基于單片機(jī)和PSD設(shè)計(jì)的數(shù)制化電源

隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展和社會(huì)進(jìn)步，人類(lèi)對(duì)電能種類(lèi)的需求不斷增加，如要求電能有多種制式：直流穩(wěn)壓電源、交流工頻電源、中高頻感應(yīng)加熱電源、高壓電解電源等，而且需求的數(shù)量也在不斷增加。要提供這些制式的電能，就要有許多不同的電源變換裝置。此外，為滿足各種電氣設(shè)備對(duì)電源的特殊要求，也需要一些裝置對(duì)電源進(jìn)行變換和控制。這些裝置品種繁多，其原理和構(gòu)造各不相同，且一般只有有限的功能，難以相互替代。因此，設(shè)計(jì)出一種通用的電源裝置，使它在原理和結(jié)構(gòu)上不作改動(dòng)即能提供多制式的電源，具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。然而，利用60年代的晶閘管以及70年代的自關(guān)斷器件（如GTR、GTO）構(gòu)成的電氣裝置，由于器件的工作頻率低下，難以逾越20kHz這一大關(guān)，因而效率較低，原材料消耗較大，并且系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能不夠理想，易引起所謂的“電力公害”。80年代急速興起的場(chǎng)控自關(guān)斷器件（如IGBT、VDMOS、SITH、SIT、MCT等）都是集高頻、高壓、大電流于一身的性能優(yōu)越的電壓控制器件，它們的出現(xiàn)使得設(shè)計(jì)和制造出一種通用的電源裝置成為可能。

本文以數(shù)制化電壓?jiǎn)卧獮榛A(chǔ)構(gòu)成電壓合成器（VS），再由單片機(jī)按波形重組合技術(shù)（WRT）控制VS中各單元的電子開(kāi)關(guān)（IGBT），使導(dǎo)通單元的電壓迭加得到所需的波形，從而實(shí)現(xiàn)所要求的功能。

１ 系統(tǒng)組成和原理

1.1 數(shù)制化電壓?jiǎn)卧倪x取

系統(tǒng)的數(shù)制化電壓?jiǎn)卧慈缦乱?guī)律選?。?/P>

先確定最小的電壓?jiǎn)挝唬ㄈ?V），并取Eo=1V作為基本單元，其次選作為高一位的單元，再次選作為更高一位的單元，……依次類(lèi)推，如圖１所示。若共有Ｎ位單元，則最高位單元的電壓為：

需要指出的是，這些單元可以是恒定的直流電壓，也可以是等寬的單向脈沖電壓，甚至可以是同頻同相的交流電壓。這里只討論恒定直流電壓的情況。

1.2 電壓波形重組合 ?

先將擬要產(chǎn)生的波形分成若干個(gè)垂直條塊，這些條塊的寬度遠(yuǎn)小于波形的周期，可看作為具有固定幅值的矩形條塊。這樣給定的電壓波形就可用上述的數(shù)制化單元迭加得到，如圖２所示。使用二進(jìn)制的單元系列不僅可減少單元數(shù)目，簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，而且極易利用單片機(jī)來(lái)進(jìn)行控制。

1.3 主電路部分

由以上電壓迭加分析可知，各數(shù)制化電壓?jiǎn)卧獞?yīng)串聯(lián)起來(lái)，并且每個(gè)單元應(yīng)串聯(lián)一個(gè)可控制其導(dǎo)通或關(guān)斷的電子開(kāi)關(guān)，構(gòu)成電壓合成器VS。綜合考慮目前電力電子器件的性能，這里選用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作電子開(kāi)關(guān)。這是一種電壓控制型器件，其輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度高、開(kāi)關(guān)損耗??；它的通態(tài)壓降比VKMOS還低，特別是在大電流區(qū)段；且在1/2或1/3額定電流以下區(qū)段具有負(fù)溫度系數(shù)，而在以上區(qū)段則具有正溫度系數(shù)，因此在并聯(lián)使用時(shí)具有自動(dòng)調(diào)節(jié)電流的能力。另外，IGBT的安全工作區(qū)比GTR寬，而且還具有耐脈沖電流沖擊的性能，特別適于作高頻開(kāi)關(guān)使用。

