本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2023-08-17 09:16:30
1300 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/D8/wKgZomTddZGAL_oBAAANmhI8Eho082.jpg)
主要內(nèi)容:利用運(yùn)放環(huán)路穩(wěn)定性判據(jù)對MOSFET線性電源進(jìn)行頻域與時(shí)域工作特性分析
2023-11-07 15:38:27
335 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/D8/wKgaomVJ5R2AGPJ3AAAkVxPDQwU185.jpg)
` 本帖最后由 24G雷達(dá) 于 2015-8-24 14:16 編輯
24G微波雷達(dá)技術(shù)在智能照明領(lǐng)域的應(yīng)用 1、高端家用或普通商用照明,一般作用距離在10米或以下的,可以選用K-LC1a-V2
2015-08-24 11:34:09
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時(shí)間(trr),以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qg),能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
。2傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí),IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測,并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進(jìn)行
2018-08-27 20:50:45
稱MOS管。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起,在如今已成為半導(dǎo)體領(lǐng)域
2023-02-21 15:53:05
,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ。3、就其應(yīng)用:根據(jù)其特點(diǎn)MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源,鎮(zhèn)流器,高頻感應(yīng)加熱;高頻逆變焊機(jī);通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī)
2021-06-16 09:21:55
MOSFET是開關(guān)電源中的重要元器件,也是比較難掌握的元器件之一,尤其在LLC,LCC軟開關(guān)的設(shè)計(jì)中,對于MOSFET元器件本身的理解尤其重要,理解透徹了,也就應(yīng)用自如了。本文會從理論上
2018-07-12 11:34:11
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17:28
第四部份似乎很相似,這樣做可行么?問題分析:系統(tǒng)短路的時(shí)候,功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū),降低驅(qū)動電壓,可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流,從而降低系統(tǒng)的短路電流,從短路保護(hù)的角度而言,確實(shí)有一定
2016-12-21 11:39:07
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思?
2017-12-05 10:03:10
電路內(nèi),意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較 圖1: 垂直布局結(jié)構(gòu) 4 功率損耗比較 在典型工作溫度 Tj = 100 °C范圍內(nèi),我們從動靜態(tài)角度對兩款器件進(jìn)行了比較分析。在
2018-11-20 10:52:44
,朝著成為國內(nèi)一流的模擬集成電路和功率器件設(shè)計(jì)公司方向努力。
上海貝嶺在電源管理領(lǐng)域產(chǎn)品類別
公司電源管理產(chǎn)品業(yè)務(wù)在汽車電子市場也實(shí)現(xiàn)突破,一款車規(guī)LDO和一款LED驅(qū)動芯片開始實(shí)現(xiàn)批量銷售。報(bào)告期
2023-06-09 15:06:10
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
這是一份深度學(xué)習(xí)在計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域的超全應(yīng)用預(yù)覽~簡單回顧的話,2006年Geof...
2021-07-28 07:35:25
作為一款強(qiáng)大的多物理場仿真軟件,為超材料和超表面的研究提供了強(qiáng)大的仿真工具。本文將重點(diǎn)介紹COMSOL Multiphysics在周期性超表面透射反射分析中的應(yīng)用,以期為相關(guān)領(lǐng)域的研究提供
2024-02-20 09:20:23
性能適配器等。
功能
? 由于Rdson*Qg非常低,因此損失極低
? 卓越的雪崩加固技術(shù)
? 快速切換能力
? 100%雪崩測試
? 超快體二極管
應(yīng)用程序
? 功率因數(shù)校正(PFC)
? 開關(guān)電源(SMPS)
? 不間斷電源(UPS)
? 高性能適配器
? LED照明電源
2023-09-18 07:44:11
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)超結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低功耗的所有好處電阻,特別適合需要更高效、更多緊湊型LED照明,高性能適配器等
功能
? 由于
2023-09-18 07:55:44
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)超結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低功耗的所有好處電阻,特別適合需要更高效、更多緊湊型LED照明,高性能適配器等
功能
? 由于
2023-09-15 06:56:23
LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,正廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。XLSEMI 研制出針對 LED 照明的全集成開關(guān)型變換方案,內(nèi)部集成高壓、大功率 MOSFET 開關(guān)管,外圍元器件簡單,系統(tǒng)應(yīng)用靈活,轉(zhuǎn)換
2016-05-25 13:27:16
的首選。電源芯片U6112包括高精度的恒流原邊控制器及功率MOSFET,專用于高可靠,極精簡外圍元器件的小功率LED照明。在恒流模式下,電流和輸出功率可通過CS腳的Rs電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。銀聯(lián)寶U6112電源
2020-03-18 14:38:11
LED照明光源具有哪些特性?低成本LED驅(qū)動IC是否會促進(jìn)照明領(lǐng)域的革新?
