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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局分析

各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局分析

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2023-10-18 11:49:355289

SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

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2018-05-22 09:15:539392

Boost變換器中SiCIGBT模塊熱損耗對比研究

在不同工作頻率下的損耗進行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性,還直觀的體現(xiàn)了SiCIGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出,使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05472

一文詳解雜散電感對SiCIGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅(SiC模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506

3.3kV的IGBT模塊驅(qū)動設(shè)計分析

摘要:英飛凌3.3kV的IGBT模塊已被客戶廣泛使用,它的驅(qū)動設(shè)計許多方面都有別于1.7kV和1.2kV的模塊。所以需要對該電壓等級的IGBT的驅(qū)動電路作些細節(jié)分析。關(guān)鍵詞:3.3kV的IGBT
2018-12-06 10:06:18

IGBT固態(tài)電源中是如何保護電路的?且看IGBT損壞機理分析

似)。圖 1 所示的電路中,市電電源 Us 的正半周期,將 Ug2.4 所示的高頻驅(qū)動信號加在下半橋兩只 IGBT 的柵極,得到管壓降波形 UT2D。其工作過程分析如下: t1~t2 時刻,受
2019-12-25 17:41:38

IGBT模塊列車供電系統(tǒng)中的應(yīng)用及保護

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2012-06-01 11:04:33

IGBT模塊有哪些特點和應(yīng)用呢

IGBT模塊是由哪些模塊組成的?IGBT模塊有哪些特點?IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢?
2021-11-02 07:39:10

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IGBT模塊的有關(guān)保護問題-IGBT模塊散熱器 對IGBT模塊散熱器的過流檢測保護分兩種情況:  (1)、驅(qū)動電路中無保護功能。這時主電路中要設(shè)置過流檢測器件。對于小容量變頻器,一般是把電阻R直接
2012-06-19 11:26:00

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IGBT并聯(lián)技術(shù)分析

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2015-03-11 13:18:21

IGBT并聯(lián)設(shè)計參考

模塊布局,有時母線上故意增加孔或銅排設(shè)計成“之”字型等措施,以獲取相同的功率換流路徑。圖13 不平衡電流4IGBT 封裝在并聯(lián)設(shè)計過程中,IGBT模塊的封裝形式和功率端子的位置也是至關(guān)重要的考慮因素
2018-12-03 13:50:08

IGBT柵極電壓尖峰分析

,事實上任何一個波形都可以被科學的解釋。為了讓大家少走彎路,從網(wǎng)絡(luò)找了一些比較有代表性的波形,給大家解讀一下具體的機理,如果大家有比較好的素材也可以提供給我,免費幫大家分析分析!案例: 圖1所示
2021-04-26 21:33:10

IGBT的專用驅(qū)動模塊

各位大神好,想請教一個問題。我現(xiàn)在手上有一個IGBT模塊,型號是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個驅(qū)動這個IGBT模塊的驅(qū)動模塊,是驅(qū)動模塊,不是驅(qū)動芯片,我在網(wǎng)上查找到了EXB840,但是這個驅(qū)動年份有些久遠,所以想問有沒有類似的新產(chǎn)品,求推薦型號。
2021-01-04 10:40:43

IGBT的發(fā)展論,國內(nèi)企業(yè)誰能爭鋒

IGBT可關(guān)斷設(shè)計用于高功率模塊中優(yōu)化布局、綜合魯柏和大型門墊?! ∥恼聛碓矗褐袊娏﹄娮赢a(chǎn)業(yè)網(wǎng)http://www.p-e-china.com 轉(zhuǎn)載能說明出處
2012-03-19 15:16:42

IGBT的短路過程分析

IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造,在做變頻器的短路實驗時,IGBT開通時刻做出短路動作,IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩(wěn)定。 但是具體波形時,IGBT
2024-02-21 20:12:42

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢

的上限。SiC晶體管的出現(xiàn)幾乎消除了IGBT的開關(guān)損耗,以實現(xiàn)類似的導通損耗(實際,輕載時更低)和電壓阻斷能力,除了降低系統(tǒng)的總重量和尺寸外,還能實現(xiàn)前所未有的效率?! ∪欢?,與大多數(shù)顛覆性技術(shù)
2023-02-27 13:48:12

SiC-MOSFET體二極管特性

一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

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2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

的小型化。  另外,SiC-MOSFET能夠IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動,從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?! ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

