恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF
2011-08-16 08:51:27
1163 的選擇選型之前我們要清楚MOS管的原理：MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式，即N溝道型和P溝道型，結(jié)構(gòu)不一樣，使用的電壓極性也會(huì)不一樣，因此，在確定選擇哪種產(chǎn)品前，首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。MOS管
2023-02-17 14:12:55
通過向柵極施加正電壓來控制漏極電流。N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區(qū)域位于源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
場(chǎng)效應(yīng)晶體管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOS）、平面雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Planar MOS）和溝槽雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Trench MOS）。N溝道的橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET結(jié)構(gòu)圖1列出這二種溝道功率MOSFET的結(jié)構(gòu)，都是溝槽型Trench結(jié)構(gòu)。從結(jié)構(gòu)上來看，襯底都是漏極D，但半導(dǎo)體的類型不同：N溝道的漏極是N型半導(dǎo)體，P溝道的漏極是P型半導(dǎo)體。當(dāng)N溝道
2016-12-07 11:36:11
`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據(jù)不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
的分類還沒結(jié)束，每種類型的管子又可分為N型管和P型管，所以說場(chǎng)效應(yīng)晶體管下面可以分為6種類型的管子，分別是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道增強(qiáng)型
2019-04-15 12:04:44
頻率范圍內(nèi)的線性大信號(hào)輸出級(jí)。產(chǎn)品型號(hào)：MRF154產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡(jiǎn)單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成，形成一個(gè)簡(jiǎn)單的pn結(jié)。而晶體管是通過背靠背連接兩個(gè)二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性等優(yōu)勢(shì)。n具有中等功率能力的無鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級(jí)聯(lián)連接?！ GBT將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管有兩種基本配置：N 溝道 JFET 和 P 溝道 JFET。N 溝道 JFET 的溝道摻雜有施主雜質(zhì)，這意味著流過溝道的電流以電子形式為負(fù)（因此稱為 N 溝道）。這些晶體管有 P
2023-08-02 12:26:53
電流密切相關(guān)。晶體管的實(shí)際功耗在使用時(shí)不允許超過PCM值，否則，晶體管會(huì)因過載而損壞。耗散功率PCM小于1W的晶體管通常稱為低功率晶體管，等于或大于1W。小于5W的晶體管稱為中等功率晶體管，PCM等于或
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
的微小變化非常敏感。由于這個(gè)原因，達(dá)林頓通常用于觸摸和光傳感器。光電達(dá)林頓專為光敏電路而設(shè)計(jì)?！ ≥敵鰝?cè)通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶體管，它可以控制電機(jī)，電源逆變器和其他大電流設(shè)備。中等功率
2023-02-16 18:19:11
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管?！ 螛O型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例說明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成?！ D2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
二次擊穿現(xiàn)象，安全工作區(qū)域?qū)挼忍攸c(diǎn)，主要分為兩種：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET)和絕緣棧型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET)。對(duì)N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管2N3370的輸出特性進(jìn)行分析。對(duì)N溝道增強(qiáng)型MOSFET2N7000的輸出特性進(jìn)行仿真
2012-08-03 21:44:34
MOS管在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。電路符號(hào)G,D,S極怎么區(qū)分G極是比較好
2023-02-10 16:27:24
，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全
2011-12-19 16:30:31
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
一個(gè)級(jí)聯(lián)，功率器件是JFET，級(jí)聯(lián)中的下部晶體管是MOSFET。級(jí)聯(lián)碼的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)不可訪問，與IGBT相同。因此，只能影響打開，而不能影響關(guān)閉！可以快速關(guān)閉柵極處的MOSFET，但器件的關(guān)斷方式不會(huì)
2023-02-20 16:40:52
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
和功率密度方面的性能越好。此外，GaN功率晶體管具有在AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)上形成的橫向二維電子氣體（2DEG）通道，該異質(zhì)結(jié)沒有固有的雙極體二極管。無體二極管意味著沒有Qrr，這意味著由于MOSFET
2023-02-27 09:37:29
和工作原理電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時(shí)又有耗盡型和增強(qiáng)型之分。在電力電子裝置中，主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)型。電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS管相同，但結(jié)構(gòu)有
2020-03-20 17:09:10
: IXFX32N80 晶體管類型: 1 N-Channel 商標(biāo): IXYS 產(chǎn)品類型: MOSFET 上升時(shí)間: 300 ns 工廠包裝數(shù)量: 30 子類別: MOSFETs 單位重量: 38 g
2020-03-05 11:01:29
用于射頻和微波系統(tǒng)的超緊湊型可調(diào)諧MMIC濾波器
2019-05-20 17:24:24
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
型結(jié)構(gòu)，如圖所示。絕緣門/雙極性晶體管我們可以看到，絕緣柵雙極性晶體管是一個(gè)三端子，跨導(dǎo)器件，結(jié)合了絕緣柵 n 溝道 MOSFET 輸入和 PNP 雙極性晶體管輸出相連的一種達(dá)靈頓配置。因此，端子被
2022-04-29 10:55:25
的柵極端子提供了更多的-ve電壓，那么該MOSFET將在源極 - 漏極端子上傳導(dǎo)更少和更少的電流。一旦柵極電壓達(dá)到某個(gè)-ve電壓閾值，它就會(huì)關(guān)閉晶體管。因此，-ve電壓關(guān)閉晶體管。漏極特性1、N溝道耗盡
2022-09-13 08:00:00
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡(jiǎn)單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
是溝道區(qū)，n+區(qū)是漏區(qū)。對(duì)于p型TFET來說，p+區(qū)是漏區(qū)，i區(qū)是溝道區(qū)，n+區(qū)是源區(qū)。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么----隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
SPTECH硅NPN功率晶體管2N5240規(guī)格書.pdf
2021-12-28 11:22:14
8 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BC54PA-Q_SER
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2023-02-21 19:14:542 80 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BCP53_BCX53_BC53PA
2023-02-21 19:15:121 80 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BCP53H_SER
2023-02-23 19:17:410 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《80 V，1 A PNP中等功率晶體管BC53xPAS系列數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-19 10:24:040
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