2021-04-09 06:56:27
LED光源的性能優(yōu)勢有哪些?石油化工領(lǐng)域對LED防爆燈具的應(yīng)用狀況分析阻礙LED燈具在石油化工行業(yè)全面應(yīng)用的因素分析
2021-04-13 06:03:35
LED供電的。下面將介紹在該電路中改變PFC部的開關(guān)MOSFET、DC/DC轉(zhuǎn)換器部的開關(guān)MOSFET、以及其柵極電阻RG,并對效率和噪聲進(jìn)行比較的情況。原設(shè)計(jì)使用的超級結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ
2022-04-09 13:36:25
LED照明電路,請大蝦分析一下工作原理,最好能分析出每個(gè)元件的作用
2022-04-15 19:25:52
LED照明設(shè)計(jì)(1)LED照明基礎(chǔ)導(dǎo)讀: LED照明作為新一代照明受到了廣泛的關(guān)注。僅僅依靠LED封裝并不能制作出好的照明燈具。本文主要從電子電路、熱分析、光學(xué)方面對LED照明進(jìn)行介紹。 關(guān)鍵字
2010-07-25 22:03:50
創(chuàng)新的結(jié)果。如今,隨著LED應(yīng)用到照明領(lǐng)域,數(shù)字技術(shù)、互聯(lián)技術(shù)更容易與之融合,智能照明已經(jīng)開始進(jìn)入大眾視野。 然而,要實(shí)現(xiàn)LED智能照明離不開完美的電源驅(qū)動設(shè)計(jì),我們該如何把握LED智能照明這一
2014-08-13 11:44:00
面市;天朗、米尼照明等企業(yè)也將LED家居燈飾陳設(shè)在了展廳內(nèi);國內(nèi)節(jié)能領(lǐng)域許多企業(yè)也迫不及待推出多款LED家居新品。 華航電源科技了解到LED諸多技術(shù)優(yōu)勢助推其照明產(chǎn)品成為未來照明光源的主宰。 (1)亮度
2014-08-15 14:29:24
的結(jié)溫是影響各項(xiàng)性能指標(biāo)的主要因素,也是嚴(yán)重影響LED光衰和使用壽命的關(guān)鍵因素,這些參數(shù)對普通照明而言都是極其重要的照明質(zhì)量評價(jià)指標(biāo),這已經(jīng)在照明業(yè)界達(dá)成共識。把LED燈條密閉在充有混合氣體的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
電路應(yīng)運(yùn)而生。LLC諧振變換器能夠在較寬的電源和負(fù)載波動范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸出,而開關(guān)頻率波動卻較小。在整個(gè)工作范圍內(nèi),能夠獲得零電壓開關(guān)(ZVS)半橋LLC諧振變換器LLC電路MOSFET應(yīng)用不同于PFC
2019-09-17 09:05:04
本帖內(nèi)容來源:《電子技術(shù)設(shè)計(jì)》2018年3月刊版權(quán)所有,轉(zhuǎn)載請注明來源及鏈接。 自1980年代中期以來,MOSFET一直是大多數(shù)開關(guān)電源(SMPS)首選的晶體管技術(shù)。當(dāng)用作門控整流器時(shí),MOSFET
2018-03-03 13:58:23
LED照明方案迅速發(fā)展的一個(gè)重要原因是LED本身價(jià)格的下降。因此,安裝人員和消費(fèi)者不僅僅希望LED電源可以在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的性能,也期待看到類似的價(jià)格下調(diào) (這意味著設(shè)計(jì)人員需要減少元件
2020-10-30 07:06:12
。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例2:脈沖電源脈沖電源是在短時(shí)間內(nèi)瞬時(shí)供電的系統(tǒng),應(yīng)用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現(xiàn)有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關(guān),但市場需要更高耐壓更高
2018-11-27 16:38:39
/過流保護(hù)特性需要外部過壓保護(hù)電路,關(guān)斷電源可能會引起其他問題。大電流MOSFET的故障模式通常是短路,這是潛在的不安全因素。實(shí)現(xiàn)LED調(diào)光用的電流調(diào)節(jié)特性可能引起LED過溫問題。本文來自松美健電子:http://www.somay-ptc.com/特此轉(zhuǎn)載說明。
2017-05-08 11:56:24
項(xiàng)目名稱:SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃:申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn),熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用,掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中,一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管,常用的主要有快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基勢壘二極管。 快恢復(fù)二極管和超快恢復(fù)二極管廣泛用于PWM脈寬調(diào)制器、開關(guān)電源
2020-10-29 08:50:49
基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
,朝著成為國內(nèi)一流的模擬集成電路和功率器件設(shè)計(jì)公司方向努力。
上海貝嶺在電源管理領(lǐng)域產(chǎn)品類別
公司電源管理產(chǎn)品業(yè)務(wù)在汽車電子市場也實(shí)現(xiàn)突破,一款車規(guī)LDO和一款LED驅(qū)動芯片開始實(shí)現(xiàn)批量銷售。報(bào)告期
2023-06-09 14:52:24
經(jīng)常碰到電源板上MOSFET失效,煩?。。。。〈蠹叶际窃趺唇鉀Q的呢?