為了使某位數(shù)制化電壓?jiǎn)卧陉P(guān)斷時(shí)能給其它單元提供電流通路，每位單元在與其控制開(kāi)關(guān)串聯(lián)后，應(yīng)再與一快速恢復(fù)二極管反向并聯(lián)，如圖３所示。用＝１表示第ｉ位單元被選通，＝０表示關(guān)斷，則AO端的電壓為：

為了使裝置能提供交變電壓，在輸出到負(fù)載之前須再加裝一開(kāi)關(guān)換向橋，這四個(gè)換向開(kāi)關(guān)也選用IGBT，以便于控制和得到與上述一致的性能。這樣當(dāng)導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)，輸出端U點(diǎn)的電位高于V點(diǎn)電位；反之，當(dāng)關(guān)斷、導(dǎo)通時(shí)，V點(diǎn)的電位高于Ｕ點(diǎn)的電位。

1.4 單片機(jī)監(jiān)控電路部分

為了簡(jiǎn)化電路、降低消耗、增強(qiáng)性能，本系統(tǒng)的監(jiān)控部分主芯片擬采用80C196KC單片機(jī)和現(xiàn)場(chǎng)可編程系統(tǒng)器件PSD302。80C196KC是Intel公司的第二代CHMOS型真16位單片機(jī)，它在與外部設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)交換和內(nèi)部運(yùn)算時(shí)均可采用１６位操作方式，時(shí)鐘頻率可達(dá)16MHz以上，其控制IGBT開(kāi)關(guān)的時(shí)間精度可達(dá)微秒級(jí)，速度比８位單片機(jī)快得多。它的指令系統(tǒng)也更加豐富，效率更高。另外，80C196KC還新增了一個(gè)外設(shè)事務(wù)服務(wù)器(Peripheral Transaction Server即PTS)，大大提高了響應(yīng)外設(shè)中斷的速度，增強(qiáng)了A/D轉(zhuǎn)換器的性能（10位/8位）。因此，它特別適合于要求實(shí)時(shí)處理、實(shí)時(shí)控制的系統(tǒng)。

PSD302是一種功能很強(qiáng)的通用外圍接口芯片，它不僅可替代單片機(jī)最小系統(tǒng)中的地址鎖存器、譯碼器和存儲(chǔ)器，而且可使系統(tǒng)功能和可*性大大增強(qiáng)。它有19根可單獨(dú)構(gòu)造的I/O引腳、兩個(gè)可編程陣列、內(nèi)部高速EPROM和SRAM等，可有四種工作模式供選擇，作輸入的引腳有效電平可編程，故它幾乎支持任何8位或16位微控制器。

根據(jù)上述芯片的特性，可畫(huà)出監(jiān)控部分的電路示意圖，如圖４所示。80C196KC的 P0.0和P0.1作為內(nèi)部８通道A/D轉(zhuǎn)換器的模擬輸入端，分別檢測(cè)輸出電壓和負(fù)載電流，P0口的其它線仍可作數(shù)字輸入口用，P1口和P2．6、P2．7為準(zhǔn)雙向口，可用于輸出監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)和聲光報(bào)警信號(hào)，P3、P4口用作系統(tǒng)總線。為了防止A/D轉(zhuǎn)換器模擬輸入端過(guò)載及增強(qiáng)其抗尖峰干擾的能力，應(yīng)分別加裝二極管箝位電路及阻容濾波電路。PSD302構(gòu)造為16位多路復(fù)用模式，PA、PB口均構(gòu)造為I/O輸出，分別作為VS和換分向橋的控制驅(qū)動(dòng)，PC0～PC2留作備用，或作為片選輸出信號(hào)。

２ 程序流程圖

本系統(tǒng)由80C196KC的內(nèi)部定時(shí)器T0設(shè)定采樣時(shí)間間隔，T0的中斷服務(wù)程序分別采集輸出電壓和負(fù)載電流，存入PSD302的響應(yīng)SRAM中。80C196KC根據(jù)采樣值與標(biāo)準(zhǔn)值的比較發(fā)出命令給PSD302，調(diào)節(jié)輸出幅值或相位。程序流程圖如圖５所示。

