日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111114 德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:0010404 對(duì) MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量， 無(wú)論充放電過(guò)程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此，MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影響由 MOS- FET 柵極的容性負(fù)載產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)器功耗。
2018-04-28 09:11:0612541 
貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-04-13 14:58:561374 意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流大，高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型 FET 高頻開(kāi)關(guān)。
2021-09-09 14:47:572607 
(PFC)級(jí)。該 PFC 級(jí) 具有 配備集成式驅(qū)動(dòng)器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
開(kāi)關(guān)頻率（高達(dá) 100kHz）支持以最低的電流紋波驅(qū)動(dòng)低電感電機(jī)帶有集成型柵極驅(qū)動(dòng)器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換（小于
2018-10-31 17:33:14
5200混合多芯片模塊有助于防止過(guò)壓和欠壓。解決問(wèn)題的一個(gè)設(shè)備是德州儀器的LMG5200。該混合多芯片模塊（MCM）包含兩個(gè)具有集成驅(qū)動(dòng)器的半橋配置的80V，10-A GaN FET。功能框圖如圖3所示。請(qǐng)注意
2017-05-03 10:41:53
的MOSFET和IGBT會(huì)產(chǎn)生不可接受的損耗、WBG半導(dǎo)體晶體管比如GaN能夠克服這些問(wèn)題集成GaN HEMT和驅(qū)動(dòng)器方案現(xiàn)在已經(jīng)可以應(yīng)用于電機(jī)系統(tǒng)中能夠承受高壓條件的高性能電容也可以應(yīng)用到需要高壓高頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化
2018-08-30 15:28:30
LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time datasheet
2022-11-04 17:22:44
當(dāng)我向 lmg1210 的 Hi 和 Li 發(fā)送 50% 的值周期、500KHz 互補(bǔ)脈沖信號(hào)，并將 epc8010 芯片添加到后端時(shí)，連續(xù)脈沖波形將輸出并閃爍。如何解決這個(gè)問(wèn)題這個(gè)是視頻鏈接
2021-08-03 15:10:40
LMG3410 半 H 橋驅(qū)動(dòng)器（內(nèi)部 FET） 電源管理 評(píng)估板
2024-03-14 20:33:28
簡(jiǎn)介目前 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的主要用途之一是進(jìn)行不同類型電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。此應(yīng)用筆記對(duì)一些基本概念進(jìn)行討論以幫助用戶選擇適合應(yīng)用的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。電機(jī)和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器之間的電橋通常由
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
應(yīng)用的理想選擇?！ ?b class="flag-6" style="color: red">貿(mào)澤電子備貨的TI PGA460和PGA460-Q1為具有先進(jìn)DSP內(nèi)核的高度集成片上系統(tǒng) (SoC) 超聲波傳感器驅(qū)動(dòng)器和信號(hào)調(diào)理器。這兩款器件具有2種基于驅(qū)動(dòng)器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：基于變壓器
2017-09-12 10:24:01
領(lǐng)域的客戶進(jìn)行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應(yīng)用。 TI也將努力開(kāi)發(fā)出全新類型的轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)。 LMG5200與眾不同之處 LMG5200原型機(jī)由一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的GaN FET
2018-09-11 14:04:25
正在與太空領(lǐng)域的客戶進(jìn)行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應(yīng)用。 TI也將努力開(kāi)發(fā)出全新類型的轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)。 LMG5200與眾不同之處LMG5200原型機(jī)由一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置
2018-09-10 15:02:53
功能，并且有兩個(gè)模塊：一個(gè)監(jiān)聽(tīng)滾輪的旋轉(zhuǎn)功能驅(qū)動(dòng)器模塊，以及一個(gè)與LMG5200進(jìn)行通信的GaN模塊。兩個(gè)模塊都依靠低電平Hercules外設(shè)驅(qū)動(dòng)器運(yùn)轉(zhuǎn)（圖5）。 圖5：固件模塊操作我們先來(lái)看看輸出端
2018-06-01 11:31:35
概述：HIP4080A高頻全橋FET驅(qū)動(dòng)器。它為雙列直插20腳封裝。80V 2.5A N溝全橋FET驅(qū)動(dòng)電路。帶寬1MHz，延遲時(shí)間70ns。
2021-04-21 07:09:32
的 LMG1210（對(duì)于 GaN 電源），以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設(shè)計(jì)將硅功率級(jí)與 GaN 功率級(jí)進(jìn)行比較，以說(shuō)明在使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)折衷和必要的優(yōu)化。主要特色PMBus 可編程
2019-01-02 16:17:21
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過(guò)較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì) 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計(jì)的伺服驅(qū)動(dòng)器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動(dòng)的GaN FET功率級(jí)芯片
2019-03-14 06:45:08
減小尺寸和功耗的隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器，不看肯定后悔
2021-04-22 06:39:21
LMG1020。在此處查看演示：如下圖和上圖中所示，該GaN驅(qū)動(dòng)器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示中的脈沖激光開(kāi)發(fā)板：這是帶有最少外部組件的簡(jiǎn)單應(yīng)用圖：LMG1210半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器TI
2019-11-11 15:48:09
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開(kāi)關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問(wèn)mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
GaN單級(jí)解決方案——采用TPS53632G 無(wú)驅(qū)動(dòng)器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級(jí)（驅(qū)動(dòng)器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02
