9月15日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯在某活動(dòng)中探討如何打造高質(zhì)量、有競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體設(shè)備公司時(shí),表示目前半導(dǎo)體公司的設(shè)備主要可以分為四大類,光刻機(jī)、等離子體刻蝕
2021-09-16 09:01:00
3966 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊:據(jù)外媒報(bào)道,據(jù)說(shuō)蘋果打算在即將推出的iPhone 8中配置一種專為AR應(yīng)用定制的后置3D激光系統(tǒng),另外它還可以實(shí)現(xiàn)更快、更準(zhǔn)確地自動(dòng)對(duì)焦功能。
2017-07-14 06:00:00
475 進(jìn)的單模光子晶體棒型摻鐿光纖,實(shí)現(xiàn)平均功率248W,重復(fù)頻率750kHz。對(duì)激光系統(tǒng)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性進(jìn)行了超過(guò)4000小時(shí)的連續(xù)測(cè)試,沒有顯示出橫向模不穩(wěn)定(TMI)的跡象。 光纖放大器已經(jīng)引起了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注,光纖的大表面體積比及其在熱管理方面的優(yōu)勢(shì),
2023-09-18 09:10:29
817 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/85/wKgZomUHo4iAEUA_AAAToV-XgN4988.jpg)
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過(guò)程,通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來(lái)去除材料表面的部分,通過(guò)掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控,可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換,從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:56
1106 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BE/65/wKgaomWrLyGAJ2jeAAFOrS34PJ8085.png)
在半導(dǎo)體加工工藝中,常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching),它們像倆兄弟一樣,一前一后的出現(xiàn),有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系,這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58
548 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BF/6A/wKgaomWzExqAUfv-AAA5eCM2bwk447.png)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在半導(dǎo)體制造的各路工序中,尤其是前道工序中,技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接決定了晶圓廠所能實(shí)現(xiàn)的最高工藝節(jié)點(diǎn),所用產(chǎn)品
2023-07-30 03:24:48
1556 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8E/64/wKgaomTFaAOAashjAAKU1YpOt0g624.png)
設(shè)備,涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗(yàn)等。DIGITIMES Research分析師Eric Chen表示,對(duì)光刻和薄膜沉積設(shè)備的限制更有可能實(shí)施,從而影響中國(guó)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造。 ? 2. 分析師:iPhone 15 系列因供應(yīng)問題減產(chǎn)1100 萬(wàn)部 ? 據(jù)報(bào)道,預(yù)計(jì)蘋果將在今
2023-08-28 11:19:30
579 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A1/89/wKgaomTsEnOAXgs7AAyqzUVG7YM120.png)
