等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2018-01-05 09:14:13
27575 
RCC電路原理與設(shè)計(jì)及問題解析
RCC電路，單端反激式的一種，結(jié)構(gòu)簡單，主要應(yīng)用在1~200W，首先變壓器設(shè)計(jì)最為重要，RCC電路結(jié)構(gòu)主要包括： 1.
2009-12-14 10:31:0524103 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002391 
等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2022-08-23 09:27:541525 MOSFET作為柵極電壓控制器件，柵源極驅(qū)動(dòng)電壓的振蕩會(huì)極大的影響器件和電源轉(zhuǎn)換器的可靠性，實(shí)際應(yīng)用中嚴(yán)重的柵極振蕩還可能會(huì)引起器件或電路異常失效。
2023-01-06 13:39:543276 
首先說一下電源IC直接驅(qū)動(dòng)，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置，從而達(dá)到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 
等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2023-05-04 09:43:01735 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08748 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC44411資料下載內(nèi)容包括：LTC4441-1功能和特點(diǎn)LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內(nèi)部方框圖LTC4441-1典型應(yīng)用電路LTC4441-1電氣參數(shù)
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點(diǎn)LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中自舉電容如何發(fā)揮作用？為何漏極48V導(dǎo)通后柵極就變成63V了？
2015-07-30 14:49:53
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí)，還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
什么樣的現(xiàn)象。綠色曲線表示高邊SiC-MOSFET的柵極電壓VgsH，紅色曲線表示低邊的柵極電壓VgsL，藍(lán)色曲線表示Vds。這三個(gè)波形都存在振鈴或振蕩現(xiàn)象，都不容樂觀。比如一旦在低邊必須關(guān)斷的時(shí)間點(diǎn)
2018-11-30 11:31:17
SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
本文從MOSFET技術(shù)和開關(guān)運(yùn)行概述入手，按照由易而難的順序，對各類問題進(jìn)行了闡述。詳細(xì)介紹了解接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。
2019-05-22 07:00:00
了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：（1）開關(guān)管開通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2019-02-21 06:30:00
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關(guān)波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請問怎么驅(qū)動(dòng)MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要能夠提供負(fù)電壓的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要特殊的柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
重要了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：（1）開關(guān)管開通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2017-01-09 18:00:06
摘要：針對橋式拓?fù)涔β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET因柵極驅(qū)動(dòng)信號振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計(jì)及各寄生參數(shù)的驅(qū)動(dòng)電路等效模型，對柵極驅(qū)動(dòng)信號振蕩的機(jī)理進(jìn)行了深入研究，分析了驅(qū)動(dòng)電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
MOSFET的漏極連接)CP電荷泵振蕩器輸出VBOOT驅(qū)動(dòng)兩個(gè)橋的四個(gè)上橋臂MOSFET所需要的自舉電壓VSREG內(nèi)部VCC穩(wěn)壓器電源電壓VCC下橋臂MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓VCCREG內(nèi)部VREG穩(wěn)壓器電源電壓VREG邏輯電源電
2021-12-31 06:01:06
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
`<font face="Verdana">高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用指南<br/>&
2009-03-27 16:08:33
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路通過循環(huán)儲存在柵極電容中的能量來實(shí)現(xiàn)減少驅(qū)動(dòng)功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動(dòng)電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:12
53 摘要：IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MoSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點(diǎn)和參數(shù)限制，同時(shí)剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，最后給出了
2010-05-05 09:03:4656 典型柵極驅(qū)動(dòng)電路框圖
2008-11-05 23:14:23906 
基本柵極陷流測試振蕩器電路圖
2009-03-29 09:31:51420 
功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:182182 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及應(yīng)用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 用電阻噪聲確定一個(gè)低噪聲放大器的特性，由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET 通用方波電路[8]，它是構(gòu)成邏輯門電路的基本單元
2011-09-30 11:08:121469 
高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 和開爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問題分別進(jìn)行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問題的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:223 ADP3110A是一個(gè)單相12V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，它被優(yōu)化成在同步降壓轉(zhuǎn)換器中同時(shí)驅(qū)動(dòng)高_(dá)側(cè)和低_側(cè)功率MOSFET的柵極。高_(dá)側(cè)和低_側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時(shí)間驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載。
2018-08-27 10:44:0078 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的振蕩現(xiàn)象
2019-04-18 06:16:0024537 
1.MOSFET的開關(guān)過程 MOSFET的開通過程 MOSFET的關(guān)斷過程 2.柵極驅(qū)動(dòng)電路的類型 直接耦合型 脈沖變壓器耦合型 電容耦合型 用于雙管正激的驅(qū)動(dòng)電路 用于橋式變換器的驅(qū)動(dòng)電路 直接
2019-07-16 08:46:079208 
主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:293454 MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能：一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因?yàn)槿?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。
2020-01-29 14:18:0019390 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?；?b class="flag-6" style="color: red">柵極對源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024 來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 為解決功率MOSFET因柵極驅(qū)動(dòng)信號振蕩產(chǎn)生的過熱損壞問題，從MOSFET的模型入手，給出了考慮驅(qū)動(dòng)電路各寄生參數(shù)的半橋逆變電路等效模型．深入分析了柵極振蕩的產(chǎn)生機(jī)理，推導(dǎo)了各參數(shù)與振蕩之間的關(guān)系
2021-05-10 10:05:3877 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 帶MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的LTC3803LTC4441演示電路升壓轉(zhuǎn)換器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 (與上橋臂MOSFET的漏極連接)CP電荷泵振蕩器輸出VBOOT驅(qū)動(dòng)兩個(gè)橋的四個(gè)上橋臂MOSFET所需要的自舉電壓VSREG內(nèi)部VCC穩(wěn)壓器電源電壓VCC下橋臂MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓VCCREG內(nèi)部VREG穩(wěn)壓器電源電壓VREG邏輯電源電
2022-01-10 15:32:411 《電路考研精要與典型題解析》陳燕主編
2022-01-14 15:33:400 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì)社（“東芝”）已經(jīng)推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)的首款產(chǎn)品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:511289 《信號與系統(tǒng) 第3版》習(xí)題解析
2022-03-21 15:06:190 LN8362 是一款可
驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道
MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲小?/div>
2022-06-23 14:20:2611814 
MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
2022-10-28 11:59:551 本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0335 在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管，可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 06:54:00771 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。
2023-02-08 13:43:23491 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 柵極驅(qū)動(dòng)路徑中的交流耦合可為柵極驅(qū)動(dòng)信號提供簡單的電平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET的開通和關(guān)斷柵極電壓，而高側(cè)柵極
驅(qū)動(dòng)則不同，它最需要關(guān)注的是縮小較大的電勢差。在如 圖31 所示
2023-02-23 15:31:242 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:241 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)主開關(guān)晶體管柵極的最簡單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動(dòng)輸出，如圖（1）如 圖 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動(dòng)和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:172 在 MOSFET 中設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)安全可靠的柵極驅(qū)動(dòng)操作-AN90001
2023-03-01 18:38:548 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391005 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391475 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518 
介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 15:52:38185 
7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！
2023-12-15 09:46:07255 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 已全部加載完成
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