欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子技術(shù)應(yīng)用>電子技術(shù)>電路圖>信號(hào)處理電子電路圖>單晶片PLL電路

單晶片PLL電路

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

怎么用pll電路把一個(gè)12M的頻率倍頻到2.4g的?

怎么用pll電路把一個(gè)12M的頻率倍頻到2.4g的? PLL電路是現(xiàn)代電子學(xué)技術(shù)中非常重要的一種電路,它可以用來(lái)把一個(gè)低頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻信號(hào)。PLL電路的主要作用是使用反饋控制來(lái)輸出一個(gè)穩(wěn)定的高頻
2023-09-02 14:59:40226

pll倍頻最大倍數(shù)

pll倍頻最大倍數(shù)? PLL倍頻是一種常見(jiàn)的電路設(shè)計(jì)技術(shù),通常用于將信號(hào)的頻率提高到需要的倍數(shù)。PLL倍頻的實(shí)現(xiàn)原理比較復(fù)雜,通常需要使用精密的電路元件、時(shí)鐘信號(hào)以及數(shù)字信號(hào)處理器。本文將詳細(xì)介紹
2023-09-02 14:59:30266

如何建立一個(gè)簡(jiǎn)單的PLL電路

本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)介紹鎖相環(huán)(PLL)。PLL電路有一些重要的應(yīng)用,例如信號(hào)調(diào)制/解調(diào)(主要是頻率和相位調(diào)制)、同步、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù),以及倍頻和頻率合成。在這項(xiàng)實(shí)驗(yàn)中,您將建立一個(gè)簡(jiǎn)單的PLL電路,讓您對(duì)PLL操作有基本的了解。
2023-07-10 10:22:24425

使用PLL565電路的FSK解調(diào)器

使用 PLL565 電路的 FSK 解調(diào)器幫助我們以最少的組件輕松生成 FSK 信號(hào)
2023-07-03 10:43:37265

13.4 ZnO的單晶的摻雜

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:11:57

13.3 ZnO的薄膜單晶的制備

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:10:19

11.6 GaN薄膜單晶的摻雜

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:59:31

11.4 GaN體單晶的制備

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:53:23

9.3 絕緣體上的單晶硅薄膜SOI

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:36:00

9.2 單晶硅薄膜材料(下)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:35:08

8.5 直拉硅單晶的缺陷

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:32:29

7.4 單晶生長(zhǎng)的主要影響因素

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:19:01

7.2 直拉硅單晶生長(zhǎng)的基本工藝(中)

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:17:23

7.1 直拉硅單晶

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:13:21

PLL電路

本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:26 編輯 單晶片PLL電路PLL用IC已快速的進(jìn)入高集積化,以往需要2~3晶片之情形,現(xiàn)在只需單晶片之專(zhuān)用IC就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:36

鎖相環(huán)(PLL)電路設(shè)計(jì)及仿真分析

本文以SoC中的PLL為例,對(duì)PLL電路進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真。
2023-06-02 15:25:442100

晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00422

pll鎖相環(huán)版圖設(shè)計(jì)注意

PLL鎖相環(huán)版圖設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):1)確定PLL的頻率范圍;2)確定PLL的控制電路;3)確定PLL的調(diào)節(jié)電路;4)確定PLL的輸出電路;5)確定PLL的濾波電路;6)確定PLL的控制參數(shù);7)確定PLL的輸出參數(shù)。
2023-02-14 15:42:591311

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀,分析對(duì)比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理,指出了加工過(guò)程中的關(guān)鍵影響因素和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-01-11 11:05:55960

單晶片背面和斜面清潔(上)

,如圖1所J 示。隨著特征尺寸的減小,這個(gè)問(wèn)題變得更加嚴(yán)重。BS顆??赡茉跐窆ぷ髋_(tái)引起其他問(wèn)題,其中BS顆; ??赡苻D(zhuǎn)移到鄰近的晶片前側(cè)。圖2顯示了這些FS顆 BS顆粒的典型來(lái)源是利用靜電或真空吸盤(pán)進(jìn)行的晶片 處理,或者來(lái)自真空室中的板和工作臺(tái),這導(dǎo)致如
2022-06-27 18:54:41686

