MOSFET的柵極電阻有什么關(guān)鍵作用？
2019-05-11 09:32:11
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在一周前看到在公眾號(hào)“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？ 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡(jiǎn)單結(jié)論背后不簡(jiǎn)單的問題”，對(duì)MOSFET管柵極為什么放置“一個(gè)約100Ω串聯(lián)電阻”進(jìn)行討論。
2022-07-01 14:19:006675 為了穩(wěn)定性，必須在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻嗎？
2023-03-13 10:18:05997 在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:262279 
0歐電阻的作用是什么？
2021-06-08 06:07:13
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請(qǐng)眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
在ESD電路中，采用GGMOS，柵級(jí)到地經(jīng)常會(huì)接一個(gè)電阻，請(qǐng)問有啥作用？
2018-11-15 15:25:47
通是要考慮Vgs，就像三極管的Vbe一樣，導(dǎo)通之后Vbe（Vgs）依然是不變的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極和源極間是一個(gè)反向PN結(jié)（因此導(dǎo)通電壓較BJT高些），導(dǎo)通時(shí)該P(yáng)N結(jié)反向擊穿，通過你上面說的100電阻到地，壓降還是
2012-07-04 17:34:06
通是要考慮Vgs，就像三極管的Vbe一樣，導(dǎo)通之后Vbe（Vgs）依然是不變的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極和源極間是一個(gè)反向PN結(jié)（因此導(dǎo)通電壓較BJT高些），導(dǎo)通時(shí)該P(yáng)N結(jié)反向擊穿，通過你上面說的100電阻到地，壓降還是
2012-07-06 16:19:39
相當(dāng)于一個(gè)快恢復(fù)二極管了。再看看下圖：有一些MOS管有一個(gè)叫DZ的二極管，為什么有的有，有的又沒有呢？它起什么作用呢？原來MOS管是屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷
2016-12-20 17:01:13
G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 官網(wǎng)：www.aoelectronics.com 中文網(wǎng)：www.aoelectronics.cn
2017-08-22 10:31:15
的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。
2017-06-01 15:59:30
通。我們可以通過以下方法來避免柵極電壓被誤抬升?！ 〉谝晃覀兛梢詼p少由米勒電容產(chǎn)生的對(duì)柵極電容充電的電流，由于米勒電容無法減少，所以要減少的就是漏極的電壓變化率。 它在半橋中的作用就是拉長(zhǎng)高邊Mos管
2023-03-15 16:55:58
，可以使MOS管的VT值降到2～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω?！ ?.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω?！ ?.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級(jí)別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個(gè)電流會(huì)變小呢？
2021-04-27 12:03:09
現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)?？匆娫诿總€(gè)橋臂的MOS管G極前加一個(gè)阻值不大但是功率較大的電阻同時(shí)和MOS并聯(lián)的還有一個(gè)RCD（電阻+二極管+電容）電路現(xiàn)在知道這個(gè)RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
MOS管的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
連接的二極管，它們之間的電阻很大，漏極D與源極S之間不具備導(dǎo)電的溝道，所以加任何電壓，都不會(huì)產(chǎn)生漏極電流Id。圖3 N溝道增強(qiáng)型當(dāng)將襯底B與源極S短接，在柵極G和源極S之間加正電壓，即Vgs＞0
2020-05-17 21:00:02
MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說不需要均流電阻。三極管是負(fù)溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯。現(xiàn)在
2021-01-05 18:19:30
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 08:00:00
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 07:30:00
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
關(guān)于mos管的驅(qū)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小
2019-07-26 07:00:00
管的漏極電源(VDS)隨機(jī)提供,在導(dǎo)電溝道的作用下，MOS管即刻產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流ID，引起MOS管燒壞。為了避免此現(xiàn)象產(chǎn)生，在MOS管的柵極對(duì)源極并接一只泄放電阻R1，如圖2-5-B所示，關(guān)機(jī)
2012-08-09 14:45:18
向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個(gè)部位和電阻對(duì)MOS管起到偏置作用，使之進(jìn)入飽和區(qū)。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。來源：網(wǎng)絡(luò)，如侵刪
2019-01-08 13:28:49
