制器射頻發(fā)射部分采用SI24R1的技術(shù)方案,無線接收器和計算機(jī)通過USB連接,教學(xué)過程中,該系統(tǒng)可與教室中的電子白板、投影幕布等設(shè)備配合。教師可用教師卡隨時發(fā)起提問、隨堂測驗或其他互動式教學(xué),學(xué)生使用學(xué)生卡作答?;榆浖詧D表直觀顯示學(xué)生答題情況。4推薦運(yùn)營平臺有興趣可以聯(lián)系了解`
2017-07-26 11:39:44
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
半導(dǎo)體相比,損耗更低,高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異,有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅(SiC)功率元器件”。提及功率元器件,人們當(dāng)然關(guān)注SiC之類的新材料,但是,目前占有極大市場份額和應(yīng)用領(lǐng)域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案,包括價格,可靠性,堅固性和供應(yīng)商的多樣化。盡管價格優(yōu)于Si IGBT,但由于成本抵消了系統(tǒng)級優(yōu)勢,SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降,這項技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結(jié)構(gòu),不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面,按照現(xiàn)在的
技術(shù)水平,
SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比
Si器件要高?! ∫虼耍礁叩拈T極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)?! ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
另一方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況,請點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜,通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。SiC-MOSFET應(yīng)用實例1:移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī),是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
反向電流的流動時間。此時,前文提到SiC-SBD的trr比包含Si-FRD在內(nèi)的Si-PND高速。下面我們來了解其原因和實際特性。簡單地說,trr的速度和反向恢復(fù)特性的不同是因為二極管構(gòu)造不同。這就
2018-11-29 14:34:32
、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復(fù)二極管)進(jìn)行比較。下圖是相對于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進(jìn)行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
WInSiC4AP的主要目標(biāo)是什么?SiC技術(shù)在WInSiC4AP中有什么應(yīng)用?
2021-07-15 07:18:06
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持,實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會影響的優(yōu)勢互補(bǔ)的研發(fā)活動。
2019-07-30 06:18:11
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
另一方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與Si相比,它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
和相比上一代的優(yōu)點(diǎn),不過由于機(jī)會難得,能否請您首先介紹一下SiC-SBD的基礎(chǔ)內(nèi)容?說實話,我認(rèn)為非常了解使用了SiC(碳化硅)這種半導(dǎo)體的二極管和晶體管的特點(diǎn)的人并不多。是?。?010年ROHM確立
2018-12-03 15:12:02
si4438,大家了解多少 ,與cc1100,1020系列的比較
2014-01-22 21:14:38
引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
的導(dǎo)通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內(nèi),SiC的變化范圍為20%,而Si的變化范圍為200%至300%.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結(jié)溫下工作。該技術(shù)還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC ) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
Power Solutions攜手,通過面向工業(yè)以及數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域盡可能地深挖SiC技術(shù)潛力,從而進(jìn)一步提升電源系統(tǒng)的能效?!保缄P(guān)于Murata Power Solutions>Murata Power
2023-03-02 14:24:46
申請理由:大學(xué)生畢業(yè)設(shè)計及企業(yè)開發(fā)平臺讓大學(xué)生可以更多了解多平臺CPU的差異,讓企業(yè)選擇性價比的平臺和方案。幫助大學(xué)生建立良好的開發(fā)平臺,讓畢業(yè)畢業(yè)設(shè)計就源于企業(yè)設(shè)計,結(jié)合實際。項目描述:讓大學(xué)生
2016-05-17 09:59:21
的量產(chǎn)化,并于 2010 年全球首家成功實現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產(chǎn)。羅姆希望通過本次研討會,讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點(diǎn)和特性,更好地應(yīng)用 SiC 功率器件。研討會的演講概要如下: 1
2018-07-27 17:20:31
SBD耐壓均在200V以內(nèi),更高電壓應(yīng)用往往選擇Si FRD,盡管FRD技術(shù)不斷發(fā)展,但仍然無法完全消除反向恢復(fù)的問題。SiC的SBD可以將耐壓提高到3.3kV,極大地擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍。
2
2023-10-07 10:12:26
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換,并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻(圖 1)。圖 1:SiC MOSFET(右側(cè))與硅
2017-12-18 13:58:36
帶寬或-3dB 的點(diǎn)對于濾波器電路的設(shè)計非常有幫助。 Multisim內(nèi)含20種不同的分析,可幫助學(xué)生透徹地理解電路行為。 Multisim還包含用于模擬、數(shù)字、機(jī)電一體化和電力電子技術(shù)方面的模型組件
2012-07-12 01:00:24
關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
是基于技術(shù)規(guī)格書中的規(guī)格值的比較,Eon為開關(guān)導(dǎo)通損耗,Eoff為開關(guān)關(guān)斷損耗、Err為恢復(fù)損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT,至于Err,由于幾乎沒有Irr而極其微小。結(jié)論是開關(guān)損耗
2018-11-27 16:37:30
的優(yōu)勢。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比,大幅改善了反向恢復(fù)時間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD(快速恢復(fù)二極管)的trr比較?;謴?fù)的時間trr很短,二極管關(guān)斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52
)③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術(shù)的機(jī)遇和挑戰(zhàn) ④ 針對寬禁帶電力電子技術(shù)特性的封裝技術(shù) ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比(優(yōu)勢、驅(qū)動上的區(qū)別、結(jié)構(gòu)和成本的影響)五、活動報名電話:***微信:CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