ITO是一種寬能帶薄膜材料,其帶隙為3.5-4.3ev。紫外光區(qū)產(chǎn)生禁帶的勵(lì)起吸收閾值為3.75ev,相當(dāng)于330nm的波長(zhǎng),因此紫外光區(qū)ITO薄膜的光穿透率極低。
2019-09-11 11:29:55
ITO薄膜在可見光之范圍內(nèi),鍍膜之透光率與導(dǎo)電鍍率約成反比之關(guān)系;例如,當(dāng)鍍膜面電阻率在10Ω/sq以下時(shí),可見光透光率可達(dá)80%,但若透光率欲達(dá)到90%以上,則面電阻必須提高至100Ω/sq以上。
2019-11-06 09:01:36
傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝(圖1)。在廣義上,它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面?!、俟鈴?fù)印工藝:經(jīng)曝光系統(tǒng)將預(yù)制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置,精確傳遞到預(yù)涂在晶片表面或
2012-01-12 10:51:59
關(guān)于光刻工藝的原理,大家可以想象一下膠片照片的沖洗,掩膜版就相當(dāng)于膠片,而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái),它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上,然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?! ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
用去離子水清洗并用氮?dú)獯蹈?。除此之外還可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。SU-8光刻膠的光刻工藝將 SU- 8光刻膠組分旋涂在基材上,旋涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片經(jīng)過(guò)前烘并冷卻至室溫。在烘干
2018-07-12 11:57:08
過(guò)程才能完成,光刻膠及蝕刻技術(shù)是實(shí)現(xiàn)集成電路微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵[2]。蝕刻的方式主要分為濕法和干法兩種,等離子與反應(yīng)離子刻蝕(RIE)屬于干法蝕刻,主要是通過(guò)物理轟擊濺射和化學(xué)反應(yīng)的綜合作用來(lái)腐蝕薄膜層
2018-08-23 11:56:31
這是我的版圖一部分,然后生成了圖案是這樣的: 感覺間距小的地方全都有殘留,間距大的地方?jīng)]有殘留;工藝參數(shù):s9920光刻膠, evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆,前烘:100攝氏度,90s
2016-11-29 14:59:18
在小車上控制無(wú)刷電機(jī)實(shí)現(xiàn)運(yùn)行停止加減速,現(xiàn)在問題是在負(fù)載的情況下怎么可以實(shí)現(xiàn)勻加速和勻減速,加速減速時(shí)間可調(diào),用的六步換向的方式驅(qū)動(dòng)的電機(jī),有什么算法可以實(shí)現(xiàn)勻加速和勻減速嘛?小車會(huì)有外界的負(fù)載
2022-11-16 10:46:39
精密微加工激光設(shè)備1.多種陶瓷基片(氧化鋁,氮化鋁,氧化鋯,氧化鎂,氧化鈹)以及 厚薄膜電路基板,LTCC,HTCC,生瓷帶,微集成電路,微波電路,天線模板, 濾波器,無(wú)源集成器件和其他多種半導(dǎo)體
2016-06-27 13:27:15
精密微加工激光設(shè)備1.多種陶瓷基片(氧化鋁,氮化鋁,氧化鋯,氧化鎂,氧化鈹)以及 厚薄膜電路基板,LTCC,HTCC,生瓷帶,微集成電路,微波電路,天線模板, 濾波器,無(wú)源集成器件和其他多種半導(dǎo)體
2016-06-27 13:24:18
AOE刻蝕氧化硅可以,同時(shí)這個(gè)設(shè)備可以刻蝕硅嗎?大致的氣體配比是怎樣的,我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有,但是過(guò)去用的ICP,還沒有用過(guò)AOE刻蝕硅,請(qǐng)哪位大佬指點(diǎn)一下,謝謝。
2022-10-21 07:20:28
Keysight N7711A 回收 可調(diào)激光系統(tǒng)信號(hào)源歐陽(yáng)R:***QQ:1226365851回收工廠或個(gè)人、庫(kù)存閑置、二手儀器及附件。長(zhǎng)期 專業(yè)銷售、維修、回收 高頻 二手儀器。溫馨提示:如果您
2019-06-11 16:15:48
的雜質(zhì)和油污洗凈,然后把水除去并干燥,保證下道工藝的加工質(zhì)量。C. 涂光刻膠:在ITO玻璃的導(dǎo)電層面上均勻涂上一層光刻膠,涂過(guò)光刻膠的玻璃要在一定的溫度下作預(yù)處理。D. 前烘:在一定的溫度下將涂有