?！ 】墒呛芏鄬?shí)際MOS管電路中，在MOS管柵極上所串聯(lián)的電阻幾乎無處不在，似乎大家都忘記了，這個(gè)電阻存在會(huì)延長(zhǎng)MOS導(dǎo)通和截止的時(shí)間，增加無謂的損耗?！ ∧菫槭裁从行╇娐飞线€要在MOS管的柵極前放這個(gè)
2023-03-10 15:06:47
邏輯電路小白一個(gè)，求助大神電路中，二極管加RC的作用是什么？或非門級(jí)聯(lián)有什么作用？
2017-12-13 16:10:07
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
什么是壓敏電阻？壓敏電阻與氣體放電管、TVS管的區(qū)別在哪兒？壓敏電阻在防雷電路中的作用是什么？
2021-06-08 07:21:05
管偏置的極性。如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等?！ 。?）MOSMOS管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝
2020-06-28 16:41:02
不能用。 保持上述狀態(tài)；此時(shí)用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時(shí)表針指示歐姆數(shù)應(yīng)該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時(shí)是正電荷通過100K電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極
2018-11-01 15:21:31
1.直接驅(qū)動(dòng) 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護(hù)MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-11-16 11:43:43
都怕靜電； Mos開關(guān)原理（簡(jiǎn)要）：Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片
2020-06-26 13:11:45
壓敏電阻符號(hào)是什么樣子的？壓敏電阻的作用是什么？
2021-06-08 06:52:23
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開關(guān)頻率要求不高，對(duì)開關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在一張圖中，源漏相連，襯底接地，柵極接入電路中加電壓，那這個(gè)時(shí)候MOS管是有什么作用呢？那為什么要用MOS而不直接用一個(gè)電容呢？這個(gè)地方加一個(gè)MOS電容的作用是什么呢，濾波？
2021-06-24 06:28:33
圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減
2023-02-24 16:28:18
能力 將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上
2021-05-13 06:55:31
作用是在驅(qū)動(dòng)IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導(dǎo)通。在某些特殊的應(yīng)用場(chǎng)合下，比如對(duì)待機(jī)電流有限制的電池保護(hù)板，這個(gè)電阻往往取值很大甚至沒有，這樣柵極的阻抗會(huì)比較高，極易感應(yīng)比較高的靜電損壞MOS
2018-10-12 16:47:54
漏電流(IDSS)：1uA反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：600NS工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 如何判斷10N60柵極GMOS驅(qū)動(dòng)器主要起到波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：如果MOS管10N60的G
2021-10-22 17:01:01
一個(gè)開關(guān)電源問題，開關(guān)電源有個(gè)開關(guān)管MOS管的柵極上串有一個(gè)電容和一個(gè)電阻，分別起什么作用呢？降低開關(guān)管導(dǎo)通速度嗎？增加上升沿和下降沿時(shí)間嗎？那為何還要串個(gè)電容呢？
2018-06-29 11:28:43
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢？如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢？
2021-09-28 07:36:15
很多原理圖上都看到過在mos前加電容一直不明白該電容起什么作用，麻煩知道的幫忙普及下謝謝
2015-02-24 10:58:45
可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。<p></p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案`
2018-11-05 14:26:45
。 2、n型 上圖表示的是p型MOS管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過來即可。因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通，而p型的相反。 3、增強(qiáng)型 相對(duì)于耗盡型，增強(qiáng)型是通過“加厚
2019-01-03 13:43:48
新手求助五極管簾柵極電容的作用是什么？
2023-03-13 17:50:46
開關(guān)MOS管與線性MOS管的區(qū)別，1.是不是開關(guān)MOS管的只有“開”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來控制導(dǎo)通的比率?3.開關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號(hào)控制。而線性的MOS管使用模擬信號(hào)控制？
2023-03-15 11:51:44
作用是在驅(qū)動(dòng)IC損壞開路的情況下可以防止MOS管的誤導(dǎo)通。在某些特殊的應(yīng)用場(chǎng)合下，比如對(duì)待機(jī)電流有限制的電池保護(hù)板，這個(gè)電阻往往取值很大甚至沒有，這樣柵極的阻抗會(huì)比較高，極易感應(yīng)比較高的靜電損壞MOS
2018-11-28 12:08:27
。D1的作用是單向?qū)╗url=32/]，不要把基極電流分往脈沖放大電路，讓電流去接地。你明白了嗎？ 它能起到加速MOS管關(guān)斷的作用,謝謝 驅(qū)動(dòng)電阻主要是讓MOS管導(dǎo)通稍微變慢，以免過驅(qū)動(dòng)，這樣
