SI（信號完整性）研究的是信號的波形質(zhì)量，而PI（電源完整性）研究的是電源波形質(zhì)量， PI研究的對象是PDN（Power Distribution Network，電源分配網(wǎng)絡(luò)），它是從更加系統(tǒng)的角度來研究電源問題，消除或緩解電源噪聲，滿足負(fù)載對不同頻率電流的需求，為負(fù)載提供干凈、穩(wěn)定、可靠的電源，和SI一樣，PI也是PCB工程師的基本要求之一，拉線拉的好不好，PDN是重要考核方向之一。

前文有詳細(xì)介紹信號完整性，本節(jié)是介紹電源完整性，二者有什么差異呢？SI的分析基礎(chǔ)是傳輸線，而PI的分析基礎(chǔ)是傳輸平面，SI的常見整改方法有修改走線寬度、長度、參考層，而PI的整改方法有修改電源平面/地平面的走線、優(yōu)化匹配電容器值、電容數(shù)量或安裝方式等。

在手機基帶硬件設(shè)計中，或者其他電路系統(tǒng)中，PDN應(yīng)該是最復(fù)雜的互聯(lián)結(jié)構(gòu)，我也建議新手從電源開始，這里的電源包含兩個方面，第一個方面是電源結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)，包括BUCK、LDO等電源架構(gòu)，以前的文章已經(jīng)有詳細(xì)介紹，通過電源樹（power tree）可以基本了解手機上各模塊的電源需求，以書籍《從器件認(rèn)知到手機基帶電路設(shè)計》的5.3 power path章節(jié)中的電源結(jié)構(gòu)為例，整理得到下圖的power tree。

注意：圖中的數(shù)據(jù)只是示例，具體還是要以實際電路為準(zhǔn)，從上面的電源樹中，就可以挖掘出很多信息，比如對功耗敏感的LDO，只有U5和U6效率可以，其他LDO效率都很低，這就需要再優(yōu)化電源結(jié)構(gòu)，提供電源利用率，還有其他信息可以挖掘，前文已經(jīng)有介紹，這里不再贅述。

第二個方面便是PDN，PDN可以保證整個系統(tǒng)工作的有效性，避免負(fù)載在復(fù)雜工作條件下，電壓波動超標(biāo)，導(dǎo)致系統(tǒng)異常，由此方能完成從電源源端到互聯(lián)鏈路最終到負(fù)載的完整設(shè)計，深刻了解電源后會讓你對手機整體設(shè)計有個總的印象，會對整個硬件系統(tǒng)有更加深刻的認(rèn)識，往后做充電、音頻、屏幕相機、傳感器，要從容的多。

上述兩個方面，前者是電源工程師的重點，后者是電源完整性工程師的重點，相比于電源工程師，PDN更關(guān)注電源路徑及終端，PDN鏈路起始于電源模塊VRM（voltage regulator model）包括路上的PCB走線、電容、過孔， package和Die電容等，鏈路紛繁復(fù)雜，需要以系統(tǒng)性角度來分析PDN問題，并優(yōu)化PDN，最終達(dá)到為芯片提供穩(wěn)定干凈的電源的目的。

我們在設(shè)計PDN時，關(guān)注直流和交流兩部分。

直流部分即△V=△I*R，從VRM到IC是有串聯(lián)電阻存在的，通過直流電時就會產(chǎn)生壓降，比如1A的電流通從VRM到達(dá)負(fù)載，線路電阻是10mΩ的的話，就會產(chǎn)生1*0.01=0.01V的壓降，這個壓降就是常說的IR drop，負(fù)載電流不是一個固定值，是不斷在變化的，因此IR drop也是一個變化值，比如當(dāng)負(fù)載在2A工作時，那么2*0.01=0.02V，就會產(chǎn)生0.02V的壓降，這和前文中介紹LDO的走線情況很像。

但是負(fù)載不會穩(wěn)定的工作在一個電流值，比如玩游戲時，CPU會進行各種復(fù)雜的運算，GPU會進行復(fù)雜的渲染，這些芯片內(nèi)部的開關(guān)都在高速工作，使得其從電源抽取的電流變的很復(fù)雜，分析這復(fù)雜的時變電流，就不能用電阻了，就需要引入和時間和頻率相關(guān)的參數(shù)，即阻抗Z（阻抗=電阻+容抗+感抗），電壓的波動是由電流的波動引起的。

我們再回到經(jīng)典的計算公式△V=△I*R，現(xiàn)在稍微改變一下，那么就變成了△V=△I*Z，R是常數(shù)與頻率無關(guān)，而Z就與頻率有關(guān)了，△V是電流改變時引起的電壓變化量，如果△V太大了，超出了負(fù)載允許的電壓波動，那就是危險的事情了，通常負(fù)載能容忍的電壓波動是典型值的5%或3%（具體以實際負(fù)載的手冊為準(zhǔn)），因此電壓波動就避免超過這5%或3%。比如下圖中，負(fù)載需要0.75V的電壓，假設(shè)負(fù)載最大能容忍3%的電壓波動，即最大能接受0.75*0.03=0.0225V的電壓波動，而實際電壓波動僅有0.015V，這就滿足負(fù)載的需求。

我們再來看公式△V=△I*Z，簡單變形得到下面公式

那么只要我們實際電路的PDN阻抗Z足夠小，Z小到一定程度后，電流波動引起的電壓波動（△I*Z）就會小于△Vmax，那么此時的阻抗就是目標(biāo)阻抗Ztarget，所以我們設(shè)計PDN的原理就是通過優(yōu)化鏈路上的阻抗Z，使它低于目標(biāo)阻抗Ztarget，這樣就保證電壓可以滿足負(fù)載的需求了，簡言之，就是通過約束阻抗來約束電源波動，我需要知道目標(biāo)阻抗，并且要知道線路電容上那些電容的具體型號，而且還需要精準(zhǔn)的仿真，才能得到可靠的設(shè)計。

比如上圖就是阻抗頻率曲線，如果負(fù)載工作頻率單一，只以一個固定的頻率工作，假設(shè)工作電流是一個單一頻率的正弦電流，那么阻抗優(yōu)化就變的簡單了，只要這個頻率的阻抗低于目標(biāo)阻抗就行，但是實際情況很復(fù)雜，我們不知道復(fù)雜的具體工作頻率，所以為了保險起見，我們控制的是一定頻段內(nèi)的阻抗，而不是直流或單一頻率的阻抗，這看起來是一種過設(shè)計，但是確實非常安全的設(shè)計。藍(lán)色曲線就是我們的目標(biāo)阻抗，我們要做的就是優(yōu)化這一頻段內(nèi)PDN阻抗（Feffective頻率內(nèi)），使得實際紅色阻抗在負(fù)載要求的頻帶內(nèi)低于目標(biāo)藍(lán)色阻抗。

PDN的基本概念和原理就先介紹到這里，下一節(jié)介紹相關(guān)PDN優(yōu)化策略，用于指導(dǎo)實際PCB布局布線和電容器件的選型優(yōu)化。

編輯：黃飛

?