R系列IGBT-IPM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)電路
2010-02-18 21:59:51
1805 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/77/wKgZomUMOJKAV2VtAAAbwtSWu64733.jpg)
IGBT實在BDMOS型功率場效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下,增加一個P+層發(fā)射極而行程pn,如圖1-31所示,就構(gòu)成
2010-11-09 17:01:07
3893 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/C4/wKgZomUMOgCAdJOrAAEmsLzsX1g287.jpg)
目前國內(nèi)大部分生產(chǎn)廠商已經(jīng)采用IGBT結(jié)構(gòu)的感應(yīng)加熱電源,這種結(jié)構(gòu)的加熱電源能夠維持長時間高效工作,且安全性比較高,因此比較受到生產(chǎn)商和消費(fèi)群體的歡迎。
2016-03-18 11:36:36
1559 隨著快充市場的飛速發(fā)展和競爭加劇,對整體方案降本的要求更加嚴(yán)苛,為了更好地支持客戶提升競爭力與優(yōu)化性價比,晶豐明源推出了契合市場需求、集成具有IGBT結(jié)構(gòu)的復(fù)合功率管快充方案:BP87112&BP6211B,幫助客戶在內(nèi)卷化的競爭中贏得先機(jī)。
2022-07-10 11:35:35
2309 IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,這些損耗以熱的形式耗散,使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion,CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:18
4436 為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過程機(jī)理,我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別:簡單來看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個P+層提供空穴載流子,這樣可以和漏極N+區(qū)域的電子
2023-01-17 13:59:29
12950 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8A/F9/poYBAGPGOI6ACUZEAAG0SeUCeNU386.jpg)
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2023-02-20 17:21:12
3602 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/93/17/pYYBAGPzOpyAbMjhAAEvyC3sjto990.png)
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫,翻譯為絕緣柵雙極晶體管,是一種高性能功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn),具有MOSFET輸入電阻低、雙極晶體管輸出電流大的特點(diǎn),是目前常用的高壓、大電流開關(guān)器件之一。
2023-02-28 18:12:26
2207 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/95/02/pYYBAGP90wCAUbJIAAL9Mwjr5Rk548.png)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件,是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件,也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:10
3344 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A7/7F/wKgZomUNVvmAET6BAAAtgAvmyQM839.png)
IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū),其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū),當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
2023-11-28 16:48:01
596 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B3/54/wKgZomVlqQ-APWGgAABRm7czerM234.jpg)
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個 P+基板(IGBT 的集電極),形成PN 結(jié) J1,并由此引出漏極,柵極和源極則完全與MOSFET相似。
2024-02-19 15:01:12
786 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/28/wKgZomXS-sGAKU3OAABuC8whfRY582.jpg)
VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。IGBT基本結(jié)構(gòu)見圖1中的縱剖面圖及等效電路。導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率
2012-07-09 14:14:57
、設(shè)計和應(yīng)用的工程技術(shù)人員和高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀參考?! ”緯诮榻BIGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上,結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢,全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù),突出
2011-11-25 15:46:48
而言,其工作頻率在 20KHz 以下,工作電壓在 72V 以下,故 IGBT 和 Mosfet 都可以選擇,所以也是探討比較多的應(yīng)用。**特性對比: **Mosfet 和 IGBT 在結(jié)構(gòu)上的主要差異
2022-09-16 10:21:27
目前國內(nèi)大部分生產(chǎn)廠商已經(jīng)采用IGBT結(jié)構(gòu)的感應(yīng)加熱電源,這種結(jié)構(gòu)的加熱電源能夠維持長時間高效工作,且安全性比較高,因此比較受到生產(chǎn)商和消費(fèi)群體的歡迎。然而。雖然國內(nèi)采用IGBT取代晶閘管和電子管
2018-10-09 14:30:21
技術(shù)取得了不少突破,其中碳化硅(SiC)材料耐壓、耐溫更高,因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力,而無需再使用更為復(fù)雜的IGBT結(jié)構(gòu)。在電動汽車、軌道交通領(lǐng)域
2023-02-16 15:36:56
IGBT模塊在列車供電系統(tǒng)中的應(yīng)用及保護(hù) 摘 要:介紹了IGBT模塊的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)及其在列車供電系統(tǒng)中的應(yīng)用,探討了對IGBT的保護(hù)問題?! £P(guān)鍵詞:IGBT;應(yīng)用;保護(hù) 2O世紀(jì)8O年代初
2012-06-01 11:04:33
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn):本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的?IGBT的特點(diǎn)有哪些?
