Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司，在TSMC最近舉辦的Open Innovation Platform Ecosystem Forum上因DRAM接口IP和技術(shù)方面的相關(guān)論文而獲得“客戶(hù)首選獎(jiǎng)”
2013-01-30 09:08:27
842 蘋(píng)果的主要芯片供應(yīng)商臺(tái)積電（TSMC）有望在今年下半年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn) 3nm 制造工藝，屆時(shí)該晶圓廠將有能力處理 3 萬(wàn)片使用更先進(jìn)技術(shù)打造的晶圓。
2021-03-02 10:00:152864 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
想問(wèn)一下，TSMC350nm的工藝庫(kù)是不是不太適合做LC-VCO啊，庫(kù)里就一個(gè)電容能選的，也沒(méi)有電感可以選。（因?yàn)檎n程提供的工藝庫(kù)就只有這個(gè)350nm的，想做LC-VCO感覺(jué)又不太適合，好像只能做ring-VCO了）請(qǐng)問(wèn)350nm有RF工藝嘛，或者您有什么其他的工藝推薦？
2021-06-24 08:06:46
工藝庫(kù)TSMC0.18um和TSMC0.18umrf有什么區(qū)別呢？求大神解答
2021-06-23 07:33:12
3GS/s，100MS/s 時(shí)有效位數(shù) (ENOB) 為 8.6，功耗僅為 13mW，采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工藝制造。Ken 展示的第一款低功耗數(shù)模轉(zhuǎn)換器
2023-02-07 14:11:25
提供的，還是只有Synopsys或Cadence。就在前天，Cadence發(fā)了款TSMC 7nm的超高速112G/56G 長(zhǎng)距離SerDes,用于云數(shù)據(jù)中心和光網(wǎng)絡(luò)芯片，5G基礎(chǔ)設(shè)施的核心IP
2020-06-15 08:03:59
求TSMC90nm的工藝庫(kù)，請(qǐng)問(wèn)可以分享一下嗎？
2021-06-22 06:21:52
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
請(qǐng)問(wèn)各位大佬，Cadence610能同時(shí)裝兩個(gè)工藝庫(kù)嗎，例如TSMC和SMIC同時(shí)裝上？
2021-06-25 07:42:12
M31 SerDes PHY IP M31 SerDes PHY IP為高帶寬應(yīng)用提供高性能、多通道功能和低功耗架構(gòu)。SerDes IP支持從1.25G到10.3125Gbps的數(shù)據(jù)速率
2023-04-03 20:29:47
TSMC、三星不僅要爭(zhēng)搶10nm工藝，再下一代的7nm工藝更為重要，因?yàn)?0nm節(jié)點(diǎn)被認(rèn)為是低功耗型過(guò)渡工藝，7nm才是真正的高性能工藝，意義更重大?，F(xiàn)在ARM宣布已將Artisan物理IP內(nèi)核授權(quán)給賽靈思（Xilinx）公司，制造工藝則是TSMC公司的7nm。
2017-01-13 12:57:111581 
2017年4月18日，中國(guó)上海 – 楷登電子（美國(guó)Cadence公司，NASDAQ： CDNS）今日正式發(fā)布針對(duì)7nm工藝的全新Virtuoso? 先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)。通過(guò)與采用7nm FinFET
2017-04-18 11:09:491165 據(jù)國(guó)際電子商情，近日，臺(tái)積電公布了3nm制程工藝計(jì)劃，目前臺(tái)南園區(qū)的3nm晶圓工廠已經(jīng)通過(guò)了環(huán)評(píng)初審，臺(tái)積電
2018-08-17 14:27:362951 近日，臺(tái)積電公布了3nm制程工藝計(jì)劃，目前臺(tái)南園區(qū)的3nm晶圓工廠已經(jīng)通過(guò)了環(huán)評(píng)初審，臺(tái)積電計(jì)劃投資6000億新臺(tái)幣（約為194億美元），2020年開(kāi)始建廠，2021年完成設(shè)備安裝，預(yù)計(jì)最快2022年底到2023年初投產(chǎn)，3nm廠完成后預(yù)計(jì)雇用員工達(dá)四千人。
2018-08-18 11:04:304100 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車(chē)設(shè)計(jì)規(guī)則，滿(mǎn)足可靠性和15年汽車(chē)運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車(chē)級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517 Credo 在2016年展示了其獨(dú)特的28納米工藝節(jié)點(diǎn)下的混合訊號(hào)112G PAM4 SerDes技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗100G光模塊，并且快速地躍進(jìn)至16納米工藝結(jié)點(diǎn)來(lái)提供創(chuàng)新且互補(bǔ)的112G連接
2018-10-30 11:11:125204 端口，并有望在2020年成為主流技術(shù)；而800G以太網(wǎng)端口將成為屆時(shí)的新技術(shù)。112G SerDes技術(shù)的數(shù)據(jù)速率是56G SerDes的兩倍，因此可以滿(mǎn)足機(jī)器學(xué)習(xí)和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等新興數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的爆炸式高速連接需求。
2018-11-16 16:39:396124 三星的3nm工藝節(jié)點(diǎn)采用的GAAFET晶體管是什么？
2019-05-17 15:38:5410624 
在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上，三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了，而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間，領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4510498 三星率先發(fā)布3nm工藝路線圖，領(lǐng)先于臺(tái)積電和英特爾。
