IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2022-06-09 10:35:03
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IGBT是高頻開(kāi)關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過(guò)流或短路故障時(shí)，器件中流過(guò)的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來(lái)聊聊IGBT的過(guò)流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175483 
這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312610 
2QP0215V33-TX具有短路保護(hù)和軟關(guān)斷的功能，通過(guò)檢測(cè)IGBT的退飽和現(xiàn)象，來(lái)判斷IGBT是否短路
2020-07-22 14:30:352093 系統(tǒng)。因此，對(duì)3.3kV等級(jí)的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行研究十分有意義。目前，市場(chǎng)上專業(yè)驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)廠商有相關(guān)配套驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品提供給客戶選擇，但是做為一款廣泛應(yīng)用的模塊產(chǎn)品，很有必要做更深入的細(xì)節(jié)分析
2018-12-06 10:06:18
600 800 1000 1500 Rg阻值范圍(Ω) 10~20 5.6~10 3.9~7.5 3~5.6 1.6~3 1.3~2.2 1~2 0.8~1.5 不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定
2012-07-25 09:49:08
，PCB板的連線之間彼此不宜太近，過(guò)高的dv/dt會(huì)由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。要減少器件之間的寄生電容，避免產(chǎn)生耦合噪聲。 由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲
2011-08-17 09:26:02
關(guān)損耗的影響如下 可見(jiàn)，開(kāi)通損耗受柵極電阻的影響要更大?！ ⊥恚聪蚧謴?fù)損耗受開(kāi)通電阻的影響也可以在規(guī)格書(shū)中查到?！ ?b class="flag-6" style="color: red">寄生電容： IGBT的寄生電容影響動(dòng)態(tài)性能，它是芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的固有特性，把
2021-02-23 16:33:11
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
IGBT-E4擁有比中功率IGBT3-E3芯片略高的軟度。按照設(shè)計(jì)目的，E系列軟度明顯高于T系列［1、7］。由于結(jié)合采用超聲焊接和母線支架，模塊大幅降低了寄生雜散電感，這對(duì)于充分利用IGBT4-T4的優(yōu)勢(shì)
2018-12-07 10:23:42
)1400V系列模塊可用于AC380V至575V的功率變換設(shè)備中?！ ?5)P系列中，尤其是1400V模塊比PT-IGBT有更大的安全工作區(qū)，反偏安全工作區(qū)(RBSOA)和短路安全工作區(qū)(SCSOA)都為矩形
2012-06-19 11:17:58
小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過(guò) 流保護(hù)。產(chǎn)生過(guò)流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線接錯(cuò)或絕緣損壞等形成短路、輸出端對(duì)地短路與電機(jī)絕緣損 壞、逆變橋的橋臂
2012-06-19 11:26:00
在IGBT短路時(shí)，假設(shè)在導(dǎo)通時(shí)短路，此時(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時(shí)刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動(dòng)電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時(shí)間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動(dòng)電壓
2024-02-25 11:31:12
鎖IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個(gè)寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在特殊條件下，這種寄生器件會(huì)導(dǎo)通。這種現(xiàn)象會(huì)使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加，對(duì)等效MOSFET的控制能力降低，通常還會(huì)引起器件擊穿
2012-07-09 14:14:57
˙dv/dt電流和寄生導(dǎo)通圖2：因C˙dv/dt效應(yīng)產(chǎn)生穿通電流時(shí)的真實(shí)開(kāi)關(guān)波形為了防止出現(xiàn)這種現(xiàn)象，可以采用的一種方法是增大IGBT VGEth的閥值。然而，IGBT的Vce(sat)行為與VGEth
2015-12-30 09:27:49
Rbr都是因工藝而寄生形成的，這樣，主PNP晶體管與寄生NPN晶體管形成了寄生的晶閘管，當(dāng)器件的集電極電流足夠大時(shí)，在電阻Rbr上產(chǎn)生正偏電壓將導(dǎo)致寄生晶體管導(dǎo)通，造成寄生晶閘管導(dǎo)通，IGBT的柵極失去
2018-10-17 10:05:39
