本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合
2020-12-21 14:25:45
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GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗，這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:511366 反向恢復(fù)過程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程 。由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，那就
2022-12-10 17:06:3814754 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
除了上面的伏安特性曲線以外，對(duì)于二極管，你還需要知道兩個(gè)特性：二極管電容和反向恢復(fù)時(shí)間。這兩個(gè)特性掌握了之后，那對(duì)于通常的二極管來說，你該知道的基本上就算都知道了。
2023-02-14 11:44:27649 
二極管的反向恢復(fù)時(shí)間Trr是指二極管截止后，從導(dǎo)通到關(guān)斷所用的時(shí)間。做開關(guān)電源的都知道，這個(gè)參數(shù)很重要，但雅帆為了寫這篇文章，查了很多二極管資料，里面都沒有標(biāo)出。自己動(dòng)手豐衣足食，測(cè)試過程與大家
2023-04-12 09:06:145600 超快恢復(fù)二極管是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間超短的半導(dǎo)體二極管，常用來給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮。超快恢復(fù)二極管是用電設(shè)備
2023-07-08 10:08:331014 
二極管正向?qū)〞r(shí)，電子存儲(chǔ)在P區(qū)，空穴存儲(chǔ)在N區(qū)，此現(xiàn)象叫做電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。外加反向電壓時(shí)，電子和空穴分別往相反方向移動(dòng)，形成反向漂移電流，同時(shí)與其他多數(shù)載流子復(fù)合，待電子和空穴明顯減小后，反向恢復(fù)過程完成，二極管截至。
2023-10-18 09:41:502209 
基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開關(guān)管、以及次級(jí)同步整流開關(guān)管， 其體內(nèi)寄生的二極管都會(huì)經(jīng)歷反向電流恢復(fù)的過程。
2023-12-04 16:05:40821 
反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。二極管和一般開關(guān)的不同在于,"開"與"關(guān)"由所加電壓的極性決定, 而且"開"態(tài)有微小的壓降Vf
2019-12-03 10:16:05
編輯-Z快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，超快恢復(fù)二極管SFP6006的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步降低，使其trr可低至幾十納秒。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)上看，快恢復(fù)可分為單管和對(duì)管（也稱雙管）兩種，雙管內(nèi)有兩個(gè)
2021-09-10 16:13:18
了這兩個(gè)概念后，從電路的角度去理解二極管的反向恢復(fù)過程就很簡(jiǎn)單了?！ ∵@時(shí)候你可能會(huì)問“二極管反向恢復(fù)的瞬間會(huì)不會(huì)造成橋臂直通啊？”是的，當(dāng)然會(huì)了。雖然是“橋臂直通”，但是沒有危險(xiǎn)，因?yàn)闀r(shí)間太短了，也就
2020-12-08 15:44:26
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
【實(shí)例分析】抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法大比拼！引言高頻功率二極管在電力電子裝置中的應(yīng)用極其廣泛。但PN結(jié)功率二極管在由導(dǎo)通變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)過程中，存在反向恢復(fù)現(xiàn)象。這會(huì)引起二極管損耗增大，電路效率
2017-08-17 18:13:40
為什么普通整流二極管都沒標(biāo)反向恢復(fù)時(shí)間？
2023-04-20 16:43:24
二極管是單向?qū)?，那?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復(fù)時(shí)間是什么，需要怎么測(cè)試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復(fù)過程？二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠(yuǎn)比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們?cè)敿?xì)討論了二極管的結(jié)電容：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的結(jié)電容參數(shù)，它的大小和反向恢復(fù)時(shí)間沒有關(guān)系。如下表所示：序號(hào)種類型號(hào)結(jié)電容反向恢復(fù)時(shí)間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
一、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間①舉例理解如上圖，在二極管正極輸入正負(fù)脈沖方波信號(hào)，理想二極管輸出應(yīng)該是高電平和低電平，但實(shí)際上二極管有一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間trr。如上圖，在電壓從正向突然變成負(fù)向的瞬間，二極管
2023-02-15 14:24:47
看起來好像SPICE沒有對(duì)這個(gè)恢復(fù)進(jìn)行正確建模。在本系列的第2部分，我將詳細(xì)介紹在真實(shí)電路中測(cè)量反向恢復(fù)的方法，然后將一個(gè)基于MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)同步降壓轉(zhuǎn)換器與全新的LMG5200進(jìn)行比較。其它資源：了解LMG5200的用戶友好界面學(xué)習(xí)具有GaN半橋功率級(jí)EVM的用戶指南挖掘研究更多的GaN博客
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說過程，我們稱之為反向恢復(fù)過程。只要是雙極型器件，就會(huì)有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復(fù)過程。這種特性嚴(yán)重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復(fù)這個(gè)過程的時(shí)間。(a
2023-02-14 15:46:54
對(duì)于二極管來說，加在其兩端的電壓由正向變到反向時(shí)，響應(yīng)時(shí)間一般很短，而相反的由反向變正向時(shí)其時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)，此即為反向恢復(fù)時(shí)間，當(dāng)二極管用做高頻整流等時(shí)，要求反向恢復(fù)時(shí)間很短，此時(shí)就需要快恢復(fù)二極管
2021-06-30 13:51:20
產(chǎn)生反向恢復(fù)電流Irr，會(huì)明顯增大對(duì)管開關(guān)管的開通損耗，降低整個(gè)系統(tǒng)的效率?！ 】梢?，在圖騰柱無橋PFC中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD或超結(jié)MOSFET作為主開關(guān)管的傳統(tǒng)IGBT解決方案已很難再進(jìn)
2023-02-28 16:48:24