３ 諧波分析

理論上講，利用數(shù)制化電源裝置可以產(chǎn)生任意形狀的電壓波形，但由于頻率很高時(shí)，IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間不可忽略，單片機(jī)系統(tǒng)的運(yùn)行時(shí)間也必須加以考慮，故實(shí)際上只能得到近似的階梯狀曲線。以最常見(jiàn)的合成正弦電壓的情形為例來(lái)分析，并忽略二極管和IGBT的導(dǎo)通電壓，當(dāng)VS能輸出的最高電壓與正弦電壓的峰值接近時(shí)，輸出端UV的電壓可展成傅立葉級(jí)數(shù)?

成立時(shí)，可使次以內(nèi)的諧波皆為零。例如，當(dāng)只有一位單元時(shí)，則觸發(fā)角α１為0.5236弧度，可使５次以內(nèi)的諧波為零；當(dāng)有兩位單元時(shí)，則觸發(fā)角分別為0.2037,0.4701,0.9784弧度或0.2093,0.7318,1.4953弧度，可使9次以內(nèi)的諧波為零，而9次及以上各次諧波頻率與基波頻率相差很大，易用低通濾波器濾去。若再增加幾位電壓?jiǎn)卧绻灿冒宋?，如果能選擇適當(dāng)?shù)挠|發(fā)角，則513次以內(nèi)的諧波皆為零。

４ 應(yīng)用

由以上分析可知，通過(guò)改變單片機(jī)的控制方式，即可獲得各種各樣的電壓波形，例如用簡(jiǎn)單的線性插值法，可實(shí)現(xiàn)輸出無(wú)級(jí)可調(diào)直流電壓，因此這種數(shù)制化電源裝置首先具有通用性，可用于交直流電機(jī)的正反轉(zhuǎn)控制及調(diào)速、實(shí)驗(yàn)室電源等。在輸出正弦交流電壓時(shí)，它的諧波分量比普通的PWM逆變器小得多，如不使用低通濾波器，則可消除濾波器引起的波形失真。它的控制也較簡(jiǎn)單，可用于對(duì)電源要求較高的場(chǎng)合，如高精度變頻調(diào)速、不間斷電源、大功率高效D/A轉(zhuǎn)換器、多電源系統(tǒng)等，原則上可取代PWM。如果用于專(zhuān)門(mén)用途，只輸出一種電壓波形，則整個(gè)系統(tǒng)從硬件到軟件都可進(jìn)一步優(yōu)化，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，降低成本，提高精度，增強(qiáng)可*性。

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件的集成度越來(lái)越高、性能越來(lái)越強(qiáng)、功率也越來(lái)越大，用它們?cè)O(shè)計(jì)和制造出來(lái)的各種裝置也正朝小型化、高頻化、智能化、大功率方向發(fā)展。目前500kHz的VDMOS開(kāi)關(guān)電源在市場(chǎng)上已有售。在采用諧振開(kāi)關(guān)技術(shù)時(shí)，其開(kāi)關(guān)頻率可進(jìn)一步提高到數(shù)兆赫至幾十兆赫，效率大于80%，出現(xiàn)了功率密度達(dá)每立方英寸30～50W的所謂“卡片式”開(kāi)關(guān)電源。但VDMOS的導(dǎo)通電阻與成正比，限制了它在高頻中、大功率領(lǐng)域的應(yīng)用。IGBT集MOS器件與雙極型器件的優(yōu)點(diǎn)于一體，得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，有取代GTR和MOSFET的趨勢(shì)。可以預(yù)見(jiàn)，未來(lái)的電力電子開(kāi)關(guān)器件具有導(dǎo)通壓降更低、開(kāi)關(guān)速度更高、損耗更小等特點(diǎn)，與現(xiàn)代控制理論相結(jié)合的數(shù)制化電源裝置功能也將進(jìn)一步增強(qiáng)，徹底取代PWM等也將成為必然。