流，因此可以將柵極視為開路。這樣就不需要輸入特性曲線了。我們可以在下表中將JFET與雙極結(jié)型晶體管（BJT）進(jìn)行比較。JFET與BJT的比較結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管雙極晶體管門（G）底（B）排水（D）收集器
2020-09-16 09:40:54
需要輸入柵極電流，因此可以將柵極視為開路。這樣就不需要輸入特性曲線。我們可以在下表中將JFET與雙極結(jié)型晶體管（BJT）進(jìn)行比較。JFET與BJT的比較結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管雙極晶體管門（G）底（B）排水（D
2020-11-03 09:34:54
背景是：最近鄙人要做一個(gè)關(guān)于JFET器件的報(bào)告{:8:}感覺MOSFET出現(xiàn)之后JFET一直都很沉寂，大部分應(yīng)用都被MOSFET替換了搜索之后返現(xiàn)JFET在運(yùn)放中應(yīng)用挺多去ADI網(wǎng)站看到他們做了很多
2013-05-14 21:18:04
三極管特性曲線詳細(xì)分析，特性曲線看不懂，
2015-06-29 16:34:40
三極管的特性曲線是描述三極管各個(gè)電極之間電壓與電流關(guān)系的曲線，它們是三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)規(guī)律在管子外部的表現(xiàn)。三極管的特性曲線反映了管子的技術(shù)性能，是分析放大電路技術(shù)指標(biāo)的重要依據(jù)。三極管特性
2021-01-13 07:10:59
為什么要制作JFET灌電流？JFET灌電流有何特性？
2021-10-09 07:36:28
本帖最后由 牛牛406687673 于 2012-9-29 13:07 編輯
集電極常數(shù)Ic電流？例如：當(dāng)光耦的發(fā)光二極管加正向電流有1MA，對(duì)應(yīng)特性曲線得知輸出光敏三極管E極和C極壓降無(wú)窮大
2012-09-29 12:52:57
包括最大額定值表、電氣特性表，性能曲線和封裝等信息，后面將更詳細(xì)地解說(shuō)。數(shù)據(jù)表的第一頁(yè)用于提供MOSFET概覽，包括關(guān)鍵特性和目標(biāo)應(yīng)用。首頁(yè)還包含最大額定值表、熱特性、器件符號(hào)、引腳連接和導(dǎo)通電阻規(guī)格
2018-10-18 09:13:03
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
Labview scipt如何畫近似的和精確地幅頻特性曲線，生成的A，w如何創(chuàng)建數(shù)組顯示兩條曲線，以作比較，那位大俠幫幫我，謝謝啦
2012-05-07 21:41:46
如何閱讀一份規(guī)格書的特性曲線？圖中是rb551v30 二極管的特性曲線，由于標(biāo)識(shí)不是很清楚，沒有標(biāo)識(shí)縱橫坐標(biāo)標(biāo)識(shí)的是電流很是電壓，也沒有標(biāo)識(shí)單位，所以我有點(diǎn)看不懂！請(qǐng)高手指點(diǎn)，謝謝。越詳細(xì)越好
2016-09-06 10:06:12
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
求助用MATLAB怎么畫機(jī)械特性曲線？
2012-11-21 23:16:14
，即MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為負(fù)溫度系數(shù)，可以將這個(gè)區(qū)域稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域。 圖2：MOSFET轉(zhuǎn)移特性而在VGS-ZTC電壓的右上部分曲線，如圖2的A點(diǎn)區(qū)，VGS
2016-09-26 15:28:01
電機(jī)特性曲線
2012-02-01 21:34:53
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
一般情況換能器的特性曲線都是R和X組成的阻抗特性曲線或者由G和B組成的導(dǎo)納特性曲線但是現(xiàn)在我的換能器的曲線是Cp和G組成的特性曲線如下圖可見所以有點(diǎn)困惑，有以下問題【1】G還是電導(dǎo)的意思，那Cp是指
2017-09-05 16:09:44
負(fù)反饋和電子管等效特性曲線
2007-11-25 11:32:12
53 二階閉環(huán)系統(tǒng)的頻率特性曲線一．實(shí)驗(yàn)要求1． 研究二階閉環(huán)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)參數(shù)--自然頻率（無(wú)阻尼振蕩角頻率）ωn、阻尼比ξ對(duì)對(duì)數(shù)幅頻曲線和相頻曲線的影響。2． 了解和掌
2009-05-15 00:52:5555 離心泵特性曲線的測(cè)定一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?. 了解離心泵構(gòu)造，熟悉離心泵的操作方法；2. 掌握離心泵特性曲線的測(cè)定方法、表示方法，加深對(duì)離心泵性能的了解，并測(cè)定離心
2009-07-19 09:12:3035 電子管的特性曲線實(shí)際上很有用處，熟悉了它們的使用方法會(huì)在實(shí)際工作中帶來(lái)很大方便，可求出電子管特性手冊(cè)上沒有提供的數(shù)據(jù)，如一般電子管的特性曲線是取屏極電流較大處
