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電子發(fā)燒友網(wǎng)>軍用/航空電子>美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應(yīng)用提供無(wú)與倫比的高功率性能

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應(yīng)用提供無(wú)與倫比的高功率性能

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GaN晶體管與其驅(qū)動(dòng)器的封裝集成實(shí)現(xiàn)高性能

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2022-08-12 09:42:07

RF功率晶體管耐用性的三個(gè)電氣參數(shù)驗(yàn)證

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2019-06-26 07:11:37

RF功率器件特性與建模

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2018-01-25 11:27:53

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

彩色電視機(jī)中使用的行輸出屬于反壓大功率晶體管,其最高反向電壓應(yīng)大于或等于1200V,耗散功率應(yīng)大于或等于50W,最大集電極電流應(yīng)大于或等于3.5A(大屏幕彩色電視機(jī)行輸出的耗散功率應(yīng)大于或等于60W
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功率電動(dòng)機(jī)各種元件給設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)

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CGH40010F晶體管簡(jiǎn)介

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2020-12-15 15:06:50

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CGHV40030氮化鎵(GaN電子遷移率晶體管

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2020-02-24 10:48:00

CGHV40180 L波段功率放大器CREE

事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵電子遷移率晶體管最低頻率(MHz):0最高頻率(MHz):2000最高值輸出功率(W):200增益值(分貝):24.0效率(%):70額定電壓(V):27類(lèi)型:封裝分立晶體管封裝類(lèi)別:法蘭盤(pán)、丸狀技術(shù)應(yīng)用:GaN-on-SiC
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CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵電子遷移率晶體管CREE

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CGHV96100F2晶體管

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CGHV96100F2氮化鎵(GaN電子遷移率晶體管

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CHZ9012-QFA功率放大器

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CMPA801B025F氮化鎵(GaN電子遷移率 基于晶體管

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。MACOM的功率連續(xù)波和線性晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、長(zhǎng)脈沖雷達(dá)、工業(yè)、科研、以及醫(yī)療領(lǐng)域。我們的產(chǎn)品線借助于MACOM六十多年的技術(shù)傳承,運(yùn)用硅基氮化鎵(GaN on Si)技術(shù),提供標(biāo)準(zhǔn)
2017-08-14 14:41:32

MACOM:GaN在無(wú)線基站中的應(yīng)用

。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過(guò)高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)。基于氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
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化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極。產(chǎn)品型號(hào):NPT2020產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
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NPTB00025B射頻功率晶體管介紹

和醫(yī)療應(yīng)用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過(guò)60年的傳統(tǒng),即使用GaN-on-Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
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ON安森美功率應(yīng)用TO247封裝IGBT單

功率MOSFET,從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級(jí)聯(lián)連接?! GBT將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25

PH1214-220M脈沖功率晶體管現(xiàn)貨

,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤(pán)。 我們的功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備,通信,網(wǎng)絡(luò),雷達(dá)以及工業(yè),科學(xué)
2018-05-21 15:49:50

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

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2018-07-06 09:46:43

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

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2018-07-06 09:47:57

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管

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2018-07-13 14:16:37

PH1214-220M雷達(dá)脈沖功率晶體管現(xiàn)貨

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2018-11-12 11:02:34

QPD1004氮化鎵晶體管

的離散GaN-on-SiC HEMT運(yùn)行30至1200 MHz的50 V供電軌。集成輸入匹配網(wǎng)絡(luò)使寬帶增益和功率性能,而輸出可以在板上匹配,以優(yōu)化功率和效率的任何區(qū)域內(nèi)的樂(lè)隊(duì)。產(chǎn)品型號(hào): QPD1004
2018-07-30 15:25:55

QPD1008L功率晶體管銷(xiāo)售

的125 W(P3dB)寬帶無(wú)與倫比的分立GaN,工作頻率范圍DC至3.2 GHz,電源電壓50V 產(chǎn)品名稱(chēng):RF功率晶體管QPD1008L 產(chǎn)品特征頻率范圍:DC- 3.2GHz輸出功率(P3dB
2019-05-13 16:40:46