LMG3410 單通道 GaN 功率級(jí)包含一個(gè) 70-mΩ、600-V GaN 功率晶體管和采用 8-mm × 8-mm QFN 封裝的專用驅(qū)動(dòng)器。直接驅(qū)動(dòng)架構(gòu)用于創(chuàng)建常關(guān)器件，同時(shí)提供 GaN 功率晶體管
2022-04-12 14:11:49
今天觀看了電子研習(xí)社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無(wú)橋PFC參考方案的設(shè)計(jì)（TIDA00961）。下面是對(duì)該方案的介紹：高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達(dá) 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級(jí)具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可確保電路可靠性并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)使用 TI
2018-10-25 11:49:58
如何選擇伺服驅(qū)動(dòng)器？威科達(dá)通用型伺服驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)是什么？
2021-11-15 06:57:50
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
能夠通過(guò)它們的SOA，以1MHz以上的頻率，在電壓高達(dá)1000V和電流高達(dá)15A時(shí)，硬開(kāi)關(guān)FET。捕捉和分析實(shí)時(shí)波形可以幫助我們更好地理解高頻效應(yīng)，比如說(shuō)dv/dt、柵極驅(qū)動(dòng)器電感和電路板布局布線，這些
2019-07-12 12:56:17
的應(yīng)用。TI還將開(kāi)發(fā)新型轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和系統(tǒng)。LMG5200的與眾不同之處LMG5200原型機(jī)由一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成，這一切都采用了易于使用的四方扁平無(wú)引線(QFN
2018-08-30 15:05:40
，從而保持低回路電感。TI的先進(jìn)封裝和電路板設(shè)計(jì)將功率環(huán)電感降至幾納亨。這種低電感設(shè)計(jì)與優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)器集成，使得LMG3410能夠在轉(zhuǎn)換速率> 100V / ns及過(guò)沖小于10％的條件下進(jìn)行切換
2019-08-26 04:45:13
有誰(shuí)知道貿(mào)澤電子賣的運(yùn)放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)的TI用戶指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會(huì)討論到如何用一個(gè)Hercules微控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)它。圖1
2022-11-17 06:56:35
的典型傳播延遲失配。這使得能夠?qū)崿F(xiàn)非常短的死區(qū)時(shí)間，減少了損耗和輸出電流失真。用于高速驅(qū)動(dòng)的TI設(shè)計(jì)48V / 10A高頻PWM 3相GaN逆變器參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了具有三個(gè)LMG5200 半橋GaN功率模塊
2017-08-21 14:36:14
描述此激光雷達(dá)（光距離和范圍探測(cè)）參考設(shè)計(jì)展示了一款低側(cè)納秒 (ns) 級(jí) GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 LMG1020，該驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) FET 產(chǎn)生功率超過(guò) 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
個(gè)監(jiān)聽(tīng)滾輪的旋轉(zhuǎn)功能驅(qū)動(dòng)器模塊，以及一個(gè)與LMG5200進(jìn)行通信的GaN模塊。兩個(gè)模塊都依靠低電平Hercules外設(shè)驅(qū)動(dòng)器運(yùn)轉(zhuǎn)（圖5）。
圖5：固件模塊
操作
我們先來(lái)看看輸出端。第一步是在
2018-08-31 07:15:04
問(wèn)題是，即使RMS電流約為200mA，MOSFET芯片也會(huì)明顯升溫。要驅(qū)動(dòng)的電機(jī)是24V 90W BLDC電機(jī)，相電阻為0.15歐姆，相間電感為200uH。我選擇的MOSFET及其柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-08-23 10:09:59
Coss、Qrr和較低的柵極環(huán)路阻抗而具有較大的振鈴和硬開(kāi)關(guān)損耗。集成柵極驅(qū)動(dòng)的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的器件。它是一個(gè)
2023-02-14 15:06:51
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
的轉(zhuǎn)換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見(jiàn)。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對(duì)寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個(gè)600V GaN功率級(jí)樣品時(shí)，我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
www.ti.com/gatedrivers開(kāi)始設(shè)計(jì)您的高效系統(tǒng)。 其他信息TI Designs參考設(shè)計(jì)庫(kù)中展示了高效率系統(tǒng)中的高速柵極驅(qū)動(dòng)器：“隔離GaN驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)”?！坝糜陔娦诺? kW三路隔離DC
2019-03-08 06:45:10
描述此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開(kāi)關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 300
2022-12-14 14:43:00
適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 300
2022-12-20 15:04:36
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器 - TI | 貿(mào)澤Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅(qū)動(dòng)器
2024-02-22 13:39:55
針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
目前，現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過(guò)程。
從功能上講，MOSFET
2010-01-22 11:37:371757 
Linear推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16865 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。
2010-02-04 08:40:551260 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，
2010-02-23 09:26:57667 TI宣布推出一款完整LED照明驅(qū)動(dòng)器參考板
德州儀器 （TI） 聯(lián)合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED照明驅(qū)動(dòng)器參考板，幫助解決成
2010-04-15 09:35:45549 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:081435 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271040 
/10A 半橋 GaN 電源模塊 LMG5200 的三相逆變器來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，并使用基于分流器的相電流感應(yīng)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅 FET 快得多，而將 GaN FET 和驅(qū)動(dòng)器集成在同一封
2015-06-09 15:54:49
