ROHM針對這些挑戰(zhàn)，于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC，在行業(yè)中處于先進(jìn)地位。
2021-06-20 10:58:48
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AD8040AR-EBZ，14引腳SOIC評估板，旨在幫助用戶評估采用14引腳SOIC封裝的四通道，高速運算放大器
2020-05-13 08:06:27
SI4836-DEMO，演示板采用16引腳SOIC封裝的Si4836芯片，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器，集成了從天線輸入到音頻輸出的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟的電位器進(jìn)行頻率調(diào)諧
2020-07-26 18:05:02
據(jù)我所知，本論壇部分所引用的系列中的大多數(shù)（也許全部）電源插腳都傾向于位于設(shè)備兩側(cè)的中間，或者位于頂端（缺口）兩側(cè)。搜索“帶有電源引腳10和20的20引腳PIC”不會得到很好的結(jié)果，這可能意味著沒有
2019-10-17 10:26:11
8引腳LLP封裝尺寸圖 [此貼子已經(jīng)被作者于2008-6-11 14:22:53編輯過]
2008-06-11 14:22:35
`全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管（以下簡稱“SBD”）成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。Murata Power
2023-03-02 14:24:46
大家好，我打算在逆變器應(yīng)用中使用sic mosfets（2級或3級），我搜索了一些制造商和價格，我看到sct30n120和ST說'非常快速和強大的內(nèi)部體二極管（不需要外部續(xù)流二極管，因此，更緊
2019-05-29 06:12:00
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻?！ 〔粌H能夠以小封裝實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小?！ J-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?b class="flag-6" style="color: red">3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導(dǎo)通電阻更低，晶體管數(shù)得以從8個減少到4個。關(guān)于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時的結(jié)果最理想，無論哪種SiC-MOSFET的效率均超過Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
米勒箝位示意圖在高功率應(yīng)用中，對于SiC MOSFET的選取，本文推薦采用[color=#2655a5 !important]ROHM（羅姆）公司提供的新型SiC MOSFET解決方案——[color
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發(fā)活動的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4
2019-07-30 15:15:17
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?b class="flag-6" style="color: red">3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT
2017-07-27 17:50:07
4引腳封裝的MOSFET 英飛凌已經(jīng)在CoolMOS系列器件中推出新的封裝概念“4引線封裝”,其中，通孔封裝名為“TO-247 4PIN”.如圖3中的虛線框內(nèi)所示，最新推出的TO-247 4引腳模型
2018-10-08 15:19:33
Si4827-DEMO，演示板采用16引腳SOIC封裝的Si4827芯片設(shè)計，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器集成了從天線輸入到音頻輸出的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟的電位器進(jìn)行
2020-08-10 09:40:04
CPC7582線路卡接入交換機的典型CPC7582應(yīng)用框圖。 CPC7582是采用16引腳SOIC或DFN表面貼裝封裝的單片固態(tài)開關(guān)
2020-07-30 10:21:46
SI4840-DEMO，SI4840 MCU演示板，數(shù)字無線電調(diào)諧器。 SI4840-DEMO板采用24引腳SSOP封裝的Si4840芯片設(shè)計，革命性的單芯片AM / FM / SW接收器集成了從天線輸出到音頻輸入的所有功能，并允許使用通用和經(jīng)濟的電位器進(jìn)行頻率調(diào)諧
2020-08-04 10:04:06
Fraunhofer ISE用ROHM SiC和柵極驅(qū)動器設(shè)備開發(fā)了一款10kW的三相UPS逆變器，如圖4所示。100kHz的高開關(guān)頻率導(dǎo)致輸出端的無源濾波器組件和輸入電容小，從而使輸出電容器和輸入
2019-10-25 10:01:08
。與此同時，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
3引腳GND是給誰提供參考電平的？
在AD5445的datasheet中所有的3引腳連接到模擬部分，但是在AD5445開發(fā)板中，3引腳連接到數(shù)字部分，請問哪個正確？
2023-12-20 06:52:39
ADP5023CP-EVALZ，ADP5023微功率管理單元評估板。 ADP5023采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5023是三通道器件，共用一個通用PCB評估板
2019-08-05 08:39:27
ADP5024CP-EVALZ，ADP5024微功率管理單元評估板。 ADP5024采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5024是三通道器件，共用一塊通用PCB評估板
2019-07-31 07:40:10
ADP5034-1-EVALZ，ADP5034微功率管理單元評估板。 ADP5034采用24引腳4 mm 4 mm LFCSP封裝。 ADP5034是四通道器件，共用一個評估板
2019-08-01 06:59:57
ARDUINO UNO R3中的ATMEGA16U2-MU的33引腳是干嘛的，封裝不是只有32個嗎，該怎么畫封裝呢？
2016-08-29 18:06:40
EVAL-ADCMP551BRQ，評估板，采用ADCMP551，雙通道高速PECL比較器，提供16引腳QSOP封裝
2019-07-30 08:58:27
EVAL-PRAOPAMP-4RUZ，通用精密評估板，分別采用8引腳SOIC，MSOP和LFCSP封裝的ADA4077-2雙通道運算放大器。用于LFCSP封裝的裸露焊盤連接。該PRAOPAMP評估板
2019-11-01 09:06:39
JRC4558是一種常見的雙運算放大器芯片，常用于音頻放大電路，他有兩種封裝形式，單列，和雙列方式，引腳布局分別見下圖 單列JRC4558引腳圖雙列JRC4558引腳圖4558引腳功能如下：（雙列
2020-07-17 18:24:30
用c8051f系列的單片機，c2口下載程序，封裝不知道怎么做。庫里面好像沒有10引腳的。