單晶片背面和斜面清潔(下篇)

高級(jí)應(yīng)用 在正面具有對(duì)損壞敏感的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中,例如對(duì)于32nm柵極多晶硅(AR5:1)圖案化的晶片,該 系統(tǒng)可以被設(shè)置為無(wú)損壞地清潔。這是通過(guò)修改背面化學(xué)噴嘴和配方配置,并保持正面干燥來(lái)實(shí)現(xiàn)
2022-06-27 17:04:27624

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)

本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù),它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合,導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)晶
2022-05-07 15:11:11493

使用單晶片自旋處理器的背面清潔研究

在這項(xiàng)研究中,我們?nèi)A林科納使用經(jīng)濟(jì)特區(qū)單晶片自旋處理器開(kāi)發(fā)了一種單一背面清潔解決方案,能夠通過(guò)蝕刻晶片背面的幾埃來(lái)去除任何金屬或外來(lái)污染物,無(wú)論其涂層如何(無(wú)涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45260

晶片的化學(xué)蝕刻工藝研究

拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(pán)(晶片),然后進(jìn)行稱(chēng)為研磨的平整過(guò)程,該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37555

單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系研究

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,無(wú)論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān),缺陷相關(guān),由于表面存在的氧化層,還是由于有機(jī)殘差。
2022-04-18 16:36:05318

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片,通過(guò)hvpe (氫化物氣相)生長(zhǎng)法等進(jìn)行生長(zhǎng)制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:00428

單晶晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22304

JW5213是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

 產(chǎn)品描述JW?5213是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5213的輸入范圍為2.5V-6V,可提供3A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供
2022-04-11 11:40:40

JW5211是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述JW?5211是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5211的輸入范圍為2.5V-6V,可提供1.2A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率
2022-04-11 11:24:06

JW5222是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

 產(chǎn)品描述JW5222是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5222的輸入范圍為2.5V-6V,可提供2.5A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)
2022-04-11 11:07:25

JW5213A是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述JW5213A是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5213A的輸入范圍為2.5V-6V,可提供3A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率。 在輕
2022-04-08 16:56:02

JW5223是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述JW5223是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5223的輸入范圍為2.5V-6V,可提供2A的連續(xù)輸出電流,集成P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率。 在輕負(fù)載
2022-04-08 16:42:53

JW5231是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述JW5231是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5231的輸入范圍為2.5V-5.5V,可提供1.5A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率
2022-04-08 16:37:08

JW5211是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述JW5211是一款電流模式單晶片式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。 JW5211的輸入范圍為2.5V-6V,可提供1.2A的連續(xù)輸出電流,并集成了P溝道和N溝道MOSFET。 內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)提供高效率
2022-04-08 16:33:31

濕法清洗過(guò)程中晶片旋轉(zhuǎn)速度的影響

噴涂工具、或單晶片旋轉(zhuǎn)工具。在批量浸漬工具中,與其他濕法加工工具相比,存在由水槽中晶片之間的顆粒轉(zhuǎn)移引起的交叉污染問(wèn)題。批量旋轉(zhuǎn)噴涂工具用于在生產(chǎn)線后端(BEOL)進(jìn)行蝕刻后互連清洗。
2022-04-08 14:48:32520

預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響

實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗,表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔,導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻,晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同,晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同,預(yù)清洗條件可能需要定制,以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08398

濺射工藝對(duì)晶片碎片的影響

  介紹了半導(dǎo)體晶片制造設(shè)備濺射機(jī)和濺射工藝對(duì)晶片碎片的影響,給出了如何減少晶片應(yīng)力以達(dá)到少碎片的目的。
2022-03-10 14:45:082