2019-01-08 13:51:07
一.基本原理MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生電容，這是由制作工藝決定的。MOS管的開通和關(guān)斷其實(shí)就是對(duì)Cgs充放電的過程。開啟時(shí)通過柵極R1電阻對(duì)Cgs充電，充電時(shí)間常數(shù)=R1*Cgs。所以
2023-02-16 13:44:12
對(duì)MOS管是有害的。如果必須在MOS管柵極前加齊納二極管,那么可以在MOS管的柵極和齊納極管之間插入一個(gè)5~10歐的小電阻或在柵源之間接一個(gè)小電容(電容值要小于MOS管輸入電容的1/50)來消除自振蕩
2018-10-19 16:21:14
?。?)直接驅(qū)動(dòng) 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極管D1和D2是保護(hù)MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-12-24 14:39:02
擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有
2019-02-15 11:33:25
請(qǐng)問這個(gè)電壓跟隨器前加R8電阻的作用是什么呢？?jī)H僅是限流作用嗎？
2022-03-25 22:54:19
各位仙家 本人菜求解 紅外對(duì)管輸出為什么加一個(gè)上拉電阻 其原理和作用是什么？
2013-05-02 20:14:05
這個(gè)是一個(gè)升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發(fā)現(xiàn)不同的柵極電阻R6，PWM經(jīng)過R6后，波形失真很嚴(yán)重，請(qǐng)問這個(gè)R6是如何影響到后級(jí)波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經(jīng)過R6后的柵極門波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個(gè)電阻取值是的依據(jù)是什么。
2018-10-24 15:51:49
請(qǐng)問MOS管型號(hào)為NCE80H12的功能和作用是什么？幫幫孩子吧
2019-08-20 09:48:27
大家知道這個(gè)MOS管IRF7832上面的那個(gè)二極管D7是起什么作用的么？
2019-02-20 01:01:38
這個(gè)MOS管在這里的作用是什么？是不是剛上電，MOS管是導(dǎo)通的，C115和R255是充電嘛？到上電穩(wěn)壓后MOS就不導(dǎo)通了嘛？
2023-11-11 11:32:45
鋰電保護(hù)板上，在充放電MOS的兩個(gè)S端跨接一個(gè)100K電阻的作用是什么？有什么隱患？我看到有些單節(jié)或多節(jié)的保護(hù)板都有這個(gè)做法？這樣充放電保護(hù)后不是還會(huì)漏電嗎？
2018-11-08 11:13:33
就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極；這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。
2022-05-14 10:22:39
什么是上拉電阻,什么是下拉電阻？它們的作用是什么？
上拉電阻一般是一端接電源，一端接芯片管腳的電路中的電阻，下拉電阻一般是指一端接芯片管
2009-06-28 10:13:44111617 
文章介紹了MOS管柵極電阻會(huì)影響開通和關(guān)斷時(shí)的損耗，應(yīng)該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
37 我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13 這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制
2020-03-13 11:24:257907 
介紹了柵極電阻的作用。
2021-06-21 15:08:2826 我們經(jīng)?？吹?，在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？ 如上圖開關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，在MO...
2021-11-07 12:50:5930 老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-09 15:21:0019 MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作，但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:324209 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用
2022-09-27 15:29:507543 如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導(dǎo)通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2022-10-27 09:41:296147 1、如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆
2022-11-04 13:37:245239 在高壓下，PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導(dǎo)線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導(dǎo)線，柵極電壓過高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55714 第二個(gè)作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在，當(dāng)我們斷電時(shí)，由于這個(gè)寄生電容沒有放電路徑，這個(gè)MOS管還會(huì)處于一個(gè)導(dǎo)通狀態(tài)，那么我們下次上電時(shí)，這個(gè)導(dǎo)通狀態(tài)就是不受控制的，也會(huì)造成MOS管擊穿
2023-10-21 10:38:161187 
在MOSFET的柵極前增加一個(gè)電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導(dǎo)通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。
2024-04-11 12:43:29113 
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