收發(fā)一體功能,可以更好的配合接收與發(fā)射。4應(yīng)用意義2.4g無線答題器的出現(xiàn)是為了輔助實現(xiàn)智慧課堂的媒介,讓學(xué)生更好的參與課堂的教育學(xué)習(xí),提升課堂參與度以及協(xié)助老師更好的了解各個學(xué)生的知識掌握情況,通過
2017-10-07 10:31:17
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫?!肮β试骷睆V泛分以下兩大類:一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅(Si)功率元器件”。二是“碳化硅(SiC)功率元器件”,與Si半導(dǎo)體相比
2017-07-22 14:12:43
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢,高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
應(yīng)用看,未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到,一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù),那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
更新?lián)Q代,SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段,有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步,未來還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商
2021-03-11 08:01:56
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT,但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大,因此,更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是,傳統(tǒng)的SiC-MOSFET,體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
剛學(xué)完51,想做個東西,比較綜合,然后幫助學(xué)習(xí)吧
2019-08-07 04:35:20
2 : Si、SiC和GaN的特性優(yōu)值比較(source:YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目標(biāo)主要目標(biāo)WinSiC4AP致力于為高效能、高成本效益的目標(biāo)應(yīng)用開發(fā)可靠的技術(shù)
2019-06-27 04:20:26
Using Allegro PCB SI to Analyze a Board’s Power Delivery System from Power Source to Die Pad:Slide
2010-04-05 06:23:27
0 藍(lán)寶石(Al2O3),硅 (Si),碳化硅(SiC)LED襯底材料的選用比較
對于制作LED芯片來說,襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:20
4931 The Si3480 is a power manager intended for use with the Si3452 Power over Ethernet (PoE
2010-07-29 16:25:28
1043 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/A8/wKgZomUMOXaATfsCAACJ7ORC-7c143.jpg)
SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面?電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:44
11978 紐約Chenango Bridge小學(xué)的學(xué)生們應(yīng)用AR技術(shù)的幫助讓他們的涂色畫面中的人物進(jìn)入現(xiàn)實世界。
日前該校的學(xué)生們參加了一個AR的課程,使用ipad上的一個叫Quiver的應(yīng)用。
2017-12-29 13:39:39
3316 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:41
9257 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/57/BC/pIYBAFtKur-ACFL8AAAUioXbwB4864.png)
Osso VR是一家專門為外科醫(yī)生、醫(yī)院工作人員和銷售團(tuán)隊提供虛擬現(xiàn)實(VR)技術(shù)培訓(xùn)的專業(yè)公司。該公司宣布與醫(yī)療銷售學(xué)院(the Medical Sales College)建立新的合作伙伴關(guān)系,幫助其學(xué)生通過無限的動手實踐來增加他們的外科知識。
2018-11-05 15:06:45
1260 據(jù)外媒的報道,微軟最近在印度宣布了一項新計劃,該計劃將使研究和高等教育機(jī)構(gòu)能夠更好地向學(xué)生傳授人工智能和云技術(shù)。
2018-12-25 10:29:09
1205 電離情況的機(jī)會。學(xué)生們利用六維度觸控筆將離子與分子”拽出屏幕“,仔細(xì)觀察每一個微觀粒子的構(gòu)造,了解每一種粒子的大小比例,用實際觀察為自己的疑惑尋找到了答案。蘭老師也提到:學(xué)生們借此形成正確的微粒觀和變化觀,提升了他們的科學(xué)核心素養(yǎng)。
2019-06-02 09:42:36
4737 在大多數(shù)藝術(shù)教室里,學(xué)生可以使用不同的媒介,如顏料或粘土,來創(chuàng)作他們的作品。但在Powhatan學(xué)校,虛擬現(xiàn)實(VR)現(xiàn)在已經(jīng)成為一種新的創(chuàng)新工具。
2019-09-10 11:48:04
1099 直到最近,功率模塊市場仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉(zhuǎn)移和對更高性能的關(guān)注,使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用,這就帶來了 SiC 基功率器件的應(yīng)運(yùn)而生。
2019-11-08 11:41:53
17036 在K12中,輔助學(xué)習(xí)可能是一個棘手難以應(yīng)對的問題。學(xué)校有責(zé)任照顧到每一個學(xué)生的需求,但是要創(chuàng)建一個可以滿足所有學(xué)生需求的課程卻很難,特別是在越來越多優(yōu)秀的、名片靠前的學(xué)校面臨著學(xué)生過度擁擠的情況下。
2019-12-23 08:39:35
1039 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo),SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:00
10156 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C5/84/pIYBAF9HbQmARImGAAAyLk7mHR4629.png)
i.MX7 96Board Power Tree
2021-03-11 08:55:09
1 硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好地契合當(dāng)前的工業(yè)趨勢,正在獲得越來越多的采用
2021-06-17 18:20:04
5732 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/02/11/pYYBAGDLI7qAFJJaAAAJFvOvliM366.jpg)
樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲存等應(yīng)用場景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性,其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅(SiC)的介電擊穿強(qiáng)度大約是硅(Si)的
2021-08-13 18:16:27
6630 我們知道,技術(shù)教育不僅需要理論知識,還需要實踐知識和動手經(jīng)驗,讓學(xué)生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實際上幫助學(xué)生理解諸如電路設(shè)計概念之類的主題。用于電子教學(xué)的工具,如 Power
2022-08-04 09:55:26
360 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/28/84/pYYBAGHEU1mAR4_DAAEmx51CG0w138.jpg)
來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 SEMI最近與PowerAmerica聯(lián)盟的執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官Victor Veliadis合作,舉辦了一次題為SiC-碳化硅材料特性、制造基礎(chǔ)知識和關(guān)鍵應(yīng)用的在線研討會
2022-08-19 16:53:30
