東芝推出100V N溝道功率MOSFET，助力實現(xiàn)電源電路小型化

—采用最新一代工藝，可提供低導(dǎo)通電阻和擴展的安全工作區(qū)—
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中國上海，2023年6月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
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TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%[3]，使其適合線性模式工作。而且降低導(dǎo)通電阻和擴大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。
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新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。
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未來，東芝將繼續(xù)擴展其功率MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗來提高電源效率，并幫助降低設(shè)備功耗。
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應(yīng)用

-???? 數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源
-???? 開關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）
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特性

-???? 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）
-???? 寬安全工作區(qū)
-???? 高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃
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主要規(guī)格

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（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號			TPH3R10AQM
絕對最大額定值	漏極-源極電壓VDSS（V）		100
	漏極電流（DC）ID（A）	Tc＝25℃	120
	結(jié)溫Tch（℃）		175
電氣特性	漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON) 最大值（mΩ）	VGS＝10V	3.1
		VGS＝6V	6.0
	總柵極電荷（柵極-源極+柵極-漏極）Qg典型值（nC）		83
	柵極開關(guān)電荷Qsw典型值（nC）		32
	輸出電荷Qoss典型值（nC）		88
	輸入電容Ciss典型值（pF）		5180
封裝	名稱		SOP Advance(N)
	尺寸典型值（mm）		4.9×6.1
庫存查詢與購買			在線購買

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注：
[1] 在設(shè)備運行時，在不關(guān)閉系統(tǒng)的情況下導(dǎo)通和關(guān)斷系統(tǒng)部件的電路。
[2] 截至2023年6月的東芝調(diào)查。
[3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48V
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如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：
TPH3R10AQM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH3R10AQM.html
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如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
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如需了解有關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況，請訪問以下網(wǎng)址：
TPH3R10AQM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH3R10AQM.html
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*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標。
*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
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東芝(120305) 東芝(120305)

實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的注意事項

小型化一直是電子行業(yè)的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質(zhì)量通常以單位體積的功率來衡量，本文討論了一些有助于實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的注意事項。

2022-07-27 09:33:20

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如何實現(xiàn)小型化電源設(shè)計

2022-08-01 11:31:14

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東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品

2023-06-13 16:38:50

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03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D

`深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN03N10D參數(shù)：100V 3ASOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌

2021-03-24 10:44:05

05N10 100V 5A SOT-23/SOT-89 貼片MOS

型號： 05N10VDS：100VIDS：5A封裝：SOT-23/SOT-89溝道：N溝道05N10原裝正品,05N10現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)100V MOS管05N10產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運用于LED電源

2020-08-13 11:37:37

10N10 100V 10A 香薰機MOS管

`深圳市三佛科技有限公司供應(yīng) 10N10 100V 10A 香薰機MOS管 ,原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷10N10參數(shù)： TO-252/SOT-89100V10AN溝道 MOS場效應(yīng)管

2020-07-31 14:50:51

1200V耐壓400A/600A產(chǎn)品實現(xiàn)更低損耗與小型化

進一步實現(xiàn)小型化。開關(guān)損耗大幅降低，可進一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計開發(fā)出新型封裝，從而開發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)

2018-12-04 10:20:43

40N10 霧化器用MOS管 HN40N10KA 100V 40A MOS

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng) 40N10 霧化器用MOS管 HN40N10KA 100V 40A MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN40N10KA 參數(shù) 100V40A TO-252低開啟電壓N溝道

2020-08-13 11:20:37

4N10 100V MOS

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2020-11-20 14:48:03

100V 15A 汽車LED燈MOS管 HN15N10DA

`深圳市三佛科技有限公司供應(yīng) 100V 15A 汽車LED燈MOS管 HN15N10DA，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN15N10DA參數(shù)：100V 15A TO-252 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌

2021-05-08 15:39:38

100V 3A MOS管替代SI2328DS介紹

型號：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封裝：SOT-23溝道：N溝道100V MOS管HC160N1038 原廠mos，庫存現(xiàn)貨熱銷可以替代SI2328DS售后服務(wù)：公司免費提供樣品，并提供產(chǎn)品運用的技術(shù)上

2020-11-20 13:54:17

100V 5A SOT-23 100V 香薰機MOS管低內(nèi)阻，結(jié)電容小,低開啟電壓，溫升低

溝道100V MOS管HC160N10LS原裝, HC160N10LS現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)100V MOS管HC160N10LS產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品我

2020-10-09 15:36:45

100V MOS 100V 3A/5A/8A 調(diào)光LED燈MOS管霧化器MOS管50N06 30N06 5N10 4N10 35N06

低內(nèi)阻小節(jié)電容發(fā)熱小中低壓MOS大全TO-252 SOT23-3封裝100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N溝道MOS管【低電壓開啟低內(nèi)阻】主營

