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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破?

半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破?

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2022-08-09 10:13:161600

驗(yàn)證功率半導(dǎo)體設(shè)計的CV測量挑戰(zhàn)

對于寬帶隙功率半導(dǎo)體器件越來越重要,高壓電容-電壓 (CV) 測量可用于預(yù)測關(guān)鍵動態(tài)特性
2022-08-29 08:09:492503

第三代半導(dǎo)體“藍(lán)海”市場,對我們是挑戰(zhàn)還是機(jī)遇?

半導(dǎo)體測試也提出了更多新的挑戰(zhàn)。斯丹麥德干簧繼電器是如何在挑戰(zhàn)中發(fā)現(xiàn)新的機(jī)遇呢?第三代半導(dǎo)體SiC,GAN等需要高壓,大電流的測試,要求繼電器擁有高切換電壓和耐
2022-01-10 16:34:43698

半導(dǎo)體芯片散熱面臨挑戰(zhàn)

?半導(dǎo)體已受到熱量的限制,好的設(shè)計可以減少它,并幫助消散它。半導(dǎo)體消耗的功率會產(chǎn)生熱量,必須將熱量從設(shè)備中排出,但如何有效地做到這一點(diǎn)是一個日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。熱量是半導(dǎo)體的廢物。當(dāng)功率在設(shè)備和電線
2023-07-31 22:43:24647

聊聊功率模塊面臨高壓挑戰(zhàn)

來源:ZESTRON 隨著新能源汽車消費(fèi)熱潮到來,車規(guī)功率半導(dǎo)體的需求不斷攀升。車規(guī)功率模塊面臨挑戰(zhàn)之一就是高電壓。在高壓環(huán)境中由ECM(電化學(xué)遷移)、漏電流引起的損壞機(jī)制發(fā)生的更加頻繁,而更高壓
2023-08-21 14:17:03162

理想半導(dǎo)體開關(guān)的挑戰(zhàn)

理想半導(dǎo)體開關(guān)的挑戰(zhàn)
2023-10-26 14:50:43200

淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于,其在設(shè)計的時候,需要多一塊區(qū)域,來承擔(dān)外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比,明顯尺寸更大,這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21882

面臨挑戰(zhàn) 硅以外的半導(dǎo)體材料選擇

隨著技術(shù)的快速發(fā)展,硅作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的局限性逐漸顯現(xiàn)。探索硅的替代材料,成為了科研領(lǐng)域的重要任務(wù)。在本文中,我們將探討硅面臨挑戰(zhàn)以及可能的替代材料。
2024-01-08 09:38:36228

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