MOSFET相比，GaN的優(yōu)勢(shì)包括：低輸入和輸出電容，減少開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)頻率。接近0的反向恢復(fù)電荷，無反向恢復(fù)損耗，降低D類逆變器/放大器的損耗。由于較低的柵極-漏極電容，大大降低了開關(guān)損耗
2019-07-29 04:45:02
二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀 長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司滿足國家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T8024-2010，使用矩形波法測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間。一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
開通造成橋臂短路； 通過優(yōu)化 PCB 布局減小寄生電感能有效減小驅(qū)動(dòng)振蕩[3]，但在硬開關(guān)場(chǎng)合依舊存在較大電壓過沖； 而且 GaN HEMT 的反向導(dǎo)通損耗往往高于同電壓等級(jí)的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
2021-05-13 06:18:10
如何選擇開關(guān)電源次級(jí)輸出的整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間？
2023-04-20 16:41:42
如何選擇開關(guān)電源次級(jí)輸出的整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間？
2023-05-15 17:47:45
?快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
快恢復(fù)二極管與普通整流二級(jí)管最大的區(qū)別就是快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。那么快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是如何定義的呢？下面來給大家普及一下基礎(chǔ)知識(shí)：快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）的定義：電流
2021-08-13 17:15:07
二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較...
2021-09-09 06:52:46
二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低
2015-11-27 17:55:42
快恢復(fù)二極管是在P型、N型硅材料中增加了基區(qū)I，構(gòu)成P—I—N硅片結(jié)構(gòu)。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很少，不僅大大減小了反向的恢復(fù)時(shí)間，還降低了瞬態(tài)正向電壓，使管子能夠承受很高的反向工作電壓?？?b class="flag-6" style="color: red">恢復(fù)
2021-05-14 08:11:44
高壓二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀滿足國家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4023-1997，使用矩形波法測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間。一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種高速高壓二極管 B：二極管反向電流峰值50mA（定制）C：二極管正向
2015-03-11 14:02:20
已經(jīng)上傳了驅(qū)動(dòng)部分的原理圖，我剛進(jìn)一個(gè)做MOS的公司，有個(gè)客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復(fù)損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復(fù)時(shí)間，也就是肖特基二極管由流過正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復(fù)過程
2021-01-08 06:22:44
測(cè)量一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器中的反向恢復(fù)不太容易。電流探頭太大，并且會(huì)大幅增加功率級(jí)環(huán)路中的電感。而且電流探頭的帶寬也不夠。使用一個(gè)分流電阻器怎么樣？這聽起來是可行的，不過你需要確保這個(gè)器件不會(huì)引入過大
2022-11-17 06:53:17
連線的電源短路。圖2顯示的是經(jīng)修改的評(píng)估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復(fù)測(cè)量的經(jīng)修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測(cè)技術(shù)圖4顯示的是開關(guān)
2018-09-03 15:17:37
拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)洹Ｓ捎谒鼈兊母唛_關(guān)損耗，MOSFET和絕緣
2020-10-27 06:43:42
一、二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)過程在上圖所示的硅二極管電路中加入一個(gè)如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時(shí)間內(nèi)，輸入為+VF，二極管導(dǎo)通，電路中有電流流通?！ ≡O(shè)VD為二極管正向壓降（硅管為
2020-02-25 07:00:00
請(qǐng)教一下大佬二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
超高速二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測(cè)量精度1nSE：二極管接反、短路開路保護(hù)F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
測(cè)量電路如下圖。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器C加脈沖信號(hào)，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復(fù)時(shí)間及簡(jiǎn)易測(cè)試在開關(guān)電路中應(yīng)用的二極管，反向恢復(fù)時(shí)間是一個(gè)主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測(cè)試方法，但需要專用測(cè)試設(shè)備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速二極管的反向恢復(fù)參數(shù)與使用條件的關(guān)系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 測(cè)量功率二極管的反向恢復(fù)時(shí)間簡(jiǎn)單有效方法
在互聯(lián)網(wǎng)上很少看到測(cè)量二極管的反向恢復(fù)時(shí)間(trr and Irr)簡(jiǎn)單有效方法。一些在網(wǎng)上提供的方法,或者需要特別的
2009-11-11 09:48:31100 超快速二極管的反向恢復(fù)特性摘要:本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測(cè)試二極管反向恢復(fù)時(shí)間穩(wěn)定可靠。 二 應(yīng)用范圍 高速信號(hào)二極管 三 測(cè)量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
一 概述DI-1000D 是在 DI-1000的基礎(chǔ)上進(jìn)一步改進(jìn)的二極管反向恢復(fù)測(cè)試儀，相比較DI-1000，它配備的電腦，可通過電腦設(shè)定 di/dt,If，等參數(shù)，它可以自動(dòng)測(cè)試二極管，工作最高
2023-10-16 14:52:16
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