2021-10-15 06:01:58
的。IGBT故障的原因是什么?IGBT的故障模式表現(xiàn)為某些關(guān)鍵電氣參數(shù)退化(例如漏電流、閾值電壓)或功能喪失(無法關(guān)閉)。故障原因可能是由于環(huán)境條件或操作條件造成的。IGBT是晶閘管嗎?雖然IGBT的結(jié)構(gòu)
2023-02-02 17:05:34
以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu)。所謂功率MOS就是要承受大功率
2020-08-09 07:53:55
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
,BIPOLAR適用于中速開關(guān),MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件,通過這兩者的復(fù)合化,既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件,同時也是兼顧低飽和
2019-03-27 06:20:04
的固態(tài)半導(dǎo)體器件,且都屬于電壓控制器件。另外,IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣,兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在應(yīng)用中,IGBT和MOSFET都可以用作靜態(tài)電子開關(guān)。 在結(jié)構(gòu)
2022-06-28 10:26:31
H橋IGBT功率單元及試驗裝置的母線結(jié)構(gòu)
2019-11-05 06:25:44
和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合
2022-04-01 11:10:45
、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。 MOS管與IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示
2020-07-19 07:33:42
、中、右圖分別為傳統(tǒng)IGBT、二極管和RC-IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中的RC-IGBT為雙向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT基本的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)基于IGBT的薄片工藝,將二極管的陰極集成到IGBT的陽極中,于是傳統(tǒng)IGBT
2019-09-26 13:57:29
的基礎(chǔ)上,講解了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性、IGBT模塊化技術(shù)、IGBT驅(qū)動電路設(shè)計、IGBT保護(hù)電路設(shè)計、IGBT應(yīng)用電路實例等內(nèi)容?!?b class="flag-6" style="color: red">IGBT驅(qū)動與保護(hù)電路設(shè)計及應(yīng)用電路實例》題材新穎實用、內(nèi)容豐富
2021-07-24 17:13:18
`本書在介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上,結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢,全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù),突出實用性。全書共7章,分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
和總結(jié)了IGBT的典型應(yīng)用電路設(shè)計實例,以供從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計的工程技術(shù)人員在實際設(shè)計工作中參考。全書共分為6章,在概述了IGBT的發(fā)展歷程與發(fā)展趨勢的基礎(chǔ)上,講解了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性
2022-02-17 11:29:03
不一樣了。。。故事,就從這兒說起吧。。。史前時代-PTPT是最初代的IGBT,它使用重?fù)诫s的P+襯底作為起始層,在此之上依次生長N+ buffer, N- base外延,最后在外延層表面形成元胞結(jié)構(gòu)。它
2021-05-26 10:19:23
近幾年,國內(nèi)IGBT技術(shù)發(fā)展也比較快,國外廠商壟斷逐漸被打破,已取得一定的突破,國內(nèi)IGBT行業(yè)近幾年的發(fā)展大事記:(1)2011年12月,北車西安永電成為國內(nèi)第一個、世界第四個能夠封裝6500V
2021-03-22 19:45:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 編輯
有哪位高手可以解釋一下N- LAYER , N+ BUFFER LAYER , 以及P+襯底的作用,希望能夠詳細(xì)一點(diǎn),我在晚上實在查不到,如果可以的話,按這張圖的每一個區(qū)都解釋下,十分感謝!{:soso_e101:}
2011-09-08 23:52:42
優(yōu)化工藝,將PWell拐角——即電場最強(qiáng)處的N型區(qū)去掉,達(dá)到了既能降低IGBT的VCEsat,又不明顯降低IGBT的耐壓的目的。(a)SPT IGBT結(jié)構(gòu)示意圖(b)SPT+ IGBT結(jié)構(gòu)示意圖圖
2015-12-24 18:23:36
電動汽車、風(fēng)能/太陽能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡介圖 1 功率MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)示意圖IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構(gòu)成的,其理想等效電路如下圖所示:圖 2
2015-12-24 18:13:54
模塊需求,英飛凌通過增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性,并增加IGBT 結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。2.混合動力車輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求1)工作環(huán)境惡劣(高溫、振動)IGBT位于逆變器