單晶片清洗中分散現(xiàn)象對(duì)清洗時(shí)間的影響

摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝,其中液體分布在整個(gè)晶片表面。在單晶片工具中,流體分配是至關(guān)重要的,它決定了清潔過(guò)程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動(dòng)力學(xué)和化學(xué)傳輸,結(jié)果表明在沖洗時(shí)間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07256

半導(dǎo)體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

近年來(lái),隨著集成電路的微細(xì)化,半導(dǎo)體制造的清洗方式從被稱(chēng)為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導(dǎo)體的制造中,各工序之間進(jìn)行晶片的清洗,清洗工序次數(shù)多
2022-02-22 16:01:08807

半導(dǎo)體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

引言 近年來(lái),隨著集成電路的微細(xì)化,半導(dǎo)體制造的清洗方式從被稱(chēng)為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導(dǎo)體的制造中,各工序之間進(jìn)行晶片的清洗,清洗工序
2021-12-23 16:43:041018

無(wú)化學(xué)添加劑的單晶晶片的無(wú)損拋光

半導(dǎo)體行業(yè)需要具有超成品表面和無(wú)損傷地下的硅晶片。因此,了解單晶硅在表面處理過(guò)程中的變形機(jī)制一直是研究重點(diǎn)。
2021-12-22 17:35:40633

單晶片超音波清洗機(jī)的聲學(xué)特性分析

單晶片兆頻超聲波清洗機(jī)的聲音分布通過(guò)晶片清洗測(cè)試、視覺(jué)觀察、聲音測(cè)量和建模結(jié)果來(lái)表征。該清潔器由一個(gè)水平晶圓旋轉(zhuǎn)器和一個(gè)兆頻超聲波換能器/發(fā)射器組件組成。聲音通過(guò)液體彎月面從換能器組件傳輸?shù)剿绞?/div>
2021-12-20 15:40:31703

半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析

通過(guò)對(duì) Si , CaAs , Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 , 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 , 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949

關(guān)于硅晶片研磨之后的清洗工藝介紹

本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō),本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:211916

半導(dǎo)體單晶和薄膜制造技術(shù)詳細(xì)資料說(shuō)明

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直徑越大的圓片,所能刻制的集成電路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按
2018-11-19 08:00:0024

聯(lián)發(fā)科宣布推出曦力P70系統(tǒng)單晶片 將在11月上市主打AI運(yùn)算

聯(lián)發(fā)科技 24 日宣布推出曦力 P70(Helio P70)系統(tǒng)單晶片,其結(jié)合 CPU 與GPU的升級(jí),實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)大的 AI 處理能力,預(yù)計(jì)將搶在高通之前于今年 11 月上市。
2018-10-25 16:05:083771

美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件LX5586,該模塊用于IEEE
2018-04-27 09:49:001121

TMS320DM369數(shù)字媒體系統(tǒng)單晶片(DMSoC)技術(shù)英文原版資料概述

本文的主要內(nèi)容是介紹了TI的產(chǎn)品TMS320DM369數(shù)字媒體系統(tǒng)單晶片(DMSoC)的技術(shù)英文原版資料概述
2018-04-20 10:39:594

單晶硅的制造方法和設(shè)備和分離單晶硅堝底料中石英的工藝

單晶晶片單晶硅的制造方法 本發(fā)明的單晶晶片單晶硅的制造方法,是屬于切克勞斯基法(CZ法)生長(zhǎng)單晶晶片,其特征為:對(duì)全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時(shí),在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域,不存在通過(guò)Cu淀
2017-09-28 16:35:3018

