SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長(zhǎng)度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:37
1062 在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開(kāi)關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢(shì)。從文中可以看出，使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05472 
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
移動(dòng)電源市場(chǎng)，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)移動(dòng)電源的生產(chǎn)商已超過(guò)5000家。下面，筆者會(huì)針對(duì)目前移動(dòng)電源的市場(chǎng)環(huán)境作出分析，盤(pán)點(diǎn)2016年移動(dòng)電源市場(chǎng)5大演進(jìn)趨勢(shì)。趨勢(shì)一快速充電普及：快充技術(shù) 百花齊放雖然
2016-12-29 17:34:39
4G的技術(shù)演進(jìn)道路及趨勢(shì)報(bào)告從現(xiàn)有技術(shù)考慮，4G有三條可能的技術(shù)演進(jìn)軌跡，但最終的趨勢(shì)將是不同的無(wú)線通信技術(shù)在NGN架構(gòu)下融合、共存，形成多層次的無(wú)線網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。2006年，在業(yè)界還在為3G牌照的歸屬猜測(cè)議論之時(shí)，4G已經(jīng)“潤(rùn)物細(xì)無(wú)聲”的走入人們的視野。[hide][/hide]
2009-12-18 16:40:24
éveloppement2016年報(bào)告，展示了SiC模塊開(kāi)發(fā)活動(dòng)的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點(diǎn)仍然存在，因?yàn)榭刂坪碗娫措娐返淖罴巡季謱?shí)踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴(kuò)展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
從本文開(kāi)始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
不具備足夠的堅(jiān)固性。當(dāng)前對(duì)大功率、高溫器件封裝技術(shù)的大量需求引起了對(duì)這一領(lǐng)域的研發(fā)熱潮?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上
2018-09-11 16:12:04
更好的散熱方式等，這些要求對(duì)未來(lái)封裝技術(shù)的發(fā)展指出了方向。傳統(tǒng)硅基模塊的封裝技術(shù)在SiC模塊中應(yīng)用存在諸多問(wèn)題，隨著基于SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料的模塊在市場(chǎng)中占比的提升，未來(lái)新型的封裝技術(shù)將重點(diǎn)聚焦降低模塊的寄生電感和提升模塊的高溫可靠性這兩個(gè)問(wèn)題。原作者：電子與封裝 杜澤晨
2023-02-27 14:22:06
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。
2019-07-30 06:18:11
未來(lái)PLC的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何？基于PLC的運(yùn)動(dòng)控制器有哪些應(yīng)用？
2021-07-05 07:44:22
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)成本的比重也在逐步提升，已達(dá)到6-7成左右，光模塊的升級(jí)勢(shì)必要跟隨數(shù)據(jù)中心的發(fā)展共同演進(jìn)。數(shù)據(jù)中心未來(lái)發(fā)展的四個(gè)假設(shè)高性能計(jì)算自從高性能計(jì)算(HPC)成為開(kāi)放云服務(wù)以來(lái)，人人可以訪問(wèn)
2020-08-07 10:27:49
`未來(lái)觸控產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)之一：高度集成性帶來(lái)低成本顯示驅(qū)動(dòng)器IC與觸控功能加以集成、整合的解決方案將是未來(lái)的發(fā)展方向。由于智能手機(jī)向中低端市場(chǎng)延伸，從市場(chǎng)形態(tài)看，觸控產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)出低成本化的特征
2019-01-07 16:49:17
`未來(lái)觸控產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)之三：整體解決方案成關(guān)鍵企業(yè)用戶對(duì)觸控產(chǎn)品的需求往往是客制化的，因此觸控廠商均致力擬制整體解決方案。受產(chǎn)品智能化與低成本化影響，觸控市場(chǎng)又表現(xiàn)出第三個(gè)發(fā)展趨勢(shì)——整體解決方案
2019-01-08 16:28:56
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)
2018-10-23 16:22:24
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
一起來(lái)漲姿勢(shì)，如題，分享一張頻率控制技術(shù)演進(jìn)的圖（圖片來(lái)源：世強(qiáng)先進(jìn)），了解下電子產(chǎn)品心臟的技術(shù)發(fā)展過(guò)程。貌似CMEMS可編程振蕩器有替代石英振蕩器的趨勢(shì)，作為一個(gè)新出現(xiàn)的技術(shù)，想問(wèn)問(wèn)壇友們，對(duì)CMEMS技術(shù)如何看？
2014-03-28 18:57:00
°C 時(shí)典型值的兩倍。采用正確封裝時(shí)，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡(jiǎn)化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開(kāi)封裝每顆有2個(gè)SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個(gè)一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過(guò)，市場(chǎng)估算，循續(xù)漸進(jìn)采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
云計(jì)算的未來(lái)趨勢(shì)是什么？新手怎么入門(mén)云計(jì)算
2019-06-19 10:35:07
都將按照自身的規(guī)律不斷發(fā)展下去。封裝中系統(tǒng)(SiP)是近年來(lái)半導(dǎo)體封裝的重要趨勢(shì)，代表著未來(lái)的發(fā)展方向。封裝中系統(tǒng)在一個(gè)封裝中集成多個(gè)形式各異、相對(duì)獨(dú)立義緊密相連的模塊以實(shí)現(xiàn)完整強(qiáng)大的功能，具有較短