,SiC-MOSFET能夠IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動,從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小(可實現(xiàn)小型封裝),而且體
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管(Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET),組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器,就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39

SiC功率模塊的柵極驅(qū)動其1

的不是全SiC功率模塊特有的評估事項,而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中,該信息也非常有用?!皷艠O誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET+低邊
2018-11-30 11:31:17

SiC功率模塊的特征與電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

。例如,SiC功率模塊的尺寸可達到僅為Si的1/10左右。關(guān)于“高速工作”,通過提高開關(guān)頻率,變壓器、線圈、電容器等周邊元件的體積可以更小。實際上有能做到原有1/10左右的例子。“高溫工作”是指容許
2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

,SiC-MOSFET能夠IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動,從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件概述

1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且器件制作時可以較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21

SiC器件新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望

)封裝  3D封裝技術(shù)將SiC模塊橋臂直接疊加在下橋臂,上下疊加后可以減小橋臂中點的連接線,該封裝技術(shù)可將模塊寄生電感降至1 nH以下?! D2 3D封裝示意圖 ?。╝)高頻(HF)整流器 ?。╞
2023-02-27 14:22:06

SiC碳化硅MOS驅(qū)動的PCB布局方法解析

的影響。設(shè)計 PCB 時,不可能完全消除所有寄生電感和電容。但是,一些常用技術(shù)可以幫助最大限度地減小這些電感和電容。 應(yīng)對 SiC 柵極驅(qū)動布局方面的挑戰(zhàn)使功率曲線遠離柵極回路典型情況下,單層 PCB 布線
2022-03-24 18:03:24

各大汽車廠商原CANBUS通信協(xié)議資料

`各大汽車廠商原CANBUS通信協(xié)議資料出.售.各大汽車廠商原CANBUS通信協(xié)議資料適用開發(fā):汽車儀表數(shù)據(jù)讀取,汽車故障碼診斷,車身控制(汽車升窗,汽車落鎖,防盜升級,自動空調(diào)系統(tǒng),原功能升級等功能)原診斷儀中獲取的YUANMA。`
2013-04-25 16:02:16

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2013-01-09 17:40:11

IGBT模塊中氮化鋁陶瓷基板的應(yīng)用如何?

基板電力電子模塊技術(shù)中,主要是作為各種芯片(IGBT芯片、Diode芯片、電阻、SiC芯片等)的承載體,陶瓷基板通過表面覆銅層完成芯片部分連接極或者連接面的連接,功能近似于PCB板。氮化鋁陶瓷基板具有
2017-09-12 16:21:52

AD模塊布局求解?

請教一個各位大佬,假設(shè)使用AD一個設(shè)計中有幾路完全相同的模塊電路,怎么可以布局完其中一個后,通過設(shè)置讓其他模塊以相同的方式進行布局布線。
2019-04-02 19:43:49

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一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器

、根據(jù)評估版原理圖,分析SIC MOS的驅(qū)動和保護方案。2、搭建一個非隔離的半橋結(jié)構(gòu)的雙向DC-DC變換器樣機。預期參數(shù):高壓端400V,低壓端200V,開關(guān)頻率250KHZ,電流10A。3、對DSP
2020-04-24 18:08:05

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】特種電源開發(fā)

項目名稱:特種電源開發(fā)試用計劃:I項目開發(fā)中,有一個關(guān)鍵電源,需要在有限空間,實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高,計劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】電池充放電檢測設(shè)備

SiC模塊,對比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預計成果:性能滿足要求,價格可接受范圍內(nèi),后續(xù)適用到產(chǎn)品中
2020-04-24 18:09:35

【論文】基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源

700VDC以上。另一方面,由于系統(tǒng)回路內(nèi)雜散電感的存在,功率器件開關(guān)時會在模塊主端子產(chǎn)生尖峰電壓,因此傳統(tǒng)的APS系統(tǒng)中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊,該模塊由普通IGBTSiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57

了解一下SiC器件的未來需求

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什么是IGBT?什么是IGBT模塊?什么是IGBT模塊散熱器?

輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。文章來源:中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)-IGBTIGBT模塊散熱器 區(qū)熔單晶 陶瓷覆銅板`
2012-06-19 11:36:58

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2022-11-02 12:07:56

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SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化了散熱設(shè)計的新封裝,成功提高了額定電流。另外,與普通的同等額定電流的IGBT+FRD模塊相比,開關(guān)損耗降低了75%(芯片溫度150℃時)。不僅如此,利用SiC功率元器件的優(yōu)勢–高頻驅(qū)動,不僅
2018-12-04 10:24:29

SiC功率模塊的開關(guān)損耗

降低了約60%,而第三代第二代的基礎(chǔ)又降低了約42%,與IGBT相比則開關(guān)損耗可降低約77%。如上所述,全SiC功率模塊的開關(guān)損耗大大低于同等IGBT模塊的開關(guān)損耗,而且開關(guān)頻率越高,與IGBT模塊
2018-11-27 16:37:30

內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT FRD+IGBT的車載充電器案例中 開關(guān)損耗降低67%

內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT:RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBTFRD+IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管(SiC
2022-07-27 10:27:04

基于PrimePACKTM IGBT模塊優(yōu)化集成技術(shù)的逆變器

,分析并比較了IGBT驅(qū)動的不同方案,并給出逆變器的測試結(jié)果。關(guān)鍵詞:PrimePACKTM模塊IGBT組件功率密度Abstract: This paper discusses how
2018-12-03 13:56:42

如何優(yōu)化硅IGBT的頻率特性?

[1]中有詳細描述。質(zhì)子輻照的劑量各不相同,使得可以獲得具有各種靜態(tài)和動態(tài)特性組合的芯片。氫原子的路徑長度保持不變。實驗性IGBT設(shè)計用于在混合(Si / SiC模塊中與SiC肖特基二極管一起
2023-02-22 16:53:33

如何使用電流源極驅(qū)動器BM60059FV-C驅(qū)動SiC MOSFET和IGBT?

極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望,開發(fā)了一種測試板,其中測試了分立式IGBTSiC-MOSFET。標準電壓源驅(qū)動器也另一塊板實現(xiàn),見圖3。      圖3.帶電壓源驅(qū)動器(頂部)和電流源驅(qū)動器(底部)的半橋
2023-02-21 16:36:47

開關(guān)損耗更低,頻率更高,應(yīng)用設(shè)備體積更小的全SiC功率模塊

ROHM全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32

急需IGBT模塊

現(xiàn)急需FF1200R17IP5英飛凌原IGBT模塊,有誰有渠道的幫幫忙!
2020-01-12 10:47:52

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18

深愛原一級代理SIC995x系列 全系列代理

深愛原一級代理SIC995x系列 全系列代理詳細內(nèi)容低功率因素非隔離按鍵調(diào)光方案SIC995X 系列SIC9953 500VSOP7/DIP7
2021-07-22 11:10:22

電子書“IGBTSiC 柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識”

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2022-10-25 17:20:12

簡述IGBT模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與電路圖分析

芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備。  IGBT模塊特點  IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便
2019-03-05 06:00:00

羅姆成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

低,可靠性高,各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12

請問如何實現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動設(shè)計?

如何實現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動設(shè)計?設(shè)計驅(qū)動電路時,需要考慮哪些問題?IGBT下橋臂驅(qū)動器件HCPL-316J的主要特征有哪些?橋臂驅(qū)動器HCPL-3120的主要特征有哪些?
2021-04-20 06:24:18

請問怎么解決IGBT模塊并聯(lián)時的降額問題?

怎么解決IGBT模塊并聯(lián)時的降額問題?
2021-04-08 06:21:04

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產(chǎn)品陣容

ROHM全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50

驅(qū)動功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?

請問:驅(qū)動功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
2019-07-31 10:13:38

三菱igbt模塊資料下載

三菱igbt模塊資料 三菱電機第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊 Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18197

【經(jīng)驗】藍牙模塊主機和從機透傳

藍牙模塊主機和從機透傳。主從藍牙模塊通信是指兩個藍牙模塊互相通信,一個為主機,一個為從機,它們相互之間通信,第一個模塊為從機模塊,第二個模塊主機模塊?
2017-09-09 08:26:1033

igbt模塊實物接線圖分析

 IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT
2017-11-23 10:07:3974851

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進行介紹

眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實,它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一,因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436486

壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法

的重要因素?;趬航邮?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊雙脈沖測試平臺,介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法,分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系,并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大
2018-02-01 10:20:499

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514

最新SiC器件與Si IGBT的性能比較

直到最近,功率模塊市場仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉(zhuǎn)移和對更高性能的關(guān)注,使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用,這就帶來了 SiC 基功率器件的應(yīng)運而生。
2019-11-08 11:41:5317040

SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點,第三代寬禁帶半導體SiC
2020-03-20 15:56:284190

SiC IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢分析

SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了,大眾視野中很少會提及到SiC IGBT產(chǎn)品,并不是沒有,只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言,SiC器件的制成還有著很多難點需要突破和解決,下面我們就來看看SiC IGBT的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)。
2020-10-30 14:13:295850

SKM200GB12F4SIC2高速IGBT4模塊的數(shù)據(jù)手冊免費下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是SKM200GB12F4SIC2高速IGBT4模塊的數(shù)據(jù)手冊免費下載
2020-12-03 08:00:004

環(huán)旭電子預計在2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBTSiC電源模塊

搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBTSiC電源模塊
2022-01-10 10:50:40779

比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC的參數(shù)及電路拓補圖

比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC,應(yīng)用領(lǐng)域,微型電動車,新能源汽車, 審核編輯 黃昊宇
2022-07-18 09:48:183031

聞泰科技布局汽車市場 加速推進IGBT!

在日前業(yè)績上說明會,聞泰科技董事長、總裁張學政表示,上市公司正在布局IGBT、SiC、GaN等產(chǎn)品,來自汽車與工業(yè)需求持續(xù)增長,成為半導體業(yè)務(wù)增長的主要動力。
2022-10-10 10:45:46329

士蘭微募集65億元,布局IGBT、SiC和車規(guī)級封裝

萬片12英寸芯片生產(chǎn)項目建設(shè);7.5億元用于SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目建設(shè);11億元用于汽車半導體封裝項目(一期)建設(shè);16.5億元用于補充流動資金。 據(jù)了解,士蘭微此次投建年產(chǎn)36萬片12寸晶圓產(chǎn)線項目,達產(chǎn)后將新增年產(chǎn)12萬片F(xiàn)S-IGBT、12萬片T-DPMOSFET、12萬片SGT
2022-10-19 16:02:141168

SiC MOSFET模塊實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半導體器件,在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中,優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅(Si)IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51956

大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491

Ameya360:SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造

一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-Id特性,Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685

SiC功率模塊的開關(guān)損耗

SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關(guān)損耗、2)開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產(chǎn)品陣容

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331

IGBT模塊接口

IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:211011

常見IGBT模塊及原理分析

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導體器件,它是由多個IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動電路、保護電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進行分類。
2023-02-20 17:32:254883

IGBT功率模塊的優(yōu)勢

IGBT最常見的形式其實是模塊(Module),而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。
2023-02-22 15:08:141760

SiC·IGBT/SiC·二極管/SiC·MOSFET動態(tài)參數(shù)測試

EN-1230A可對各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBTSiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間
2023-02-23 09:20:462

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

未來的重點方向:SicIGBT

IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點,根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic MOsfet(技術(shù)更優(yōu)),MCU的供應(yīng)商是意法半導體,基本可以結(jié)論,SicIGBT會是未來的重點方向。
2023-03-24 10:18:36630

國產(chǎn)igbt模塊品牌

根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502

逆變器IGBT模塊的使用分析,各項技術(shù)指標

逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負載的工作電壓和額定電流,以及使用頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前,請詳細閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項技術(shù)指標;根據(jù)模塊的技術(shù)參數(shù)確定使用方案,計算
2023-09-20 17:49:521052

IGBT的失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ),尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724

SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對比

在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強大的擊穿場和較低的損耗特性,逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前,它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為主導的鍵合部件領(lǐng)域。然而,在當今功率設(shè)備的大格局中,SiC MOSFET到底扮演了何種角色?
2023-11-30 16:12:41243

IGBT單管和模塊的對比和分析

最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別,優(yōu)缺點對比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余,對單管和模塊都有一定的應(yīng)用,開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機UPS、500KW光伏逆變器、模塊化UPS、充電
2024-01-09 09:04:35258

igbt模塊型號及參數(shù) igbt怎么看型號和牌子

。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括變頻器、電機驅(qū)動、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個IGBT芯片和驅(qū)動電路封裝在一個模塊內(nèi),使得IGBT能夠方便地進行安裝和維護。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231082

揚杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項目完成簽約

近日,在江蘇省揚州市邗江區(qū)維揚經(jīng)濟開發(fā)區(qū)先進制造業(yè)項目新春集中簽約儀式上,揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱揚杰科技)新能源車用IGBT、碳化硅(SiC模塊封裝項目完成簽約。
2024-02-22 10:03:54639

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