QPD1020射頻功率晶體管

QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1020是30 W(p3db),50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12

SGNE045MK晶體管

`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT具有50V工作電壓的功率L波段放大器提供了高效率,易于匹配,更高的一致性和更寬的帶寬,并為您提供了更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是電壓的低
2021-03-30 11:32:19

T2G6003028-FS射頻功率晶體管銷(xiāo)售

電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào):T2G6003028-FS產(chǎn)品名稱(chēng):射頻功率晶體管T2G6003028-FS產(chǎn)品特性頻率:直流至6千兆赫輸出功率(p3db):30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48

TGF2954碳化硅晶體管銷(xiāo)售

TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報(bào)價(jià)TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58

TGF2977-SM氮化鎵晶體管

、測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào): TGF2977-SM產(chǎn)品名稱(chēng):氮化鎵晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍:直流- 12 GHz輸出功率(p3db):6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15

什么是GaN透明晶體管?

的肖特基勢(shì)壘高度0.7eV,略高于0.62eV?! ∥覀兊墓ぷ髦貜?qiáng)調(diào)了透明氮化鎵晶體管的潛力。為了促進(jìn)其發(fā)展,我們還將進(jìn)一步優(yōu)化透明歐姆接觸和降低接觸電阻。這可能會(huì)引導(dǎo)誕生出具有優(yōu)良射頻或功率性能
2020-11-27 16:30:52

什么是RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59

什么是晶體管 晶體管的分類(lèi)及主要參數(shù)

晶體管,鍺PNP晶體管,硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?!芳夹g(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝,晶體管可分為擴(kuò)散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當(dāng)前容量根據(jù)目前的容量,晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管
2023-02-03 09:36:05

什么是基于SiCGaN功率半導(dǎo)體器件?

元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?! 』?SiCGaN功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

什么是達(dá)林頓晶體管

  達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11

低功耗SiC二極實(shí)現(xiàn)最高功率密度

相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極采用全新的技術(shù),提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19

在電源上加了一個(gè)二極整流使原來(lái)的功率由1500W降到750W,但是EMC電流諧波測(cè)試過(guò)不了,怎么辦?

在電源上加了一個(gè)二極整流使原來(lái)的功率由1500W降到750W,但是EMC電流諧波測(cè)試過(guò)不了,怎么辦
2018-06-02 11:16:19

如何提高微波功率晶體管可靠性?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

森美半導(dǎo)體智能功率模塊(IPM)及易于采用的工具和仿真支持

Lee650V 增強(qiáng)模式(E-Mode)氮化鎵電子遷移率晶體管(HEMT)在1 MHz開(kāi)關(guān)用于旅行適配器應(yīng)用Ann Starks分立的1200V SiC MOSFET – 表面貼裝(SMD)封裝的優(yōu)勢(shì)和功率
2018-10-30 09:06:50

射頻功率晶體管究竟有多耐用?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27

意法半導(dǎo)體推出功能豐富的電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,碳化硅或硅功率晶體管提供更好控制和保護(hù)

位功能,可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁?b class="flag-6" style="color: red">SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專(zhuān)用引腳,設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25

標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)/二次擊穿/損耗

1000 V類(lèi)型,一些日本制造商提供1700V,但缺點(diǎn)是芯片尺寸隨電壓增加。除了大型芯片的成本外,它們的電容也變得過(guò)高?! ?、二次擊穿  另一個(gè)問(wèn)題是存在與輸出并聯(lián)的寄生NPN雙極晶體管。制造商吹捧
2023-02-20 16:40:52

概述晶體管

的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管功率晶體管,一般功率晶體管功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