2021-03-13 09:34:36

100V MOS 100V 3A/5A/8A 調(diào)光LED燈MOS香薰機MOS管

：型號：HC160N10L N溝道場效應(yīng)管100V10A(10N10)TO-252封裝，可用于霧化器、車燈電源等型號：HC080N10L N溝道場效應(yīng)管 100V17A(17N10)TO-252封裝

2020-09-25 15:55:42

100V MOS管100V 貼片MOS 100V常用MOS推薦：HC160N10L ，HC080N10L，HC240N10LS，原裝現(xiàn)貨價格優(yōu)惠！

100V MOS管100V 貼片MOS 100V常用MOS推薦：HC160N10L，HC080N10L，HC240N10LS，原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)惠！100V 3A/5A/8A霧化器MOS管,3A/5A

2020-11-02 15:15:36

100V MOS管推薦 100V SOT-89香薰機MOS

SOT-89 N溝道MOS管/場效應(yīng)管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管HN0801產(chǎn)品應(yīng)用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌

2021-05-08 15:10:13

100V音頻輸入優(yōu)先級輸出電路

這種方案嗎？我這邊將100V音頻輸入經(jīng)過一個整流電路，用7805電源芯片降壓輸出個5V去控制繼電器切換輸出，但是當100V音頻輸入音量小的時候，就控制不了，我測了一下，當100V音頻輸入音量小的時候，電壓只要1V多（PS:交流電壓1V多），所以7805電源芯片無法輸出5V電壓去控制

2019-11-15 18:29:38

100V高壓LED驅(qū)動芯片

、大功率 MOSFET 開關(guān)管，外圍元器件簡單，系統(tǒng)應(yīng)用靈活，轉(zhuǎn)換效率最高可達 98%以上，輸入電壓可兼容到 100V以上，系統(tǒng)體積小，內(nèi)置過溫保護，開路保護，過流保護，短路保護，輸入過壓保護等全套可靠性

2015-12-18 11:48:51

N溝道MOSFET

`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&

2010-08-17 09:21:57

N溝道和P溝道MOSFET的區(qū)別是什么

到地面（-）來激活它。如果將N溝道MOSFET連接到負載的VCC側(cè)，源極值也將非常接近VCC。要激活 MOSFET，必須向柵極施加大于 VCC的電壓。由于這種更高的電壓并不總是容易獲得，因此將電源連接

2023-02-02 16:26:45

N溝道增強型MOSFET TDM31066

`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V

2019-01-24 11:00:12

N溝道貼片MOS管100V5A 5N10 SOT23-3封裝

:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管

2020-07-24 17:25:11

N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征是什么

功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。

2021-03-02 08:40:51

功率MOSFET結(jié)構(gòu)及特點

摻雜的N-的外延層即epi層來控制。圖2：N溝道垂直導(dǎo)電的平面結(jié)構(gòu)及Rdson組成在低壓器件中，由于N-外延層比較薄，N+層和漏極的金屬襯底對通態(tài)的電阻影響大；大于100V的器件，N-外延層是通態(tài)電阻

2016-10-10 10:58:30

功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？

電源，這樣就可以將N溝道同步整流功率MOSFET管放在高端。圖6：次級同步整流管放高端（左）、低端（4）通訊系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥如果是-48V的系統(tǒng)，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道類型，放在

2016-12-07 11:36:11

實現(xiàn)LED開關(guān)電源小型化的條件

的新型電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻（ESR）小、體積小等。　　二、高頻化。為了實現(xiàn)LED開關(guān)電源高功率密度，必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量?！　∪?、應(yīng)用壓電變壓器

2014-11-05 18:00:03

小型UPS設(shè)計方式，DC 15V，AC 100V

如題，最近準備做一個DC 15V，AC 100V，功率約在250W的小型UPS電源，以前玩過反激電路可以搞出來AC-DC的過程，但是DC-AC的過程我就黑了~~有哪位大神以前搞過類似的產(chǎn)品或者方案，或者整個AC/DC的方案，求教一下，或者企鵝271650901，求指教，謝謝謝謝！??！

2015-07-24 16:48:51

電源的小型化輕量化設(shè)計方案

的基礎(chǔ)上還降低了電路成本。　　MPS目前有5~15W的一系列的原邊反饋控制芯片方案，MP020是集成700V MOSFET的恒壓恒流(CV/CC) 開關(guān)芯片，能輕松實現(xiàn)高精度的穩(wěn)壓和恒流輸出。　　三、小型化