2018-12-06 09:48:38
、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。 IGBT結(jié)構(gòu) 上圖所示為一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵
2019-03-05 06:00:00
絕緣柵雙極晶體管基礎(chǔ)IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
),到現(xiàn)在的超結(jié)IGBT(SJ-IGBT),新結(jié)構(gòu)層出不窮,并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發(fā)展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的,逆阻型IGBT(RB-IGBT)。 ” 1、逆阻
2020-12-11 16:54:35
IGBT資料包含了以下內(nèi)容:
IGBT 的基本結(jié)構(gòu)IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的擎住效應(yīng)和安
2007-12-22 10:41:42
251 AtecD 系列高頻/AtecF 系列中頻感應(yīng)加熱電源
1、AtecD 高頻和AtecF 中頻系列產(chǎn)品簡介AtecD高頻和AtecF 系列中頻感應(yīng)加熱電源為新型DSP+IGBT 結(jié)構(gòu)的高效節(jié)能產(chǎn)品;該產(chǎn)品為IGB
2010-04-07 10:34:51
67 簡要介紹絕緣柵極晶體管(IGBT)的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)及其在鐵路供電系統(tǒng)中的應(yīng)用。重點(diǎn)討論IGBT模塊在鐵路客車DC600V供電系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)。IGBT模塊具有損耗小,便于組裝,開
2010-12-25 17:20:09
101 IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:21
1331 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/59/wKgZomUMOAOAC8xBAAAtL5dihoI843.jpg)
IGBT(NPT型結(jié)構(gòu))的寄生組件和等效電路
2010-02-17 17:21:38
1855 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/77/wKgZomUMOJGAFt2gAADOjXubcto991.gif)
D型IPM的結(jié)構(gòu)及IGBT的等效電路
2010-02-17 23:20:20
1442 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/77/wKgZomUMOJGAMGrkAAB6EHS8VLE185.gif)
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理
圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵
2010-03-04 15:55:31
5186 汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用
針對汽車功率模塊需求,英飛凌通過增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性,并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:23
1302 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/95/wKgZomUMORmAdXOxAACN0EoeMCo536.jpg)
1.IGBT的基本結(jié)構(gòu)
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個 P 型層。根據(jù)國
2010-05-27 17:29:38
12136 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/9B/wKgZomUMOTKAHU_AAAA_xeDSPQ4510.jpg)
AtecD高頻和AtecF系列中頻感應(yīng)加熱電源為新型DSP+IGBT結(jié)構(gòu)的高效節(jié)能產(chǎn)品;該產(chǎn)品為IGBT逆變、并采用DSP進(jìn)行全數(shù)字式精確控制,在各種工況下能始終保證IGBT工作在ZCS開關(guān)狀態(tài);全空冷結(jié)構(gòu)降低了系統(tǒng)損耗,并徹底消除了設(shè)備來自水系統(tǒng)的故障;完善的限制保護(hù)
2011-02-27 21:32:34
97 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2017-05-03 10:15:38
7851 GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn),具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
2017-06-05 17:01:13
3268 本文主要介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及如何用萬用表判斷IGBT的好壞。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體
2018-01-12 09:30:59
59643 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A7/27/wKgZomUMQrSABpy-AAB8HK2QhZA511.png)
提出一種采用IGBT集電極漏電流對其芯片性能退化進(jìn)程進(jìn)行監(jiān)控的健康狀態(tài)監(jiān)測方法。基于IGBT基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體物理和器件可靠性物理學(xué),對IGBT電氣特征量一一集電極漏電流的產(chǎn)生機(jī)理、運(yùn)行規(guī)律與性能