2019-05-30 15:48:434697 發(fā)布了新一代3nm閘極全環(huán)（GAA，Gate-All-Around）工藝。與7nm技術(shù)相比，三星的3GAE工藝將減少45%的面積，降低50%的功耗，提升35%的性能。三星表示第一批3nm芯片主要面向智能手機(jī)及其他移動(dòng)設(shè)備。
2019-05-30 15:53:463700 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:484225 3nm工藝相較于今年開(kāi)始量產(chǎn)的7nm EUV工藝更為先進(jìn)，是下一代半導(dǎo)體加工工藝，可以進(jìn)一步減少芯片尺寸。
2019-07-25 15:13:562911 聯(lián)發(fā)科技（MediaTek）宣布，其ASIC服務(wù)將擴(kuò)展至112G遠(yuǎn)程（LR）SerDes IP芯片。MediaTek的112G 遠(yuǎn)程 SerDes采用經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的7nm FinFET制程工藝，使數(shù)據(jù)中心能夠快速有效地處理大量特定類(lèi)型的數(shù)據(jù)，從而提升計(jì)算速度。
2019-11-12 10:04:094836 MediaTek今日宣布，其ASIC服務(wù)將擴(kuò)展至112G遠(yuǎn)程（LR）SerDes IP芯片。MediaTek的112G 遠(yuǎn)程 SerDes采用經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的7nm FinFET制程工藝，使數(shù)據(jù)中心能夠快速有效地處理大量特定類(lèi)型的數(shù)據(jù)，從而提升計(jì)算速度。
2019-11-12 14:22:23786 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。
2020-01-06 16:13:073254 在2019年的日本SFF會(huì)議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
2020-02-06 14:54:431389 臺(tái)積電3nm工藝總投資高達(dá)1.5萬(wàn)億新臺(tái)幣，約合500億美元，光是建廠就至少200億美元了，原本計(jì)劃6月份試產(chǎn)，現(xiàn)在要延期到10月份了。
2020-03-31 09:07:461421 近日，DigiTimes在一份報(bào)告中稱(chēng)，三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:492024 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512095 4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:142500 盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)因?yàn)橐咔閷?dǎo)致下滑，但臺(tái)積電的業(yè)績(jī)不降反升，掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶(hù)青睞。今天的財(cái)報(bào)會(huì)上，臺(tái)積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。
2020-04-17 08:59:213898 近日，臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！
2020-04-20 14:58:142112 隨著臺(tái)積電5nm工藝逐步走入正軌，其也開(kāi)始了下一段征程，近日，外媒爆料稱(chēng)，臺(tái)積電正打算于2022年下半年量產(chǎn)3nm芯片，初期產(chǎn)能定為5.5 萬(wàn)片/月。
2020-11-25 17:29:486401 據(jù)英文媒體報(bào)道，在5nm工藝大規(guī)模量產(chǎn)，為蘋(píng)果等廠商代工相關(guān)的芯片之后，臺(tái)積電下一階段芯片制程工藝研發(fā)及量產(chǎn)的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝，廠房在上個(gè)月已經(jīng)完工，計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022
2020-12-02 17:14:461572 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在 5nm 工藝今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)、為蘋(píng)果等客戶(hù)代工相關(guān)的芯片之后，臺(tái)積電下一步的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的 3nm 工藝，這一工藝的研發(fā)在按計(jì)劃推進(jìn)，廠房在 11 月份就已經(jīng)
2020-12-18 10:47:141871 臺(tái)積電宣布，將會(huì)在 2023 年推出 3nm 工藝的增強(qiáng)版，命名為「3nm Plus」，首發(fā)客戶(hù)是蘋(píng)果。如果蘋(píng)果繼續(xù)一年一代芯片，那么到 2023 年使用 3nm Plus 工藝的，將會(huì)是蘋(píng)果「A17」。
2020-12-18 14:09:323307 日前，臺(tái)積電官方正式宣布，將在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版，該工藝將被命名為“3nm Plus”，首發(fā)客戶(hù)依然是蘋(píng)果。按蘋(píng)果一年更新一代芯片的速度，屆時(shí)使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。
2020-12-18 14:07:242037 
2020年，市面上出現(xiàn)了大量5nm工藝的芯片，諸如蘋(píng)果A14仿生、麒麟9000以及驍龍888等旗艦芯片均采用5nm工藝。而根據(jù)最新的報(bào)道顯示，在批量生產(chǎn)5nm工藝芯片的同時(shí)，臺(tái)積電也在研發(fā)更加先進(jìn)的3nm工藝，目前3nm工藝的研發(fā)正在有序進(jìn)行中。
