基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、SMPS（包括服務(wù)器、電信和
2020-02-18 17:50:08
1494 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431205 
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級(jí)和門級(jí)居中
2023-12-12 18:04:37494 
、25N10、30N10、35N10、40N10、20N06、25N06、30N06、40N06、50N06、60N06、2N15、8N15型號(hào)系列100V10A(10N10)TO-252封裝100V
2020-11-12 16:25:57
IC采用先進(jìn)的降壓技術(shù)，能夠?qū)?2-80V的電壓穩(wěn)定地降低到5V，為電動(dòng)車提供安全、可靠的充電環(huán)境。同時(shí)，其2A的電流輸出能力，保證了充電速度和效率，讓您在短時(shí)間內(nèi)為電動(dòng)車充滿電。此外，該充電IC還采用
2023-12-21 15:27:51
。 產(chǎn)品特征：1、1.2A持續(xù)輸出電流2、4.5V-30V寬輸入范圍3、0.8V-15V寬輸出范圍4、集成0.3Ω功率MOSFET開關(guān)5、高達(dá)92%的效率6、可編程軟啟動(dòng)7、1.2MHz固定頻率8、輸出
2018-07-27 09:51:44
基于CS8683+FP5207、12V升30V大功率2x100W雙聲道D類音頻功放升壓組合解決方案，為音頻愛好者提供極致的音質(zhì)體驗(yàn)。輸出功率曲線圖方案簡(jiǎn)介此方案大致分為兩個(gè)主要級(jí)：1、采用FP5207非同步升壓控制器。此
2022-02-18 17:37:12
、4.5V-30V寬輸入范圍3、0.8V-15V寬輸出范圍4、集成0.3Ω功率MOSFET開關(guān)5、高達(dá)92%的效率6、可編程軟啟動(dòng)7、1.2MHz固定頻率8、輸出短路保護(hù)9、SOT23-6L無(wú)鉛封裝
2019-07-09 09:05:20
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。 產(chǎn)品概述：SP6701是一款2A降壓型同步整流芯片，是國(guó)內(nèi)首家采用SOT23-6小型封裝大電流同步2A芯片。內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻10豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體
2020-08-26 16:26:30
。 產(chǎn)品特征：1、1.2A持續(xù)輸出電流2、4.5V-30V寬輸入范圍3、0.8V-15V寬輸出范圍4、集成0.3Ω功率MOSFET開關(guān)5、高達(dá)92%的效率6、可編程軟啟動(dòng)7、1.2MHz固定頻率8、輸出
2018-08-06 18:13:53
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。 產(chǎn)品概述：SP6711是一款2A降壓型同步整流芯片，是采用SOT23-6小型封裝大電流同步2A芯片。內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻10豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2021-08-30 15:15:33
：8.0V至90V· 輸出電壓范圍：5.0V至30V· 支持5V/2A和12V/2A電流輸出· 內(nèi)置5A/100V高壓功率管· 轉(zhuǎn)換效率高于96%SOP8封裝 我們的優(yōu)勢(shì)：1、提供樣品和測(cè)試板，強(qiáng)大
2018-08-09 09:02:21
輸入電壓范圍： 4V 至 30V寬輸出電壓范圍： 1.8V 至 28V效率可高達(dá) 92%以上超高恒流精度： ±5%恒壓精度： ±2%無(wú)需外部補(bǔ)償開關(guān)頻率： 130kHz輸入欠壓/過壓、 輸出短路和過熱保護(hù)SOP-8 封裝輸出電流： 3A
2020-10-31 14:23:17
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率
2018-10-23 16:21:49
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30P03 30V -30A P溝道MOS DFN3*3-8封裝， 30P03 參數(shù)： -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：HN
2021-03-18 14:16:53
30V 10A MOS管TO-252封裝HC005N03L，MOS原廠庫(kù)存現(xiàn)貨HC005N03L參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場(chǎng)效率管品牌：惠海
2020-11-14 14:33:47
惠海直銷30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 貼片 mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252
2020-11-12 09:52:03
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
管，LED車燈強(qiáng)弱光切換專用MOS管100V5A（內(nèi)阻140mR） 30V8A SOT23-3封裝,MOS管專為L(zhǎng)ED汽車燈電源研發(fā)設(shè)計(jì)，具體抗高溫、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、溫升低特點(diǎn)，LED車燈電源專用
2020-10-29 14:33:52
