N溝道 P溝道 MOS管什么電平導(dǎo)通啊跟增強(qiáng)型的 一樣嗎 初學(xué)者！感謝大家！
2013-03-25 10:16:45
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè)，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗?！ ◇w內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計(jì)算 這一損耗原理及計(jì)算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下： Pd_recover
2020-06-28 17:48:13
MOS管的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFCMOS管的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢
2018-11-09 11:43:12
急劇提升。在高頻開(kāi)關(guān)中，MOS管的損耗分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗兩種，導(dǎo)通損耗也就是通常所說(shuō)的DS兩極導(dǎo)通后的歐姆熱損耗，然而在特別高的高頻下，導(dǎo)通損耗是次要的，開(kāi)關(guān)損耗上升為主要矛盾，所謂開(kāi)關(guān)損耗就是從
2018-11-20 16:00:00
-請(qǐng)問(wèn)各位專(zhuān)家，我是個(gè)電源新手，剛開(kāi)始接觸MOS管?，F(xiàn)在又些問(wèn)題，開(kāi)關(guān)損耗主要是導(dǎo)通和關(guān)斷這兩個(gè)過(guò)程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可?！ ∵x好額定電流后，還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗
2020-07-10 14:54:36
請(qǐng)問(wèn)大神，MOS管的導(dǎo)通工耗是等于，通過(guò)他的電流乘管子的壓降嗎？
2016-04-22 13:35:00
PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有
2012-11-12 15:40:55
高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。3，MOS開(kāi)關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小
2012-12-18 15:37:14
通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。五、損耗功率初算 MOS管損耗計(jì)算主要包含如下8個(gè)部分： PD
2019-12-10 17:51:58
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開(kāi)關(guān)損耗好像不僅僅和開(kāi)關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒(méi)有具體計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計(jì)算。運(yùn)放那邊輸出開(kāi)路時(shí)，MOS管導(dǎo)通，具體是怎么工作的。1、剛開(kāi)始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計(jì)
2021-04-27 12:03:09
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個(gè)MOS管這么排列，Q3Q4是打開(kāi)，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對(duì)立的。
2018-05-31 19:41:07
如圖片所示，為什么MOS管的開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開(kāi)關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在導(dǎo)通和截止
2019-07-03 07:00:00
MOS的參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計(jì)算
根據(jù)MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導(dǎo)通速度，這個(gè)方法對(duì)不對(duì)？
有沒(méi)有相近的NMOS推薦！VDS≥60V，ID≥15A，導(dǎo)通內(nèi)阻≤20m
2023-06-03 09:35:35
電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開(kāi)關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-29 08:43:49
時(shí)，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細(xì)計(jì)算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來(lái)源2.1 MOS開(kāi)關(guān)損耗MOS在開(kāi)關(guān)電源中用作開(kāi)關(guān)器件，顧名思義，MOS會(huì)經(jīng)常的開(kāi)通和關(guān)斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