0 近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。
2016-02-22 11:22:431165 
基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）功率級(jí)工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。
2016-05-05 14:41:39874 氮化鎵 （GaN） 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
2016-05-09 17:06:562887 本報(bào)告對(duì)德州儀器LMG5200器件進(jìn)行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價(jià)格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動(dòng)器的半橋氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）設(shè)計(jì)，并采用先進(jìn)的多芯片封裝技術(shù)（PCB帶有嵌入式通孔和倒裝芯片）
2018-03-05 13:56:1810013 目前 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的主要用途之一是進(jìn)行不同類型電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。此應(yīng)用筆記對(duì)一些基本概念進(jìn)行討論以幫助用戶選擇適合應(yīng)用的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。
2018-06-20 10:26:0068 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG3410相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LMG3410的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LMG3410真值表，LMG3410管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG1210相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LMG1210的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LMG1210真值表，LMG1210管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:00:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG1205相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LMG1205的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LMG1205真值表，LMG1205管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:00:05
低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可為要求速度的應(yīng)用提供高效率、高性能的設(shè)計(jì)，適用于LiDAR、飛行時(shí)間激光貿(mào)澤電子供應(yīng)的Texas Instruments LMG1020低側(cè)GAN驅(qū)動(dòng)器，專為高速驅(qū)動(dòng)GaN FET和邏輯電平
2018-11-03 10:47:001513 本文介紹了LMG1020主要特性，框圖和典型應(yīng)用電路圖以及高壓評(píng)估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框圖，電路圖，材料清單和PCB設(shè)計(jì)圖。
2019-04-05 11:02:006111 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG3410R070相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LMG3410R070的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LMG3410R070真值表，LMG3410R070管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-01-08 17:46:11
）功率級(jí)工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開(kāi)提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:061928 此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開(kāi)關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著改善
2020-06-30 08:00:000 TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-05-29 16:39:072547 此激光雷達(dá)（光距離和范圍探測(cè)）參考設(shè)計(jì)展示了一款低側(cè)納秒級(jí) GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 LMG1020，該驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) FET 產(chǎn)生功率超過(guò) 100W 的 1ns 激光光脈沖。
2020-07-23 08:00:0020 目前 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的主要用途之一是進(jìn)行不同類型電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。此應(yīng)用筆記對(duì)一些基本概念進(jìn)行討論以幫助用戶選擇適合應(yīng)用的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。
2021-05-10 11:28:4541 ) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:021649 
。EPC21601 是一款單芯片加 eGaN? FET 驅(qū)動(dòng)器，采用 EPC 專有的 GaN IC 技術(shù)，采用芯片級(jí) BGA 外形尺寸，尺寸為 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:572015 
具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
2022-10-28 12:00:200 在過(guò)去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開(kāi)關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:12419 
MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 您可以通過(guò)多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無(wú)源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器的高劑量率總電離劑量測(cè)試.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-21 10:42:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《耐輻射12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 71441MM數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 11:06:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《輻射硬化12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器 73041SEH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-14 11:02:050 GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器，這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08189 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 14:17:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 15:27:070
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