2018-10-10 16:49:11

AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET

`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些

2021-07-01 09:54:05

AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET

2021-07-09 09:09:18

AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET

2021-07-12 09:12:51

AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET

2021-07-13 09:16:34

BSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA

BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A

2019-11-13 11:00:58

LT1160的典型應(yīng)用：半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器

LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器

2019-05-14 09:23:01

LTC4367 100V過壓，欠壓和反向電源保護控制器演示板DC2417A-A

DC2417A-A，用于LTC4367IMS8的演示板，具有32ms故障恢復(fù)的UV，OV和反向電源保護。演示電路旨在演示LTC4367 100V過壓（OV），欠壓（UV）和反向電源保護控制器的性能

2019-02-21 09:48:51

NCE0106R 新潔能 SOT-89封裝 100V 6A 貼片MOS管

的100V，N溝道，大電流MOS，NCE0106R實際電流可以達到6A，可以滿足充電器，移動電源，小家電等需要大電流的要求，NCE0106R產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運用于充電器，小家電，游戲機，電源,LED

2020-10-28 16:28:24

NCE0140KA新潔能NCE0140KA原裝100V N溝道 MOS

廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。NCE0140KA為新潔能推出的100V，N溝道，大電流MOS，NCE0140KA實際電流可以達到40A，可以滿足充電器，移動電源

2019-11-20 11:02:40

P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal

2018-03-03 13:58:23

SJ MOSFET的效率改善和小型化

，有高達10MHz的高速開關(guān)IC，結(jié)構(gòu)極其精小，被作為小型便攜設(shè)備的電源使用。－那么，如果BM2Pxxx系列也能實現(xiàn)兆赫茲級別的開關(guān)是不是更好。確實該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了小型化，但如果提高開關(guān)速度，效率

2019-04-29 01:41:22

SL3N10大功率貼片MOS管100V3A SOT23-3L封裝 N溝道

及方案解決，提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源，保障客戶利益，為客戶提供全方面服務(wù)。我司還提供MOS管，支持樣品測試供應(yīng)【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V

2020-07-27 17:15:08

SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS

溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23

2021-04-07 15:06:41

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。?b class="flag-6" style="color: red">實現(xiàn)小型封裝），而且體

2019-05-07 06:21:55

TA07N65 650V 7A N溝道 MOS管 7N65

溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23

2021-03-24 10:35:56

VGS在線性區(qū)，功率MOSFET反向?qū)ǖ膯栴}

圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作

2017-04-06 14:57:20

Vishay SQ2361 汽車P 溝道 60V 功率 MOSFET

`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達

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WLP-BAW濾波器的熱建模功率容量與小型化，不看肯定后悔

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2016-09-06 12:51:58

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2020-09-23 11:38:52

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場效應(yīng)管

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2020-11-02 16:02:10

使分立結(jié)構(gòu)集成為IC實現(xiàn)高精度、高效率、小型化

電壓，從而成為可通過以往的分立結(jié)構(gòu)很難實現(xiàn)的高精度來控制DC風(fēng)扇電機旋轉(zhuǎn)速度的業(yè)界首款＊電源IC。集成為IC后使控制進一步優(yōu)化，不僅效率大幅提升，還可減少部件數(shù)量、提高開關(guān)速度，實現(xiàn)外圍元器件的小型化

2018-12-04 10:18:22

關(guān)于MOSFET不同溝道和類型的問題

N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?

2019-05-13 09:00:00

具有升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器

LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作

2019-05-10 06:46:05

加濕器100V耐壓MOS管TO-252 100V低結(jié)電容5A

裝MOS，實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管：100V5A封裝

2020-09-23 09:42:17

開關(guān)電源設(shè)計之：P溝道和N溝道MOSFET比較

溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2：用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形

2021-04-09 09:20:10

怎樣去解決小型化DC/DC應(yīng)用設(shè)計的問題？

多芯片驅(qū)動器加FET技術(shù)是如何解決小型化DC/DC應(yīng)用設(shè)計問題的？

2021-04-21 06:50:18

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型

2019-03-12 03:43:18

機載計算機電源的小型化設(shè)計

機載計算機電源的小型化設(shè)計1概述隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，采用大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的機載計算機主機已越來越小型化，因而對其電源部件的體積和重量提出了進一步小型化的要求，然而現(xiàn)有的機載計算機電源，已經(jīng)

2021-11-12 07:05:16

求一個12V電源口的浪涌保護雷卯電子推出小型化的方案

12V電源浪涌的要求是什么？求一個12V電源口的浪涌保護雷卯電子推出小型化的方案

2022-01-14 07:35:40

用于LTC4367-1 100V過壓，欠壓和反向電源保護控制器的演示板DC2417A-B

DC2417A-B，用于LTC4367IMS8-1的演示板，具有0.5ms故障恢復(fù)的UV，OV和反向電源保護。演示電路旨在演示LTC4367 100V過壓（OV），欠壓（UV）和反向電源保護控制器