PNPN 4層結(jié)構(gòu)，因體內(nèi)存在一個(gè)寄生晶閘管，當(dāng)集電極電流增大到一定程度時(shí)，則能使寄生晶閘管導(dǎo)通，門極失去控制作用，形成自鎖現(xiàn)象，這就是所謂的靜態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后，集電極電流增大，產(chǎn)生
2020-09-29 17:08:58
如圖所示，現(xiàn)在的問(wèn)題是IGBT的門極給的是15V驅(qū)動(dòng)電壓，Vce=27V,為什么導(dǎo)通之后負(fù)載對(duì)地的電壓只有9.7V，在IGBT上的壓降很大，怎么才能解決這個(gè)問(wèn)題
2016-10-16 17:07:46
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開(kāi)通，請(qǐng)問(wèn)這是一種什么樣的過(guò)程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來(lái)，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過(guò)程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
管(T1)截止，下管(T1)導(dǎo)通，VCE為-9V，IGBT關(guān)斷。以上就是IGBT的開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程。 結(jié)語(yǔ) IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有一些特殊要求，驅(qū)動(dòng)電路性能的優(yōu)劣是其可靠工作、正常運(yùn)行的關(guān)鍵所在，高性能
2012-09-09 12:22:07
什么是AMBA？AMBA分為哪幾種？AXI、AHB與APB的性能有什么不同？AHB總線是如何組成的？APB總線有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-18 06:55:01
器件擊穿電壓的增加而增加。在額定電壓高于 200 V 時(shí)，MOSFET 的傳導(dǎo)性能低于 BJT?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT結(jié)合了這兩個(gè)領(lǐng)域的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了高性能電源開(kāi)關(guān)：它提供了MOSFET的輕松驅(qū)動(dòng)和BJT的導(dǎo)
2023-02-24 15:29:54
官方資料有特別說(shuō)明，否則這個(gè)二極管都是存在的。IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難
2022-04-01 11:10:45
和二極管，再將兩者封裝在一起，做成IGBT模塊。這樣的做法使IGBT模塊寄生電感較高、集成度較低。為降低成本、提高芯片的功率密度，IGBT與二極管同時(shí)在集成同一個(gè)硅片上的逆導(dǎo)型IGBT(Reverse
2019-09-26 13:57:29
速度和寄生電容的特征。開(kāi)關(guān)速度：與IGBT的比較下圖是開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)和開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的dV/dt、即開(kāi)關(guān)速度與IGBT模塊的比較。SiC模塊的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的dV/dt與IGBT模塊幾乎相同，依賴于外置的柵極電阻
2018-11-30 11:31:17
使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一
2019-07-24 04:00:00
。因?yàn)樯?、下管工作的狀態(tài)不同，所以，它們的開(kāi)關(guān)特性也不相同。 通常，上管為硬開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)，具有導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗；下管為軟開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)，只有導(dǎo)通損耗，但是由于下管的寄生二極管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)會(huì)導(dǎo)通續(xù)流
2020-12-08 15:35:56
1. 真實(shí)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件都有寄生的并聯(lián)電阻，實(shí)際上來(lái)源于導(dǎo)致泄露損耗的漏電流通路模型。器件的正向壓降一定意義上也可看作導(dǎo)致導(dǎo)通損耗的串聯(lián)寄生電阻所產(chǎn)生。2. MOSFET的寄生參數(shù)（電容）是限制其
2021-10-28 08:17:48
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
的通態(tài)導(dǎo)通損耗，因而必須作出權(quán)衡取舍。IGBT技術(shù)的發(fā)展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短
2019-10-06 07:00:00
幾種IGBT短路保護(hù)電路圖7是利用IGBT過(guò)流時(shí)Vce增大的原理進(jìn)行保護(hù)的電路，用于專用驅(qū)動(dòng)器EXB841。EXB841內(nèi)部電路能很好地完成降柵及軟關(guān)斷，并具有內(nèi)部延遲功能，以消除干擾產(chǎn)生的誤動(dòng)作
2009-01-21 13:06:31
縮小了模塊尺寸，但降低了熱 容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射 極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平 的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍
2018-08-20 07:40:12
