半導(dǎo)體制程 分立器件 二極管的種類及其用法 二極管是一種具有1個(gè)PN接合的2個(gè)端子的器件。具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質(zhì)。 二極管的基本特性 利用PN接合的少
2012-03-27 11:02:28
6127 研發(fā)， 并將資源轉(zhuǎn)而投入在相對成熟的制程服務(wù)上。 聯(lián)電與格芯先后退出先進(jìn)制程軍備競賽，加上英特爾(Intel)的10奈米制程處理器量產(chǎn)出貨時(shí)程再度遞延到2019年底，均顯示先進(jìn)制程的技術(shù)進(jìn)展已面臨瓶頸。 展望未來，還有能力持續(xù)推動半導(dǎo)體制程微縮的業(yè)者，或只剩下臺積電、三星
2018-10-16 09:30:411132 手機(jī)性能越來越強(qiáng)勁離不開半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，明年手機(jī)處理器將會進(jìn)入10nm時(shí)代。高通驍龍835、聯(lián)發(fā)科Helio X30、蘋果A11處理器都將采用10nm制程，因此晶圓代工廠商臺積電、英特爾、三星等也在紛紛搶進(jìn)10nm、7nm先進(jìn)半導(dǎo)體制程。不過，市場真的能跟上先進(jìn)半導(dǎo)體制程的腳步嗎？
2016-12-27 15:47:02925 根據(jù)致力于規(guī)劃新版半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖的工程師所提供的白皮書，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制程微縮預(yù)計(jì)將在2024年以前告終。值得慶幸的是，各種新型的組件、芯片堆棧和系統(tǒng)創(chuàng)新，可望持續(xù)使運(yùn)算性能、功耗和成本受益。
2017-03-27 08:59:351192 
本文是為了在Si基板
蝕刻制造金剛石時(shí)提高
制造收率，為此，將
半導(dǎo)體Si基板接入陽極，將Pt電極接入陰極后，在pt電極用跳汰機(jī)內(nèi)放入氮?dú)馀菖萜?，旋轉(zhuǎn)對向的正電極上外部認(rèn)可電壓，泡泡器內(nèi)吹入氮?dú)?，在加?/div>
2022-03-24 16:47:483268 
在這個(gè)半導(dǎo)體制程工藝即將面臨更新?lián)Q代之際，我們不妨從設(shè)計(jì)、制造和代工不同角度審視一下，迎接全新工藝的半導(dǎo)體企業(yè)的應(yīng)對策略。
2011-09-30 09:16:231722 
面積更小、芯片性能更強(qiáng)。據(jù)宏旺半導(dǎo)體了解，當(dāng)芯片面積大小相同時(shí)，制造越先進(jìn)，芯片中塞進(jìn)去的晶體管就越多，性能變強(qiáng)；而如果在同樣數(shù)量的晶體管前提下，制程越先進(jìn)，則芯片面積會變小，能耗變小。但一般而言，芯片
2019-12-10 14:38:41
表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初，業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會議，對2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會議的消息和廠商披露
2020-07-07 11:38:14
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
3.晶圓的處理—微影成像與蝕刻
2012-08-01 23:27:35
氧化層完整性，增加漏電密度，減小少子壽命，引起移動電荷，影響器件穩(wěn)定性。其主要來源是：爐管的石英材料，制程氣體及光阻等不純物。6） Alloy 合金半導(dǎo)體制程在蝕刻出金屬連線后，必須加強(qiáng)Al與SiO2
2020-02-17 12:05:07
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
其中國市場的開發(fā)、推廣。公司自有產(chǎn)品包括半導(dǎo)體前段、后段、太陽能、平板顯示FPD、LED、MEMS應(yīng)用中的各種濕制程設(shè)備，例如硅片濕法清洗、蝕刻，硅芯硅棒濕法化學(xué)處理，液晶基板清洗，LED基片顯影脫膜等
2015-04-02 17:21:04
半導(dǎo)體制冷—— 2 1 世紀(jì)的綠色“冷源”唐春暉（上海理工大學(xué)光學(xué)與電子信息工程學(xué)院，上海 200093）摘要：基于節(jié)能和環(huán)保已是當(dāng)今一切科技發(fā)展進(jìn)步的基本要求，對半導(dǎo)體制冷技術(shù)原理以及應(yīng)用情況做了
2010-04-02 10:14:56
大家有沒有用過半導(dǎo)體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對一個(gè)2.5W的熱負(fù)載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時(shí)熱負(fù)載所處的空間只降到30度，我采用的時(shí)泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運(yùn)動時(shí)，便會釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片控制板開發(fā)技術(shù)需要用到的功能模塊有哪些？有知道的朋友嗎？展開講講？