2009-12-12 08:21:10137 熱敏電阻的特性曲線
2008-04-24 09:30:318681 
三極管的特性曲線
2008-07-14 10:50:2311084 
三極管的輸出特性
當(dāng)ＩＢ不變時(shí), 輸出回路中的電流ＩＣ與電壓ＵＣＥ之間的關(guān)系曲線稱為輸出特性, 即
2008-07-14 10:51:2210569 三極管的特性曲線 當(dāng)ＵＣＥ不變時(shí), 輸入回路中的電流ＩＢ與電壓ＵＢＥ之間的關(guān)系曲線稱為輸入特性, 即
2008-07-14 10:52:046329 
軸流泵的特性曲線
2008-07-14 14:35:378641 
晶體管特性曲線描繪儀
晶體管特性曲線描繪儀電路圖的工作原
2008-07-25 13:35:501581 
非線性元件特性曲線的測(cè)定及曲線繪制
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹 ?、了解非線性元件的伏安特性； 2、學(xué)習(xí)非線性元件伏安特性曲線的測(cè)試方法； 3、掌握繪制
2008-10-17 22:58:585170 各種場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)和特性曲線
2009-01-18 15:08:055976 
測(cè)量三極管特性曲線的電路圖
2009-05-06 14:56:201616 
晶體管特性曲線描繪儀電路圖
2009-05-19 14:08:451121 
半導(dǎo)體三極管的特性曲線
在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體三極管電路時(shí)，往往需要了解半導(dǎo)體三極管各極電流與電壓之間的關(guān)系。半導(dǎo)體三極管的特性曲線就是用來(lái)描述這種關(guān)系的曲線。
2009-08-22 15:48:355067 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線
1）輸出特性曲線N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線是指當(dāng)柵源電壓Ugs一定時(shí)，F(xiàn)ET漏極電流Id與漏源
2009-09-16 09:36:364911 三極管的共射特性曲線
三極管的特性曲線是描述三極管各個(gè)電極之間電壓與電流關(guān)系的曲線，它們是三極管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)規(guī)律在管子外部的表現(xiàn)。
2009-09-23 08:27:5110800 用示波器顯示齊納(穩(wěn)壓)二極管的特性曲線
儀器
2DW7型齊納二極管；J2458型教學(xué)示
2009-10-13 15:09:361948 
用示波器演示硅整流一極管的特性曲線
儀器
示波器和電源；小型自耦變壓器；300Ω／W
2009-10-13 15:59:331220 
B-11特性曲線
2009-10-22 13:46:56853 
JFET-MOSFET耳機(jī)功放電路
2010-01-30 14:47:303578 
本書匯集了國(guó)內(nèi)常用109種鋼材的280種不同熱處理規(guī)范下測(cè)得的磁特性曲線，并以曲線和表格形式提供了磁特性的基本數(shù)據(jù)
2011-04-18 18:18:270 當(dāng)使用分立的JFET時(shí)，設(shè)計(jì)者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個(gè)給定的晶體管型號(hào)相適應(yīng)。一般會(huì)使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個(gè)近似模型：ID=β（VGS-VP）2，其中，ID是
2012-07-25 14:53:414269 
本文介紹了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，講解了JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理、 JFET的特性曲線及參數(shù)和JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法。 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
2017-11-22 19:41:5563 三極管特性曲線是反映三極管各電極電壓和電流之間相互關(guān)系的曲線，是用來(lái)描述晶體三極管工作特性曲線，常用的特性曲線有輸入特性曲線和輸出特性曲線。
2017-11-27 14:16:0953902 
共源極JFET放大器使用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為其主要有源器件，提供高輸入阻抗特性，基于放大器電路的設(shè)計(jì)在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管或“JFET”周圍，（本教程的N溝道FET）或甚至金屬氧化物硅FET或“MOSFET”的原理與用于A類放大器電路的雙極晶體管電路的原理完全相同我們?cè)谇懊娴慕坛讨锌催^(guò)。
2019-06-26 16:59:508913 