，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路
2021-08-12 07:00:00
導(dǎo)通損耗，因而必須作出權(quán)衡取舍。IGBT技術(shù)的發(fā)展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短
2018-07-30 14:06:29
更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍
2018-11-01 11:26:03
電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流
2018-10-10 18:21:54
導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間
2019-04-29 00:48:47
， 功率大于5kW的應(yīng)用場(chǎng)合具有很大優(yōu)勢(shì)。在全橋逆變電路中， IGBT是核心器件， 它可在高壓下導(dǎo)通， 并在大電流下關(guān)斷， 故在硬開(kāi)關(guān)橋式電路中， 功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用
2011-09-08 10:12:26
本文從精簡(jiǎn)結(jié)構(gòu)，同時(shí)兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2來(lái)精確測(cè)量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間系統(tǒng)，用于測(cè)量IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且成本低的一種較為理想的測(cè)量方案。
2021-05-14 06:07:09
主要的IGBT寄生電容有哪些？怎樣去設(shè)計(jì)單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT？單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT有什么長(zhǎng)處？
2021-04-20 06:43:15
MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的最新一代陽(yáng)極短路IGBT.與最佳競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊缕骷沟肍S IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2018-09-30 16:10:52
檢查與電機(jī)連線是否有短路現(xiàn)象或接地檢查交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器與電機(jī)的落地有無(wú)松動(dòng)加長(zhǎng)加速時(shí)間檢查是否電機(jī)是否有超額負(fù)載ov 交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器偵測(cè)內(nèi)部直流高壓側(cè)有過(guò)電壓現(xiàn)象檢查輸入電壓是否與在交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器額...
2021-09-03 06:07:13
時(shí)，為獲得最小導(dǎo)通壓降，應(yīng)選取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，當(dāng)Uge增加時(shí)，導(dǎo)通時(shí)集射電壓Uce將減小，開(kāi)通損耗隨之減小，但在負(fù)載短路過(guò)程中Uge增加，集電極電流Ic也將隨之增加，使得IGBT
2016-10-15 22:47:06
電壓，在IGBT導(dǎo)通時(shí)，如果集電極電壓超過(guò)7 V，則認(rèn)為是發(fā)生了過(guò)流現(xiàn)象，HCPL316J慢速關(guān)斷IGBT，同時(shí)由第6腳送出過(guò)流信號(hào)。 3 結(jié)語(yǔ) 通過(guò)對(duì)IGBT門極驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)的分析及典型應(yīng)用電路的介紹，使大家對(duì)IGBT的應(yīng)用有一定的了解?？勺鳛樵O(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的參考。
2016-11-28 23:45:03
。如果采用IGBT，如圖3，則可以避免這個(gè)問(wèn)題，使用IGBT有控制簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，但成本較高。其工作原理為：當(dāng)輸入為正半周時(shí)，電流流經(jīng)Q1、D2，負(fù)半周時(shí)電流流經(jīng)D1、Q2?！ D2：SCR的延時(shí)關(guān)斷現(xiàn)象
2012-03-29 14:07:27
所示）。在特殊條件下，這種寄生器件會(huì)導(dǎo)通。這種現(xiàn)象會(huì)使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加，對(duì)等效MOSFET的控制能力降低，通常還會(huì)引起器件擊穿問(wèn)題。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖，具體地說(shuō)，這種缺陷
2019-03-05 06:00:00
各位老師你們好！ 前段時(shí)間找某經(jīng)銷商買了一批英飛凌的IGBT模塊（3300V/400A，管子型號(hào)是FZ400R33KL2C）；拿回來(lái)做雙脈沖測(cè)試發(fā)現(xiàn)管子的導(dǎo)通壓降特別大，在100A的時(shí)候導(dǎo)通壓降大約
2018-07-24 16:38:03
母線電路需設(shè)計(jì)極小寄生電感。因此，可選用具備軟開(kāi)關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開(kāi)關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