2022-05-22 18:26:09
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
~ 3,000三、半導(dǎo)體制程設(shè)備 半導(dǎo)體制程概分為三類：(1)薄膜成長，(2)微影罩幕，(3)蝕刻成型。設(shè)備也跟著分為四類：(a)高溫爐管，(b)微影機(jī)臺，(c)化學(xué)清洗蝕刻臺，(d)電漿真空腔室
2011-08-28 11:55:49
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開支會用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
半導(dǎo)體制造是目前中國大陸半導(dǎo)體發(fā)展的最大瓶頸。電腦CPU、手機(jī)SOC/基帶等高端芯片，國內(nèi)已經(jīng)有替代，雖然性能與國際巨頭產(chǎn)品有差距，但是至少可以“將就著用”。而半導(dǎo)體制造是處于“0~1”的突破過程中
2020-09-02 18:02:47
噪聲、空氣噪聲和微振動也是特殊的污染物。還有一點(diǎn)值得注意的就是：半導(dǎo)體工廠內(nèi)會有大量的酸性氣體（這些氣體來自于晶圓的蝕刻、清洗等過程），其次由于半導(dǎo)體制造的過程中會需要大量使用光阻液、顯影液等等，這些
2020-09-24 15:17:16
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號：JFKJ-21-047作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
半導(dǎo)體激光器非常適合與 Si 光子學(xué)的單片集成。制造具有法布里-珀羅腔的半導(dǎo)體激光器通常包括小面解理，但是，這與片上光子集成不兼容。蝕刻作為一種替代方法在制備腔鏡方面具有很大優(yōu)勢，無需將晶片破碎成條形。然而
2021-07-09 10:21:36
` 此專題將逐步介紹半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程，通過這個(gè)專題，可以了解到：一粒沙子如何變成價(jià)值不菲，功能強(qiáng)大的芯片；制程中涉及到的技術(shù)；半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸；等等； 如果您想了解更多基本的知識，請積極回復(fù)。謝謝
2014-05-14 10:17:17
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
狀態(tài)）下的實(shí)際SMT加工能力。所以要評估一個(gè)制程能力前至少應(yīng)該先作到下列兩個(gè)要項(xiàng)： 一個(gè)制造工程的能力是由許多因素所組成的，從產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開始，包含原材料(Material)、機(jī)器(Machine)、設(shè)備
2018-01-10 14:53:47
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
半導(dǎo)體制造設(shè)備，涉及的廠商主要有ASML、KLA、應(yīng)用材料、中微半導(dǎo)體等，他們供應(yīng)的光刻機(jī)、蝕刻機(jī)等都是制造芯片的重要設(shè)備。2019年1-11月，臺積電的半導(dǎo)體制造設(shè)備采購金額達(dá)105億美元，同比
2020-03-09 10:13:54
我想用單片機(jī)開發(fā)板做個(gè)熱療儀，開發(fā)板是某寶上買的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
求大神解答，半導(dǎo)體制冷片的正負(fù)極能反接嗎，如果可以，那原來的制冷面是不是可變成散熱面而原來的散熱面變成制冷面？？
2016-03-03 16:53:12
基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng)，總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22
如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)？
2021-12-23 06:07:59
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點(diǎn)的意見，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
山東高唐杰盛半導(dǎo)體科技有限公司，我公司主要從事微電子工藝設(shè)備及高精度自動控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。制造和服務(wù)等，已申請國家專利10項(xiàng)，授權(quán)7項(xiàng)，產(chǎn)品涉及到半導(dǎo)體制造的前道清洗、擴(kuò)散和后道封裝，技術(shù)達(dá)到國內(nèi)
2013-09-13 15:16:45
