移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)RF晶體管
2018-03-21 16:37:10
12515 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/4C/00/o4YBAFqyGdSAQUTIAAAx6cYCApo834.png)
埃賦隆半導(dǎo)體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
2019-04-09 08:48:22
1586 的地方。作為一種寬帶隙晶體管技術(shù),GaN正在創(chuàng)造一個(gè)令人興奮的機(jī)會(huì),以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢(shì)為工程師開(kāi)啟了重新考慮功率密度的方法,這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn),如今能滿足世界
2022-11-14 07:01:09
作者: 德州儀器設(shè)計(jì)工程師謝涌;設(shè)計(jì)與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
能夠在高輸出功率電平下承受?chē)?yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
為滿足晶體管用戶的需求,有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無(wú)線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言,為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求,有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無(wú)線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言,為這些
2019-07-09 08:17:05
MOSFET晶體管必須在較高的柵極電壓下工作,考慮到后者必須具有快速的dV / dt才能實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。為了滿足下一代MOSFET的嚴(yán)格要求,RECOM推出了各種轉(zhuǎn)換器,專(zhuān)門(mén)為SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展,性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始,將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn),但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。< 相關(guān)產(chǎn)品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
IC、電源控制器和高集成度嵌入式處理器, 將能管理復(fù)雜的多電平、多級(jí)功率回路,從而正確發(fā)揮新一代 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)?!狝DI公司再生能源戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Stefano
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
Transistor : 絕緣柵極雙極型晶體管)等少數(shù)載流子器件(雙極型器件),但是卻存在開(kāi)關(guān)損耗大 的問(wèn)題,其結(jié)果是由此產(chǎn)生的發(fā)熱會(huì)限制IGBT的高頻驅(qū)動(dòng)。SiC材料卻能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的多數(shù)
2019-07-23 04:20:21
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
彩色電視機(jī)中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管,其最高反向電壓應(yīng)大于或等于1200V,耗散功率應(yīng)大于或等于50W,最大集電極電流應(yīng)大于或等于3.5A(大屏幕彩色電視機(jī)行輸出管的耗散功率應(yīng)大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
電路的設(shè)計(jì)帶來(lái)了許多新問(wèn)題。本文以高功率晶體管MRF154放大器設(shè)計(jì)為例,對(duì)匹配電路中片狀電容器進(jìn)行分析,給出它的等效電路及放大器的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
2019-07-04 07:15:45
效率低下,發(fā)熱嚴(yán)重。GaN HEMT(氮化鎵晶體管)可以替代高壓高頻電動(dòng)機(jī)應(yīng)用中的MOSFET和IGBT器件,這類(lèi)參數(shù)比較寬的半導(dǎo)體器件為大功率密度電動(dòng)機(jī)開(kāi)辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域,它們可以處理更高的電壓、電流
2019-07-16 20:43:13
更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與Si和GaAs晶體管相比,GaN HEMT提供更高的功率密度和更寬的帶寬。15 W典型PSAT28 V操作高擊穿電壓高溫運(yùn)行高達(dá)8 GHz的運(yùn)行
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無(wú)與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專(zhuān)為高效率,高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz):0最高頻率(MHz):2000最高值輸出功率(W):200增益值(分貝):24.0效率(%):70額定電壓(V):27類(lèi)型:封裝分立晶體管封裝類(lèi)別:法蘭盤(pán)、丸狀技術(shù)應(yīng)用:GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的導(dǎo)熱性。與Si和GaAs晶體管相比,GaN HEMT提供更高的功率密度和更寬的帶寬。65%的典型功率附加效率40 W典型PSAT50 V操作高擊穿電壓
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN內(nèi)匹配(IM)場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比,提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
產(chǎn)品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4功率(W) 65歲PAE(%) 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
輸出晶體管大小,以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優(yōu)勢(shì),因?yàn)槲覀兡軌虼蠓?jiǎn)化輸出合成器、減少損耗,因而可以提高效率,減小芯片尺寸,如圖2所示。因此,我們能夠?qū)崿F(xiàn)更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉(zhuǎn)向
2018-10-17 10:35:37
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100%屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類(lèi)模式工作時(shí),該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類(lèi)模式工作時(shí),該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管,專(zhuān)為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類(lèi)模式運(yùn)行時(shí),此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專(zhuān)為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管,該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時(shí)帶寬上。 在C類(lèi)模式下工作時(shí),該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
