對(duì)于高度可配置的過(guò)流保護(hù)電路，可組合使用集成負(fù)載開(kāi)關(guān)和數(shù)字電位器(例如MAX5434)。這種配置允許微控制器(或生產(chǎn)夾具)根據(jù)需要設(shè)置過(guò)流限值，而無(wú)需更改物理器件。圖2所示為此類應(yīng)用電路。

　　圖2：MAX5976與非易失數(shù)字電位器MAX5434組合使用，實(shí)現(xiàn)可編程過(guò)流限值。

　　在熱約束非常關(guān)鍵的應(yīng)用中，可利用負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻設(shè)置電流限值。NTC熱敏電阻提供一個(gè)保護(hù)門限，在負(fù)載開(kāi)始過(guò)熱時(shí)自動(dòng)降低，從而防止?jié)撛诘墓收习l(fā)展到不可恢復(fù)的程度。

　　本文小結(jié)

　　由于MAX5976及類似器件采用單電阻設(shè)置軟啟動(dòng)和過(guò)流保護(hù)水平，因此對(duì)基本應(yīng)用電路進(jìn)行簡(jiǎn)單改動(dòng)，就可以適應(yīng)啟動(dòng)和運(yùn)行電流要求變化非常寬的復(fù)雜負(fù)載。我們能夠很容易地將集成負(fù)載開(kāi)關(guān)的高集成度和性能與復(fù)雜的狀態(tài)依賴型過(guò)流保護(hù)相結(jié)合。

　　圖2：圖1所示電路啟動(dòng)330μF、8.9Ω 負(fù)載，RCB1=17.4kΩ，RCB2=12.1kΩ。

　　相反，有些負(fù)載必須緩慢啟動(dòng)，以免負(fù)載開(kāi)關(guān)的內(nèi)部MOSFET功耗過(guò)大，同時(shí)輸出電壓呈斜坡上升。那么，如果完全增強(qiáng)MOSFET，則可在沒(méi)有過(guò)大損耗的情況下提供更大的電流。在這種情況下，可簡(jiǎn)單地利用MAX5976的PG輸出本身來(lái)控制并聯(lián)配置電阻(圖3)。完成啟動(dòng)后，PG輸出變?yōu)楦咦?，此時(shí)斷開(kāi)并聯(lián)電阻，并增大可提供給負(fù)載的電流。

　　圖3：用于增大啟動(dòng)后過(guò)流限值的開(kāi)漏PG輸出。