換向故障損壞??傊?,與用于LLC拓?fù)鋺?yīng)用的Si和SiC晶體管相比,GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價(jià)值。
2023-02-27 09:37:29

氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)

的X-GaN柵極驅(qū)動(dòng)器。X-GaN驅(qū)動(dòng)器IC針對(duì)高達(dá)2 MHz的開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,并提供了解鎖晶體管全部性能的簡(jiǎn)便方法。除了優(yōu)化的柵極控制端子外,還提供了額外的集成功能 - 例如用于(可選)產(chǎn)生負(fù)
2023-02-27 15:53:50

消費(fèi)類(lèi)電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管

)使用,ASR用于監(jiān)視和控制在機(jī)場(chǎng)大約100英里范圍的飛機(jī)?!   ≡?.7至2.9GHz頻段上,2729GN-500晶體管具有無(wú)與倫比的500W峰值功率、12dB功率增益和53%漏極效率功能,經(jīng)過(guò)單一器件
2012-12-06 17:09:16

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN晶體管

和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來(lái)自意法半導(dǎo)體的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一種基于 GaN 晶體管功率轉(zhuǎn)換器,
2022-06-15 11:43:25

電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

`  引言  在功率變換器應(yīng)用中,寬帶隙(WBG)技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中,提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。電壓(600V)氮化鎵(GaN電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaNSiC如何撬動(dòng)新型功率器件

遷移率低的問(wèn)題,且能很好地與MOS器件工藝兼容。研究出的SiCBCMOS器件遷移率達(dá)到約720cm2/(V·s);SiC雙極晶體管(BJT)在大功率應(yīng)用時(shí)優(yōu)勢(shì)明顯;經(jīng)研究得到了擊穿電壓1.677kV。開(kāi)
2017-06-16 10:37:22

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

,典型能效55%,P1dB輸出功率700瓦,增益16dB,并具備低熱阻特性?! ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管,額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26

非線性模型如何幫助進(jìn)行GaN PA設(shè)計(jì)?

未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散(除非晶體管的效率100%)。· 因此,GaN 晶體管變得非常熱,熱管理成為重要的設(shè)計(jì)考慮因素。幸運(yùn)的是,碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07

CGHV40180F氮化鎵 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無(wú)與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時(shí)寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化鎵 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無(wú)與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時(shí)寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17

CHK8101-SYC 是一款無(wú)與倫比電子遷移率晶體管

United Monolithic Semiconductors 的 CHK8101-SYC 是一款無(wú)與倫比電子遷移率晶體管 (HEMT),工作頻率 DC 至 6 GHz。它提供超過(guò) 15 W
2022-09-07 14:37:30

美高森美提供S波段RF功率晶體管系列新品

美高森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術(shù)的射頻 RF 晶體管系列,新型的S波段500W RF器件2729GN-500,主要應(yīng)用在大功率空中交通的機(jī)場(chǎng)管制及雷達(dá)監(jiān)視等應(yīng)用。
2012-11-30 10:10:10690

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前,射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵(GaN晶體管,所有產(chǎn)品均超越地面移動(dòng)市場(chǎng)要求。
2013-06-09 10:18:371842

功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能指南

這篇文章的目的是提供一個(gè)指南,高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:1123

高效率750W射頻功率晶體管可實(shí)現(xiàn)更緊湊的功率放大器設(shè)計(jì)

荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%,為同類(lèi)最佳,其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:06965

Ampleon推出750W射頻功率晶體管 可減少定輸出功率所用能量

埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%,為同類(lèi)最佳,其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:172639

UMS毫米波內(nèi)部匹配GAN功率晶體管

雷達(dá)系統(tǒng)中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業(yè)服務(wù)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備和國(guó)防軍事用途的電路和系統(tǒng)中的各種應(yīng)用。它們都通過(guò)寬帶gap?GaN半導(dǎo)體材料的作用,在小封裝中產(chǎn)生高功率密度和高輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14395

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