所有功率級(jí)別的IGBT都需要柵極驅(qū)動(dòng)器。給功率管增加驅(qū)動(dòng)的方式分為非隔離驅(qū)動(dòng)和隔離驅(qū)動(dòng)。一般來說，在驅(qū)動(dòng)的大小上隔離驅(qū)動(dòng)會(huì)比非隔離驅(qū)動(dòng)大得多。 ? 因?yàn)榉?b class="flag-6" style="color: red">隔離驅(qū)動(dòng)模塊整體都在同一硅片上，耐壓極限會(huì)很有限，大多數(shù)非隔離驅(qū)動(dòng)器的工作電壓都不
2021-11-03 09:33:56
3665 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動(dòng)，并且能夠在使用合適的器件時(shí)提供安全柵。示例應(yīng)用程序如圖 1 所示。VDD1
2022-12-19 11:46:181809 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 德州儀器 （TI） 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 與碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級(jí)電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
2013-03-04 10:59:311173 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。
2022-11-25 09:20:301195 數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x。
2021-07-19 14:40:583395 
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的加強(qiáng)版隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用反激式隔離型控制拓?fù)?，提供符?IEC61800-5 標(biāo)準(zhǔn)
2018-09-25 10:21:35
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個(gè)后進(jìn)者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢(shì)的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
和牽引電機(jī)逆變器）。為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中實(shí)施完整的IC生態(tài)系統(tǒng)，從最近的芯片到功率開關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器。
2019-07-31 06:16:52
的隔離柵是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。ADuM4135 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器采用 ADI 公司經(jīng)過驗(yàn)證的 iCoupler?技術(shù)，可以給高電壓和高開關(guān)速度應(yīng)用帶來諸多重要優(yōu)勢(shì)。 ADuM4135 是驅(qū)動(dòng) SiC/GaN
2018-10-30 11:48:08
(51, 51, 51) !important]隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的要求已經(jīng)開始變化，不同于以前的。對(duì)于SiC和GaN，寬柵極電壓擺幅、快速上升/下降時(shí)間和超低傳播延遲。ADuM4135隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
2019-07-16 23:57:01
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
在電源電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT（隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗
2021-11-11 07:00:00
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器？考慮一個(gè)具有微控制器的數(shù)字邏輯系統(tǒng)，其I/O引腳之一上可以輸出一個(gè)0 V至5 V的PWM信號(hào)。這種PWM將不足以使電源系統(tǒng)中使用的功率器件完全導(dǎo)通，因?yàn)槠溥^驅(qū)電壓一般超過標(biāo)準(zhǔn)CMOS/TTL邏輯電壓。如此，請(qǐng)大神分析下面兩種方式：
2018-08-29 15:33:40
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
您好，歡迎觀看第三個(gè)討論隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的 TI 高精度實(shí)驗(yàn)室講座。 我們將探討可以作為隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的基準(zhǔn)核心參數(shù)。 我們將會(huì)檢查這些參數(shù)的數(shù)據(jù)表定義， 討論在隔離式和非隔離式驅(qū)動(dòng)器中決定
2022-11-10 07:54:32
描述TIDA-00638 參考設(shè)計(jì)包含具有增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器以及專用柵極驅(qū)動(dòng)器電源的單個(gè)模塊。此緊湊型參考設(shè)計(jì)可控制太陽能逆變器中的 IGBT。此設(shè)計(jì)使用具有內(nèi)置 IGBT
2018-10-19 15:30:07
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計(jì)使用推挽
2015-03-23 14:35:34
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計(jì)使用推挽
2015-04-27 17:31:57
，其中SiC MOSFET用于高頻開關(guān)，Si IGBT用于低頻開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠驅(qū)動(dòng)不同要求的開關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且采用硅IGBT/SiC MOS混合式多電平配置?？蛻粝Ｍ环N器件就能
2018-10-22 17:01:41
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性至關(guān)重要。
2020-10-29 08:23:33
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動(dòng)器芯片
2021-01-22 06:45:02
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)?，從單一變?b class="flag-6" style="color: red">器生成用于三相逆變器
2015-04-27 16:55:43
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
描述PMP10654 參考設(shè)計(jì)是適用于單個(gè) IGBT 驅(qū)動(dòng)器偏置的雙路隔離式輸出 Fly-Buck 電源模塊。兩個(gè)電壓軌適合向電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車和工業(yè)應(yīng)用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-12-21 15:06:17
驅(qū)動(dòng)半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動(dòng)器級(jí)（驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足）以及系統(tǒng)級(jí)均會(huì)帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個(gè) IGBT 中保持相等電流分布的同時(shí)確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計(jì)使用增強(qiáng)型隔離式
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2018-09-05 08:54:59
過。另據(jù)報(bào)道，與基于IGBT的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動(dòng)器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢(shì)可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力?！ 〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計(jì)使用推挽式
2018-09-20 08:49:06
EVAL-ADUM3123EBZ，評(píng)估板支持ADuM3123ARZ隔離式精密柵極驅(qū)動(dòng)器。由于評(píng)估板分別具有TO-263或TO-252封裝的隔離柵雙極晶體管（IGBT）和MOSFET的占位面積，因此