2012-07-09 16:09:44
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
運放OPA2188引腳3 4短路，芯片壞了好幾個啥原因
2017-11-28 12:54:52
目前正在設(shè)計基于STM32F103的PCB。該封裝采用VFQFPN 36引腳封裝，并具有大型散熱墊。此部件的數(shù)據(jù)表似乎并未顯示此焊盤的引腳編號或功能。我是否認(rèn)為是：a）一個孤立的墊b）接地墊c）其他的東西
2018-09-17 15:00:39
1.TC397的VDDP3引腳的主要功能是什么？用來給類似外部FLASH供電使用的嗎？
2.我是否可以不使用VDDP3引腳，講VDDP3引腳串聯(lián)一個100nf電容到GND？
3.TC3X系列是否有硬件設(shè)計指導(dǎo)手冊？
2024-02-01 08:28:25
100引腳tqfp封裝下載 附件為.p文件，直接inport to your library.即可使用。
2008-06-11 14:52:58
特點3：功能豐富，支持智能耳戴式設(shè)備15 地磁傳感器面向停車場車輛管理系統(tǒng)的車輛檢測領(lǐng)域，開發(fā)出檢測地磁的MI傳感器"BM1422AGMV"。MI傳感器采用特殊非
2018-10-17 16:16:17
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
的比較明顯對應(yīng)TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件首先在官網(wǎng)下載了開發(fā)板的user guide進(jìn)行學(xué)習(xí)，有個整體的了解，開發(fā)
2020-05-19 16:03:51
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動板Sic Mosfet驅(qū)動電路要求1. 對于驅(qū)動電路來講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
如題，BMS電路板上有一個五引腳的芯片，SOT23-5封裝，其中2引腳和5引腳接地，4引腳接電源。絲印有點看不清，好像是B5JG或B5J0?？赡苁鞘裁葱酒?？
2015-04-29 21:00:34
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
如何使用STM32L476G-DISCO開發(fā)板對UART4引腳做測試呢？有哪些操作步驟呢？
2021-11-17 07:01:36
我們目前正在努力禁用 SCT 輸入引腳上的內(nèi)部上拉電阻。我們使用的是 OM13084 板，我們使用的引腳是：表頭：J1.19引腳：P2_6功能：T3_CAP3 我們在哪里可以設(shè)置這個引腳的模式？根據(jù) UM10503 第 258 頁，該引腳的復(fù)位狀態(tài)可以是中性或上拉。
2023-03-29 08:58:55
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社（總社設(shè)在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用
2018-08-24 16:56:26
概述：CX522-054是一款用作CRT彩電中的CPU芯片，早期用作于索尼KV-1882等系列彩電中。CX522-054采用42引腳DIP封裝工藝。
2021-04-13 06:27:05
ADA4853-3YRU-EBZ，通用評估板，提供采用14引腳TSSOP封裝的三路，高速運算放大器
2020-05-13 06:08:14
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求助自彈式Micro SD（小卡，8引腳）卡座封裝？
2014-05-26 09:14:02
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關(guān)、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經(jīng)直接焊接
2022-09-20 08:00:00
。 SCT63240提供輸入欠壓保護，過流保護，短路保護以及過溫等完善的芯片保護機制。該轉(zhuǎn)換器采用19引腳3mmx4mm的超扁平QFN封裝。特性? 寬范圍4.2V-17V輸入電壓? 支持20W功率輸出? 集成4
2020-01-03 15:29:19
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作為SiC-MOSFET用IC最重要的關(guān)鍵點，接下來介紹其概要和特點。＜特點＞小型8引腳SOP-J8封裝低EMI準(zhǔn)諧振方式降頻功能待機時消耗電流低：19uA無負(fù)載時消耗電流低
2018-11-27 16:54:24
3引腳GND是給誰提供參考電平的？在AD5445的datasheet中所有的3引腳連接到模擬部分，但是在AD5445開發(fā)板中，3引腳連接到數(shù)字部分，請問哪個正確？
2018-10-01 19:14:13
研發(fā)的SiC MOSFET為例，即使在攝氏200度以上時，SiC MOSFET也能保持高效能之特性。WInSiC4AP專案的SiC MOSFET開發(fā)主要在2018年進(jìn)行。圖3、圖4、圖5分別提供元件
2019-06-27 04:20:26
為RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID約為50A時的波形。紅色曲線的TO-247-4L為4引腳封裝，藍(lán)色的TO-247N為以往的3引腳封裝，其中的SiC MOSFET芯片是相同的。我們先來
2020-07-01 13:52:06
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出在大功率（高電壓×大電流）逆變器和伺服等工業(yè)設(shè)備中日益廣泛應(yīng)用的SiC-MOSFET驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2015-04-10 09:53:192624 世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基勢壘二極管（以下稱“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
2016-05-10 14:25:511837 對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時通過采用單獨設(shè)置柵極驅(qū)動器
2020-11-25 10:56:00
30 ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 
。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。
2022-05-11 11:29:332311 ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:221217 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR系列”。
2023-02-16 09:55:04931 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243 
近日ROHM開發(fā)出車載一次側(cè)LDO“BD9xxM5-C”，是采用了ROHM高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur”的45V耐壓LDO穩(wěn)壓器，
2024-03-06 13:50:21132 
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