材料生長(zhǎng)和加工技術(shù)的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國(guó)和英國(guó)的每個(gè)機(jī)場(chǎng)部署先進(jìn)的空中交通管制雷達(dá)系統(tǒng)。從那時(shí)起,我們每年都有這種經(jīng)驗(yàn),而今天,Integra為雷達(dá)應(yīng)用提供廣泛的高功率晶體管產(chǎn)品組合
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過(guò)80%的效率,并利用GaN-on-SiC,Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件,從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專(zhuān)為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年,是一家通過(guò)ISO 9001:2008認(rèn)證的射頻功率晶體管,托盤(pán)和高功率放大器(HPA)認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS
2019-05-20 09:16:24
和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào):IGN2856S40產(chǎn)品名稱(chēng):晶體管IGN2856S40產(chǎn)品特性SiC HEMT技術(shù)中的GaN500瓦輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)匹配內(nèi)阻抗100%高功率射頻測(cè)試負(fù)柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管,指定用于AB類(lèi)操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率,最小40W的峰值脈沖功率,50V和3%的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過(guò)芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
9001:2008認(rèn)證的射頻功率晶體管,托盤(pán)和高功率放大器(HPA)認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
。MACOM的高功率連續(xù)波和線性晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、長(zhǎng)脈沖雷達(dá)、工業(yè)、科研、以及醫(yī)療領(lǐng)域。我們的產(chǎn)品線借助于MACOM六十多年的技術(shù)傳承,運(yùn)用硅基氮化鎵(GaN on Si)技術(shù),提供標(biāo)準(zhǔn)
2017-08-14 14:41:32
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過(guò)高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)。基于氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專(zhuān)為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計(jì)的最低雜散電感封裝之一,具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊,在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下,提供從
2018-10-23 16:22:24
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類(lèi)二極管。產(chǎn)品型號(hào):NPT2020產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
和醫(yī)療應(yīng)用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過(guò)60年的傳統(tǒng),即使用GaN-on-Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
的功率MOSFET,從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級(jí)聯(lián)連接?! GBT將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤(pán)。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備,通信,網(wǎng)絡(luò),雷達(dá)以及工業(yè),科學(xué)
2018-05-21 15:49:50
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤(pán)。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備,通信,網(wǎng)絡(luò),雷達(dá)以及工業(yè),科學(xué)
2018-07-06 09:46:43
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤(pán)。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備,通信,網(wǎng)絡(luò),雷達(dá)以及工業(yè),科學(xué)
2018-07-06 09:47:57
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤(pán)。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備,通信,網(wǎng)絡(luò),雷達(dá)以及工業(yè),科學(xué)和醫(yī)療
2018-07-13 14:16:37
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤(pán)。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備,通信,網(wǎng)絡(luò),雷達(dá)以及工業(yè),科學(xué)和醫(yī)療
2018-11-12 11:02:34
的離散GaN-on-SiC HEMT運(yùn)行30至1200 MHz的50 V供電軌。集成輸入匹配網(wǎng)絡(luò)使寬帶增益和功率性能,而輸出可以在板上匹配,以優(yōu)化功率和效率的任何區(qū)域內(nèi)的樂(lè)隊(duì)。產(chǎn)品型號(hào): QPD1004
2018-07-30 15:25:55
的125 W(P3dB)寬帶無(wú)與倫比的分立GaN,工作頻率范圍為DC至3.2 GHz,電源電壓為50V 產(chǎn)品名稱(chēng):RF功率晶體管QPD1008L 產(chǎn)品特征頻率范圍:DC- 3.2GHz輸出功率(P3dB
2019-05-13 16:40:46
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1020是30 W(p3db),50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率,易于匹配,更高的一致性和更寬的帶寬,并為您提供了更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是高電壓的低
2021-03-30 11:32:19
電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào):T2G6003028-FS產(chǎn)品名稱(chēng):射頻功率晶體管T2G6003028-FS產(chǎn)品特性頻率:直流至6千兆赫輸出功率(p3db):30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報(bào)價(jià)TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