2019-07-16 17:46:15
對(duì)CO2激光而言,孔的形狀的粗糙度、芯吸和桶形畸變得到了改善。UV激光的其它應(yīng)用和質(zhì)量結(jié)果 ●盲孔 ●雙層導(dǎo)通孔 ●通孔采用了柔性 新的激光系統(tǒng)除了能夠?qū)嵤┏S镁劢拐丈洳僮骺變?nèi),還可進(jìn)行復(fù)雜的繪圖
2018-08-30 10:37:57
光刻膠層上形成固化的與掩模板完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形;對(duì)光刻膠上圖形顯影,與掩模對(duì)應(yīng)的光刻膠圖形可以使芯層材料抵抗刻蝕過(guò)程;使用等離子交互技術(shù),將二氧化硅刻蝕成與光刻膠圖形對(duì)應(yīng)的芯層形狀;光刻膠層
2018-08-24 16:39:21
申請(qǐng)理由:作為主控板,根據(jù)系統(tǒng)給出的指令,控制燈光系統(tǒng)的響應(yīng)跟蹤用戶的按鍵行為,提供燈光響應(yīng),改善用戶體驗(yàn)。項(xiàng)目描述:用戶登錄,燈光給出歡迎提示用戶登出,燈光給出再次光臨提示用戶按鍵速度快,燈光就閃爍的快有大獎(jiǎng)通知,燈光系統(tǒng)就響應(yīng)報(bào)獎(jiǎng)通過(guò)舵機(jī)控制,實(shí)現(xiàn)大獎(jiǎng)中出是可以噴彩帶
2015-08-19 13:15:30
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深
刻蝕工藝工程師和
刻蝕設(shè)備主管!此職位為內(nèi)部推薦,深
刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly
刻蝕經(jīng)驗(yàn)。
刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡(jiǎn)歷發(fā)到我的郵箱
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2017-04-29 14:23:25
蒸發(fā),所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來(lái)阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
對(duì)自行研制的主振蕩功率放大結(jié)構(gòu)短脈沖雙包層光纖激光系統(tǒng)(2W,30ps)的偏振特性進(jìn)行了研究.分別研究了種子源激光和經(jīng)過(guò)包層泵浦放大后輸出激光在連續(xù)工作和脈沖輸出情況下的偏振特性,結(jié)果表明在不加偏振
2010-04-26 16:14:18
、納米薄膜等方面相關(guān)業(yè)務(wù)。1、激光直寫(最小精度:0.6μm) 適用范圍從干版,鉻版到無(wú)掩模光刻;2、光刻復(fù)制及微納結(jié)構(gòu)刻蝕傳遞;3、納米結(jié)構(gòu)薄膜;4、圖案微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制作。 業(yè)務(wù)聯(lián)系人:張工 電話:13550021235
2016-06-23 16:14:13
1.雙面光刻機(jī)PEM-500;2.步進(jìn)光刻機(jī)NSR1505G6D;3.涂膠機(jī)SCW-629;4.顯影機(jī)SDW-629;5.深槽刻蝕機(jī)AMS 200;6.濕法刻蝕機(jī)AMX-2003;7.刻蝕機(jī)
2020-01-12 20:27:11
,將線路圖成比例縮小后映射到硅片上,然后使用化學(xué)方法顯影,得到刻在硅片上的電路圖。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過(guò)一次光刻
2018-09-03 09:31:49
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
制造過(guò)程中,步驟會(huì)因?yàn)椴煌牟牧虾凸に嚩兴町悾贿^(guò)大體上皆采用這樣的類似工藝過(guò)程,于是就需要用到光刻機(jī)和刻蝕機(jī)。首先,在晶圓表面沉積一層薄膜,緊接著再涂敷上光刻膠(光阻),這時(shí)候光刻機(jī)會(huì)按照設(shè)計(jì)好
2018-08-23 17:34:34
今日分享晶圓制造過(guò)程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過(guò)程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備,滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
太陽(yáng)能電池薄膜激光刻蝕機(jī)配了臺(tái)特域冷水機(jī),用的是什么制冷機(jī)?
2017-11-25 14:30:54
激光測(cè)距原理是什么?如何實(shí)現(xiàn)激光脈沖測(cè)距雷達(dá)系統(tǒng)?