2018-01-16 15:59:32
4 溝槽柵場終止型代表了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的最新結(jié)構(gòu)。由于溝槽柵結(jié)構(gòu)與平面柵結(jié)構(gòu)在基區(qū)載流子輸運(yùn)、柵極結(jié)電容計算等方面存在較大的不同,沿用平面柵結(jié)構(gòu)的建模方法不可避免會存在較大的偏差
2018-02-01 14:25:10
0 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2018-06-28 09:51:43
154740 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/55/CC/pIYBAFs0P--AVpfZAAAOq5Y7wO4403.jpg)
IGBT作為具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域?,F(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開關(guān)損耗。作為開關(guān)器件,研究它的開通和關(guān)斷過程當(dāng)然是必不可少的,今天我們就來說說IGBT的開通過程。
2019-01-01 15:04:00
48899 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/7F/0A/pIYBAFwbP8aAPfRnAAAWvU2kDMI681.png)
NPT-IGBT 結(jié)構(gòu)雖然沒有緩沖層,但是它的反向阻斷能力依然很差,因為芯片的尺寸是有限的,在切割芯片時,如果切割線穿過了承受高壓的pn結(jié),晶格損傷和應(yīng)力會引起很大的反向漏電流,導(dǎo)致?lián)舸╇妷汉烷L期穩(wěn)定性的降低。
2018-12-28 15:55:27
14571 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/7F/4B/o4YBAFwl11OAQrBVAACKMJmFI0A733.png)
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點(diǎn),當(dāng)然只是從我們比較關(guān)心的幾點(diǎn)出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理參雜等方面,希望可以對你們有所幫助。
2019-06-29 09:44:23
29519 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/99/26/o4YBAF0WwieAZQn1AAAsk1oihio722.jpg)
場阻型IGBT(Field-Stop IGBT,F(xiàn)S-IGBT)是近年來出現(xiàn)的一類非常重要的IGBT結(jié)構(gòu),F(xiàn)S層能實現(xiàn)通態(tài)損耗與器件耐壓以及通態(tài)損耗與開關(guān)損耗之間的良好折中,因此FS型IGBT已經(jīng)
2019-12-19 17:59:00
25 絕緣柵雙極晶體管本質(zhì)上是一個場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個 P 型層。根據(jù)國際電工委員會 IEC / TC ( CO ) 13 3 9 文件建議,其各部分名稱基本沿用場效應(yīng)晶體管的相應(yīng)命名。
2020-01-08 16:39:00
12 IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣,但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透了N-基區(qū)。
2020-04-10 10:21:37
9421 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/B9/AE/o4YBAF6P1zmAcCh4AAA8yNslLXE122.jpg)
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元(1200VIGBT)。
2020-05-02 17:47:00
2596 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明包括了:IGBT 的基本結(jié)構(gòu),IGBT 的工作原理和工作特性,IGBT 的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū),IGBT 的驅(qū)動與保護(hù)技術(shù),集成
2020-09-10 08:00:00
19 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供詳細(xì)的介紹IGBT的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用特點(diǎn),收藏以后用得上資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-12 08:53:31
17 IGBT的結(jié)構(gòu) 一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間
2021-06-12 17:22:00
7913 大家好,今天我們聊一下IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)。IGBT作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛,被譽(yù)為半導(dǎo)體皇冠上的明珠。作為一名電力電子打工
2022-04-20 11:19:56
19847 的典型應(yīng)用電路設(shè)計實例, 以供從事 IGBT 應(yīng)用電路設(shè)計的工程技術(shù)人員在實際設(shè)計工作中參考。 全書共分為 6 章, 在概述了 IGBT 的發(fā)展歷程與發(fā)展趨勢的基礎(chǔ)上, 講 解了 IGBT 的結(jié)構(gòu)和工作特性。
2022-04-24 17:39:22
35 IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。
2022-08-18 16:37:46
4063 事實上IGBT的結(jié)構(gòu)與MOSFET十分接近,只是在其背面增加了N+和P+層,“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOSFET優(yōu)點(diǎn)的同時,增加了載流能力和抗壓能力。