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2022-08-22 16:32:20
9 SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43
529 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。
2023-02-06 14:39:51
645 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8E/FB/pYYBAGPgnbaAQGlVAACmES0n2cU542.jpg)
碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始,我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng),在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:08
3923 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/53/poYBAGPbdeWAUmHsAABaTjPqlFE506.gif)
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復(fù)二極管)進(jìn)行比較。
2023-02-08 13:43:18
378 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/D9/pYYBAGPbdgmAeHR7AACGCpiJ0Zs116.gif)
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進(jìn)行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18
396 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/D9/pYYBAGPbdhiAC0IkAABXim0jkgw470.gif)
關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18
704 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/53/poYBAGPbdiuAXdcOAABtVjSJk6w473.gif)
從本文開始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20
644 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/E2/pYYBAGPbiPqAMHqzAAB8LqlZV_s256.jpg)
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復(fù)二極管)進(jìn)行比較。
2023-02-22 09:18:59
140 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/92/F4/poYBAGP1bX2ANo_FAACGCpiJ0Zs481.gif)
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57
736 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/93/D8/pYYBAGP23TyAXKjbAAB8LqlZV_s361.jpg)
碳化硅(SiC)技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)出更好的功率密度和效率。
2023-02-24 09:22:00
723 碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:16
1469 硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好地契合當(dāng)前的工業(yè)趨勢,正在獲得越來越多的采用
2023-05-20 16:45:13
1890 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/A7/11/pYYBAGRoiBWAYl9PAAGHw9419q8834.png)
我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同,其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30
233 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/FC/wKgZomS17_qAdlBqAAAOoxNZEsI992.jpg)
AR地鐵拆解教學(xué)是一種基于增強(qiáng)現(xiàn)實技術(shù)的教育工具,通過將虛擬模型與實際場景相結(jié)合,幫助學(xué)生更好地理解和掌握地鐵車輛的結(jié)構(gòu)和工作原理。該教學(xué)工具解決了傳統(tǒng)教學(xué)難以深入了解地鐵車輛結(jié)構(gòu)、難以模擬真實場景
2023-07-20 14:35:40
326 一、什么是SiC半導(dǎo)體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:58
1144 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/94/27/wKgaomTjKw-Aa0n2AACsT66AQaA539.png)
始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
2023-08-23 14:43:38
372 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/94/74/wKgZomTlq1OAX_NrAAAMsWWUcH4108.png)
如今,大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個相對新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。
2023-09-05 10:56:05
277 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A1/9F/wKgZomT2mjeAEjOiAAAQ_Pp4Has461.jpg)
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49
357 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/D9/wKgZomVdfbWAOFSGAAHlw-MEwww938.png)
Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06
149 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/DD/wKgZomVdhLOAOpKpAALsessaGnw096.png)
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21
258 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/E3/wKgZomVdjVaAF2h5AAFnnYaNZys270.png)
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C的溫度下工作,而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11
490 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B2/5D/wKgZomVe-nKABMrkAAE3RS72Dw8131.png)
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
2023-12-11 11:29:35
196 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B3/F0/wKgaomV2grmAImKPAAAXqAx7pd0005.png)
的特點(diǎn)。SiC是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的熱導(dǎo)性、較高的電擊穿電場強(qiáng)度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統(tǒng)的硅(Si)材料,SiC具有更好的高溫特性、更低的導(dǎo)通損耗和更高的開關(guān)頻率。因此,使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:24
274 SiC 是一種二元化合物,其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?,這個間距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻機(jī)光刻精度3nm,就是30?的距離,光刻精度是原子距離的8倍。
2024-01-14 14:09:52
2108 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BD/6E/wKgaomWjevOAKY4CAABGdIeIO6A075.png)
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