2021-04-29 06:14:35
本文設(shè)計(jì)了基于ZigBee短距離無(wú)線通信技術(shù)與3G遠(yuǎn)距離無(wú)線通信技術(shù)相結(jié)合的遠(yuǎn)程無(wú)線測(cè)光系統(tǒng);該系統(tǒng)處理器選用的是三星S5PV210處理器,短距離無(wú)線通信模塊采用TI公司的CC2530芯片,3G上網(wǎng)卡設(shè)備用的是中興MF190無(wú)線上網(wǎng)模塊。
2021-05-08 09:41:38
)。平面光波導(dǎo)技術(shù)是在集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,有其獨(dú)特的地方。集成電路的基本元件是電阻、電容、電感和晶體管(二極管、三極管),集成電路技術(shù)是在硅襯底上通過(guò)薄膜沉積、擴(kuò)散、外延、光刻、刻蝕、退火等
2018-02-22 10:06:53
怎樣使用LED邊緣光源技術(shù)去優(yōu)化背光系統(tǒng)?
2021-06-07 07:07:43
、納米薄膜等方面相關(guān)業(yè)務(wù)。1、激光直寫(最小精度:0.6μm) 適用范圍從干版,鉻版到無(wú)掩模光刻;2、光刻復(fù)制及微納結(jié)構(gòu)刻蝕傳遞;3、納米結(jié)構(gòu)薄膜;4、圖案微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制作?!I(yè)務(wù)聯(lián)系人:張工 電話:135500212 3 5.
2017-05-09 10:54:39
極短,因此分辨率與光刻相比要好的多。 因?yàn)椴恍枰谀0?,因此?duì)平整度的要求不高,但是電子束刻蝕很慢,而且設(shè)備昂貴。對(duì)于大多數(shù)刻蝕步驟,晶圓上層的部分位置都會(huì)通過(guò)“罩”予以保護(hù),這種罩不能被刻蝕,這樣
2017-10-09 19:41:52
工業(yè)半透明薄膜生產(chǎn)提供經(jīng)濟(jì)、簡(jiǎn)易、適用的質(zhì)量評(píng)估方法。機(jī)器視覺薄膜表面缺陷檢測(cè)原理機(jī)器視覺檢測(cè)系統(tǒng)是一個(gè)基于光電圖像采集與分析的自動(dòng)化模塊,由LED光源、鏡頭、CCD工業(yè)相機(jī)、圖像采集卡等部分組成,廣泛
2020-10-30 16:15:47
,使光刻膠更加堅(jiān)固。 H. 刻蝕:用適當(dāng)?shù)乃峥桃簩o(wú)光刻膠覆蓋的ITO 膜蝕掉,這樣就得到了所需要的ITO 電極圖形,如圖所示: 注:ITO 玻璃為(In2O3 與SnO2)的導(dǎo)電玻璃,此易與酸發(fā)生
2016-06-30 09:03:48
利用柯林斯(Collins)傳輸公式和將硬邊光闌展開為有限個(gè)復(fù)高斯函數(shù)之和的方法,分析了在靜態(tài)高功率激光器系統(tǒng)中選取不同尺寸的空間濾波器小孔對(duì)譜色散勻滑(SSD)效果的影響,并且通過(guò)
2010-04-26 16:14:36
成本優(yōu) 勢(shì)的最終解決方案奠定了基礎(chǔ)。電子束光刻或全息界定是MACOM將EFT技術(shù)納入分布反饋 式激光器的重要環(huán)節(jié),這項(xiàng)工藝可以產(chǎn)生高精度光柵,從而實(shí)現(xiàn)理想的波長(zhǎng)控制。采用CFT的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品必須將晶圓切割成
2017-10-24 18:13:14
的位置吻合精度(套刻精度)來(lái)決定,因此有良好的光刻膠,還要有好的曝光系統(tǒng)。 (2)預(yù)烘 (pre bake) 因?yàn)橥糠蠛玫?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠中含有溶劑,所以要在80C左右的烘箱中在惰性氣體環(huán)境下預(yù)烘15-30
2019-08-16 11:11:34
因技術(shù)提升而變得更大。 但是我們?nèi)绻麑艠O變更小,源極和漏極之間流過(guò)的電流就會(huì)越快,工藝難度會(huì)更大?! ⌒酒圃爝^(guò)程共分為七大生產(chǎn)區(qū)域,分別是擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長(zhǎng)、拋光、金屬化
2020-07-07 11:36:10
)是LED晶圓激光刻劃的最佳選擇。盡管準(zhǔn)分子激光器也可以實(shí)現(xiàn)LED刻劃所需的波長(zhǎng),但是倍頻的全固態(tài)調(diào)Q激光器體積更小,較準(zhǔn)分子激光器維護(hù)少得多,質(zhì)量方面全固激光器刻劃線條非常窄,更適合于激光LED刻劃
2011-12-01 11:48:46
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
一種基于ZigBee技術(shù)的智能調(diào)光系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2021-05-26 06:48:39
LS-2145-OPO532納秒OPO激光系統(tǒng) 產(chǎn)品介紹:LS-2145-OPO532是一款調(diào)Q Nd:YAG激光器,內(nèi)置光學(xué)參量振蕩器(OPO)。它可以將Nd:YAG的二次諧波(532
2023-06-29 13:34:56
GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備,主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù),通過(guò)將光線通過(guò)