2022-08-22 15:57:20
1421 IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一個有MOS Gate的BJT晶體管。奇怪吧,它到底是MOSFET還是BJT?其實都不是又都是。不繞圈子了,他就是MOSFET和BJT的組合體。
2022-10-09 09:19:47
2989 高的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型功率晶體管的電流密度大、飽和壓降低、電流處理能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。 IGBT的結(jié)構(gòu) IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率管MOSFET的N+基板(漏極)上
2023-02-22 15:00:12
0 為了更好了解IGBT,下面我們再來看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。IGBT結(jié)構(gòu)其實就相當(dāng)于是一個四層半導(dǎo)體的器件。四層器件是通過組合 PNP 和 NPN 晶體管來實現(xiàn)的,它們構(gòu)成了 P-N-P-N 排列。
2023-02-22 15:58:18
3058 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/93/A5/pYYBAGP1yvyAc0SpAAGRQpqXlvA274.png)
);2.雙極型:基于PN結(jié)的電力二極管、晶閘管、 GTO、GTR 。3.復(fù)合型: IGBT(絕緣柵型晶體管) GTR和GTO是雙極型電流驅(qū)動器件,由于具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),其流通能力很強(qiáng),但開關(guān)速度較慢,所需
2023-02-23 09:18:56
0 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管? 下面我們就來了解一下
2023-02-23 16:03:25
4 本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀,并對 IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和電學(xué)特性做了簡要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 相關(guān)問題,最后對 IGBT 未來的發(fā)展方向做了總結(jié)展望。
2023-02-24 09:45:07
2816 在垂直方向上,IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型(pouch through,PT),非穿通型(non pouch through,NPT)和電場截止型(field stop,F(xiàn)S),使器件的整體性能不斷提高。
2023-05-06 17:44:24
1224 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/87/wKgZomRWIjiAYF8CAAAb75XNdJU239.png)
一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,不同的行業(yè)對使用IGBT時,對于其深入的程度可能不一樣,但是作為一個開關(guān)器件,開通和關(guān)斷的過程
2023-05-25 17:16:25
1262 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/B1/wKgaomRvJzqAFPfjAADguhJb5WE868.jpg)
貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案!IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率
2023-03-30 17:33:36
2481 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9C/2E/pYYBAGQlPFSAJz0XAADG4kRoBt8392.png)
激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進(jìn)行激光快速退火,實現(xiàn)激活深度,有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)。隨著IGBT技術(shù)發(fā)展和薄片加工工藝研發(fā)
2023-05-16 10:45:11
897 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/1A/0E/pYYBAGF4-lOAaXJ9AABBEXgCq2s794.jpg)
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯:黃飛
2023-07-07 09:36:32
1089 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/2F/wKgaomSnbKWAWQKEAAAT35QgJ-k795.jpg)
對于對稱IGBT結(jié)構(gòu),N基區(qū)寬度為200μm,通態(tài)集電極電流密度為100Acm-2,P+集電區(qū)/N基區(qū)結(jié)處空穴濃度(P0),計算得到空穴載流子密度。
2023-07-07 14:48:58
190 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/34/wKgZomSntUyASjO6AAFYpr7Tmkw395.jpg)
IGBT由BJT (雙極性三極管)和MOSFET (絕緣柵型場效應(yīng)管)復(fù)合而成
BJT ( Bipolar Junction Transistor ) :雙極性晶體管(晶體三極管),“雙極性"是指工作時有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電。
2023-07-27 10:12:08
487 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8D/EB/wKgZomTB0zaAfG-NAAAT35QgJ-k087.jpg)