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識
2012-02-12 11:15:05
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測器制造技術(shù)邁入新里程碑。意法半導(dǎo)體(ST)宣布成功結(jié)合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
成本。 半導(dǎo)體制程中，針測制程只要換上不同的測試配件，便可與測試制程共享相同的測試機(jī)臺（Tester）。所以一般測試廠為提高測試機(jī)臺的使用率，除了 提供最終測試的服務(wù)亦接受芯片測試的訂單。以下將此針測制程
2020-05-11 14:35:33
半導(dǎo)體制造的IDM企業(yè)，包括半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封裝全產(chǎn)業(yè)鏈。公司產(chǎn)品定位于中高階移動裝置攝像頭晶片，核心團(tuán)隊(duì)主要由來自***和中國內(nèi)地、香港***地區(qū)、日本、新加坡等國家和地區(qū)從事半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)制造
2016-11-25 14:35:58
是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
設(shè)在待蝕的板邊，或在操作批量中刻意加入數(shù)片專蝕的樣板，以對蝕刻制程進(jìn)行了解及改進(jìn)。 14、Etching Resist 抗蝕阻劑 指欲保護(hù)不擬蝕掉的銅導(dǎo)體部份，在銅表面所制作的抗蝕皮膜層，如影像轉(zhuǎn)移
2018-08-29 16:29:01
TFT array之制程主要清洗,成膜,而后黃光制板,后再經(jīng)蝕刻制程形成所要的圖樣,然后依光罩?jǐn)?shù)而作 循環(huán)制程,在這循環(huán)制程中要先將洗凈的玻璃基板送進(jìn)濺鍍機(jī)臺鍍上一層金屬后,再用黃光及蝕刻制程形成
2020-04-03 09:01:06
到了二十世紀(jì)五十年代隨著半導(dǎo)體材料的迅猛發(fā)展，熱電制冷器才逐漸從實(shí)驗(yàn)室走向工程實(shí)踐，在國防、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療和日常生活等領(lǐng)域獲得應(yīng)用，大到可以做核潛艇的空調(diào)，小到可以用來冷卻紅外線探測器的探頭，因此通常又把熱電制冷器稱為半導(dǎo)體制冷器。
2013-11-29 09:26:38
本帖最后由 冰葑世紀(jì) 于 2013-8-4 07:59 編輯
舵機(jī)的問題有的時(shí)候還是有點(diǎn)讓人傷腦筋的，因此發(fā)一個(gè)微控制程序，給大家分享一下~~~注釋有使用說明~當(dāng)然對程序覺得還可以改動的，或者
2013-08-04 02:32:30
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
其中國市場的開發(fā)、推廣。公司自有產(chǎn)品包括半導(dǎo)體前段、后段、太陽能、平板顯示FPD、LED、MEMS應(yīng)用中的各種濕制程設(shè)備，例如硅片濕法清洗、蝕刻，硅芯硅棒濕法化學(xué)處理，液晶基板清洗，LED基片顯影脫膜等
2015-04-02 17:26:21
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在半世紀(jì)前提出的摩爾定律，是指每代制程工藝都要讓芯片上的晶體管數(shù)量翻一番。縱觀芯片每代創(chuàng)新歷史，業(yè)界一直遵循這一定律，并按前一代制程工藝縮小約 0.7倍來對新制程節(jié)點(diǎn)命名
2019-07-17 06:27:10
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:10:18
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:15:49
半導(dǎo)體測試制程介紹
測試制程乃是于IC構(gòu)裝后測試構(gòu)裝完成的產(chǎn)品之電性功能以保證出廠IC 功能上的完整性，并對已測試的產(chǎn)品依其電性功
2008-10-27 16:02:286123 制程FMEA作業(yè)說明
制程潛在之失效模式及效應(yīng)分析之各項(xiàng)目說明如下：1、 FMEA 編號請?zhí)顚慒MEA 流水號，以利
2008-10-28 09:55:062767 
半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585614 
宏力半導(dǎo)體推出45V LDMOS電源管理制程，基于先進(jìn)的0.18微米邏輯平臺
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，日前發(fā)布了基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺的先進(jìn)45V LDMO
2010-01-15 08:33:261291 圖解半導(dǎo)體制程概論1
█ 半導(dǎo)體的物理特性及電氣特性
【
2010-03-01 17:00:496900 圖解半導(dǎo)體制程概論（2）
邏輯IC