、測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào): TGF2977-SM產(chǎn)品名稱(chēng):氮化鎵晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍:直流- 12 GHz輸出功率(p3db):6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
的肖特基勢(shì)壘高度為0.7eV,略高于0.62eV?! ∥覀兊墓ぷ髦貜?qiáng)調(diào)了透明氮化鎵晶體管的潛力。為了促進(jìn)其發(fā)展,我們還將進(jìn)一步優(yōu)化透明歐姆接觸和降低接觸電阻。這可能會(huì)引導(dǎo)誕生出具有優(yōu)良射頻或功率性能
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
晶體管,鍺PNP晶體管,硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?!芳夹g(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝,晶體管可分為擴(kuò)散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當(dāng)前容量根據(jù)目前的容量,晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
在電源上加了一個(gè)二極管整流使原來(lái)的功率由1500W降到750W,但是EMC電流諧波測(cè)試過(guò)不了,怎么辦
2018-06-02 11:16:19
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
Lee650V 增強(qiáng)模式(E-Mode)氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在1 MHz開(kāi)關(guān)用于旅行適配器應(yīng)用Ann Starks分立的1200V SiC MOSFET – 表面貼裝(SMD)封裝的優(yōu)勢(shì)和高功率
2018-10-30 09:06:50
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
位功能,可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁?b class="flag-6" style="color: red">SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專(zhuān)用引腳,為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
1000 V類(lèi)型,一些日本制造商提供1700V,但缺點(diǎn)是芯片尺寸隨電壓增加。除了大型芯片的高成本外,它們的電容也變得過(guò)高?! ?、二次擊穿 另一個(gè)問(wèn)題是存在與輸出并聯(lián)的寄生NPN雙極晶體管。制造商吹捧
2023-02-20 16:40:52
的IC。2. 按功率分類(lèi)主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。ROHM的小信號(hào)晶體管可以說(shuō)是業(yè)界第一的。小信號(hào)晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞??傊?,與用于LLC拓?fù)鋺?yīng)用的Si和SiC晶體管相比,GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價(jià)值。
2023-02-27 09:37:29
的X-GaN柵極驅(qū)動(dòng)器。X-GaN驅(qū)動(dòng)器IC針對(duì)高達(dá)2 MHz的高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,并提供了解鎖晶體管全部性能的簡(jiǎn)便方法。除了優(yōu)化的柵極控制端子外,還提供了額外的集成功能 - 例如用于(可選)產(chǎn)生負(fù)
2023-02-27 15:53:50
)使用,ASR用于監(jiān)視和控制在機(jī)場(chǎng)大約100英里范圍的飛機(jī)?! ≡?.7至2.9GHz頻段上,2729GN-500晶體管具有無(wú)與倫比的500W峰值功率、12dB功率增益和53%漏極效率功能,經(jīng)過(guò)單一器件
2012-12-06 17:09:16
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來(lái)自意法半導(dǎo)體的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器,為
2022-06-15 11:43:25
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中,寬帶隙(WBG)技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中,提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
遷移率低的問(wèn)題,且能很好地與MOS器件工藝兼容。研究出的SiCBCMOS器件遷移率達(dá)到約720cm2/(V·s);SiC雙極晶體管(BJT)在大功率應(yīng)用時(shí)優(yōu)勢(shì)明顯;經(jīng)研究得到了擊穿電壓為1.677kV。開(kāi)
2017-06-16 10:37:22
,典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦,增益為16dB,并具備低熱阻特性?! ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管,額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散(除非晶體管的效率為100%)。· 因此,GaN 晶體管變得非常熱,熱管理成為重要的設(shè)計(jì)考慮因素。幸運(yùn)的是,碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無(wú)與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時(shí)寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無(wú)與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時(shí)寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17
United Monolithic Semiconductors 的 CHK8101-SYC 是一款無(wú)與倫比的高電子遷移率晶體管 (HEMT),工作頻率為 DC 至 6 GHz。它提供超過(guò) 15 W
2022-09-07 14:37:30
美高森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術(shù)的射頻 RF 晶體管系列,新型的S波段500W RF器件2729GN-500,主要應(yīng)用在大功率空中交通的機(jī)場(chǎng)管制及雷達(dá)監(jiān)視等應(yīng)用。
2012-11-30 10:10:10
690 日前,射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵(GaN)晶體管,所有產(chǎn)品均超越地面移動(dòng)市場(chǎng)要求。
2013-06-09 10:18:37
1842 這篇文章的目的是提供一個(gè)指南,高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%,為同類(lèi)最佳,其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:06
965 埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%,為同類(lèi)最佳,其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:17
2639 雷達(dá)系統(tǒng)中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業(yè)服務(wù)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備和國(guó)防軍事用途的電路和系統(tǒng)中的各種應(yīng)用。它們都通過(guò)寬帶gap?GaN半導(dǎo)體材料的作用,在小封裝中產(chǎn)生高功率密度和高輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14
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評(píng)論