2020-12-21 15:17:481799 臺(tái)積電是目前少數(shù)幾家能生產(chǎn)5nm制程的半導(dǎo)體公司。根據(jù)此前的消息，除了5nm制程，臺(tái)積電還在研發(fā)最新的3nm工藝，而且研發(fā)工作已經(jīng)接近尾聲。近日，有知情人士透露，蘋(píng)果公司已預(yù)訂了臺(tái)積電3nm的產(chǎn)能，將來(lái)用于生產(chǎn)A系列芯片和M系列自研芯片。另外，還有傳言稱(chēng)臺(tái)積電3nm工藝將用于制造A16芯片。
2020-12-23 10:41:421906 外媒報(bào)道，臺(tái)積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此，臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。
2021-01-05 09:39:261718 近日，外媒援引供應(yīng)鏈內(nèi)部消息稱(chēng)，目前晶圓代工廠的兩大頭部企業(yè)臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均遭遇不同程度的挑戰(zhàn)，因此，最終3nm芯片的量產(chǎn)可能會(huì)相應(yīng)的推遲。
2021-01-05 16:50:202107 2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過(guò)，最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532207 在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況，指出3nm工藝超過(guò)預(yù)期，進(jìn)度將會(huì)提前。
2021-02-19 11:58:411313 在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況，指出3nm工藝超過(guò)預(yù)期，進(jìn)度將會(huì)提前。 不過(guò)劉德音沒(méi)有公布3nm工藝到底如何超前的，按照他們公布的信息
2021-02-19 15:13:402028 近日，2021年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議正式召開(kāi)。在會(huì)議上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音向外界公布了公司3nm工藝的研發(fā)進(jìn)度。
2021-02-26 16:33:571488 中的蘋(píng)果M1 SoC，現(xiàn)在這個(gè)列表中又新添一名成員，它就是基于臺(tái)積電5nm制程工藝 112G SerDes連接芯片。近日，Marvell宣布了其基于DSP的112G SerDes解決方案的授權(quán)。 現(xiàn)代
2021-04-19 16:40:592250 中國(guó)上海，2021 年 10 月 22 日——楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）宣布發(fā)布支持 TSMC N5 工藝的 PCI Express（PCIe）6.0 規(guī)范
2021-10-26 14:28:004024 ）宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程已獲得 TSMC N3 和 N4 工藝技術(shù)認(rèn)證，支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)（DRM）。通過(guò)持續(xù)合作，Cadence 和 TSMC 發(fā)布了 TSMC N3 和 N
2021-10-26 15:10:581928 臺(tái)積電還談到了未來(lái)的新工藝的進(jìn)度，3nm工藝將在今年下半年量產(chǎn)，而2025年則會(huì)量產(chǎn)2nm工藝。
2022-04-15 09:58:241618 楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）今日宣布，眾多領(lǐng)先的半導(dǎo)體和系統(tǒng)客戶(hù)已成功采用面向 TSMC 5nm 制程技術(shù)的全系列 Cadence? 設(shè)計(jì) IP 產(chǎn)品。
2022-06-24 14:52:461585 今日，據(jù)DIGITIMES科技網(wǎng)報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果的M2 Pro和M3芯片將會(huì)采用臺(tái)積電3nm制程工藝。 據(jù)了解，臺(tái)積電將于今年下半年正式量產(chǎn)3nm芯片，而蘋(píng)果已經(jīng)為其M2 Pro和M3芯片預(yù)定
2022-06-29 16:34:042260 今日，據(jù)媒體報(bào)道，三星的3nm制程芯片將在明天開(kāi)始量產(chǎn)。 作為晶圓代工界常年第二的三星，一度被臺(tái)積電壓一頭，超越臺(tái)積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上，不僅要搶在臺(tái)積電前面
2022-06-29 17:01:531167 nm指的是納米，2nm、3nm就是2納米和3納米，而建2nm及3nm廠指的就是建造一座制造2納米芯片和3納米芯片的工廠！
2022-07-01 15:57:2426555 臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:13:312636 3nm工藝是繼5nm技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電、三星都已經(jīng)宣布了3nm的研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)可在2022年實(shí)現(xiàn)。
2022-07-07 09:44:0426210 近日，有消息稱(chēng)Intel的CEO基辛格將于8月份再度前往臺(tái)積電，雙方計(jì)劃就3nm相關(guān)事宜展開(kāi)討論。 此前intel放出的IDM2.0戰(zhàn)略計(jì)劃圖中有著3nm工藝出現(xiàn)，而intel目前并沒(méi)有獨(dú)立
2022-07-11 17:26:551298 112Gbps SerDes設(shè)計(jì)將根據(jù)應(yīng)用情況在各種配置中被采用。下圖展示了長(zhǎng)距離(LR)、中距離(MR)、極短距離(VSR)和超短距離(XSR)拓?fù)?，其?b class="flag-6" style="color: red">112G信令路徑在每個(gè)拓?fù)渲卸纪怀鲲@示。