在BUCK型開(kāi)關(guān)電源中，如果沒(méi)有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開(kāi)關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
I2C時(shí)鐘設(shè)置計(jì)算方法I2C時(shí)鐘設(shè)置計(jì)算方法
2023-10-20 08:17:10
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
、 IGBT的關(guān)斷損耗計(jì)算 同理設(shè)開(kāi)關(guān)頻率為Fsw情況下，那么直接計(jì)算損耗為： 9、二極管的導(dǎo)通損耗 該部分損耗和IGBT導(dǎo)通損耗計(jì)算方法一致，只不過(guò)將占空比設(shè)置成1-Don即可。在此不做重復(fù)
2023-02-24 16:47:34
請(qǐng)問(wèn)LED燈的阻抗計(jì)算方法是什么？
2020-03-06 14:43:47
或者是通過(guò)TI官網(wǎng)UC3842手冊(cè)上的方法學(xué)習(xí)Rstart的計(jì)算方法。
2021-10-29 07:04:40
STM32三種定時(shí)器有何區(qū)別？STM32定時(shí)器時(shí)鐘的計(jì)算方法是什么？
2021-11-23 07:04:09
soc計(jì)算方法，BMS中的SOC的計(jì)算其實(shí)可以分為三大部分：1、電芯層級(jí)的SOC計(jì)算（軟件中最真實(shí)的SOC計(jì)算，不涉及任何濾波處理）；2、模組或者電池包層級(jí)的SOC計(jì)算（電芯到電池包級(jí)別的SOC映射
2021-07-27 06:13:05
承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗。體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計(jì)算這一損耗原理及計(jì)算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下：Pd_recover=VDR × Qrr × fs其中
2019-09-02 08:30:00
阻小的MOS管40N120會(huì)降低導(dǎo)通損耗。 MOS在開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)，一定不是瞬間完成。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程。在此期間，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，稱(chēng)為開(kāi)關(guān)損失
2021-12-29 16:53:46
計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下，MOS管并不是理想的器件，因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗，這稱(chēng)之為導(dǎo)通損耗。MOS管在"導(dǎo)通"時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度
2013-10-29 17:27:29
/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗
2018-10-19 10:10:44
像2301那種mos導(dǎo)通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒(méi)有損耗?仿真是沒(méi)有損耗的
2020-04-16 15:44:28
什么是晶體管？目錄晶體管?由來(lái)概略晶體管數(shù)字晶體管的原理MOSFET特性導(dǎo)通電阻安全使用晶體管的選定方法元件溫度計(jì)算方法負(fù)載開(kāi)關(guān)常見(jiàn)問(wèn)題
2019-04-10 21:55:53
通過(guò)程的損耗能量Pon表示導(dǎo)通過(guò)程的平均損耗功率（有功功率）Vds、Id分別表示瞬時(shí)電壓和電流Ts表示開(kāi)關(guān)周期t0、t1表示導(dǎo)通過(guò)程的開(kāi)始時(shí)間與結(jié)束時(shí)間關(guān)閉過(guò)程損耗關(guān)閉過(guò)程損耗與導(dǎo)通過(guò)程損耗計(jì)算方法
2021-11-18 07:00:00
MOS管或?qū)χM(jìn)行等級(jí)劃分?！ 艠O電荷和導(dǎo)通阻抗之所以重要，是因?yàn)槎叨紝?duì)電源的效率有直接的影響。對(duì)效率有影響的損耗主要分為兩種形式--傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。`
2018-12-17 14:16:21
功率開(kāi)關(guān)管功耗計(jì)算方法
2019-04-12 12:27:35
器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，要計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。
2018-11-08 14:13:40
聽(tīng)說(shuō)多級(jí)阻抗PCB有獨(dú)特的計(jì)算方法？一起來(lái)看看吧
2023-04-14 15:50:20
被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，要計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)?！ ×私饬?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時(shí)候就可以通過(guò)這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個(gè)電路工作能順利進(jìn)行下去。不會(huì)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的不合適而影響后面的各項(xiàng)工作和事宜。
