選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源
摘要:電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓,作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素,電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準(zhǔn)源以及它們的關(guān)鍵特性和設(shè)計(jì)中需要考慮的問題,如精確度、受溫度的影響程度、電流驅(qū)動(dòng)能力、功率消耗、穩(wěn)定性、噪聲和成本。
幾乎在所有先進(jìn)的電子產(chǎn)品中都可以找到電壓基準(zhǔn)源,它們可能是獨(dú)立的、也可能集成在具有更多功能的器件中。例如:
- 在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中,基準(zhǔn)源提供了一個(gè)絕對(duì)電壓,與輸入電壓進(jìn)行比較以確定適當(dāng)?shù)臄?shù)字輸出。
- 在電壓調(diào)節(jié)器中,基準(zhǔn)源提供了一個(gè)已知的電壓值,用它與輸出作比較,得到一個(gè)用于調(diào)節(jié)輸出電壓的反饋。
- 在電壓檢測(cè)器中,基準(zhǔn)源被當(dāng)作一個(gè)設(shè)置觸發(fā)點(diǎn)的門限。
要求什么樣的指標(biāo)取決于具體應(yīng)用,本文討論不同類型的電壓基準(zhǔn)源、它們的關(guān)鍵指標(biāo)和設(shè)計(jì)過程中要綜合考慮的問題。為設(shè)計(jì)人員提供了選擇最佳電壓基準(zhǔn)源的信息。
理想情況
理想的電壓基準(zhǔn)源應(yīng)該具有完美的初始精度,并且在負(fù)載電流、溫度和時(shí)間變化時(shí)電壓保持穩(wěn)定不變。實(shí)際應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員必須在初始電壓精度、電壓溫漂、遲滯以及供出/吸入電流的能力、靜態(tài)電流(即功率消耗)、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、噪聲和成本等指標(biāo)中進(jìn)行權(quán)衡與折衷。
基準(zhǔn)源的類型
兩種常見的基準(zhǔn)源是齊納和帶隙基準(zhǔn)源。齊納基準(zhǔn)源通常采用兩端并聯(lián)拓?fù)洌粠痘鶞?zhǔn)源通常采用三端串連拓?fù)洹?
齊納二極管和并聯(lián)拓?fù)?/H2>
齊納二極管優(yōu)化工作在反偏擊穿區(qū)域,因?yàn)閾舸╇妷合鄬?duì)比較穩(wěn)定,可以通過一定的反向電流驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生穩(wěn)定的基準(zhǔn)源。
齊納基準(zhǔn)源的最大好處是可以得到很寬的電壓范圍,2V到200V。它們還具有很寬范圍的功率,從幾個(gè)毫瓦到幾瓦。
齊納二極管的主要缺點(diǎn)是精確度達(dá)不到高精度應(yīng)用的要求,而且,很難勝任低功耗應(yīng)用的要求。例如:BZX84C2V7LT1,它的擊穿電壓,即標(biāo)稱基準(zhǔn)電壓是2.5V,在2.3V至2.7V之間變化,即精確度為±8%,這只適合低精度應(yīng)用。
齊納基準(zhǔn)源的另一個(gè)問題是它的輸出阻抗。上例中器件的內(nèi)部阻抗為5mA時(shí)100Ω和1mA時(shí)600Ω。非零阻抗將導(dǎo)致基準(zhǔn)電壓隨負(fù)載電流的變化而發(fā)生變化。選擇低輸出阻抗的齊納基準(zhǔn)源將減小這一效應(yīng)。
埋入型齊納二極管是一種比常規(guī)齊納二極管更穩(wěn)定的特殊齊納二極管,這是因?yàn)椴捎昧酥踩牍璞砻嬉韵碌慕Y(jié)構(gòu)。
作為另一種選擇,可以用有源電路仿真齊納二極管。這種電路可以顯著改善傳統(tǒng)齊納器件的缺點(diǎn)。MAX6330就是一個(gè)這樣的電路。負(fù)載電流在100μA至50mA范圍變化時(shí),具有1.5% (最大)的初始精度。此類IC的典型應(yīng)用如圖1所示。
圖1.