2022-07-27 15:05:161090 核是ZeusCORE100，涵蓋支持了800G以太網(wǎng)、OIF 112G-CEI, PCIe 6.0和CXL3.0等多項(xiàng)前沿標(biāo)準(zhǔn)，致力于服務(wù)下一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器。 回到工藝本身，N3E實(shí)際上是臺(tái)積電的第二代3nm，性能相比
2022-10-27 10:03:561157 
Cadence 致力于擴(kuò)大我們的 IP 產(chǎn)品組合，以滿(mǎn)足客戶(hù)不斷變化的設(shè)計(jì)要求。客戶(hù)現(xiàn)在可以信心滿(mǎn)滿(mǎn)地在 TSMC N5 工藝節(jié)點(diǎn)上利用 Cadence GDDR6 設(shè)計(jì) IP 實(shí)現(xiàn)更高的帶寬。
2022-11-22 10:24:51738 來(lái)源：TechWeb 近日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，正如此前所報(bào)道的一樣，晶圓代工商臺(tái)積電，在他們旗下的晶圓十八廠，舉行了3nm制程工藝的量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式，宣布3nm制程工藝以可觀的良品率成功量產(chǎn)
2022-12-30 17:13:11917 臺(tái)積電3nm良率傳出了一些雜音，稱(chēng)第一代的N3工藝良率不足50%，而且投片量也非常少，只有蘋(píng)果一家客戶(hù)。
2023-01-13 11:01:12401 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:55
0 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:26:321 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:31:340 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:32:200 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-03-16 19:32:490 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:35:091 來(lái)源：Cadence楷登 2023年4月26日，楷登電子近日宣布基于臺(tái)積電 3nm（N3E）工藝技術(shù)的 Cadence? 16G UCIe? 2.5D 先進(jìn)封裝 IP 成功流片。該 IP 采用
2023-04-27 16:35:40452 
楷登電子(美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS)今日發(fā)布基于臺(tái)積電 N4P 工藝的 112G 超長(zhǎng)距離(112G-ELR)SerDes IP，該 IP 適用于超大規(guī)模 ASIC
2023-04-28 10:07:36944 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-05-19 15:23:07675 
盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布，但第15代酷睿（代號(hào)Arrow Lake）已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺(tái)積電的3nm工藝，預(yù)計(jì)會(huì)有顯著的性能提升。
2023-06-20 17:48:571100 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-07-10 09:26:20407 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-07-06 20:20:310 IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220 中國(guó)上海，2023 年 7 月 28 日——楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，雙方已就 Cadence 收購(gòu) Rambus SerDes 和存儲(chǔ)器接口 PHY
2023-07-28 17:11:51988 8月8日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%，但根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 14:13:40491 根據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)稱(chēng)臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 15:59:27780 臺(tái)積電推出了世界上第一個(gè)3nm智能手機(jī)芯片apple a17 pro，該芯片也用于新款iphone 15 pro。據(jù)悉，tsmc到2023年為止，將只批量生產(chǎn)蘋(píng)果的3nm工藝。
2023-09-25 14:25:28616 ● ?112G-ELR SerDes 在 TSMC N3E 制程上的硅結(jié)果實(shí)現(xiàn)了最佳 PPA ● ?多個(gè) Cadence IP 測(cè)試芯片在 TSMC N3E 制程上成功流片，包括 PCIe 6.0 和 5.0
2023-09-26 10:10:01320 據(jù)悉，2024年臺(tái)積電的第二代3nm工藝（稱(chēng)為N3E）有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋(píng)果有能力訂購(gòu)第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過(guò)解決工藝難題及提升產(chǎn)量后，臺(tái)積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型，吸引更多企業(yè)采用。
2024-01-03 14:15:17279
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論