2019-05-23 07:15:06
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)洌瑥膯我蛔儔?b class="flag-6" style="color: red">器生成用于三相逆變器
2015-03-23 14:53:06
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”
2022-10-25 17:20:12
描述TIDA-00174參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓用于
2022-09-26 07:54:11
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
概述電源對(duì)5G 通信、數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、車載電源、充電樁以及LED 控制系統(tǒng)至關(guān)重要。 與此同時(shí)，所有這些電源系統(tǒng)都需要一個(gè)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器來高效、可靠地驅(qū)動(dòng)開關(guān)管，以進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換。隔離式柵極
2022-09-30 14:05:41
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
會(huì)影響房地產(chǎn)的大小和高度。由于到達(dá)所有六個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器所需的較長跡線，集中式電源還存在諸如電磁干擾（EMI）和IGBT通道之間的噪聲耦合等固有問題。 分布式電源ACPL-302J器件的開發(fā)旨在改善隔離
2018-08-18 12:05:14
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:00
0 本參考設(shè)計(jì)采用一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動(dòng)器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2524 對(duì)于更緊湊的純SiC/GaN應(yīng)用，新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4121是解決方案。該驅(qū)動(dòng)器同樣基于ADI公司的iCoupler數(shù)字隔離技術(shù)，其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns)，支持最高開關(guān)
2018-05-24 17:24:387790 
什么是隔離柵極驅(qū)動(dòng)器？
2019-04-23 06:17:006456 
隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用
2019-04-23 06:12:003220 
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器需要隔離式電源，以實(shí)現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是，基于標(biāo)準(zhǔn)電源控制IC的隔離式電源設(shè)計(jì)并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門知識(shí)和大量的驗(yàn)證工作
2021-05-26 18:05:172342 
，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、...
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 ADuM4135：提供米勒箝位的單電源 / 雙電源 高電壓隔離 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器
2021-03-21 13:47:029 UG-1932：評(píng)估采用密勒鉗位的ADuM4146單/雙電源高壓隔離SiC柵極驅(qū)動(dòng)器
2021-03-22 17:22:388 ADuM4146：單/雙電源高壓隔離SiC柵極驅(qū)動(dòng)器，帶密勒鉗位數(shù)據(jù)表
2021-03-22 17:24:196 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213357 
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的特性及應(yīng)用綜述
2021-06-25 10:17:3021 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:141783 納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅(qū)動(dòng)SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規(guī)（滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)）和工規(guī)兩種等級(jí)，廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場(chǎng)景。
2022-07-20 13:20:202261 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 
關(guān)鍵隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格
2022-11-01 08:25:250 使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)用設(shè)計(jì)指南
2022-11-14 21:08:4310 本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中為功率級(jí)選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，您有多種選擇。柵極驅(qū)動(dòng)器可簡單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級(jí)達(dá)到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。
2022-12-05 10:00:45697 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
(onsemi) 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器針對(duì)SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計(jì)，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業(yè)的許多設(shè)計(jì)人員對(duì)于在諸多類型的電力電子應(yīng)用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經(jīng)驗(yàn)，
2023-02-05 05:55:01763 非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件
2023-02-08 13:43:24355 
高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:241 納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515，專為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET，IGBT而設(shè)計(jì)
2023-02-23 16:22:231001 寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02378 
、更高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 開 發(fā) 背 景 全球清潔能源市場(chǎng)要求汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師更高效地產(chǎn)生、儲(chǔ)存和使用能源，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）能夠在系統(tǒng)級(jí)提供明顯的效率優(yōu)勢(shì)，但往往也伴隨著一些巨大的集成挑戰(zhàn)。 傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和
2023-07-13 16:05:02416 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56431 
使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)指南（一）
2023-11-28 16:18:10273 
非對(duì)稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng)器供電變得空前簡單。
2023-12-21 11:46:42334 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:17:510
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