選擇合適的并聯(lián)電阻
所有的并聯(lián)結(jié)構(gòu)基準(zhǔn)都需要一個(gè)與其串聯(lián)的限流電阻??梢园凑障率竭x擇電阻:
(VIN(max)-VSHUNT(min)) / (ISHUNT(max)+ ILOAD(min)) < RS < (VIN(min) -VSHUNT(max)) / (ISHUNT(min) + ILOAD(max))
其中:
VIN是輸入電壓
VSHUNT是調(diào)節(jié)后的電壓
ILOAD是輸出電流
ISHUNT是最小并聯(lián)工作電流。
注意,無論是否加有負(fù)載,并聯(lián)電路消耗的電流都是ILOAD(max) + ISHUNT。
選擇合適的RS,相同的并聯(lián)基準(zhǔn)源可以用于10Vin或100Vin。為RS的最大標(biāo)稱阻值對(duì)應(yīng)于最小的電流消耗。注意,要保證一個(gè)滿足電阻誤差容限最差時(shí)的安全余量。利用下式,可確保電阻有足夠的額定功率:
PR = IIN(VIN(max) - VSHUNT)
= I2INRS
= (VIN(max) - VSHUNT)2/RS
?
帶隙基準(zhǔn)源和串聯(lián)模式拓?fù)?/H2>
并聯(lián)基準(zhǔn)源和串聯(lián)基準(zhǔn)源的最大不同是三端串聯(lián)模式電壓基準(zhǔn)不需要外部電阻,并且靜態(tài)功耗要小得多。最常見的是帶隙基準(zhǔn)源。
帶隙基準(zhǔn)
帶隙基準(zhǔn)源提供兩個(gè)電壓:一個(gè)具有正溫度系數(shù)、另一個(gè)具有負(fù)溫度系數(shù)。兩者配合使輸出溫度系數(shù)為零。
正溫度系數(shù)是由于運(yùn)行在不同電流水平上兩個(gè)Vbe的差異產(chǎn)生的;負(fù)溫度系數(shù)來自于Vbe電壓本身的負(fù)值溫度系數(shù)(見圖2)。
在實(shí)際應(yīng)用中,兩個(gè)溫度系數(shù)之和并不精確為零。這依賴于很多設(shè)計(jì)細(xì)節(jié),如IC電路設(shè)計(jì)、封裝和制造測(cè)試等,這些器件通??梢詫?shí)現(xiàn)每攝氏度5至100ppm的Vout溫度系數(shù)。
圖2. 帶隙電壓基準(zhǔn)源
采用并聯(lián)還是串聯(lián)結(jié)構(gòu)一般由應(yīng)用和希望達(dá)到的性能決定。表1是并聯(lián)結(jié)構(gòu)的齊納基準(zhǔn)與串聯(lián)結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)的對(duì)照表。
表1. 電壓基準(zhǔn)對(duì)照表
What | Zener - Shunt Topology | Buried Zener - Shunt Topology | Band-Gap - Series Topology |
Pro's |
|
|
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Con's |
|
|
|
Gotcha's |
|
|
|
系統(tǒng)設(shè)計(jì)問題和基準(zhǔn)源的選擇
功耗
如果設(shè)計(jì)中等精確度的系統(tǒng),比如一個(gè)高效率、±5%電源或者是需要很小功率的8位數(shù)據(jù)采樣系統(tǒng),可以使用MAX6025或MAX6192這類器件。這兩個(gè)器件都是2.5V的基準(zhǔn)源,最大消耗電流為35μA。它們的輸出阻抗非常低,因此基準(zhǔn)電壓幾乎完全不受IOUT影響。
供出和吸入電流
另一個(gè)指標(biāo)是基準(zhǔn)源供出和吸入電流的能力。
大多數(shù)應(yīng)用都需要電壓基準(zhǔn)源為負(fù)載供電,當(dāng)然,要求基準(zhǔn)源有能力提供負(fù)載所需的電流。它還需要提供所有的Ibias或漏電流D這些電流之和有時(shí)會(huì)超過負(fù)載電流。
ADC和DAC所需要的典型基準(zhǔn)源電流在幾十微安(如MAX1110)至10mA (最大值,如AD7886)。MAX6101-5系列基準(zhǔn)源能提供5mA電流,吸入電流2mA。對(duì)于較重負(fù)載,可選擇MAX6225/41/50系列基準(zhǔn)源,它們能提供15mA的供出和吸入電流。