PT4205 是一款連續(xù)電感電流導(dǎo)通模式的降壓恒流源，用于驅(qū)動(dòng)一顆或多顆串聯(lián) LED。其輸入電壓范圍從 5V 到 30V，具有 200mV±3%的基準(zhǔn)電壓，輸出電流通過一個(gè)外部電阻設(shè)定，可達(dá) 1.2
2021-04-22 10:21:35
型號(hào)：HC3022DN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V45ADFN3*3封裝內(nèi)阻13毫歐型號(hào)：HC3022DN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V45ADFN3*3封裝內(nèi)阻13毫歐型號(hào)：HC3039DN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V25ADFN3*3
2020-10-09 14:25:10
SOT23-6封裝形式。PW2902是一顆DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器芯片，輸入電壓范圍8V-90V，可負(fù)載2A，可調(diào)輸出電壓，頻率140kHZ。適用于輸出12V2A或者5V2A，可調(diào)輸出電壓5V-30V之間
2020-10-16 10:58:20
表說明了每種封裝技術(shù)對(duì)于主要參數(shù)影響因素如能效、功率密度和可靠性的不同效應(yīng)。這些組件包含一個(gè)采用IR硅技術(shù)的幾乎相同的30V MOSFET芯片。表1 幾種封裝的對(duì)比 基于所有上述特性，PQFN5×6
2018-09-12 15:14:20
（5）和（6）可知，影響MOSFET電流速率的源極引腳電感被消除了。根據(jù)等式（2）和（5），較之TO247封裝MOSFET,這縮短了器件的開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗。最新推出的TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡(jiǎn)化熱管理。 因此，可以提高開關(guān)電源的功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)成本。 繼去年發(fā)布展示有巨大優(yōu)勢(shì)的全新30V硅技術(shù)產(chǎn)品之后
2018-12-06 09:46:29
1.DC 3~60
V ,限制輸出在3~
25v之內(nèi)，就是大于
25V的輸入限制輸出到
25v左右，如何設(shè)計(jì)電路，謝謝了?。?！用簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓二極管發(fā)熱太大了吧，有沒有別的方法 ，謝謝了
2.或者有其他更好的方法，DC 3~60
V 轉(zhuǎn)成
5v給后面的單片機(jī)數(shù)碼管供電，如何設(shè)計(jì)電路，謝謝了?。?/div>
2016-11-17 09:42:15
。 產(chǎn)品特征：1、1.2A持續(xù)輸出電流2、4.5V-30V寬輸入范圍3、0.8V-15V寬輸出范圍4、集成0.3Ω功率MOSFET開關(guān)5、高達(dá)92%的效率6、可編程軟啟動(dòng)7、1.2MHz固定頻率8、輸出
2018-08-28 16:06:08
每周期的峰值限流、內(nèi)部軟啟動(dòng)和溫度保護(hù)。SL0450HV需要非常少的常規(guī)外圍器件。采用8腳的SOP8封裝。特性 寬輸入電壓：4.5V到80V 輸出電壓可從0.8V到30V 集成110mΩ的功率開關(guān)
2022-07-08 14:33:59
包括每周期的峰值限流、內(nèi)部軟啟動(dòng)和溫度保護(hù)。SL0450HV需要非常少的常規(guī)外圍器件，采用8腳的SOP8封裝。特性：寬輸入電壓：4.5V到80V輸出電壓可從0.8V到30V集成110mΩ的功率開關(guān)最高
2022-08-24 11:45:32
，ETA9897采用易于焊接的ESOP8封裝。應(yīng)用：TWS BT earbuds charge caseBluetooth applicationBattery powered IOT modulePower Bank深圳市尊信電子技術(shù)有限公司胡先生：*** V信同號(hào)`
2021-07-09 14:56:02
充電盒充放二合一解決方案，其集成了充電，放電。支持外部MCU控制，支持EN使能，其集成了30V極限耐壓，5V空載時(shí)超低1uA的待機(jī)功耗，以及電池反接保護(hù)，ETA9897采用易于焊接的ESOP8封裝
2021-06-08 18:52:06
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡(jiǎn)稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
和4953就可以完成一個(gè)QI5W無(wú)線充方案， 兼容 WPC Qi v1.2.4 最新標(biāo)準(zhǔn)，支持 A11線圈， 支持 5W 、蘋果 5W 、三星 5W充電 。輸入5V1A無(wú)線輸出5V0.8A功率給手機(jī)
2022-04-25 22:10:16
快速充電電源管理方案。H4012采用ESOP-8 封裝，芯片底部設(shè)計(jì)有功率散熱焊盤與SW管腳連接，可以有效的幫助芯片散熱。
產(chǎn)品特征
l 內(nèi)置30V MOS
l 輸入范圍5V-24V
l 內(nèi)置50m
2024-03-22 11:31:10
技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
MCP16301。MCP16301具備4V至30V的寬輸入電壓范圍，輸出電壓范圍為2V至15V，效率可高達(dá)95%。600mAMCP16301 采用6引腳SOT-23封裝，集成上橋臂開關(guān)，所需的外部元件
2011-07-12 22:04:35
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)NCE3080K新潔能替代型號(hào)100N03 30V貼片MOS，原裝正品，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷NCE3080K為新潔能推出的30V，N溝道，大電流 MOS，TO-252封裝
