Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:31
1718 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211212 本文提供了來自英飛凌的兩個文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin這個單個模板中文件中包含了286個模型。
2023-12-06 11:32:46585 
基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達驅(qū)動、SMPS（包括服務(wù)器、電信和
2020-02-18 17:50:081508 電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道
2022-06-28 11:01:01776 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431306 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37515 
寄生導通能力 ，可在0 V關(guān)斷電壓下運行。此外，這些MOSFET還包含支持硬換流的強大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝, 這些MOSFET可以直接集成到具有自然對流冷卻功能的PCB上，因此無需額外的散熱器。
2022-08-09 15:17:41
。7N80的柵源電壓(VGS)為±30V，導通電阻RDS(on)為1.9Ω。7N80的電性參數(shù)是：連續(xù)二極管正向電流(IS)為7A，漏源電壓(VDSS)為800V，源-漏二極管壓降(VSD)為1.4V
2021-12-01 16:42:02
通電阻降低0.4 mΩ，同時大幅改進了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
，與IGBT的比較中，在ID低的范圍由于VCE（MOSFET則是VDS）低故該范圍的損耗變小。以家電為對象的情況下，絕大多數(shù)在MOSFET的優(yōu)勢范圍使用，因而功耗削減備受期待。導通電阻和柵極容量更低
2018-11-28 14:27:08
。問題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅(qū)動通用驅(qū)動電壓的功率MOSFET，有什么問題？問題分析：檢查數(shù)據(jù)表中不同的VGS的導通電阻，發(fā)現(xiàn)對應(yīng)的導通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時系統(tǒng)的效率降低。極端情況下在低溫的時候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開通。
2016-12-21 11:39:07
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
降低損耗”為目標開發(fā)而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權(quán)衡關(guān)系，但利用ROHM獨有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)了兩者的高度平衡?！鵓restoMOS是ROHM的商標。開關(guān)損耗和傳導損耗更低
2018-12-04 10:23:36
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較，結(jié)果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進開關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
大家有推薦英飛凌MOS管，電壓等級100~200V導通電流10A，能給出型號嗎?謝謝
2013-04-09 16:34:24
轉(zhuǎn)換，負載開關(guān)，電機控制，背光，電池保護，電池充電器，音頻電路和汽車。推薦產(chǎn)品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關(guān)產(chǎn)品請點擊此處前往特征：低導通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率環(huán)保封裝 由于采用COOLiRFET硅技術(shù), 40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式
2018-09-28 15:57:04
更高的降額。但這是以雪崩等級、SOA、柵極電荷和泄漏性能等其他因素
為代價的。在許多
MOSFET 中，硅結(jié)構(gòu)會使元胞之間單元間距變窄，以實現(xiàn)低
導通電阻，但是會影響 SOA 變?nèi)醪⒔档脱┍滥芰?。因?/div>
2022-10-28 16:18:03
忽略輸入開關(guān)的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進獨自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實現(xiàn)了650V的高耐壓，還實現(xiàn)了低導通電阻與低柵極電荷，開關(guān)速度也非?？臁＿@將大大改善開關(guān)即MOSFET的導通損耗與開關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導通電阻。此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關(guān)系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移層實現(xiàn)高耐壓?！ ∫虼?，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件?！ ±?00V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
新的功率密度和能效標準。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當?shù)剡B接到了其機殼底座。當電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時，如果電器沒有適當?shù)剡B接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動器
2018-09-01 09:53:17
全通過 - HTGB可靠性試驗：環(huán)境溫度150C下，柵極電壓80% Vgs，繼續(xù)通電1000小時，80顆全通過 - 控制器高溫試驗：64V12管限流值28A電機500W，控制器所處環(huán)境溫度80C下
2020-08-12 16:08:24
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術(shù)能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
大聯(lián)大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飛凌汽車LED大燈驅(qū)動解決方案，不同于傳統(tǒng)白熾燈需要恒定直流電源供電，而且需要一系列保護功能和狀態(tài)回饋，LED將讓汽車照明更有效率且具有更多優(yōu)勢
2018-12-12 09:50:04
MOSFET 在導通電阻相同時成本更高，而且其選擇范圍很窄，限于較大電流值 (高于 10A) 情況。N 溝道 MOSFET 是應(yīng)對大電流的最佳選擇，但是需要充電泵，以提高柵極電壓，使其高于輸入電壓。例如，12V
2018-10-26 11:41:57
I.引言 高效率已成為開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)低導通電阻，以降低開關(guān)損耗和導
2018-10-08 15:19:33
* 占空比其中，RdsOn 為 FET 的導通電阻，而 Iout 為降壓拓撲的負載電流。其他損耗形成的原因還包括輸出寄生電容、門損耗，以及低側(cè) FET 空載時間期間導電帶來的體二極管損耗，但在本文中我們將主要
2019-11-30 18:41:39
= 1.5V至8V2.為極低導通電阻而設(shè)計的高單元密度3.VON/OFF齊納二極管保護可增強耐靜電放電能力>6kV人體模型4.SuperSOT?-6封裝設(shè)計（使用銅引線框架），可提供出色的熱和電氣能力應(yīng)用領(lǐng)域：電動汽車車載充電器太陽能互聯(lián)照明
2021-11-27 12:14:08
”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來推導。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡圖上標出了作為開關(guān)的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機控制及電源應(yīng)用提供優(yōu)異的散熱性能。 最低導通電阻： 兩款最新 80V 及 100V