電子機(jī)器的動作所必需的內(nèi)部信號處理大致可以分為模擬信號處理和數(shù)字信號處理
2010-03-01 17:03:522830 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。
2011-03-07 09:12:031132 微機(jī)電制作技術(shù)，尤其是最大宗以硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的微細(xì)加工技術(shù)(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半導(dǎo)體組件的制程技術(shù)，所以必須先介紹清楚這類制程。
2011-08-28 11:56:38
279 臺積電(TSMC)表示在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)以下，半導(dǎo)體制程微縮的最大挑戰(zhàn)來自于經(jīng)濟(jì)，并非技術(shù)。
2011-11-01 09:34:33967 時(shí)序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3D IC便為未來芯片發(fā)展趨勢，將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā)，其中英特爾 (Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢必激勵(lì)其本身的
2011-12-28 09:10:47637 中國半導(dǎo)體制造行業(yè)的兩大企業(yè)，華虹半導(dǎo)體有限公司(簡稱“華虹”)和宏力半導(dǎo)體制造公司(簡稱“宏力”)于29日聯(lián)合宣布雙方已完成了合并交易。
2011-12-30 08:58:501876 本人主要從事IC 封裝化學(xué)材料（電子膠水）工作，為更好的理解IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動態(tài)和技術(shù)，自學(xué)了《芯片制造－半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程》，貌似一本不錯(cuò)的教材，在此總結(jié)出一些個(gè)人
2012-04-27 15:30:15205 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性詳細(xì)資料免費(fèi)下載
2018-11-08 11:05:3077 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造工藝教程的詳細(xì)資料免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 1.3半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導(dǎo)體制造企業(yè) 1.6基本的半導(dǎo)體材料 1.7 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00201 半導(dǎo)體知識：PVD金屬沉積制程講解
2019-07-24 11:47:2312158 
三星以及臺積電在先進(jìn)半導(dǎo)體制程打得相當(dāng)火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機(jī)以爭取訂單，幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭，然而 14 納米與 16 納米這兩個(gè)數(shù)字的究竟意義為何，指的又是哪個(gè)部位？而在縮小制程后又將來帶來什么好處與難題？以下我們將就納米制程做簡單的說明。
2019-10-14 10:38:5113862 半導(dǎo)體制造的工藝節(jié)點(diǎn)，涉及到多方面的問題，如制造工藝和設(shè)備，晶體管的架構(gòu)、材料等。隨著制程的進(jìn)一步縮小，芯片制造的難度確實(shí)已經(jīng)快接近理論極限了。
2020-03-08 15:53:0024459 半導(dǎo)體制程一路微縮，面臨物理極限，業(yè)界原憂心不利摩爾定律延續(xù)，也就是過往每18個(gè)月推進(jìn)一個(gè)制程時(shí)代的腳步受阻，使得臺積電等半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程發(fā)展受影響。
2020-09-21 17:51:421764 界定蝕刻的質(zhì)量，那么必須包括導(dǎo)線線寬的一致性和側(cè)蝕程度，即蝕刻因子，下面就簡要介紹蝕刻制程及蝕刻因子。 蝕刻的目的：蝕刻的目的是將圖形轉(zhuǎn)移以后有圖形的受抗蝕劑保護(hù)的地方保留，其他未受保護(hù)的銅蝕刻掉，最終形成線路，達(dá)到導(dǎo)通的目的
2021-04-12 13:48:0031590 
隨著半導(dǎo)體制程向著更先進(jìn)、更精細(xì)化方向發(fā)展，不同節(jié)點(diǎn)范圍和玩家的邊界越來越明顯。其中，最先進(jìn)制程玩家只剩下臺積電、三星和英特爾這3家，而在10年前，至少有7家在專注于當(dāng)時(shí)最先進(jìn)制程的投資和研發(fā)。而在