2019-11-27 16:52:24
的MOSFET設(shè)計(jì)，就無(wú)法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級(jí)里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個(gè)功率MOSFE器件。相對(duì)于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
包含多重保護(hù)功能：過溫輸 出短路保護(hù)和輸入欠壓保護(hù)等。SL1581采用 SOP8的標(biāo)準(zhǔn)封裝。2.特性? 寬輸入電壓范圍： 寬輸入電壓范圍： 寬輸入電壓范圍： 寬輸入電壓范圍： 4V至 30V? 效率可
2022-06-01 17:13:39
SL340630V4A50毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐
2020-06-19 11:00:56
SL340630V4A50毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400
2020-06-20 10:04:16
SL3042 30V88A 8.5毫歐DFN5x6A-8_EPSL3042 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴
2020-06-20 10:05:27
SL340630V4A50毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐
2020-06-20 10:11:31
SL340630V4A50毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐
2020-06-22 10:53:25
SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐 DFN3x3-8封裝N
2020-06-22 10:57:12
SL340630V4A50毫歐SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐
2020-06-24 10:37:08
SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐 DFN3x
2020-06-22 11:03:37
歐SOT23-3L封裝 N溝道SL872630V85A 3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐
2020-06-24 10:39:23
SL872630V85A3毫歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐 DFN3x3-8封裝N溝道供應(yīng)【20V MOS管 N/P溝道
2020-07-23 16:53:22
溝道 TO-252 替代AOD403 功率MOS管SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道替代AOD403SL48430V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道替代
2020-06-04 13:53:48
TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐 DFN3x3-8封裝N溝道【20V MOS管 N/P溝道
2020-06-10 14:31:13
溝道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道替代AOD403SL48430V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道替代
2020-06-04 13:58:07
歐TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐 DFN3x3-8封裝N溝道【20V MOS管 N/P溝道
2020-06-10 14:35:56
到30v，提供可調(diào)的輸出電流，最大輸出電流可達(dá)到1A。根據(jù)不同的輸入電壓和外部器件SL6029 可以驅(qū)動(dòng)供高達(dá)數(shù)十瓦的LED。SL6029 內(nèi)置功率開關(guān)，采用高端電流檢測(cè)電路，以及兼容PWM 和模擬
2020-04-16 11:15:43
TO-252封裝N溝道SL30150 30V150A2毫歐DFN5x6A-8封裝N溝道SLW7400 30V40A9.5毫歐 DFN3x3-8封裝N溝道【20V MOS管 N/P溝道
2020-06-09 10:23:37
型號(hào)：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。 產(chǎn)品概述：SP6701是一款2A降壓型同步整流芯片，是國(guó)內(nèi)首家采用SOT23-6小型封裝大電流同步2A芯片。內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻10豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體
2018-08-01 14:45:10
MOSFET上進(jìn)行了加速柵極氧化物壽命測(cè)試。兩個(gè)測(cè)試結(jié)果之間的密切一致證實(shí)了SiC MOSFET是可靠的器件，當(dāng)在T = 175°C和V GS = 25V 下工作時(shí)，預(yù)計(jì)壽命超過100年。點(diǎn)擊顯示大圖圖2加速
2019-07-30 15:15:17
：5W ·關(guān)聯(lián)PAE：35％ ·直流偏置：25V @ 0.2A ·6x6mm2 密封金屬陶瓷封裝 PAE關(guān)于輸入功率的曲線
2020-07-07 08:50:16
USB Type-C?、USB PD 和 USB 3.1 第 2 代：速度和功率的新標(biāo)準(zhǔn)
2021-01-21 06:01:47