測(cè)控電路--單晶

測(cè)控電路--單晶
2016-12-11 23:38:391

如何設(shè)計(jì)并調(diào)試鎖相環(huán)(PLL)電路

如何設(shè)計(jì)并調(diào)試鎖相環(huán)(PLL)電路 pdf
2016-01-07 16:20:0879

TI CC2430單晶片機(jī)的范例程式

TI的CC2430單晶片機(jī)的范例程式 非常實(shí)用的示例代碼
2015-12-29 15:43:281

意法半導(dǎo)體(ST)推出工業(yè)與醫(yī)療用單晶片馬達(dá)控制器

意法半導(dǎo)體(ST)推出先進(jìn)單晶片數(shù)位動(dòng)作控制器,為工業(yè)自動(dòng)化和醫(yī)藥制造商實(shí)現(xiàn)更安靜、更精巧、更輕盈、更簡(jiǎn)單且更高效的精密動(dòng)作和定位系統(tǒng)。 意法半導(dǎo)體已與主要客戶合作將
2012-11-20 08:45:081715

Silicon Labs推出相對(duì)濕度單晶片感測(cè)器

Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)宣佈推出數(shù)位相對(duì)濕度(RH)和溫度「單晶片感測(cè)器」解決方案。新型Si7005感測(cè)器透過(guò)在標(biāo)準(zhǔn)CMOS基礎(chǔ)上融合混合訊號(hào)IC製造技術(shù),并採(cǎi)用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
2012-11-13 09:26:57979

Microsemi推出為Broadcom 5G WiFi平臺(tái)設(shè)計(jì)的硅鍺技術(shù)單晶片RF前端元件

美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出世界第一個(gè)用于IEEE 802.11ac標(biāo)準(zhǔn)的第五代Wi-Fi產(chǎn)品的單晶片硅鍺(SiGe) RF前端(FE)元件。新型LX5586 RF FE元件憑藉高整合水準(zhǔn)和高性能SiGe製程技術(shù)
2012-11-13 08:51:04920

Cypress推出PRoC-UI單晶片解決方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Cypress推出PRoC-UI單晶片解決方案 結(jié)合2.4GHz、低功耗無(wú)線電及電容式觸控功能 Cypress宣佈推出新款整合無(wú)線電與觸控感測(cè)器電路單晶片解決方案,能夠支援無(wú)線
2012-10-26 09:24:511335

Altera PLL電源管腳濾波電路

下圖是Altera PLL電源管腳濾波電路
2012-08-15 14:15:271963

威信科電推出PRIZM WM8720系統(tǒng)單晶片平臺(tái)的Intel WiDi產(chǎn)品

威信科電(WonderMedia)宣布整合威信科電 PRIZM WM8720 系統(tǒng)單晶片平臺(tái)的 Intel WiDi 產(chǎn)品于2012年美國(guó)消費(fèi)電子展(CES)展出。其中包括英特爾將展示寶龍達(dá)制造的 WiDi 接收器及景智所制造的 WiDi 顯
2012-01-17 09:41:091305

TI推出微型單晶片電源管理積體電路(PMIC)系列

德州儀器(TI)推出全新微型、單晶片電源管理積體電路(PMIC)系列產(chǎn)品,可以為固態(tài)硬碟(SSD)、混合驅(qū)動(dòng)和其他快閃記憶體管理應(yīng)用的所有電源軌供電。
2011-12-28 09:33:22918

鎖相環(huán)(PLL)電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用

本書(shū)是圖解電子工程師實(shí)用技術(shù)叢書(shū)之一,本書(shū)主要介紹鎖相環(huán)(PLL)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用,內(nèi)容包括PLL工作原理與電路構(gòu)成、PLL電路的傳輸特性、PLL電路中環(huán)路濾波器的設(shè)計(jì)方法、PLL電路
2011-09-14 17:55:242104

新唐科技業(yè)界首顆單晶片音訊晶片問(wèn)世

新唐科技,宣布推出業(yè)界第一顆單晶片數(shù)位音訊 IC-- ChipCorder ISD2100,協(xié)助工業(yè)與消費(fèi)性產(chǎn)品制造商以符合高經(jīng)濟(jì)效益的方式
2011-07-04 09:06:10761