超結(jié)IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及研究進(jìn)展
2023-08-08 10:11:41
0 在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候,可能會顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動的
2023-10-18 09:45:43
275 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/A4/wKgZomUvOR-AfK2XAABanI8zY9Q808.jpg)
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通,電壓為0時可以讓其關(guān)斷,那么加一個反壓呢?IGBT會是什么情況? 關(guān)于IGBT在控制極上加反壓的情況,我們需要探討IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及反壓對其產(chǎn)生
2023-10-19 17:08:11
861 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:42
500 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AE/20/wKgZomVEmMmANAquAAASZ-imdAQ19.jpeg)
等領(lǐng)域。盡管它們有一些相似之處,但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面存在顯著的差異。 首先,讓我們來看一下IGBT的基本結(jié)構(gòu)。IGBT是一種三極管型器件,結(jié)合了MOSFET的驅(qū)動能力和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特性。它由一個P型襯底、一個N型集電極、一個P型獨(dú)立柵控極和一個N型漂移區(qū)組成。IGBT的工作原理
2023-12-19 09:56:33
575 開關(guān)器件。雖然它們的名稱相似,但在構(gòu)造、原理和應(yīng)用方面存在一些不同之處。 結(jié)構(gòu)與構(gòu)造差異: IGBT是一種由晶體管和MOSFET結(jié)合而成的雙極型功率開關(guān)器件。它由三個控制結(jié)構(gòu)——門級結(jié)、PN結(jié)和PNP
2023-12-25 15:09:09
399 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35
276 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B9/3D/wKgaomWKZiGAL1A2AAAVyngB4Os710.jpg)
、電動汽車等領(lǐng)域,是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的核心元件之一。 IGBT的結(jié)構(gòu)主要包括四層:P型襯底、N型發(fā)射層、P型基區(qū)和N型集電區(qū)。其中,P型襯底和
2024-01-03 15:14:22
272 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BA/AC/wKgZomWVCJaAbi4EAAANBzI0Oxs727.jpg)
本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設(shè)計,其振蕩發(fā)生
2024-01-09 14:24:50
234 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/BC/9A/wKgaomWc5q6AVW7rAAAzeRLec4w467.png)
電子和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它是一種用于高電壓和高電流應(yīng)用的開關(guān)和放大器。 IGBT的基本結(jié)構(gòu)由四個摻雜的半導(dǎo)體層組成:N型溝道、P型基區(qū)、N型漏結(jié)和P型柵結(jié)。控制其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的是其柵極。當(dāng)IGBT柵極電壓低于閾值時,它處于關(guān)閉狀態(tài),沒有電流通過。當(dāng)柵極電壓高于閾值時,形成電場,電流可以流過
2024-01-22 11:14:57
274 絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面,通常使用氧化硅(SiO2)等絕緣材料,用于隔離控制電極(柵極)與功率電極(P區(qū)和N+區(qū))。
2024-02-06 10:29:19
226 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/E4/wKgaomXBnAqAGt3sAAC4J8_9unc631.png)
在柵極相對于發(fā)射極施加正電壓(VGE),可以使集電極與發(fā)射極之間導(dǎo)通,從而流過集電極電流(IC)。 下面提供了表示IGBT結(jié)構(gòu)的簡化示意圖(截面圖)和等效電路圖。藍(lán)色箭頭指示了集電極電流(IC)的流向。通過與旁邊的等效電路圖進(jìn)行比較,可以更好
2024-02-06 16:14:54
308 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/BF/FA/wKgZomXB6n2AR_U6AACfcS3T6s0940.png)
場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的優(yōu)點(diǎn),具有高頻特性和大電流承受能力。然而,IGBT的短路耐受時間只有10微秒,下面將詳細(xì)解釋這個現(xiàn)象。 首先,我們需要了解IGBT的結(jié)構(gòu)。一個典型的IGBT包括一個npn型BJT和一個PMOSFET,它們共同組成了一個三層結(jié)構(gòu)。BJT用于控制大電
2024-02-18 15:54:55
250 IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59
288 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/50/wKgaomXVVX6ABnJvAABPWBxaoo0881.png)
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