2015-08-31 11:31:46
有人可以向我解釋以下MOSFET差分放大器電路的定性和定量分析,以解釋為什么Vs = -0.5 V且右手MOSFET“導(dǎo)通”?該電路的目標(biāo)是使M2(左側(cè))MOSFET在Vg = ~0.25V時(shí)導(dǎo)通,而不是Vg = ~0.7V,其中S點(diǎn)接地。目前的來源是我能想到實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的唯一方法。
2018-09-14 11:42:58
)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。5、RDS(on):在特定的VGS(一般為10V)、結(jié)溫及漏極電流的條件下,MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要
2016-05-23 11:40:20
低內(nèi)阻超結(jié)MOS NCE08N608A 600V內(nèi)阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
在知道用電之前,人們用蠟燭照明。這在過去是常用的能在黑暗中視物的照明方式,但燈泡的發(fā)明顯然是更好的解決方案。像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見的方式,其四周圍繞著眾多
2018-09-03 15:17:57
高開關(guān)頻率,導(dǎo)通電阻小,損耗低等優(yōu)點(diǎn)。而FS-IGBT則具有通態(tài)壓降低,無拖尾電流等優(yōu)點(diǎn),使得它們在性能上優(yōu)于傳統(tǒng)的功率MOSFET與IGBT。【關(guān)鍵詞】:SJMOSFET;;FS-IGBT;;超結(jié)
2010-04-24 09:01:39
電壓偏差是什么意思?動力和照明配電箱適用于哪些領(lǐng)域?單相電風(fēng)扇采用電子式調(diào)速器的優(yōu)點(diǎn)有哪些?低壓斷路器的熱脫扣器的作用是什么?
2021-07-11 06:48:03
LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,正廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。 XLSEMI 研制出針對 LED 照明的全集成開關(guān)型變換方案,內(nèi)部集成高壓、大功率 MOSFET 開關(guān)管,外圍元器件簡單,系統(tǒng)應(yīng)用靈活,系統(tǒng)
2016-05-03 09:57:01
LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,正廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。 XLSEMI 研制出針對 LED 照明的全集成開關(guān)型變換方案,內(nèi)部集成高壓、大功率 MOSFET 開關(guān)管,外圍元器件簡單,系統(tǒng)應(yīng)用靈活,系統(tǒng)
2016-05-06 10:23:44
LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,正廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。 XLSEMI 研制出針對 LED 照明的全集成開關(guān)型變換方案,內(nèi)部集成高壓、大功率 MOSFET 開關(guān)管,外圍元器件簡單,系統(tǒng)應(yīng)用靈活,系統(tǒng)
2016-05-13 16:50:59
LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,正廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。 XLSEMI 研制出針對 LED 照明的全集成開關(guān)型變換方案,內(nèi)部集成高壓、大功率 MOSFET 開關(guān)管,外圍元器件簡單,系統(tǒng)應(yīng)用靈活,系統(tǒng)
2016-05-20 13:51:15
LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,正廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。 XLSEMI 研制出針對 LED 照明的全集成開關(guān)型變換方案,內(nèi)部集成高壓、大功率 MOSFET 開關(guān)管,外圍元器件簡單,系統(tǒng)應(yīng)用靈活,系統(tǒng)
2016-05-26 14:36:49
LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,正廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。 XLSEMI 研制出針對 LED 照明的全集成開關(guān)型變換方案,內(nèi)部集成高壓、大功率 MOSFET 開關(guān)管,外圍元器件簡單,系統(tǒng)應(yīng)用靈活,系統(tǒng)
2016-05-30 10:32:39
LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品,正廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。 XLSEMI 研制出針對 LED 照明的全集成開關(guān)型變換方案,內(nèi)部集成高壓、大功率 MOSFET 開關(guān)管,外圍元器件簡單,系統(tǒng)應(yīng)用靈活,系統(tǒng)
2016-06-02 16:08:43
