3月15日，在深圳福田會(huì)展中心的論壇上，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長(zhǎng)趙靜分享2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和中國(guó)第三代半導(dǎo)體的最新市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用進(jìn)展。
2023-03-17 08:33:27
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5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位，三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局
2021-05-10 16:00:572569 復(fù)旦大學(xué)labview
2012-05-10 15:24:31
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個(gè)世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開(kāi)辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類推進(jìn)了信息時(shí)代。八十年代開(kāi)始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開(kāi)辟了人類
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過(guò)渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM，有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)與陣列式區(qū)別： 亮度：第三代陣列式將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過(guò)一個(gè)透鏡來(lái)進(jìn)行光傳遞，是通過(guò)將幾十個(gè)高效率和高功率的晶元通過(guò)高科技封裝在一個(gè)平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
。成本的差異主要是由于產(chǎn)品的生產(chǎn)量來(lái)決定，帕特羅（PATRO）第三代紅外技術(shù)由于封裝簡(jiǎn)單，應(yīng)用量巨大，所以可以大規(guī)模的生產(chǎn)，從而大大降低了產(chǎn)品成本；帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)生產(chǎn)成本已接近可以
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車聯(lián)，采用的是最新無(wú)限技術(shù)，無(wú)限流量隨便使用。擁有強(qiáng)大的互聯(lián)網(wǎng)功能，全程語(yǔ)音幫車主解決很多行車問(wèn)題。行車
2019-01-08 15:44:58
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來(lái)，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò)：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
淺析第三代移動(dòng)通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動(dòng)通信向第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明。
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō)，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
復(fù)旦大學(xué)的Nios教材教程
2009-03-28 09:43:48
53 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測(cè)2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來(lái)景氣拐點(diǎn)。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163226 據(jù)谷歌黑板報(bào)消息，5月31日，Google 在上海與復(fù)旦大學(xué)簽署兩年期合作協(xié)議，宣布成立復(fù)旦大學(xué)－谷歌科技創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室，建立戰(zhàn)略合作關(guān)系。
2018-05-31 15:55:00717 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:003685 材料工程最新發(fā)展助力高校半導(dǎo)體人才建設(shè) 應(yīng)用材料公司攜手復(fù)旦大學(xué)舉辦的半導(dǎo)體技術(shù)系列講座于3月21日在復(fù)旦大學(xué)上海邯鄲校區(qū)隆重開(kāi)幕。應(yīng)用材料中國(guó)公司總裁張?zhí)旌琅c應(yīng)用材料中國(guó)公司首席技術(shù)官趙甘鳴博士出席開(kāi)幕講座并就“材料工程 驅(qū)動(dòng)科技 成就未來(lái)”發(fā)表主題演講。
2018-03-25 11:14:004299 11月13日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項(xiàng)目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項(xiàng)擬投資50億元的高科技芯片項(xiàng)目，有望突破我國(guó)第三代半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵材料和制作技術(shù)方面的瓶頸，形成自主制造能力。
2018-11-15 16:08:1711109 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:553812 耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料，其氮化鎵材料項(xiàng)目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4611881 近日科技部高新司在北京組織召開(kāi)“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 
日前，科技部高新司在北京組織召開(kāi)十二五期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施，中國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光
2018-10-24 22:38:02478 將研發(fā)第三代半導(dǎo)體功率器件芯片及其系統(tǒng)應(yīng)用需要的智能高集成模塊等高新技術(shù)產(chǎn)品，并將其導(dǎo)入白色家電，合作方向?qū)⒕劢乖贕aN（氮化鎵）、SiC（碳化硅） 半導(dǎo)體功率器件芯片與IPM（智能功率模塊）的應(yīng)用電
2019-03-28 15:27:113011 近日， 江豐電子在互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司目前可以滿足大部分第三代半導(dǎo)體所需的靶材技術(shù)和供應(yīng)，部分貴金屬及稀土靶材除外。
2019-06-03 17:40:094531 中國(guó)開(kāi)展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國(guó)外相比水平較低，阻礙國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體研究進(jìn)展的重要因素是原始創(chuàng)新問(wèn)題。國(guó)內(nèi)新材料領(lǐng)域的科研院所和相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)大都急功近利，難以容忍長(zhǎng)期“只投入，不產(chǎn)出”的現(xiàn)狀。因此，以第三代半導(dǎo)體材料為代表的新材料原始創(chuàng)新舉步維艱。