2018-11-23 17:03:35
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化了散熱設(shè)計(jì)的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了75%（芯片溫度150℃時(shí)）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優(yōu)勢(shì)–高頻驅(qū)動(dòng)，不僅
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
單片機(jī)與物聯(lián)網(wǎng)的聯(lián)系,未來(lái)單片機(jī)將有怎么樣的發(fā)展趨勢(shì)？
2020-07-24 08:03:13
請(qǐng)教一下各位老師，各個(gè)移動(dòng)通信公司對(duì)于4G和5G的頻率分配是否還會(huì)有變化，未來(lái)趨勢(shì)會(huì)穩(wěn)定嗎，我是移動(dòng)號(hào)碼，為了顧及通信質(zhì)量，需要考慮手機(jī)的頻段優(yōu)勢(shì)再來(lái)選擇手機(jī)型號(hào)。謝謝了！
2023-01-25 14:01:22
本帖最后由 OpenHarmony開(kāi)發(fā)者 于 2023-8-22 16:56 編輯
本文轉(zhuǎn)載自 OpenHarmony TSC 官方《峰會(huì)回顧第7期 | 視窗繪制技術(shù)演進(jìn)和新趨勢(shì)》
演講嘉賓
2023-08-22 16:33:14
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
無(wú)面板測(cè)試儀器將成為未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)
2021-05-10 06:04:32
應(yīng)用看，未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
靈動(dòng)微對(duì)于未來(lái)MCU發(fā)展趨勢(shì)看法
2020-12-23 06:50:51
最近兩年，不知道是不是受疫情的影響，好像每個(gè)人都在聊物聯(lián)網(wǎng)，聊無(wú)接觸，聊各個(gè)行業(yè)的物聯(lián)網(wǎng)解決方案，聊物聯(lián)網(wǎng)硬件，它的未來(lái)趨勢(shì)到底怎么樣，會(huì)更傾向于哪個(gè)方面
2021-08-21 09:58:20
最近兩年，不知道是不是受疫情的影響，好像每個(gè)人都在聊物聯(lián)網(wǎng)，聊無(wú)接觸，聊各個(gè)行業(yè)的物聯(lián)網(wǎng)解決方案，聊物聯(lián)網(wǎng)硬件，它的未來(lái)趨勢(shì)到底怎么樣，會(huì)更傾向于哪個(gè)方面
2021-08-24 09:57:27
電池供電的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 06:32:42
石英振蕩器與其它電子零件同樣朝著輕薄短小演進(jìn)，已經(jīng)開(kāi)始朝向小型化方向來(lái)發(fā)展，具體包括：行動(dòng)電話使用的溫度補(bǔ)償型石英振蕩器或石英晶體，以及數(shù)位相機(jī)、筆記型電腦使用的石英晶體、 鐘表型石英振蕩器
2013-12-06 16:15:38
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
藍(lán)牙技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，在APTX后還會(huì)有怎么樣的技術(shù)革新
2019-03-29 15:56:11
的虛擬儀表版，網(wǎng)上搜了下相關(guān)圖片，確實(shí)很很帥。虛擬儀表盤(pán)是未來(lái)的趨勢(shì)么？大家怎么看？（PS：不過(guò)，搜到的最后那張圖片還是傳統(tǒng)是儀表哦——最便宜的都要2500萬(wàn)RMB的布加迪威航！其實(shí)也很帥，呵呵，看看
2014-09-25 09:43:06
蜂窩手機(jī)音頻架構(gòu)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)是什么
2021-06-08 06:31:58
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨(dú)特的共源共柵電路，常開(kāi)SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，形成常關(guān)SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25
本文詳細(xì)介紹了光收發(fā)模塊的封裝技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)。
2017-11-06 10:51:56
58 放眼未來(lái)感測(cè)技術(shù)趨勢(shì)，無(wú)論是物聯(lián)網(wǎng)或穿戴式裝置，未來(lái)感測(cè)組件仍有幾個(gè)共通趨勢(shì)，首先是系統(tǒng)多軸化，感測(cè)系統(tǒng)朝向多軸化發(fā)展，是感測(cè)應(yīng)用市場(chǎng)的重要趨勢(shì)，事實(shí)上，感測(cè)系統(tǒng)的多軸化腳步，一直沒(méi)有停止過(guò)，從早
2018-04-19 11:23:00861 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 本篇文章來(lái)自CMPE2018東莞手機(jī)展會(huì)上，聯(lián)想施總監(jiān)的主題分享：“智能終端技術(shù)演進(jìn)與未來(lái)材質(zhì)趨勢(shì)”，從歷史的角度瀏覽一下近20年智能終端技術(shù)的發(fā)展歷程；未來(lái)趨勢(shì)的發(fā)展經(jīng)會(huì)給哪些材質(zhì)帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。
2019-01-01 09:28:008911 中國(guó)移動(dòng)研究院副院長(zhǎng)黃宇紅表示：“5G與人工智能技術(shù)的深度結(jié)合并構(gòu)建開(kāi)放智慧網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)逐漸成為業(yè)界認(rèn)可的未來(lái)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)趨勢(shì)。
2019-02-27 09:38:401881 在2016年深圳舉辦的亞太電磁兼容（EMC）會(huì)議上，大會(huì)報(bào)告《干擾技術(shù)：輻射的未來(lái)》基于技術(shù)工藝的演進(jìn)、革新和突破，闡述了電磁兼容領(lǐng)域多方面的發(fā)展趨勢(shì)。
2020-07-10 17:34:082816 
在IEEE WCNC2021（IEEE 無(wú)線通信和網(wǎng)絡(luò)會(huì)議）期間，5G演進(jìn)趨勢(shì)與技術(shù)研討會(huì)成功舉辦。IEEE WCNC是IEEE在無(wú)線領(lǐng)域的全球頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議，匯聚了全球?qū)W術(shù)屆專家領(lǐng)袖和產(chǎn)業(yè)人士等共同