溫漂
溫漂通常是一個(gè)可校準(zhǔn)的參數(shù)。它一般是可重復(fù)性的誤差。通過校準(zhǔn)或從以前得到的特性中查找取值可以實(shí)現(xiàn)這一誤差的修正。
校準(zhǔn)對(duì)于高分辨率系統(tǒng)是非常有用。對(duì)一個(gè)16位系統(tǒng),如果要在整個(gè)商用溫度范圍(0°C至70°C,以25°C為基準(zhǔn)點(diǎn))保持精度在±1 LSB以內(nèi),該基準(zhǔn)源的漂移必須小于1ppm/°C,ΔV = 1ppm/°C * 5V * 45°C) = 255μV。相同的溫度漂移擴(kuò)展到工業(yè)溫度范圍下只能適用于14位系統(tǒng)。
噪聲
噪聲通常是隨機(jī)熱噪聲,也可能包含閃爍噪聲和其它的寄生噪聲源。對(duì)于低噪聲應(yīng)用MAX6150、MAX6250 和MAX6350是很好的選擇,其噪聲性能分別為35μV,3μV和3μVP-P所有這些對(duì)測(cè)量引入的噪聲都小于1 LSB??梢杂枚啻尾蓸尤缓笕∑骄姆椒p小噪聲,其代價(jià)是增加了處理器的工作負(fù)擔(dān)、提高了系統(tǒng)的復(fù)雜度和成本。
輸出電壓溫度遲滯
該參數(shù)定義為在參考溫度下(25°C)由于溫度連續(xù)偏移(從熱到冷,然后從冷到熱)所引起的輸出電壓的變化。這一效應(yīng)將導(dǎo)致負(fù)面影響,因?yàn)樗姆戎苯优c系統(tǒng)所處環(huán)境的溫度偏移成比例。在許多系統(tǒng)中,這種誤差一般不具有可重復(fù)性,受IC電路設(shè)計(jì)和封裝的影響。例如,3引腳SOT23封裝的MAX6001,溫度遲滯典型值為130ppm。而采用更大尺寸、更穩(wěn)定的封裝,比如SO-8的MAX6190,該參數(shù)值只有75ppm。
長(zhǎng)期穩(wěn)定性
這個(gè)參數(shù)定義為電壓隨時(shí)間的變化,它主要是由封裝或系列器件中的管芯應(yīng)力或離子遷移引起的。注意保持電路板的潔凈度,這也是一個(gè)影響長(zhǎng)期穩(wěn)定性的因素,尤其是它會(huì)隨溫度和濕度的變化而變化,這一影響有時(shí)比器件內(nèi)在穩(wěn)定性的影響還要大。長(zhǎng)期穩(wěn)定性通常定義在25°C參考溫度下。
總結(jié)
任何系統(tǒng)設(shè)計(jì)的難點(diǎn)都在于在成本、體積、精確度、功耗等諸多因素的平衡與折衷。為具體設(shè)計(jì)選擇最佳基準(zhǔn)源時(shí)需要考慮所有相關(guān)參數(shù)。有趣的是,很多時(shí)候選用較貴的元件反而使系統(tǒng)的整體成本更低,因?yàn)樗梢越档椭圃爝^程中補(bǔ)償和校準(zhǔn)的花銷。
表2. Maxim電壓基準(zhǔn)的精簡(jiǎn)列表
Part Number
Output Voltage (V)
Supply Voltage Range (V)
Temp. Drift (ppm/°C max)
Initial Accuracy TA=+25°C (% F.S. max)
Quiescent Current (mA max)
0.1Hz to 10Hz Noise(μVp-p), max (typ)
Package Options
Temp. Ranges*
MAX6160
Adj.(1.23 to 12.4)
2.7 to 12.6
100
1
100μA
(15)
SOT143, SO
E
MAX6120
1.2
2.4 to 11
100
1
70μA
(10)
SOT23, SO
E
MAX6520
1.2
2.4 to 12.6
50
1
70μA
(10)
SOT23, SO
E
MAX6001
1.25
2.5 to 12.6
100
1
45μA
25
SOT23
E
MAX6012
1.25
2.5 to 12.6
20 to 30
0.3 to 0.5
35μA
25
SOT23
E
MAX6190
1.25
2.5 to 12.6
5 to 25
0.16 to 0.48
35μA
25
SO
E
MAX6021
2.048
2.5 to 12.6
20 to 30
0.2 to 0.4
35μA
40
SOT23
E
MAX6191
2.048
2.5 to 12.6
5 to 25
0.1 to 0.5