大的負(fù)載電流都會(huì)采用兩個(gè)功率6 x 5封裝，算上導(dǎo)線和打卷標(biāo)的面積，以及兩個(gè)器件的位置擺放，占用的面積超過60mm2。這種雙芯片功率封裝的尺寸是6.0mm x 3.7mm ，在電路板上占用的面積
2013-12-23 11:55:35
步降壓IC，sot23-6封裝，輸入＜30V輸出 5V 電流小于2A的有型號(hào)能配對(duì)上嗎，請(qǐng)大神指教
2019-12-30 12:27:38
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級(jí)基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴(kuò)展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負(fù)11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計(jì)出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
：8.0V至90V· 輸出電壓范圍：5.0V至30V· 支持5V/2A和12V/2A電流輸出· 內(nèi)置5A/100V高壓功率管· 轉(zhuǎn)換效率高于96%SOP8封裝 我們的優(yōu)勢(shì)：1、提供樣品和測(cè)試板，強(qiáng)大
2018-08-25 10:44:44
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
我有一個(gè)30V，10mA的電源，需要反轉(zhuǎn)極性，時(shí)間需要用PIC來控制。我看了一些H橋，但是我看到MOSFET的高Gs電壓差因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">30V的問題。使用晶體管看起來更好。我看了一些馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，但不
2019-03-21 10:00:09
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海型號(hào)：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 15:37:14
、50N10SOT23-3封裝、SOT223封裝、SOP8封裝、TO-252封裝、DFN封裝60V大電流系列：5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06
2021-01-14 15:58:59
要求輸入9V輸出25V，電流能達(dá)到2A以上，最好能恒壓和恒流之間可以切換
2014-10-06 22:30:10
方面都有卓越的表現(xiàn)，因此OEM廠商只要采用這兩款芯片，便可選用成本較低的電纜、連接器及相關(guān)元件作為搭配。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體這兩款2x2交叉點(diǎn)開關(guān)電路采用該公司專有的硅鍺(SiGe)BiCMOS-8 工藝技術(shù)
2018-08-27 16:07:41
請(qǐng)問新唐ARM內(nèi)核的QFN32封裝2腳5V供電的單片機(jī)?謝謝
2023-06-16 06:38:16
還可以通過故障條件向主機(jī)提供狀態(tài)信息。ETA4034是DFN2x2-8封裝。具體應(yīng)用：藍(lán)牙耳機(jī)、平板電腦、MID、智能手機(jī)、電源庫(kù)等?深圳市尊信電子技術(shù)有限公司：Ethan-小胡***-V信同號(hào)歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息
2022-01-19 16:18:01
設(shè)計(jì)的藍(lán)牙充電盒充放二合一解決方案，其集成了充電，放電。支持外部MCU控制，支持EN使能，其集成了30V極限耐壓，5V空載時(shí)1uA的待機(jī)功耗，以及電池反接保護(hù)，ETA9897采用易于焊接的ESOP8封裝
2021-10-25 11:47:23
采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8～30V的P通道功率MOSFET
這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件。日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用
2008-08-23 15:08:371249 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì)，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 英飛凌發(fā)布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大MOSFET陣容
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用
2010-01-29 08:53:011162 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506 用改進(jìn)的PQFN器件一對(duì)一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對(duì)。
2011-03-09 09:13:025986 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 2015年3月24日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對(duì)稱雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 30v大電流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，
2022-08-30 13:54:16
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