2021-04-08 15:34:421582 雷達(dá)是智能應(yīng)用中傳感器套件的重要一環(huán)。雷達(dá)技術(shù)正在不斷演進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn)，以及未來(lái)幾年內(nèi)可能的發(fā)展趨勢(shì)，將使更多功能集成到雷達(dá)芯片中。
2021-08-04 15:32:085939 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
PRISEMI芯導(dǎo)低電容、小封裝成為ESD保護(hù)器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
2022-07-20 17:12:421052 
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí)，通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開(kāi)關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流
2022-10-20 10:57:50777 純SiC晶體是通過(guò)Lely升華技術(shù)生長(zhǎng)的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復(fù)制的SiC晶塊生長(zhǎng)方法。
2022-12-28 11:44:13717 在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 大家好，我們都知道無(wú)論是**功率半導(dǎo)體模塊封裝設(shè)計(jì)**還是**功率變換器的母線**設(shè)計(jì)，工程師們都在力求 **雜散電感最小化** ，因?yàn)檫@樣可以有效減小器件的 **開(kāi)關(guān)振蕩及過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)** ，今天我們結(jié)合主流功率半導(dǎo)體廠商的SiC MOSFET模塊，聊一下低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設(shè)計(jì)的？
2023-01-21 15:45:00913 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因?yàn)樗哂泻侠淼臒釋?dǎo)率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573194 到： 目前Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開(kāi)封裝每顆有2個(gè)SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個(gè)一般充電器、快充電
2023-02-20 15:56:442 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來(lái)新能源汽車智能化比較長(zhǎng)期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來(lái)看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic MOsfet（技術(shù)更優(yōu)），MCU的供應(yīng)商是意法半導(dǎo)體，基本可以結(jié)論，Sic和IGBT會(huì)是未來(lái)的重點(diǎn)方向。
2023-03-24 10:18:36630 近日，賽晶首款車規(guī)級(jí)SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國(guó)紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國(guó)內(nèi)外與會(huì)專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來(lái)自高效電動(dòng)汽車模塊平臺(tái)
2023-05-31 16:49:15352 
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月13日）宣布，將于6月14日開(kāi)始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感，并集成了第二代SiC芯片，有望幫助實(shí)現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備。
2023-06-15 11:16:28750 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-23 14:33:22850 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SiC應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及趨勢(shì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-29 16:24:511 賽晶科技表示，為電動(dòng)汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
SiC與GaN的興起與未來(lái)
2023-01-13 09:06:226 市場(chǎng)空間巨大，SiC國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)加速
2023-01-13 09:07:052 SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
BOSHIDA DC電源模塊技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 隨著科技的不斷發(fā)展，DC電源模塊技術(shù)也在不斷演進(jìn)。以下是DC電源模塊技術(shù)未來(lái)發(fā)展的一些趨勢(shì)： 1. 高效能：未來(lái)DC電源模塊的效能將得到進(jìn)一步提高
2024-01-11 15:57:53145 
從行業(yè)趨勢(shì)看，SiC上車是大勢(shì)所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會(huì)上表示，將減少75%的SiC用量，一度引發(fā)SiC未來(lái)發(fā)展前景不明的猜測(cè)，但后續(xù)汽車市場(chǎng)和供應(yīng)商都用實(shí)際行動(dòng)表達(dá)了對(duì)SiC的支持。
2024-01-24 11:29:16182 
BOSHIDA ?DC電源模塊的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 未來(lái)DC電源模塊的發(fā)展趨勢(shì)可以預(yù)測(cè)如下： ?DC電源模塊的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 1. 高效能：隨著綠色能源的需求增長(zhǎng)，DC電源模塊將更加注重高效能的設(shè)計(jì)，以減少
2024-01-25 10:55:58128 
近日，在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱揚(yáng)杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。
2024-02-22 10:03:54639 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35333
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