怎么用pll電路把一個(gè)12M的頻率倍頻到2.4g的? PLL電路是現(xiàn)代電子學(xué)技術(shù)中非常重要的一種電路,它可以用來(lái)把一個(gè)低頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻信號(hào)。PLL電路的主要作用是使用反饋控制來(lái)輸出一個(gè)穩(wěn)定的高頻
2023-09-02 14:59:40
226 pll倍頻最大倍數(shù)? PLL倍頻是一種常見(jiàn)的電路設(shè)計(jì)技術(shù),通常用于將信號(hào)的頻率提高到需要的倍數(shù)。PLL倍頻的實(shí)現(xiàn)原理比較復(fù)雜,通常需要使用精密的電路元件、時(shí)鐘信號(hào)以及數(shù)字信號(hào)處理器。本文將詳細(xì)介紹
2023-09-02 14:59:30
266 本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)介紹鎖相環(huán)(PLL)。PLL電路有一些重要的應(yīng)用,例如信號(hào)調(diào)制/解調(diào)(主要是頻率和相位調(diào)制)、同步、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù),以及倍頻和頻率合成。在這項(xiàng)實(shí)驗(yàn)中,您將建立一個(gè)簡(jiǎn)單的PLL電路,讓您對(duì)PLL操作有基本的了解。
2023-07-10 10:22:24
425 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/5A/wKgaomSra2KAKDd3AAAfawrtPZ4779.png)
使用 PLL565 電路的 FSK 解調(diào)器幫助我們以最少的組件輕松生成 FSK 信號(hào)
2023-07-03 10:43:37
265 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/E4/wKgaomSiNZSAfMz2AAHTN_HQzg4987.png)
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:26 編輯
單晶片PLL電路PLL用IC已快速的進(jìn)入高集積化,以往需要2~3晶片之情形,現(xiàn)在只需單晶片之專(zhuān)用IC就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:36
本文以SoC中的PLL為例,對(duì)PLL電路進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真。
2023-06-02 15:25:44
2100 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/21/wKgaomR5mOOAcp_yAABqz95QevE169.jpg)
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00
422 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/A6/0F/pYYBAGRi47uAR30IAACgZPZLiB0076.png)
PLL鎖相環(huán)版圖設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):1)確定PLL的頻率范圍;2)確定PLL的控制電路;3)確定PLL的調(diào)節(jié)電路;4)確定PLL的輸出電路;5)確定PLL的濾波電路;6)確定PLL的控制參數(shù);7)確定PLL的輸出參數(shù)。
2023-02-14 15:42:59
1311 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀,分析對(duì)比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理,指出了加工過(guò)程中的關(guān)鍵影響因素和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-01-11 11:05:55
960 ,如圖1所J 示。隨著特征尺寸的減小,這個(gè)問(wèn)題變得更加嚴(yán)重。BS顆??赡茉跐窆ぷ髋_(tái)引起其他問(wèn)題,其中BS顆; ??赡苻D(zhuǎn)移到鄰近的晶片前側(cè)。圖2顯示了這些FS顆 BS顆粒的典型來(lái)源是利用靜電或真空吸盤(pán)進(jìn)行的晶片 處理,或者來(lái)自真空室中的板和工作臺(tái),這導(dǎo)致如
2022-06-27 18:54:41
686 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4D/8E/poYBAGK5WEOAZk_7AACKXXttLT8190.jpg)
高級(jí)應(yīng)用 在正面具有對(duì)損壞敏感的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中,例如對(duì)于32nm柵極多晶硅(AR5:1)圖案化的晶片,該 系統(tǒng)可以被設(shè)置為無(wú)損壞地清潔。這是通過(guò)修改背面化學(xué)噴嘴和配方配置,并保持正面干燥來(lái)實(shí)現(xiàn)
2022-06-27 17:04:27
624 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4D/98/poYBAGK5cpuAbyCFAABu7FCA2OY886.jpg)
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù),它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合,導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)晶
2022-05-07 15:11:11
493 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/41/D7/poYBAGJ2G4-ALn6rAABlX_fRZdI971.png)
在這項(xiàng)研究中,我們?nèi)A林科納使用經(jīng)濟(jì)特區(qū)單晶片自旋處理器開(kāi)發(fā)了一種單一背面清潔解決方案,能夠通過(guò)蝕刻晶片背面的幾埃來(lái)去除任何金屬或外來(lái)污染物,無(wú)論其涂層如何(無(wú)涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45
260 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/41/04/poYBAGJ0uvWAfR5aAABrZ-JV0xk684.jpg)
拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(pán)(晶片),然后進(jìn)行稱(chēng)為研磨的平整過(guò)程,該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37
555 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3F/E0/poYBAGJqUSWAGwtZAAIaaJ5IoEc263.jpg)
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,無(wú)論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān),缺陷相關(guān),由于表面存在的氧化層,還是由于有機(jī)殘差。
2022-04-18 16:36:05