2016-01-26 10:30:10
基于場(chǎng)路耦合的電機(jī)性能快速計(jì)算方法的實(shí)現(xiàn)
2021-01-26 06:14:06
本文以Intersil 公司專(zhuān)用于DSSS無(wú)線設(shè)計(jì)的PRISM芯片組為例，說(shuō)明處理增益的計(jì)算方法，適合于從事RF收發(fā)器應(yīng)用的中國(guó)設(shè)計(jì)工程師閱讀。
2021-06-01 06:29:47
這個(gè)mos管是如何導(dǎo)通，控制電源開(kāi)斷
2019-07-02 23:34:55
如何計(jì)算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開(kāi)關(guān)MOS的損耗如何計(jì)算？
2021-03-02 08:36:47
所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設(shè)計(jì)人員必須確保所選的mos管能承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)，兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。4.計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況
2019-11-21 09:14:39
平衡車(chē)角度計(jì)算方法
2017-09-25 11:01:09
平衡車(chē)角度計(jì)算方法
2017-10-31 12:34:34
計(jì)算 這一損耗原理及計(jì)算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下： Pd_recover=VDR × Qrr × fs 其中：VDR 為二極管反向壓降， Qrr 為二極管反向恢復(fù)電量，由器件提供之
2019-09-06 09:00:00
`<p> 揭秘高效電源如何選擇合適的mos管 目前，影響開(kāi)關(guān)電源電源效率的兩個(gè)損耗因素是：導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，以下分別對(duì)這兩種損耗做具體分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通損耗 導(dǎo)通損耗
2018-11-06 13:45:30
問(wèn)下具體的計(jì)算方法是咋樣的。有木有大佬來(lái)解釋下?。?！
2019-04-06 12:43:02
機(jī)器視覺(jué)計(jì)算方法
2015-08-14 09:23:59
` （1）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
電機(jī)轉(zhuǎn)子運(yùn)動(dòng)慣量的計(jì)算方法哪些，如何避免轉(zhuǎn)子慣性失配？
2021-02-02 07:25:12
電源損耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的開(kāi)通損耗及導(dǎo)通損耗。2.變壓器的銅損和鐵損；3.副邊整流管的損耗；4.橋式整流的損耗。5.采樣電阻損耗；6.吸收電路的損耗；7.其它損耗：PFC電感損耗
2018-09-18 09:13:29
值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱?！ ∥濉?b class="flag-6" style="color: red">損耗功率初算 MOS管損耗計(jì)算主要包含如下8個(gè)部分： PD
2019-02-21 12:02:20
比如一個(gè)電源，全橋架構(gòu)，副邊用的是橋式整流輸出，輸出電流為10A，假設(shè)二極管的管子壓降為1.5V，那么副邊的二極管通態(tài)損耗怎么樣計(jì)算？可以這樣了解嗎：正半周期一組對(duì)角的二極管導(dǎo)通，此時(shí)功耗為1.5V*10*2=30W，同理負(fù)半周期也如此，則副邊二極管損耗為60W。
2018-12-18 14:52:44
這個(gè)圖上的R1怎么取值，怎么選這個(gè)三極管，以及計(jì)算方法 ，我很急，謝謝大家?guī)蛶臀野?。萬(wàn)分感謝
2013-07-03 12:26:15
親愛(ài)的大家，我使用的是PIC24FJ64GB004。在ADC部分，A/D轉(zhuǎn)換時(shí)鐘周期計(jì)算有一個(gè)注釋“基于TCY=2*TOSC，打瞌睡模式和鎖相環(huán)被禁用?！彼匀绻沂褂玫氖荘LL（32MHZ，F(xiàn)Cy 16Mhz），那么ADCS的計(jì)算方法是什么？請(qǐng)參考附件圖像。謝謝，Gaurav Patni。
2019-09-25 07:04:20
這個(gè)電路，MOS管控制電路的GND怎么接，才能使MOS管導(dǎo)通。
2019-04-23 20:20:48
請(qǐng)問(wèn)伺服電機(jī)的選型計(jì)算方法是什么？
2021-09-28 08:45:32
大家?guī)兔聪逻@兩個(gè)電路圖，我不太明白其MOS管是如何導(dǎo)通的？
2018-12-26 15:28:56
最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，要計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。`
2019-01-10 11:52:27
阻抗計(jì)算方法，希望有所幫助
2013-06-10 16:58:32