電能表的基本誤差隨著負(fù)載電流和負(fù)載功率因數(shù)而變化的關(guān)系曲線，稱為電能表的基本誤差特性曲線，簡(jiǎn)稱電能表的負(fù)載特性曲線。
2019-09-13 10:00:006486 
在三極管共發(fā)射極聯(lián)接的狀況下，當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE 堅(jiān)持紛歧樣的定值時(shí)，uBE和iB之間的一簇聯(lián)絡(luò)曲線，稱為共射極輸入特性曲線。一般狀況下，當(dāng)UCE≥1V時(shí)，集電結(jié)就處于反向偏置，此刻
2020-09-19 10:42:4894026 
MOSFET的開關(guān)特性解析|必看 MOS管最顯著的特點(diǎn)也是具有放大能力。不過(guò)它是通過(guò)柵極電壓uGS控制其工作狀態(tài)的，是一種具有放大特性的由電壓uGS控制的開關(guān)元件。 1、靜態(tài)特性 MOS管作為開關(guān)
2021-07-23 09:44:397320 
液壓泵的特性曲線包括一般特性曲線，全特性曲線和無(wú)因次特性曲線，理解這些特征曲線有利于力士樂柱塞泵的分析，開發(fā)，使用和維護(hù)。
2021-10-08 14:14:062002 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 MOSFET特性參數(shù)說(shuō)明
2022-08-22 09:54:471705 JFET 曲線追蹤器
2022-11-15 20:03:130 前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
使用功率 MOSFET Zth 曲線-AN11156
2023-02-17 18:49:230 三極管特性曲線是反映三極管各電極電壓和電流之間相互關(guān)系的曲線，是用來(lái)描述三極管工作特性曲線，常用的特性曲線有輸入特性曲線和輸出特性曲線
2023-02-22 14:12:012313 
本文章主要講述五種主流器件：BJT,SCR,JFET,MOSFET,IGBT的器件工作原理，為阻態(tài)，開通，通態(tài)以及關(guān)斷其器
件內(nèi)部的原理，從而更好的了解器件工作，更好的區(qū)分各器件更加適合應(yīng)用在何項(xiàng)目中。
2023-02-23 10:08:136 通過(guò)理論學(xué)習(xí)我們知道，二極管的伏安特性曲線如下。
2023-03-17 15:22:2410465 
經(jīng)常在教科書中看到類似于下圖中的二級(jí)管伏安特性曲線。
2023-04-13 16:14:092546 
這款有用的晶體管測(cè)試儀允許用戶快速檢查 NPN/PNP 晶體管、JFET 或 （V）MOSFET 的功能，并適當(dāng)?shù)卮_定其端子或引腳的方向。
2023-04-29 16:54:001048 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時(shí)的特性，會(huì)出現(xiàn)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣的線性、過(guò)渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09836 
MOS管輸入輸出特性曲線和三極管輸入輸出特性曲線的參數(shù)一樣嗎？? MOS管和三極管是電子元件中最常用的放大器。它們都有非常重要的輸入輸出特性曲線。雖然它們?cè)跇?gòu)造和工作原理上有很大的不同，但這兩種元件
2023-09-21 16:09:23956 電力MOSFET輸出特性曲線分為哪三個(gè)區(qū)？? 電力MOSFET是一種晶體管，用于控制電壓和電流。它們被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、電機(jī)控制、照明系統(tǒng)和各種其他工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。電力MOSFET的輸出特性曲線
2023-09-21 16:09:322678 JFET的全稱為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)電場(chǎng)來(lái)控制導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)率
2023-11-07 14:36:342295 mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301061 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
電池充電特性曲線是描述電池在充電過(guò)程中電壓和電流變化關(guān)系的曲線。它反映了電池的充電性能，對(duì)于電池的使用和維護(hù)具有重要意義。
2023-12-22 14:29:58684 
電池放電特性曲線是描述電池在放電過(guò)程中電壓和電流變化關(guān)系的曲線。它反映了電池的放電性能，對(duì)于電池的使用和維護(hù)具有重要意義。
2023-12-22 14:35:03676 
斷路器脫扣特性曲線類型有哪些？分別適合什么場(chǎng)合？ 斷路器脫扣特性曲線主要分為熱繼電器型、磁繼電器型和磁熱繼電器型三種類型。每種類型的斷路器脫扣特性曲線都具有不同的適用場(chǎng)合和功能。 一、熱繼電器
2023-12-26 13:42:19342
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