SiC單晶片CMP超精密加工技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢(shì)

 綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對(duì)拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問(wèn)題,并對(duì)其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:2142

PLL電路設(shè)計(jì)原理及制作

PLL電路設(shè)計(jì)原理及制作 在通信機(jī)等所使用的振蕩電路,其所要求的頻率范圍要廣,且頻率的穩(wěn)定度要高。無(wú)論多好的LC振蕩電路,其頻率的穩(wěn)定度,都無(wú)法
2010-05-15 09:50:592291

模擬PLL,模擬PLL是什么意思

模擬PLL,模擬PLL是什么意思 所謂模擬PLL,就是說(shuō)數(shù)字PLL中的各個(gè)模塊的實(shí)現(xiàn)都是以模擬器件來(lái)實(shí)現(xiàn)的,是一個(gè)模擬
2010-03-23 10:52:012613

數(shù)字PLL,什么是數(shù)字PLL

數(shù)字PLL,什么是數(shù)字PLL 數(shù)字PLL PLL的概念 我們所說(shuō)的PLL,其實(shí)就是鎖相環(huán)路,簡(jiǎn)稱(chēng)為鎖相環(huán)。許多電子設(shè)備要正常工作,通常
2010-03-23 10:50:064173

單晶機(jī)實(shí)習(xí)步進(jìn)馬達(dá)應(yīng)用

本文介紹如何使用VB程式透過(guò)RS232傳輸控制指令到89C51單晶片上,輸出派波訊號(hào)至放大電路,控制步進(jìn)馬達(dá)反轉(zhuǎn),放大電路也就是所謂的步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器,市售步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器借個(gè)在
2009-10-17 14:47:0021

模擬PLL原理電路

模擬PLL原理電路
2009-07-20 11:39:011006

采用PLL的頻率合成器電路

采用PLL的頻率合成器電路
2009-07-20 11:38:291005

PLL脈沖發(fā)生器電路

PLL脈沖發(fā)生器電路
2009-07-20 11:37:18361

PLL振蕩電路

PLL振蕩電路
2009-07-14 17:08:44725

PLL合成器電路

PLL合成器電路
2009-07-14 17:08:22404

LED晶片的作用,LED晶片的組成及分類(lèi)

LED晶片的組成,作用及分類(lèi) 一、LED晶片的作用:LED晶片為L(zhǎng)ED的主要原材料,LED主要依靠晶
2009-05-09 09:05:581523

CMOS PLL譯碼電路

CMOS PLL譯碼電路
2009-04-18 11:07:44542

CMOS PLL編碼器電路

CMOS PLL編碼器電路
2009-04-18 11:07:07463

PLL式紅外遙控器電路

PLL式紅外遙控器電路
2009-04-13 10:14:33824

PLL譯碼電路

PLL譯碼電路
2009-04-12 13:15:57496

PLL編碼器電路

PLL編碼器電路
2009-04-12 13:15:14574

PLL中放及解調(diào)器電路

PLL中放及解調(diào)器電路
2009-03-21 19:07:05558

PLL FSK解調(diào)器電路

PLL FSK解調(diào)器電路
2009-03-21 19:06:17998

什么是單晶

什么是單晶硅    可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電
2009-03-04 15:14:503195

采用M5172L的PLL電路

采用M5172L的PLL電路
2009-02-09 12:48:40862

接收機(jī)的簡(jiǎn)單晶電路

接收機(jī)的簡(jiǎn)單晶電路
2008-10-16 12:36:472006

AM信號(hào)的PLL同步解調(diào)電路

AM信號(hào)的PLL同步解調(diào)原理圖 AM信號(hào)的PLL同步解調(diào)電路
2008-04-21 11:34:491930

簡(jiǎn)單晶振測(cè)試儀電路

簡(jiǎn)單晶振測(cè)試儀電路圖  
2007-12-03 21:01:451438

已全部加載完成