最大的兩個(gè)損耗因素是：導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，以下分別對(duì)這兩種損耗做具體分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通損耗 導(dǎo)通損耗具體來(lái)講是由MOS管的導(dǎo)通阻抗Rds產(chǎn)生的，Rds與柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vgs和流經(jīng)MOS管的電流有關(guān)。如果想要
2016-12-23 19:06:35
pcb載流能力的計(jì)算方法
2008-03-06 15:56:22
63 電力變壓器設(shè)計(jì)計(jì)算方法與實(shí)踐把變壓器電磁計(jì)算同電工基礎(chǔ)理論緊密聯(lián)系在一起，按電磁計(jì)算過(guò)程一一展開(kāi)，清晰地分析了變壓器的電路、磁路、漏磁效應(yīng)、阻抗、附加損耗、機(jī)
2008-11-11 11:21:390 線路電能損耗計(jì)算方法:線路電能損耗計(jì)算方法 A1 線路電能損耗計(jì)算的基本方法是均方根電流法，其代表日的損耗電量計(jì)算為： ΔA=3 Rt×10-3 (kW•h) (Al-1) Ijf = (A) (Al-2) 式
2010-01-27 11:53:4939 10KVA變壓器損耗的計(jì)算方法來(lái)說(shuō)負(fù)載曲線的平均負(fù)載系數(shù)越高，為達(dá)到損耗電能越小，要選用損耗比越小的變壓器；負(fù)載曲線的平均負(fù)載系數(shù)越低，為達(dá)到損耗電能越小，要選用損耗比越
2011-06-15 17:48:14
60950 針對(duì)目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT，提出了一種快速損耗計(jì)算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù)，就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計(jì)算
2011-09-01 16:42:33111 甲類(lèi)單端的簡(jiǎn)易計(jì)算方法甲類(lèi)單端的簡(jiǎn)易計(jì)算方法甲類(lèi)單端的簡(jiǎn)易計(jì)算方法
2016-01-19 15:37:380 特征阻抗的計(jì)算方法
2017-06-09 14:53:1227 電源工程師知道，整個(gè)電源系統(tǒng)中開(kāi)關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同，因?yàn)樗苤庇^，所以有些人對(duì)其計(jì)算仍然有些困惑.今天，我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:5953 反激電源磁芯計(jì)算方法匯總
2021-11-03 14:28:1048 電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，我們談及最多的就是開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所以有部分人對(duì)于它計(jì)算還有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2314 詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路功率損耗的構(gòu)成以及計(jì)算方法
2022-04-13 08:35:0020804 
變頻器制動(dòng)電阻設(shè)計(jì)計(jì)算方法一(簡(jiǎn)單計(jì)算)
2023-01-03 14:36:493103 エンジニアコラム第20篇 EMC計(jì)算方法和EMC仿真（5）傳導(dǎo)抗擾度（CI）的試行計(jì)算方法什么是ISO 11452-4標(biāo)準(zhǔn)HE法？大家好！我是ROHM的稻垣。
2023-02-14 09:26:261213 
エンジニアコラム第19篇 EMC計(jì)算方法和EMC仿真（4）傳導(dǎo)抗擾度（CI）的試行計(jì)算方法什么是IEC 62132-4 DPI法？大家好！我是ROHM的稻垣。
2023-02-14 09:26:261567 
EMC計(jì)算方法概述2021/11/16大家好！我是ROHM的稻垣。本文是第16篇，從本文開(kāi)始我們來(lái)談一談電磁兼容性（EMC）的計(jì)算方法和仿真。
2023-02-14 09:26:282228 上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計(jì)算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡(jiǎn)單”的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。
2023-02-23 10:40:511440 
MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類(lèi)。
2023-03-26 16:18:555704 
MOS管噪聲計(jì)算方法 噪聲是電路設(shè)計(jì)和性能評(píng)估中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，特別是在高頻率和低功耗應(yīng)用中。MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于各種電路的半導(dǎo)體器件。因此，正確計(jì)算MOS管噪聲是非常重要的。本文將介紹
2023-09-19 16:49:581117 不同殼溫下SOA曲線的計(jì)算方法
2023-12-04 17:54:04324 
EMC計(jì)算方法和EMC仿真（1） ——計(jì)算方法簡(jiǎn)介
2023-12-05 14:56:08384 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論