SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET開關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲，門極驅(qū)動的設(shè)計(jì)在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">短路
2023-06-01 10:12:07
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下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19831 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:561156 
羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
2022-03-09 09:33:582696 
和熱量造成的失效。什么是dV/dt失效本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位
2022-07-26 18:06:41
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
，MOSFET的體二極管是具有pn結(jié)的二極管，因而存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，其特性表現(xiàn)為反向恢復(fù)時間（trr）。下面是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進(jìn)行1000小時的直流8A通電測試，結(jié)果如下。試驗(yàn)證明，所有特性如導(dǎo)通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。在150°C時，Si MOSFET的RDS(on) 導(dǎo)通電阻是25°C時的兩倍（典型值）；而SiC MOSFET的應(yīng)用溫度可達(dá)到200°C，甚至是更高的額定溫度，超高的工作溫度簡化
2019-07-09 04:20:19
閾值電壓穩(wěn)定性以及工藝增強(qiáng)和篩選，以確保可靠的柵極氧化物和完成器件認(rèn)證。從本質(zhì)上講，SiC社區(qū)越來越接近尋找圣杯?！ 〗裉斓?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET質(zhì)量 在過去兩年中，市售的1200 V SiC MOSFET在
2023-02-27 13:48:12
的雪崩耐用性評估方法不是進(jìn)行典型的UIS測試（這是一種破壞性測試），而是基于對SiC功率MOSFET的全面表征，以更好地了解其穩(wěn)健性。因此，在1200V160mΩSiCMOSFET上進(jìn)行重復(fù)UIS
2019-07-30 15:15:17
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
的模塊。分為由SiC MOSFET + SiC SBD構(gòu)成的類型和只由SiC MOSFET構(gòu)成的類型兩種，可根據(jù)用途進(jìn)行選擇。
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項(xiàng)，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
的模塊。分為由SiC MOSFET + SiC SBD構(gòu)成的類型和只由SiC MOSFET構(gòu)成的類型兩種，可根據(jù)用途進(jìn)行選擇。
2019-03-25 06:20:09
LLC半橋諧振電路中，根據(jù)這個諧振電容的不同聯(lián)結(jié)方式，典型LLC諧振電路有兩種連接方式，如下圖1所示。不同之處在于LLC諧振腔的連接，左圖采用單諧振電容（Cr），其輸入電流紋波和電流有效值較高，但布線簡單，成本相對較低；右圖采用分體諧振電容（C1,]LLC半橋諧振電路基本原理
2019-12-10 15:45:35
前言??上篇中詳細(xì)闡述了經(jīng)典的自抗擾控制算法的原理，本篇將圍繞兩種ADRC算法展開，針對擴(kuò)張狀態(tài)觀測器的參數(shù)整定問題進(jìn)行詳解，同時，對跟蹤微分器的幾個重要應(yīng)用進(jìn)行介紹。兩種典型的ADRC算法??自抗
2021-09-07 08:02:01
AMC1200后工作正常。2）失效的兩顆AMC1200用在同一臺機(jī)器中，用于電流采樣，該項(xiàng)目AMC1200單機(jī)用量為2Pcs。3）失效現(xiàn)象：隔離兩側(cè)擊穿，兩側(cè)電源，輸入輸出均已短路。同側(cè)端的電源和地也
2019-02-27 10:43:39
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
在開機(jī)以及過載時的一個主要失效模式，這個話題有文章有講過，但是很多工程師并沒有刻意去了解過，今天再用中文總結(jié)一下。對于小功率的LLC，多以半橋?yàn)橹?，簡單的示意圖如下。 兩種工況，先看剛開機(jī)的情況，剛上
2016-12-12 15:26:49
的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對兩個波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
，ID為40A，具體參數(shù)可到羅姆官網(wǎng)下載datsheet，這里不多余介紹。評估板上默認(rèn)是沒有焊接SIC MOSFET的，預(yù)留了兩種不同封裝的孔位。羅姆推薦評估的是TO-247-4L封裝的，那么我也同樣先
2020-05-09 11:59:07
在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以
2018-08-15 17:06:21
包括：靜電、電流和溫度。靜電放電可釋放瞬間超高電壓，給LED芯片帶來很大的危害，ESD導(dǎo)致的LED芯片失效分為軟失效和硬失效兩種模式。由靜電帶來的高電壓/電流導(dǎo)致LED芯片短路成為硬失效模式。LED芯片
2018-02-05 11:51:41
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家講的是嵌入式開發(fā)里的project文件。前面兩節(jié)課里，痞子衡分別給大家介紹了嵌入式開發(fā)中的兩種典型input文件：源文件(.c/....