2023-07-07 11:46:07
為了將激光加工技術(shù)運(yùn)用到液晶顯示領(lǐng)域,采用激光光刻ITO柵指電極基板的技術(shù)。在明晰了該系統(tǒng)的性能基礎(chǔ)上,根據(jù)需要對(duì)打標(biāo)系統(tǒng)作了相應(yīng)的改進(jìn)與補(bǔ)充,即利用C8051F930單片機(jī)控制步進(jìn)電機(jī)精確的定位和正反轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),有效地克服了激光光刻時(shí)因高速出現(xiàn)的斷線現(xiàn)
2011-02-12 16:07:13
61 光刻蝕 這是目前的CPU 制造過(guò)程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟,為什么這么說(shuō)呢? 光刻蝕過(guò)程就是使用一定波長(zhǎng)的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕,由此改變?cè)撎幉牧系幕瘜W(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長(zhǎng)要求極為
2017-10-24 14:52:58
16 概述了透明導(dǎo)電薄膜的分類以及ITO薄膜的基本特性,綜述了ITO薄膜主要的制備技術(shù)及其研究的進(jìn)展,并指出了不同制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)。最后對(duì)ITO薄膜的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。 可見光透過(guò)率高而又有導(dǎo)電性的薄膜
2017-11-03 10:13:42
24 光學(xué)薄膜幾乎是所有光學(xué)系統(tǒng)中不可缺少的基本元件,并且也是激光系統(tǒng)中最薄弱的環(huán)節(jié)之一。長(zhǎng)期以來(lái),激光對(duì)光學(xué)薄膜的破壞一直是限制激光向高功率、高能量方向發(fā)展的瓶頸,也是影響高功率激光薄膜元件使用壽命
2017-11-03 16:05:09
8 光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
2018-04-10 09:49:17
131483 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/4E/D9/pIYBAFrMGEqAHfGDAABBKBEEMP0253.jpg)
反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征)。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子。總的來(lái)說(shuō),有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:27
68522 IC主要工藝制程分:光刻(涂膠、曝光、顯影)、離子注入、CVD/PVD、刻蝕、化學(xué)機(jī)械研磨CMP、清洗、擴(kuò)散diffusion等。針對(duì)這些工藝,公司有刻蝕、薄膜、擴(kuò)散、清洗四大工藝模塊,包括刻蝕機(jī)、PVD設(shè)備、單片退火設(shè)備、ALD設(shè)備、氧化/擴(kuò)散爐、LPCVD、單片清洗機(jī)以及槽式清洗機(jī)等產(chǎn)品。
2019-04-04 08:43:45
8994 ITO導(dǎo)電薄膜是一種廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、智能穿戴等移動(dòng)通訊領(lǐng)域的觸摸屏的生產(chǎn)的高技術(shù)產(chǎn)品。
2020-01-25 17:28:00
4604 據(jù)外媒報(bào)道,以色列現(xiàn)在拿出了一套相當(dāng)彪悍的激光系統(tǒng)。這種新型叫做“光之刃(Light Blade)”,由來(lái)自內(nèi)蓋夫的本-古里安大學(xué)的Amiel Ishaaya教授領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)開發(fā),可以使用激光將天空不明物體擊落,比如炮彈。
2020-03-10 14:04:06
2782 光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。
2020-10-16 10:33:39
311070 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/CA/0C/o4YBAF-JBRiAQkKxAAIAQ2EKoJI730.PNG)
ITO導(dǎo)電薄膜是一種廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、智能穿戴等移動(dòng)通訊領(lǐng)域的觸摸屏的生產(chǎn)的高技術(shù)產(chǎn)品。目前,行業(yè)主要利用激光刻蝕ITO導(dǎo)電薄膜。因?yàn)椴捎玫?b class="flag-6" style="color: red">設(shè)備和配件的不同,各個(gè)廠家的良品率也不一樣,有的只有70%、80%,有的卻可以達(dá)到99%。
2020-12-25 09:40:22
529 光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻,所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-28 14:17:15