35μA
40
SO
E
MAX872
2.5
2.7 to 20
40
0.2
10μA
(60)
DIP, SO
C, E
MAX873
2.5
4.5 to 18
7 to 20
0.06 to 0.1
28μA
(16)
DIP, SO
C, E
MAX6002
2.5
2.7 to 12.6
100
1
45μA
60
SOT23
E
MAX6025
2.5
2.7 to 12.6
20 to 30
0.2 to 0.4
35μA
60
SOT23
E
MAX6125
2.5
2.7 to 12.6
50
1
100μA
(15)
SOT23, SO
E
MAX6192
2.5
2.7 to 12.6
5 to 25
0.1 to 0.4
35μA
60
SO
E
MAX6225
2.5
8 to 36
2 to 5
0.04 to 0.1
2.7
(1.5)
DIP, SO
C, E
MAX6325
2.5
8 to 36
1 to 2.5
0.04
2.7
(1.5)
DIP, SO
C, E
MAX6003
3
3.2 to 12.6
100
1
45μA
75
SOT23
E
MAX6030
3
3.2 to 12.6
20 to 30
0.2 to 0.4
35μA
75
SOT23
E
MAX6193
3
3.2 to 12.6
5 to 25
0.07 to 0.33
35μA
75
SO
E
MAX874
4.096
4.3 to 20
40
0.2
10μA
(60)
DIP, SO
C, E
MAX6004
4.096
4.3 to 12.6
100
1
45μA
100
SOT23
E
MAX6041
4.096
4.3 to 12.6
20 to 30
0.2 to 0.4
35μA
100
SOT23
E
MAX6141
4.096
4.3 to 12.6
50
1
105μA
(25)
SOT23, SO
E
MAX6198
4.096
4.3 to 12.6
5 to 25
0.05 to 0.24
35μA
100
SO
E
MAX6241
4.096
8 to 36
2 to 5
0.025 to 0.1
2.9
(2.4)
DIP, SO
C, E
MAX6341
4.096
8 to 36
1 to 2.5
0.025
2.9
(1.5)
DIP, SO
C, E
MAX6045
4.5
4.7 to 12.6
20 to 30
0.2 to 0.4
35μA
110
SOT23
E
MAX6145
4.5
4.7 to 12.6
50
1
105μA
(30)
SOT23, SO
E
MAX6194
4.5
4.7 to 12.6
5 to 25
0.04 to 0.22
35μA
110
SO
E
MAX675
5
8 to 33
12 to 20
0.15
1.4
15
TO-99, DIP, SO
C, E
MAX875
5
7 to 18
7 to 20
0.06 to 0.1
0.28
(32)
DIP, SO
C, E
MAX6005
5
5.2 to 12.6
100
1
45μA
120
SOT23
E
MAX6050
5
5.2 to 12.6
20 to 30
0.2 to 0.4
35μA
120
SOT23
E
MAX6150
5
5.2 to 12.6
50
1
110μA
(35)
SOT23, SO
E
MAX6195
5
5.2 to 12.6
5 to 25
0.04 to 0.2
35μA
120
SO
E
MAX6250
5
8 to 36
2 to 5
0.02 to 0.1
3
(3)
DIP, SO
C, E
MAX6350
5
8 to 36
1 to 2.5
0.02
3
(1.5)
DIP, SO
C, E
REF02
5
8 to 33
8.5 to 250
0.3 to 2
1.4
15
TO-99, DIP, SO
C
*溫度范圍:C = 0°C至+70°C,E = -40°C至85°C
文獻(xiàn)
1) The Art of Electronics, by Paul Horowitz & Winfield Hill, Chapter 6
2) Micro-Electronic Circuits, by Adel S. Sedra & Kenneth C. Smith
評(píng)論
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