2019-02-19 09:30:42

羅姆一體化封裝電源實現(xiàn)1.3mm×0.9mm小型封裝

比較羅姆在功率元器件及電源IC小型化上的推進很多整機產(chǎn)品的設(shè)計人員感嘆配套基板一般都是電源。另外，時常耳聞印制電路板的單位面積成本逐日攀升。的確，從有些智能手機和平板電腦等的拆解圖片上看，基板被電池

2019-04-07 22:57:55

耐壓100v的外置MOS管適用DC/DC轉(zhuǎn)換器

AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些

2021-08-05 11:48:56

起浪光纖針對相干光學(xué)模塊推出系列小型化EDFA產(chǎn)品及一站式器件服務(wù)

[中國，深圳，2020年12月15日]高質(zhì)量無源器件廠商起浪光纖宣布針對100Gbps和200Gbps CFP2-DCO（數(shù)字相干光學(xué)）光模塊應(yīng)用推出系列小型化EDFA（摻鉺光纖放大器）產(chǎn)品及一站式

2020-12-15 09:47:26

高效小型化的開關(guān)電源設(shè)計方案

變壓器銅損較低，同時，正激式電路副邊紋波電壓電流衰減比反激式明顯，因此，一般認為正激式變換器適用在低壓，大電流，功率較大的場合?！　?系統(tǒng)總體框圖　　一種高效小型化的開關(guān)電源設(shè)計的系統(tǒng)總體框圖如圖1所示

2018-11-21 11:18:15

基于功率MOSFET管的RCC電路

摘要：介紹了一種以功率MOSFET管為主開關(guān)管的RCC電路，分析了電路工作原理。試驗結(jié)果表明，該電路對于提高電源的電網(wǎng)適應(yīng)性，實現(xiàn)電源的小型化具有實用價值。關(guān)鍵詞：功率M

2010-05-13 09:10:46

一種小型化高壓小功率電源

一種小型化高壓小功率電源摘要：論述了一種小型化的高壓電源，它一改傳統(tǒng)的高、低壓組合式為一體化式，從而使

2009-07-11 10:44:23

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安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列

安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列經(jīng)過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應(yīng)用中的大電壓尖峰 2010年2月2日 – 應(yīng)用

2010-02-03 10:13:15

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安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/

安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSF

2010-02-05 08:37:09

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東芝推出汽車用單通道高邊N溝道功率MOSFET柵極驅(qū)動器

東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動器“TPD7104F”。

2014-11-05 18:54:36

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東芝推出了兩款面向車載電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型MOSFET

新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。

2019-12-26 09:26:46

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N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用

電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率

2021-05-27 12:18:58

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100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

2021-03-19 06:51:08

東芝針對汽車應(yīng)用推出三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進一步擴充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標準，應(yīng)用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當前市

2021-10-25 14:16:29

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東芝針對汽車應(yīng)用推出三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

的能力主要通過實踐培養(yǎng)起來的。新品近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進一步擴充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標準，應(yīng)用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當

2021-11-26 15:22:50

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東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品景嘉微發(fā)布JH920

東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝

2022-03-18 17:35:26

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東芝推出功率MOSFET-“TPH9R00CQH”

　東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。

2022-04-01 16:42:36

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NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)

NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)

2022-07-18 09:06:00

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NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)

NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)

2022-07-18 09:14:57

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采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

2023-02-20 19:50:19

100V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E

100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E

2023-02-20 19:57:31

D2PAK中的N溝道 100V 6.8mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS

2023-03-03 18:53:30

D2PAK中的N溝道 100V 26.8mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN027-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN027-100BS

2023-03-03 19:00:21

D2PAK中的N溝道 100V 16mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN016-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN016-100BS

2023-03-03 19:01:50

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS

2023-03-03 20:12:57

東芝推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

2023-03-31 10:05:32

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電源小型化

小型化一直是電子行業(yè)的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質(zhì)量通常以單位體積的功率來衡量。本文討論了一些有助于實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的注意事項。

2023-06-14 15:19:32

401

超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。

2023-06-16 09:03:30

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【世說設(shè)計】實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的4個小技巧

小型化一直是電子行業(yè)的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質(zhì)量通常以單位體積的功率來衡量，本文討論了一些有助于實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的注意事項。盡量減少外部元件數(shù)量電源通常由至少一個半導(dǎo)體和若干無源外部元件

2022-07-28 09:41:45

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東芝推出100V N溝道功率MOSFET，助力實現(xiàn)電源電路小型化—采用最新一代工藝，可提供低導(dǎo)通電阻和擴展的安全

點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM

2023-06-29 17:40:01

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四招實現(xiàn)電源設(shè)計小型化

小型化一直是電子行業(yè)的一個熱點，對電源尤其重要。電源的質(zhì)量通常以單位體積的功率來衡量。ADI在本文討論了一些有助于實現(xiàn)小型化電源設(shè)計的注意事項。

2023-07-08 15:08:31

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安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管

隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

2023-08-14 15:04:45

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