2439 光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻,所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-29 09:14:54
2095 芯片制造有三大核心環(huán)節(jié):薄膜沉積、光刻與刻蝕。其中,光刻環(huán)節(jié)成本最高,其次便是刻蝕環(huán)節(jié)。光刻是將電路圖畫在晶圓之上,刻蝕則是沿著這一圖案進(jìn)行雕刻。這一過(guò)程中,會(huì)用到的設(shè)備便是刻蝕機(jī)。
2021-01-18 11:34:22
4045 150W 3合1調(diào)光系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-05-17 10:08:34
27 系統(tǒng)仿真及其Matlab的實(shí)現(xiàn)方法介紹。
2021-06-17 17:13:52
26 刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。光刻機(jī)的精度和難度的要求都比刻蝕機(jī)高出很多,在需要光刻機(jī)加工的時(shí)候刻蝕機(jī)有些不能辦到,并且刻蝕機(jī)的精度十分籠統(tǒng),而光刻機(jī)對(duì)精度的要求十分細(xì)致,所以刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。
2022-02-05 15:47:00
39906 本文描述了我們?nèi)A林科納一種新的和簡(jiǎn)單的方法,通過(guò)監(jiān)測(cè)腐蝕過(guò)程中薄膜的電阻來(lái)研究濕法腐蝕ITO薄膜的動(dòng)力學(xué),該方法能夠研究0.1至150納米/分鐘之間的蝕刻速率。通??梢詤^(qū)分三種不同的狀態(tài):(1)緩慢
2022-07-01 14:39:13
2242 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4F/10/pYYBAGK-lpGAVjDbAAAbMvBu9Dg633.jpg)
在本研究中,我們?nèi)A林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術(shù)中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率,保持浴液溫度恒定,并比較了含有相同濃度的酸的溶液,對(duì)ITO在最有趣的解決方案中的行為進(jìn)行了更詳細(xì)的研究,試圖闡明這些浴液中的溶解機(jī)制。
2022-07-04 15:59:58
1436 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4F/88/pYYBAGLCnf-ANhxIAAAXX2ZGt2g474.jpg)
晶圓廠內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備按照類型可大致分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、過(guò)程控制、自動(dòng)化制造和控制、清洗、涂布顯影、去膠、化學(xué)機(jī)械研磨(CMP) 、快速熱處理/氧化擴(kuò)散、離子注入、其他晶圓級(jí)設(shè)備等類別,其中薄膜沉積、光刻、刻蝕、過(guò)程控制占比最大。
2022-08-26 10:29:37
647 利用TI DLP?技術(shù)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)光系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)箱揀精度
2022-10-31 08:23:43
0 刻蝕是移除晶圓表面材料,達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過(guò)程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕,這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除,如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:35
1748 高功率UV-LED正在替代傳統(tǒng)汞燈,成為光刻機(jī)的曝光光源,可用于大基板的紫外曝光系統(tǒng)
2023-02-22 09:39:24
690 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/93/78/pYYBAGP1cTeAXp0nAABuchSbg8A730.png)
嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過(guò)150攝氏度,屏蔽層就會(huì)被燒焦,而且化學(xué)刻蝕速率
2023-03-06 13:52:33
827 刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代,要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比,刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升,從25%提至50%。
2023-05-22 12:50:53
2158 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/83/wKgZomRq9QiAQJ4uAABOdT7DcCM954.png)
光刻工藝后,在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形,下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:35