318 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3D/C7/pYYBAGJdIvWAVxikAABf8f_CMM4045.jpg)
作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片,通過(guò)hvpe (氫化物氣相)生長(zhǎng)法等進(jìn)行生長(zhǎng)制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:00
428 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3D/5B/pYYBAGJZFZiAUosIAAAb11kDuGw780.jpg)
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22
304 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3C/A6/poYBAGJVF9CAegl9AACrEBNKcaI930.png)
產(chǎn)品描述JW?5213是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5213的輸入范圍為2.5V-6V,可提供3A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供
2022-04-11 11:40:40
產(chǎn)品描述JW?5211是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5211的輸入范圍為2.5V-6V,可提供1.2A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率
2022-04-11 11:24:06
產(chǎn)品描述JW5222是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5222的輸入范圍為2.5V-6V,可提供2.5A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)
2022-04-11 11:07:25
產(chǎn)品描述JW5213A是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5213A的輸入范圍為2.5V-6V,可提供3A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率。 在輕
2022-04-08 16:56:02
產(chǎn)品描述JW5223是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5223的輸入范圍為2.5V-6V,可提供2A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率。 在輕負(fù)載
2022-04-08 16:42:53
產(chǎn)品描述JW5231是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5231的輸入范圍為2.5V-5.5V,可提供1.5A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率
2022-04-08 16:37:08
產(chǎn)品描述JW5211是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5211的輸入范圍為2.5V-6V,可提供1.2A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率
2022-04-08 16:33:31
噴涂工具、或單晶片旋轉(zhuǎn)工具。在批量浸漬工具中,與其他濕法加工工具相比,存在由水槽中晶片之間的顆粒轉(zhuǎn)移引起的交叉污染問(wèn)題。批量旋轉(zhuǎn)噴涂工具用于在生產(chǎn)線后端(BEOL)進(jìn)行蝕刻后互連清洗。
2022-04-08 14:48:32
520 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/3C/01/poYBAGJP2sGAR3rPAABfdcstwrE839.jpg)
實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗,表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔,導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻,晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同,晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同,預(yù)清洗條件可能需要定制,以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08
398 介紹了半導(dǎo)體晶片制造設(shè)備濺射機(jī)和濺射工藝對(duì)晶片碎片的影響,給出了如何減少晶片應(yīng)力以達(dá)到少碎片的目的。
2022-03-10 14:45:08
2 摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝,其中液體分布在整個(gè)晶片表面。在單晶片工具中,流體分配是至關(guān)重要的,它決定了清潔過(guò)程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動(dòng)力學(xué)和化學(xué)傳輸,結(jié)果表明在沖洗時(shí)間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07
256 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/33/43/poYBAGIdv0-ABAWfAABFyWZy5cU245.jpg)
近年來(lái),隨著集成電路的微細(xì)化,半導(dǎo)體制造的清洗方式從被稱(chēng)為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導(dǎo)體的制造中,各工序之間進(jìn)行晶片的清洗,清洗工序次數(shù)多
2022-02-22 16:01:08
807 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/31/F0/pYYBAGIUmESARuQpAAByg0l1blc487.png)
引言 近年來(lái),隨著集成電路的微細(xì)化,半導(dǎo)體制造的清洗方式從被稱(chēng)為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導(dǎo)體的制造中,各工序之間進(jìn)行晶片的清洗,清洗工序
2021-12-23 16:43:04
1018 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/28/53/pYYBAGHEB0uAUojeAABmS958yVM367.jpg)
半導(dǎo)體行業(yè)需要具有超成品表面和無(wú)損傷地下的硅晶片。因此,了解單晶硅在表面處理過(guò)程中的變形機(jī)制一直是研究重點(diǎn)。
2021-12-22 17:35:40
633 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/27/9F/poYBAGHCtMWAcPW5AAAoGpQVTLM682.png)
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評(píng)論