,顯示器、工業(yè)照明等電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域?! ≈绷鞒潆姌兑话阌赏ㄐ拍K、開關(guān)電源模塊及控制模塊等構(gòu)成。其中,MOSFET是開關(guān)電源模塊中最核心的部分,是實(shí)現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換,確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關(guān)鍵器件
2017-10-18 16:43:32
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
開關(guān)頻率的PFC? SLLIMM* IPM逆變器電源? MDmesh M2超結(jié)功率MOSFET? 意法半導(dǎo)體Turbo 2超快高壓整流器? VIPER31輔助電源
2023-09-08 06:59:33
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法?,F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法,以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫,是一個(gè)不可或缺的過程,功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
尋找電源領(lǐng)域的最新技術(shù)
2020-12-03 06:25:28
多大幫助?! ?b class="flag-6" style="color: red">在設(shè)計(jì)大電流電源時(shí),MOSFET是最難確定的元件。這一點(diǎn)在筆記本電腦中尤其顯著,這樣的環(huán)境中,散熱器、風(fēng)扇、熱管和其它散熱手段通常都留給了CPU。這樣,電源設(shè)計(jì)常常要面臨狹小的空間、靜止
2021-01-11 16:14:25
。 特別是,封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中,英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑;一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路介紹及分析(4)
2019-03-12 11:37:18
我的電源輸入在10-24V之間,我想采用MOS管來設(shè)計(jì)防止電源反結(jié),請問該怎么設(shè)計(jì)呢?
2020-05-20 04:37:33
材料的研制提供新的技術(shù)手段。綜述基于超材料的新型吸波材料及其在天線隱身應(yīng)用方面的研究進(jìn)展,對比分析各種吸波材料的特點(diǎn),展望其在天線隱身領(lǐng)域的應(yīng)用前景。
2019-05-28 07:01:30
作者: James Lee,安森美半導(dǎo)體光對我們的日常生活至關(guān)重要,無論是在工作、家里還是旅程中。沒有光,人們根本無法進(jìn)行正常的日?;顒印K晕覀兓蛟S不應(yīng)該對巨大的照明用電量感到意外。據(jù)美國能源信息
2019-07-24 06:23:07
。照明設(shè)備的安全可靠對它的生產(chǎn)發(fā)展起到非常重要的保障作用。以下我們一起分析LED照明燈具應(yīng)用在一些最為典型的獨(dú)特要求的照明領(lǐng)域。
2016-01-03 15:04:33
所存的問題,比如一些獨(dú)特的照明領(lǐng)域要求的防爆、防水性能等要求,LED照明燈具的出現(xiàn)提高了在生產(chǎn)及作業(yè)場所易燃易爆的安全性。照明設(shè)備的安全可靠對它的生產(chǎn)發(fā)展起到非常重要的保障作用柳江照明led燈以下我們一起分析LED照明燈具應(yīng)用在一些最為典型的獨(dú)特要求的照明領(lǐng)域柳江照明led燈
2016-02-15 09:36:03
我迫切需要分析 st 半導(dǎo)體的 mosfet 及其損壞原因。有人能告訴我是否可以在德國或至少在歐洲的 ST 內(nèi)部對損害及其可能原因進(jìn)行分析和評估嗎?還是組件必須運(yùn)到遠(yuǎn)亞?
2023-01-31 07:55:54
本帖最后由 liuyongwangzi 于 2018-6-14 09:37 編輯
回顧典型的LED電源管理方案,并介紹支持快速、高效、高精度LED照明方案的創(chuàng)新buck控制器IC。 LED在
2018-06-14 09:36:10
最大的連續(xù)漏極電流ID的計(jì)算公式: 其中,RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)溫TJ下,功率MOSFET的導(dǎo)通電阻;通常,硅片允許的最大工作結(jié)溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章:功率
2016-08-15 14:31:59
以下的低耐壓范圍,在需要更高耐壓的領(lǐng)域僅采用微細(xì)加工無法改善性能,因此,就需要在結(jié)構(gòu)上下工夫。21世紀(jì)初,超級結(jié)(SJ)-MOSFET注1進(jìn)入實(shí)用階段,實(shí)現(xiàn)了超過MOSFET性能極限的性能改善。然而
2019-07-08 06:09:02
廣,不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū),都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累,研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET,具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
我的電源輸入在10-24V之間,我想采用MOS管來設(shè)計(jì)防止電源反結(jié),請問該怎么設(shè)計(jì)呢?