3320 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/54/wKgaomSBQjCAQ262AACHTnbdrRc075.jpg)
,因此光刻、刻蝕和薄膜沉積設(shè)備是芯片加工過(guò)程中最重要的三類主設(shè)備,占前道設(shè)備的近70%。近些年來(lái)我國(guó)已經(jīng)開始在各類設(shè)備中開展追趕式研發(fā),在技術(shù)難度最高的這些主設(shè)備中
2022-08-25 17:35:24
546 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/4F/12/poYBAGLDzd6AEcaOAABBJLbgtXA388.png)
根據(jù)一份最新海外市場(chǎng)調(diào)研報(bào)告稱,預(yù)計(jì)到2028年,全球工業(yè)激光系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約322億美元,2023年至2028年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率為8.3%。全球工業(yè)激光系統(tǒng)市場(chǎng)的未來(lái)前景廣闊,半導(dǎo)體和電子
2023-08-14 09:51:26
491 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/1A/0E/pYYBAGF4-lOAaXJ9AABBEXgCq2s794.jpg)
光刻蝕(Photolithography)是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù),用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用,通過(guò)光罩的設(shè)計(jì)和控制,將光影投射到光敏材料上,形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:42
2271 針對(duì)測(cè)量ITO導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用場(chǎng)景,CP200臺(tái)階儀能夠快速定位到測(cè)量標(biāo)志位;輕松實(shí)現(xiàn)一鍵多點(diǎn)位測(cè)量;能直觀測(cè)量數(shù)值變化趨勢(shì)。
2023-06-27 10:49:44
713 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/7E/wKgaomSaTkWAD7DzAAClhNmonbI855.png)
設(shè)備,涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗(yàn)等。DIGITIMES Research分析師Eric Chen表示,對(duì)光刻和薄膜沉積設(shè)備的限制更有可能實(shí)施,從而影響中國(guó)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造。 值得注意的是,在刻蝕設(shè)備方面,Eric Chen指出,日本對(duì)硅鍺(SiGe)的
2023-08-28 16:45:01
1551 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A0/65/wKgZomTtVI-Abfy-AADv2wG2yYQ462.jpg)
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽(yáng)能電池,因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后,下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜,ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22
407 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
?!该滥芄夥箲{借深厚的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)與精湛的檢測(cè)技術(shù),生產(chǎn)了美能分光光度計(jì),該設(shè)備可幫助電池廠商更便捷與科學(xué)的矯正鈣鈦礦太陽(yáng)能電池片的ITO薄膜中的吸光度變化,從而幫助光伏廠商更
2023-10-10 10:15:53
649 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)中,ITO薄膜對(duì)其性能的影響是非常重要且直接的,ITO薄膜自身的優(yōu)劣與制備ITO薄膜過(guò)程的順利往往能直接決定異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的后期生產(chǎn)過(guò)程以及實(shí)際應(yīng)用是否科學(xué)有效
2023-10-16 18:28:09
700 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PCB激光投影光刻照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-23 09:38:18