根據(jù)集電極退飽和檢測(cè)短路原理及IGBT 的短路安全工作區(qū)(SCSOA) 限制,設(shè)計(jì)出具有較完善性能的IGBT 短路保護(hù)電路。分析與實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,短路保護(hù)快速、安全、可靠、簡(jiǎn)便、應(yīng)用價(jià)值較
2009-10-28 10:56:53
118 有效抑制IGBT模塊應(yīng)用中的過(guò)電壓寄生雜散電感會(huì)使快速IGBT關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過(guò)電壓尖峰，通常抑制過(guò)電壓法會(huì)增加IGBT開(kāi)關(guān)損耗或外圍器件的耗散功率。
2010-03-14 19:06:5248 IGBT短路保護(hù)電路原理圖
2008-10-23 21:43:483576 
鉛蓄電池短路現(xiàn)象及原因
鉛蓄電池的短路系指鉛蓄電池內(nèi)部正負(fù)極群相連。鉛蓄電池短路現(xiàn)象主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：
(1)開(kāi)路電壓低，閉路電壓(放電)
2009-10-28 11:24:46666 什么是短路，對(duì)電池性能有何影響？ 電池外兩端連接在任何導(dǎo)體上都會(huì)造成外部短路，電池類型不同，短路有可能帶來(lái)不同嚴(yán)重程度的后
2009-11-13 15:21:063763 IGBT(NPT型結(jié)構(gòu))的寄生組件和等效電路
2010-02-17 17:21:381855 
具有寄生晶體管的IGBT等效電路
2010-02-17 23:09:37844 
兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
2010-02-17 23:13:351405 
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
在vdc=1200v下進(jìn)行了短路試驗(yàn)，試驗(yàn)波形如圖6所示?？梢?jiàn)，在關(guān)斷開(kāi)通短路電流和通態(tài)短路電流時(shí)，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作區(qū)間內(nèi)，有效地保護(hù)了IGBT，所采用的有源電壓箝位技術(shù)達(dá)到了預(yù)期的效果
2017-05-16 16:15:046121 
壓接式絕緣柵極雙極性晶體管（ IGBT）模塊因優(yōu)越的電氣性能和封裝設(shè)計(jì)，受到柔性直流輸電等大功率應(yīng)用場(chǎng)合的青睞，其模塊可靠性也成為大功率應(yīng)用場(chǎng)合研究的重點(diǎn)，而IGBT模塊結(jié)溫是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499 在IGBT的應(yīng)用中，當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障，或者柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)異常，或者某個(gè)IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態(tài)下需要同時(shí)承受
2019-10-07 15:04:0024314 
短路現(xiàn)象1 比如有以下表達(dá)式 abc 只有a為真（非0）才需要判斷b的值；只有a和b都為真，才需要判斷c的值。 舉例 求最終a、b、c、d的值。 main() { inta
2020-09-29 14:39:582256 來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 前言 我們說(shuō)，IGBT的雙脈沖實(shí)驗(yàn)和短路實(shí)驗(yàn)一般都會(huì)在一個(gè)階段進(jìn)行，但是有的時(shí)候短路測(cè)試會(huì)被忽略，原因有些時(shí)候會(huì)直接對(duì)裝置直接實(shí)施短路測(cè)試，但是此時(shí)實(shí)際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:074458 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024 在關(guān)斷IGBT過(guò)程中，IGBT電流急劇變化，由于有寄生電感的存在，會(huì)在IGBT上產(chǎn)生電壓尖峰 Vce（peak） = Vce + L * di/dt，如圖1所示。
2021-03-15 15:39:392592 
關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多，對(duì)于其標(biāo)稱的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當(dāng)然針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)合，所關(guān)注的方面都不不盡相同，比如
2021-06-12 10:29:009667 
IGBT短路測(cè)試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 我們都知道IGBT發(fā)生短路故障時(shí)會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象，如圖1所示。退飽和后IGBT會(huì)承受全母線電壓，同時(shí)集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發(fā)生短路時(shí)的瞬時(shí)功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 英飛凌IGBT模塊開(kāi)關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度，而IGBT7短時(shí)過(guò)載情況下的最高工作結(jié)溫可達(dá)175度。
2023-02-06 14:30:24633 
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2023-02-07 16:12:22696 