2018-11-29 17:13:53
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關(guān)時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
MOSFET的導通電阻以及測量的條件，如AON6590，VDS=40V，分別列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下圖所示。測量的條件：ID = 20A。導通電阻的溫度系數(shù)用歸一化的圖表
2016-09-26 15:28:01
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
達100A的電流處理能力等特性，使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹立了全新的標準。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)，應(yīng)用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
請問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
SuperJunction的內(nèi)建橫向電場的高壓功率MOSFET就是基本這種想法設(shè)計出的一種新型器件。內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFET的剖面結(jié)構(gòu)及高阻斷電壓低導通電阻的示意圖如圖3所示。英飛凌最先將這種結(jié)構(gòu)生產(chǎn)出來，并為這種結(jié)構(gòu)
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
500V類似于COOLMOS的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使500V，12A的MOSFET 可封裝在TO-220管殼內(nèi)，導通電阻為0.35Ω，低于IRFP450的0.4Ω，電流額定值與IRFP450相近。IXYS也有
2023-02-27 11:52:38
。本篇將以ROHM的產(chǎn)品陣容及其特征作為SJ-MOSFET的具體案例來進行說明。SJ-MOSFET的種類以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據(jù)噪聲、導通電阻、高速性及獨有結(jié)構(gòu)等進行分類的。首先
2018-12-03 14:27:05
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011099 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:06690 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28852 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57844 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47739 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391459 導通電阻,導通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474951 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32760 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅(qū)動應(yīng)用、電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22569 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391543 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16704 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準
2011-09-28 19:35:41665 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451018 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機驅(qū)動器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:30970 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10948 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211082 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221395 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44894 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。
2015-01-22 15:33:263080 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381405 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081319 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561053 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負載開關(guān)低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361485 了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標。
2017-02-10 15:10:111704 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012712 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01326 英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一，在導通電阻的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計中，能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗以滿足高性能的需求；加入增強模式，可根據(jù)不同應(yīng)用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513200 
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念， 具有更低的導通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381089 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382103 
在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332890 OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053443 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計
2022-12-29 10:02:53822 
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系
2023-05-17 13:35:02493 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00315 
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12716 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12551 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49390 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57370 全球半導體行業(yè)的領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設(shè)計。
2024-04-15 15:49:3340 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論