1 使用Moku:Pro同時(shí)實(shí)現(xiàn)窄線寬激光系統(tǒng)的鎖定和表征應(yīng)用案例利用Moku:Pro的多儀器并行模式,用戶可以使用激光鎖頻/穩(wěn)頻器將激光鎖定到光學(xué)腔,無(wú)需額外的測(cè)試設(shè)備或布線又能同時(shí)使用頻率響應(yīng)
2023-10-26 08:16:47
303 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/36/5B/poYBAGIyyjeAWyrMAAAjsb7aVFo114.png)
M2測(cè)試系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于激光材料加工、激光照明、醫(yī)療美容、制造業(yè)和科學(xué)研究等領(lǐng)域中,以確保激光系統(tǒng)的質(zhì)量、可靠性和穩(wěn)定性。 同時(shí),它也是激光技術(shù)研究和應(yīng)用中的重要工具,能夠通過(guò)分析激光束質(zhì)量參數(shù)來(lái)優(yōu)化激光系統(tǒng)的設(shè)計(jì),提高激光系統(tǒng)的性能和效率。
2023-11-02 12:37:22
1194 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/0D/wKgaomVDKC2AQIFVAAASa2iQlY4009.png)
據(jù)淄博高新技術(shù)消息,目前淄博創(chuàng)區(qū)規(guī)劃建設(shè)新能源、新材料、智能微系統(tǒng)c區(qū)三大產(chǎn)業(yè)園區(qū)。智能型微系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)區(qū)c區(qū)年產(chǎn)值35億元的先導(dǎo)項(xiàng)目是北方最大的新型顯示器用ito靶材及其他薄膜材料生產(chǎn)基地。一期工程于6月底投產(chǎn),目前已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)能力50噸,產(chǎn)值約5億元。
2023-11-16 17:09:58
773 在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝中,退火工藝和氧氣含量作為外界條件往往是影響ITO薄膜性能的關(guān)鍵因素,因此,為了較高程度的提升ITO薄膜的性能,電池廠商都會(huì)通過(guò)在生產(chǎn)中嚴(yán)謹(jǐn)?shù)牟僮魇侄蝸?lái)保證其性能的提升,并通過(guò)
2023-12-07 13:37:19
295 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
利用電子學(xué)方法所獲得的最短脈沖要短幾千倍。飛秒激光技術(shù)是近年來(lái)發(fā)展迅速的一種先進(jìn)加工技術(shù),具有極高的加工精度和速度,可以在各種材料表面進(jìn)行微米至納米級(jí)別的刻蝕和加工。
2023-12-14 11:01:12
227 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/B7/04/wKgZomV6b_OAJZ07AANEDN9Khms364.jpg)
影響的因素,提升對(duì)其有利的影響因素,從而生產(chǎn)高質(zhì)量的太陽(yáng)能電池?!该滥芄夥篂閹椭姵貜S商科學(xué)了解ITO薄膜方阻,生產(chǎn)了美能四探針電阻測(cè)試儀,該設(shè)備可對(duì)太陽(yáng)能電池中ITO
2023-12-28 08:33:00
418 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜,主要優(yōu)點(diǎn)是其高透明度和導(dǎo)電性,可以作為透明電極應(yīng)用在光伏電池中。在TOPCon電池中,添加ITO薄膜可以有效提升電池的短路電流密度和轉(zhuǎn)換效率,是提高
2024-01-20 08:32:51
283 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
ITO薄膜在提高異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池效率方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,同時(shí)優(yōu)化ITO薄膜的電學(xué)性能和光學(xué)性能使太陽(yáng)能電池的效率達(dá)到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過(guò)程中的重要參數(shù),兩者對(duì)ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20
236 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/B6/wKgaomTcZGeAJZInAAAfzRiM67Q313.png)
刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似,先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜,再將掩膜與待加工物料模組裝好,將樣品置于刻蝕室內(nèi),通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉,以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
463 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C4/B7/wKgaomXutPmAMqfiAAHU0HxKhik790.png)
評(píng)論