2022-02-16 06:19:49
模型并建立篩選機(jī)制來消除潛在的失效可能***）。除了TDDB外，當(dāng)正常器件使用時，由于半導(dǎo)體-氧化界面處缺陷的產(chǎn)生或充放電，SiC MOSFET的閾值電壓會有漂移現(xiàn)象，閾值電壓的漂移可能對器件長期運(yùn)行
2022-03-29 10:58:06
。目前，ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類型。以下整理了現(xiàn)有機(jī)型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
一些過壓，過流和過載工況下，功率MOS很容易損壞，從而造成整個驅(qū)動板的失效，甚至存在起火的風(fēng)險(xiǎn)。本文提出兩個冗余驅(qū)動線路，可以有效避免MOS單點(diǎn)失效的負(fù)面影響。圖1：典型的有刷電動工具驅(qū)動系統(tǒng)如圖2所示
2022-11-04 06:51:34
模式，第二種是短路模式。開路模式主要發(fā)生在MOV流過遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出自身承受的浪涌電流時，通常表現(xiàn)為氧化鋅壓敏電阻本體炸裂，但這種模式不會引起燃燒現(xiàn)象。短路模式大體上可分為老化失效和暫態(tài)過電壓破壞兩種
2016-01-13 11:29:04
` 誰來闡述一下雙絞線分為哪兩種？`
2020-03-16 17:03:31
` 誰知道雙絞線分為哪兩種？`
2019-12-31 15:53:14
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的模塊。分為由SiC MOSFET + SiC SBD構(gòu)成的類型和只由SiC MOSFET構(gòu)成的類型兩種，可根據(jù)用途進(jìn)行選擇。
2019-03-12 03:43:18
SiC MOSFET器件芯片部分出現(xiàn)電學(xué)失效現(xiàn)象：共16個器件，其中5個正常，11個失效。其中失效情況：芯片漏電，及部分芯片燒毀，送測樣品圖如下：金鑒工程師隨機(jī)抽取其中一個漏電失效MOS管器件芯片樣品進(jìn)行
2018-11-02 16:25:31
晶體具有兩種諧振模式：串聯(lián)(兩個頻率中的低頻率)和并聯(lián)(反諧振，兩個頻率中的高頻率)。所有在振蕩電路中呈現(xiàn)純阻性時的晶體都表現(xiàn)出兩種諧振模式。在串聯(lián)諧振模式中，動態(tài)電容的容抗Cm、感抗Lm相等且極性
2019-05-29 08:10:57
有沒有智能電表方面的高手??？我想請教下，智能電表中的電子元器件一般會出現(xiàn)一些什么樣的失效現(xiàn)象？失效原因一般是什么？非常感謝。
2013-03-08 10:11:21
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長方法。其溝槽星結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢如下（圖片來源網(wǎng)絡(luò)）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。相比GAN, 它的應(yīng)用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
，隔離故障，系統(tǒng)功能正常。本文給出兩種MOS的冗余驅(qū)動線路，可以有效避免MOS單點(diǎn)故障造成的影響，在MOS的DS、GD、GS、GDS短路等條件下，雙管冗余驅(qū)動可以保證系統(tǒng)功能正常，阻斷故障點(diǎn)的擴(kuò)大。同時四管冗余驅(qū)動，可以保證系統(tǒng)在MOS的任意單點(diǎn)故障下，隔離故障，系統(tǒng)功能正常。
2022-01-18 07:00:00
的一半。開關(guān)損耗是另一個可以優(yōu)化的部分，如［3］所示。為了驅(qū)動 ［3］ 中的 SiC MOSFET，使用了 STGAPxx MOSFET 驅(qū)動器。STGAPxx MOSFET驅(qū)動器有兩種不同的規(guī)格，如圖3
2023-02-24 15:03:59
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設(shè)計(jì)角度首先對在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設(shè)計(jì)中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力?？梢岳闷骷旧淼倪@一特性，在驅(qū)動設(shè)計(jì)中考慮短路保護(hù)功能，提高系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 10:09:3825161 
LED燈珠是一個由多個模塊組成的系統(tǒng)。每個組成部分的失效都會引起LED燈珠失效。 從發(fā)光芯片到LED燈珠，失效模式有將近三十種，如表1，LED燈珠的失效模式表所示。這里將LED從組成結(jié)構(gòu)上分為芯片和外部封裝兩部分。 那么， LED失效的模式和物理機(jī)制也分為芯片失效和封裝失效兩種來進(jìn)行討論。
2018-07-12 14:34:007910 阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統(tǒng)的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。
2020-06-15 14:19:403763 近年來，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應(yīng)力下會產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:00
6 雖然如今設(shè)計(jì)的典型工業(yè)級IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時間，但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOSFET的一個基本缺陷。但通過更為詳細(xì)的背景分析
2021-01-26 16:07:334734 
本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對比定位效果，然后用FIB做定點(diǎn)截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。
2021-07-16 10:24:361573 MOSFET的失效機(jī)理 本文的關(guān)鍵要點(diǎn) ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:072571 dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:223960 
我們都知道，IGBT發(fā)生短路時，需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會因?yàn)檫^熱而失效。而SiC MOSFET的固有短路能力較小，根本原因也是因?yàn)闊?，是在?b class="flag-6" style="color: red">短路事件前后的溫度分布不合理！
2022-08-07 09:55:312678 由于其極低的開關(guān)損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)用解決方案時，它們的短路魯棒性長期以來一直是討論的話題。
2022-08-09 09:39:511009 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201070 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29506 在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23354 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20316 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032176 
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08865 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:103050 
、線路短路等，但最終的失效都可歸結(jié)為電擊穿和熱擊穿兩種，其中電擊穿失效的本質(zhì)也是溫度過高的熱擊穿失效。目前對IGBT芯片失效的研究主要集中在對引起失效的各種外部因素，如過電壓、過電流、過溫等進(jìn)行分析上，
2023-02-22 15:05:4321 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18447 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0480 MOSFET等開關(guān)器件可能會受各種因素影響而失效。因此，不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件，還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機(jī)理。
2023-03-20 09:31:07675 IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT）
2023-05-30 11:27:261612 
想象一個場景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關(guān)我開，你開我關(guān)
2023-05-30 11:35:072232 
樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結(jié)合器件結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應(yīng)力等。一、界面空洞引發(fā)TVS二極管短路的典型的原因是管芯與
2022-05-09 11:32:143087 
電機(jī)繞組發(fā)生匝間短路，會有以下現(xiàn)象：
2023-07-24 11:00:331109 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071173 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21542 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26182 保護(hù)器件過電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45321 
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。
2023-12-05 17:14:30355 怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復(fù)雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52293 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13783 
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