今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級(jí)的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負(fù)載波動(dòng)、驅(qū)動(dòng)或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319 目錄 1、IGBT的工作原理和退飽和 1.1 IGBT 和 MOSFET結(jié)構(gòu)比較 1.2 IGBT 和 MOSFET 在對(duì)飽和區(qū)的定義差別 1.3 IGBT 退飽和過(guò)程和保護(hù) 2、電感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446 IGBT保護(hù)的問(wèn)題 現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)芯片能保護(hù)到的IGBT的項(xiàng)。1.Vce過(guò)壓2.Vge過(guò)壓3.短路保護(hù)4.過(guò)高的di/dt 主要是看一下短路保護(hù)和過(guò)流保護(hù)短路的定義1.橋臂內(nèi)短路
2023-02-23 09:57:0015 電機(jī)匝間短路是指電機(jī)線圈中的兩個(gè)相鄰匝之間發(fā)生了短路。這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電機(jī)出現(xiàn)故障，嚴(yán)重的情況下可能會(huì)導(dǎo)致電機(jī)無(wú)法正常工作。
2023-03-19 15:16:049064 什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT
2022-05-26 09:52:271472 
電機(jī)繞組發(fā)生匝間短路，會(huì)有以下現(xiàn)象：
2023-07-24 11:00:331019 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進(jìn)一步改善短路與通態(tài)壓降的矛盾關(guān)系，研究了
IGBT 背面工藝對(duì)抗短路能力的影響。通過(guò) TCAD 仿真，在 IGBT 處于負(fù)載短路工作期間，針對(duì)
2023-08-08 10:14:470 盤點(diǎn)電機(jī)繞組匝間短路可能出現(xiàn)的現(xiàn)象
2023-08-11 10:28:23588 IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開(kāi)關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
IGBT模塊損壞時(shí)，什么情況導(dǎo)致短路？什么情況導(dǎo)致開(kāi)路？? IGBT模塊是一種功率模塊，用于高功率電子設(shè)備控制。當(dāng)IGBT模塊在使用過(guò)程中遭受損壞時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)短路或開(kāi)路的問(wèn)題。這兩種情況會(huì)對(duì)電路
2023-10-19 17:08:182733 什么是igbt短路測(cè)試？igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291044 由于短路會(huì)導(dǎo)致負(fù)載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開(kāi)關(guān)管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會(huì)超過(guò)IGBT管的額定電流，導(dǎo)致IGBT管過(guò)電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54578 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個(gè)復(fù)雜且多元的問(wèn)題，涉及多個(gè)因素相互作用。以下是對(duì)IGBT擊穿短路原因的詳細(xì)分析，旨在達(dá)到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53907 短路耐受時(shí)間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)對(duì)于系統(tǒng)保護(hù)策略的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了系統(tǒng)在檢測(cè)到短路并采取措施（如關(guān)閉IGBT或限制電流）之前可以容忍的最長(zhǎng)
2024-02-06 16:43:251317 
短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障，其特點(diǎn)是電流繞過(guò)正常的電路路徑，通過(guò)一條或多條低阻抗的路徑流過(guò)。IGBT是一種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件，可用于控制和放大電流
2024-02-18 10:08:38332 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT可能會(huì)遭遇多種短路類型。下面，我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見(jiàn)的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開(kāi)路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT過(guò)流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開(kāi)關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開(kāi)啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28481
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