2016-08-03 14:52:19
` 目前開關(guān)電源的使用對象涵蓋了包括空間技術(shù)、計(jì)算機(jī)、通信、儀器儀表、汽車電子、照明電器,家用電器及消費(fèi)等領(lǐng)域,幾乎可以說是只要有電子產(chǎn)品的地方就有開關(guān)電源的用武之地。隨著中國人力市場對電源工程師
2019-03-01 17:40:59
MOSFET和超級結(jié)MOSFET。簡而言之,就是在功率晶體管的范圍,為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示,平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí),漂移層會增厚,存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
等級,同時(shí),在器件導(dǎo)通時(shí),形成一個(gè)高摻雜N+區(qū),作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路,也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開,分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域,就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?;?b class="flag-6" style="color: red">超結(jié)
2018-10-17 16:43:26
小功率LED發(fā)光效率高、價(jià)格相對便宜、溫度更均勻,用于LED照明領(lǐng)域有其獨(dú)特的優(yōu)勢,但如果采用傳統(tǒng)的開關(guān)電源方案,這些優(yōu)勢將大打折扣。面對日益嚴(yán)峻的環(huán)境問題,節(jié)能環(huán)保的概念逐漸深入人心,在整個(gè)
2010-05-13 09:07:18
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)的概要
2018-12-03 14:27:05
供應(yīng)SVS7N65FJD2 7A,650V 超結(jié)MOS管國產(chǎn)-士蘭微mos管,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">照明,適配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 14:34:47
供應(yīng)無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD2 11A,650V高壓超結(jié)mos管,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">照明,適配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請 向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:06:39
供應(yīng)14A,600V新型超結(jié)MOS器件SVS14N60FJD2,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">照明,適配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:31:47
供應(yīng)杭州士蘭微mos SVS14N65FJD2超結(jié)mos 14A,650V ,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">照明,適配器等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:40:20
供應(yīng)600V20A超結(jié)MOS士蘭微SVS20N60FJD2,提供士蘭微超結(jié)MOS SVS20N60FJD2關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:51:08
功率MOSFET驅(qū)動電路分析:針對功率MOSFET的特點(diǎn),介紹由多個(gè)—概管組成的組臺式驅(qū)動電路.在逆變焊接電源上做了實(shí)驗(yàn).驗(yàn)證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞:功率MOSFET,半橋式電路,
2010-04-12 08:36:54
70
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 13:49:38
5513 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/1B/wKgZomUMNvSAWcwOAAADM1RIIbQ616.JPG)
結(jié)合近年來浙江廣電集團(tuán)在LED燈具運(yùn)用的實(shí)踐體會,對LED燈具在影視照明領(lǐng)域的應(yīng)用提出以下特性分析。
2011-03-01 10:54:52
3941 據(jù)市場調(diào)研公司StrategiesUnlimited最新發(fā)布的“戶外及大空間照明用led的市場分析及預(yù)測”報(bào)告,美國在LED戶外照明領(lǐng)域已經(jīng)取得了領(lǐng)先地位。
2011-11-10 10:13:02
591 根據(jù)MOSFET的簡化模型,分析了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,通過典型的修正系數(shù),修正了簡化模型的極間電容。通過開關(guān)磁鐵電源的實(shí)例計(jì)算了工況下MOSFET的功率損耗,計(jì)算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22
112 DC_DC電源管理應(yīng)用中的功率MOSFET的熱分析方法
2017-01-14 12:32:13
16 如今,LED行業(yè)進(jìn)入后照明時(shí)代,具體表現(xiàn)為普通照明增長疲軟,新應(yīng)用的興起。在諸如智能照明、汽車照明、植物照明以及新型顯示等諸多領(lǐng)域,照明巨頭之間的較量已經(jīng)開始打響。
2018-07-16 14:27:44
4122 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/57/AE/o4YBAFtMPDiAOobzAAAdvhnITbw544.png)
パパーMOSFETの安全動作領(lǐng)域ニツいテ
2023-04-27 20:03:58
0 照明是運(yùn)用多種光源來照亮工作、生活場所或特定物體的方法。根據(jù)光源的來源,可以將其分為兩類:利用自然光源如太陽和天空的稱為“天然采光”;而利用人工光源的被稱為“人工照明”。
2023-09-08 10:52:52
352 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/8B/wKgaomT6jJaAJ7kyAABhWMjCrS4700.png)
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