2019-08-30 16:34:158426 
第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”將于9月19日上午在深圳五洲賓館舉行。來(lái)自中國(guó)和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英將圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國(guó)際合作進(jìn)行深入探討和交流。
2019-09-11 14:23:184619 第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。
2019-09-23 10:32:171019 據(jù)南通廣播電視臺(tái)報(bào)道，中烏第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院由烏克蘭國(guó)家科學(xué)院（單晶研究院）、江蘇省如皋高新區(qū)、江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體發(fā)起成立，研究院將聯(lián)合中國(guó)、烏克蘭、德國(guó)等產(chǎn)業(yè)專家，共同開(kāi)展第三代半導(dǎo)體晶體
2019-10-28 16:46:283474 近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)研發(fā)出具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。
2019-11-08 11:24:221289 近幾年，國(guó)內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些影響？國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問(wèn)題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328667 “萬(wàn)畝千億”平臺(tái)添新引擎。3月20日上午，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:042866 解密第三代半導(dǎo)體材料：華為小米緊追，突破歐美鎖喉的新武器 傳感器技術(shù) A股半導(dǎo)體材料板塊徹底爆了，這還是在前夜美股出現(xiàn)午夜驚魂大跌一場(chǎng)之后！ 探究A股半導(dǎo)體概念股硬氣扛住外盤影響的原因，是前一晚一則
2020-09-10 11:26:202443 7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 旨在加強(qiáng)第三代半導(dǎo)體材料與裝備企業(yè)之間，以及裝備企業(yè)與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)之間的互動(dòng)交流與協(xié)同合作，推進(jìn)材料、工藝、裝備一體化發(fā)展，研發(fā)自主創(chuàng)新的國(guó)產(chǎn)化裝備，實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全面技術(shù)突破，緩解卡脖子問(wèn)題。 本
2020-09-26 10:55:022339 、基金，但多數(shù)人連半導(dǎo)體是什么都沒(méi)搞清楚，而第三代半導(dǎo)體又是何方神圣？ 在我國(guó)發(fā)力新基建的背景下，第三代半導(dǎo)體材料成了非常重要的技術(shù)支撐。今年4月，國(guó)家發(fā)改委首次官宣新基建的范圍，正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工
2020-09-26 11:04:023797 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299 
從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國(guó)外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇?，是因?yàn)閲?guó)防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時(shí)，這是一個(gè)增量市場(chǎng)，也是企業(yè)可以尋求的增長(zhǎng)空間。
2020-09-29 14:16:004865 、新能源汽車、5G應(yīng)用等第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵市場(chǎng)的增速位居全球前列，為第三代半導(dǎo)體帶來(lái)巨大的發(fā)展空間和良好的市場(chǎng)前景，將催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)。 第三代半導(dǎo)體為何如此被看好，有哪些重點(diǎn)應(yīng)用方向？我國(guó)第三代半導(dǎo)體企業(yè)該如
2020-10-09 16:44:513357 據(jù)公告介紹，該項(xiàng)目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。
2020-10-13 14:31:193388 日前，有媒體報(bào)道稱，據(jù)權(quán)威人士透露，十四五規(guī)劃之中，我國(guó)計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。一時(shí)間，資本市場(chǎng)
2020-10-13 15:47:503360 年，舉全國(guó)之力，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面對(duì)第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。 該消息得到業(yè)內(nèi)人士的證實(shí)，日前，在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)
2020-10-27 10:36:302890 目前，國(guó)家2030計(jì)劃和十四五國(guó)家研發(fā)計(jì)劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日，國(guó)星光電舉辦了2020第一屆國(guó)星之光論壇，而論壇的主角之一，就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體
2020-10-29 18:26:404897 
10月28日消息，華瑞微第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目近日順利落戶安徽省滁州市南譙經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū),該項(xiàng)目是南京市浦口區(qū)與滁州市南譙區(qū)簽署跨界一體化發(fā)展示范區(qū)合作框架協(xié)議后的首個(gè)招引項(xiàng)目。 據(jù)了解，該項(xiàng)目
2020-10-30 14:43:005271 據(jù)了解，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入十四五規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主
2020-11-04 15:12:374305 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來(lái)看相對(duì)較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來(lái)市場(chǎng)布局的重點(diǎn)。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會(huì)發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1287782 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年，受困于技術(shù)和成本等因素，市場(chǎng)一直不溫不火。 但今年的市場(chǎng)形勢(shì)明顯不同，各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度，第三代半導(dǎo)體也開(kāi)始頻繁出現(xiàn)在各地園區(qū)