2020-11-24 14:47:232035 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41242 半導(dǎo)體封裝制程與設(shè)備材料知識簡介。
2021-04-09 09:52:37176 半導(dǎo)體一般是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體的應(yīng)用非常廣泛，在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用等都有應(yīng)用。那么半導(dǎo)體工藝制程中常用的工序有哪些呢？下面一起
2021-10-03 18:14:004243 在半導(dǎo)體制造的干燥工藝中，水印抑制是重要的課題，對此，IPA直接置換干燥是有效的。水印的生成可以通過三相界面共存模型進(jìn)行說明。另外就馬蘭戈尼效果進(jìn)行說明。
2022-03-09 14:39:211485 
通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43795 
為了減小對臺積電的依賴，美日雙方開始聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)，近日據(jù)報(bào)道稱，日本計(jì)劃最早在2025年啟動半導(dǎo)體制造基地，并與美國聯(lián)手生產(chǎn)2nm制程技術(shù)。 目前全球半導(dǎo)體加工領(lǐng)域最先進(jìn)的企業(yè)是中國臺灣
2022-06-16 14:43:131452 全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國，一直存在著半導(dǎo)體自給率較低，且集中在中低端產(chǎn)品等問題。為擺脫這一困境，政府將完善半導(dǎo)體制程供應(yīng)鏈確定為國家推進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)，并陸續(xù)制定了相關(guān)扶持政策。 縱觀國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈（設(shè)計(jì)、制造、封測）各個(gè)
2022-11-14 15:48:44735 的半導(dǎo)體消費(fèi)國，一直存在著半導(dǎo)體自給率較低，且集中在中低端產(chǎn)品等問題。為擺脫這一困境，政府將完善半導(dǎo)體制程供應(yīng)鏈確定為國家推進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)，并陸續(xù)制定了相關(guān)扶持政策。 縱觀國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈（設(shè)計(jì)、制造、封測）各個(gè)環(huán)節(jié)
2022-11-28 17:21:44534 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，制造工工程被稱為工藝（Process），理由是什么？雖然沒有明確的答案，但與其說加工尺寸微?。壳笆莕m制程），不如說制造過程無法用肉眼看到所致。
2023-02-21 09:57:243065 晶圓切割是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。提升晶圓工藝制程需要綜合考慮多個(gè)方面，包括切割效率、切割質(zhì)量、設(shè)備性能等。針對這些問題，國產(chǎn)半導(dǎo)體劃片機(jī)解決方案可以提供一些幫助。首先，在切割效率方面，國產(chǎn)
2023-06-05 15:30:448527 
高。由于半導(dǎo)體制造過程中需要嚴(yán)格控制雜質(zhì)和微粒的數(shù)量，因此對于承載半導(dǎo)體制程所需液體的PFA管來說，必須保證其潔凈度。一般要求PFA管內(nèi)部無顆粒、無金屬離子殘留、無死角，同時(shí)還要具備優(yōu)良的耐腐蝕性和耐氧化性。為了達(dá)到這些要求，生產(chǎn)
2023-10-13 15:01:48173 [半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34593 
據(jù)盛劍環(huán)境官微消息，12月27日，上海盛劍環(huán)境系統(tǒng)科技股份有限公司在上海市嘉定工業(yè)區(qū)舉行“盛劍環(huán)境國產(chǎn)半導(dǎo)體制程附屬設(shè)備及關(guān)鍵零部件項(xiàng)目”奠基儀式。 據(jù)悉，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資金額為人民幣6億元。為保障
2023-12-28 16:21:38298 半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
2024-02-19 16:43:38304 此節(jié)以半導(dǎo)體的代表，CMOS-半導(dǎo)體為例，對前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說明。此說明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型，說明非常詳細(xì)，但一開始先掌握大概即可。
2024-04-03 11:40:08218 
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