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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源設(shè)計(jì)應(yīng)用>MAX17000A完備的DDR2和DDR3存儲(chǔ)器電源管理方案

MAX17000A完備的DDR2和DDR3存儲(chǔ)器電源管理方案

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2009-01-22 12:59:211018

臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3  2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑,多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602

DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能 DDR2DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異,DDR2合約價(jià)大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,
2010-01-18 16:04:441094

DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過DDR3

DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過DDR3  報(bào)道,威剛主席Simon Chen今天表示,隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上,DDR2芯片的出貨量將開始減少,其價(jià)格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:18955

DDR2,DDR2是什么意思

DDR2,DDR2是什么意思 DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361381

金士頓:DDR2/DDR3價(jià)格可能會(huì)繼續(xù)上漲

金士頓:DDR2/DDR3價(jià)格可能會(huì)繼續(xù)上漲 據(jù)報(bào)道,存儲(chǔ)大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示,雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價(jià)格已經(jīng)超過了3美元大關(guān),
2010-04-09 09:11:05676

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

 DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而,和過去幾代(DDRDDR2)器件相比,DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),使用一
2010-07-16 10:46:051721

DDR2DDR3內(nèi)存的創(chuàng)新電源方案

從那時(shí)起,采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今,DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前,設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033

DDR3布線參考

DDR3DDR
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-12-07 22:57:54

DDR3布線參考

DDR3DDR
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-12-07 22:58:53

DDR2 Layout指導(dǎo)手冊(cè)

SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 是RAM 技術(shù)發(fā)展的不同階段, 對(duì)于嵌入式系統(tǒng)來說, SDRAM 常用在低端, 對(duì)速率要求不高的場合, 而在DDR/DDR2/DDR3 中,目前基本上已經(jīng)以DDR2 為主導(dǎo),相信不久DDR3 將全面取代
2012-01-16 14:53:010

基于FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器用戶接口設(shè)計(jì)

使用功能強(qiáng)大的FPGA來實(shí)現(xiàn)一種DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器的用戶接口。該用戶接口是基于XILINX公司出產(chǎn)的DDR2 SDRAM的存儲(chǔ)控制器,由于該公司出產(chǎn)的這種存儲(chǔ)控制器具有很高的效率,使用也很廣泛,
2013-01-08 18:15:50237

DDRDDR2 DDR3 區(qū)別在那里

總結(jié)了DDRDDR2,DDR3三者的區(qū)別,對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736

Xilinx DDR2存儲(chǔ)器接口調(diào)試代碼

Xilinx FPGA工程例子源碼:Xilinx DDR2存儲(chǔ)器接口調(diào)試代碼
2016-06-07 14:54:5727

SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對(duì)比及其特點(diǎn)分析

SDRAM):DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4925152

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲(chǔ)管理的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個(gè)端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)沖突,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲(chǔ)管理系統(tǒng)。DDR3存儲(chǔ)器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器,只需通過用戶接口信號(hào)就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:256409

FPGA如何與DDR3存儲(chǔ)器進(jìn)行正確的數(shù)據(jù)對(duì)接?

,如屏幕上所示。   為了更好地進(jìn)行演示,我們將使用這里所示的Stratix III DDR3存儲(chǔ)器電路板。它上面有幾個(gè)高速雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器,例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM
2018-06-22 05:00:008250

DDR2DDR的區(qū)別,DDR3DDR2的區(qū)別

突發(fā)長度,由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定位8,而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了
2018-06-21 09:20:5414616

基于DDR3內(nèi)存的PCB仿真設(shè)計(jì)

DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分,都采用源同步時(shí)序,即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率,最高可達(dá)1866Mbps;DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù),明顯提高了存儲(chǔ)帶寬;其工作電壓為1.5V,保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736

DDR3DDR4的設(shè)計(jì)與仿真學(xué)習(xí)教程免費(fèi)下載

DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì),與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000

DDRDDR2DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDRDDR2DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了:一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì),二、DDR電路的信號(hào)完整性,三、DDR Layout Guide,四、DDR設(shè)計(jì)建議,六、DDR design checklist,七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000

用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)

用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013

15V、雙通道 3A 單片同步降壓型穩(wěn)壓器為 DDR1、DDR2DDR3 存儲(chǔ)器供電

15V、雙通道 3A 單片同步降壓型穩(wěn)壓器為 DDR1、DDR2DDR3 存儲(chǔ)器供電
2021-03-20 15:29:106

用于 DDR 終端的高效率 ±6A 開關(guān)穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)

用于 DDR 終端的高效率 ±6A 開關(guān)穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-21 05:20:164

針對(duì)DDR2DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)介紹

本文章主要涉及到對(duì)DDR2DDR3在PCB設(shè)計(jì)時(shí),考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng),這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。 文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù),特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù),其中
2021-03-25 14:26:013864

DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別

DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者:AirCity [email protected] 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154

FPGA學(xué)習(xí)-DDR3

一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051911

完整的DDR、DDR2DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

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2024-03-13 10:16:450

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表

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2024-03-13 11:24:340

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表

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2024-03-13 11:13:440

完整的DDR2DDR3DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表

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2024-03-13 13:58:120

適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030

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