2020-12-08 17:28:0312548 最近，“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443296 ，什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷？記者采訪了專家。? 禁帶寬度，是用來(lái)區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 中心、車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件封裝線和中歐創(chuàng)新中心孵化器等，最終形成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的具備全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)和生產(chǎn)制造能力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。 據(jù)青銅劍集團(tuán)消息，深圳青銅劍技術(shù)有限公司曾成功研發(fā)中國(guó)首款大功率IGBT驅(qū)動(dòng)ASIC芯片，推出IGBT標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)
2021-01-20 13:47:363814 半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，整個(gè)行業(yè)漸入佳境，未來(lái)可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
? 第三代半導(dǎo)體材料是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，是國(guó)家新材料發(fā)展計(jì)劃的重中之重?！笆奈濉逼陂g，我國(guó)將在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2021-06-17 09:11:0410310 近年來(lái)，國(guó)家和各地方政府陸續(xù)推出相關(guān)政策推動(dòng)第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展：2017年，工信部、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將“第三代化合物半導(dǎo)體”列為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)；而科技部也已將第三代
2022-08-02 08:57:381567 如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對(duì)新材料、新工藝
2022-08-02 15:12:291442 
近年來(lái)，「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來(lái)「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得其越來(lái)越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501263 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場(chǎng)景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛，
從尖端的CPU、GPU、存儲(chǔ)芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 近年來(lái)，國(guó)家和各地方政府陸續(xù)推出相關(guān)政策推動(dòng)第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展：2017年，工信部、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將“第三代化合物半導(dǎo)體”列為 集成電路 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)；而科技部也已將
2023-02-27 15:21:454 日前，在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員、第三代半
導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露：國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確，第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方
向，現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 展區(qū)，國(guó)星光電首次展出了應(yīng)用于LED電源領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品及其應(yīng)用方案，這是公司立足自身優(yōu)勢(shì)，推進(jìn)第三代半導(dǎo)體應(yīng)用邁向LED下游應(yīng)用關(guān)鍵的一步。 于LED封裝領(lǐng)域，國(guó)星光電經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展和沉淀，已具備領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和良好的市場(chǎng)
2023-06-14 10:02:14437 
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來(lái)，瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長(zhǎng)三角、輻射全國(guó)的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451661 第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開(kāi)發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來(lái)越來(lái)越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長(zhǎng)及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長(zhǎng)、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)，圍繞國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開(kāi)展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 5G、快充、UVC，第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 更大的實(shí)踐舞臺(tái)，培養(yǎng)更多的開(kāi)源綜合型人才，拓展開(kāi)源貢獻(xiàn)新領(lǐng)域，推動(dòng)開(kāi)源科研成果高效轉(zhuǎn)化。 11月14日，開(kāi)放原子校源行復(fù)旦大學(xué)破冰活動(dòng)在復(fù)旦大學(xué)江灣校區(qū)成功舉辦。開(kāi)放原子開(kāi)源基金會(huì)副秘書長(zhǎng)辛?xí)匀A、復(fù)旦大學(xué)計(jì)算機(jī)
2023-11-16 21:20:02520 
。 海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的知名專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)、投資機(jī)構(gòu)代表參與大會(huì)。中科院、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、英諾賽科、三安光電等科研院所、企業(yè)代表圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用，深入探討交流最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)，分享前沿研究成果。 是德
2023-12-13 16:15:03244 
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