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電子發(fā)燒友網(wǎng)>通信網(wǎng)絡(luò)>通信新聞>8月2日快訊:NAND閃存意外缺貨/USB 3.1公布

8月2日快訊:NAND閃存意外缺貨/USB 3.1公布

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2018-07-13 14:22:053682

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188

NAND閃存中啟動(dòng)U

NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485

Q3季度NAND閃存價(jià)格跌了10-15%,Q4價(jià)格還會(huì)更慘

從Q1季度之后,NAND閃存價(jià)格就止不住下滑了,主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增,而需求卻降下來(lái)了,智能手機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)多個(gè)季度下滑,蘋果新機(jī)不如預(yù)期,英特爾CPU缺貨
2018-11-20 10:14:14623

關(guān)于不同NAND閃存的種類對(duì)比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類和對(duì)比?

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462

IDC對(duì)NAND閃存價(jià)格的最新預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01283

IDC調(diào)整對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26582

NAND閃存連跌6個(gè)季度 上游廠商認(rèn)為5月會(huì)回暖

2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630

閃迪至尊超極速USB3.1固態(tài)閃存盤評(píng)測(cè) 值不值得買

西部數(shù)據(jù)公司品牌閃迪科技每年都會(huì)在CES上給用戶帶來(lái)驚喜,2017年的CES展會(huì)上依舊沒有讓用戶們失望,閃迪推出固態(tài)閃存盤概念,并推出全新的閃迪至尊超極速USB3.1固態(tài)閃存盤CZ880。
2019-05-15 15:15:077267

USBType-C與USB3.1不同

這首先需要理解USBType-C與USB3.1某種程度上是不同的東西,嚴(yán)格來(lái)說,USBType-C雖然是USB3.1標(biāo)準(zhǔn)的一部分,但USBType-C這個(gè)規(guī)范,其實(shí)是在定義連接器的界面樣式,相比之下
2020-02-25 14:19:172139

Type-C真正的價(jià)值在于可搭載USB3.1標(biāo)準(zhǔn)的線材和傳輸設(shè)備

2014年4月,負(fù)責(zé)USB接口規(guī)范的USB開發(fā)者論壇(USB-IF)公布USB 3.1連接接口設(shè)計(jì)圖,包括Type-A、Type-B以及全新設(shè)計(jì)的Type-C。
2019-12-18 14:05:001551

USB 3.1和Type-C是什么,他們有何關(guān)系

現(xiàn)在有不少新款存儲(chǔ)設(shè)備具備Type-C和USB 3.1規(guī)范,不少用戶可能就犯迷糊了。今天我們就來(lái)介紹一下USB 3.1和Type-C。
2019-12-18 14:01:525285

如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率

任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634

解析NAND閃存和NOR閃存

無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314752

NAND閃存類型機(jī)選擇技巧

通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

SK海力士出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)!

的協(xié)議。 從SK海力士在官網(wǎng)公布的消息來(lái)看,兩家公司簽署的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)收購(gòu)協(xié)議,包括NAND固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾在大連的NAND閃存制造工廠。 在這一收購(gòu)交易中,SK海力士將向英特爾支付90億美元,外媒在報(bào)道中稱收購(gòu)交易將以全現(xiàn)金
2020-10-23 11:05:152133

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

全球NAND Flash三季度閃存市場(chǎng)情況曝光

日前,TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)的主要情況。
2020-11-27 09:00:131799

NAND閃存類型,如何選擇SLC/MLC和TLCSSD

NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918

簡(jiǎn)述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么?
2021-04-01 17:50:562894

Arasan推出NAND閃存全I(xiàn)P解決方案

NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299

USB3.1typeC設(shè)計(jì)資料(英文版)

USB3.1typeC設(shè)計(jì)資料(英文版)(電源技術(shù)基礎(chǔ)上課個(gè)人總結(jié))-USB3.1typeC設(shè)計(jì)資料(英文版),希望對(duì)大家有所幫助
2021-09-24 13:56:060

USB 3.0/3.1接口連接器沉板產(chǎn)品圖

USB 3.0/3.1接口連接器沉板產(chǎn)品圖
2021-10-21 18:07:1911

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

擴(kuò)展塢USB3.1設(shè)計(jì)案例

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《擴(kuò)展塢USB3.1設(shè)計(jì)案例.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-10 10:38:2216

存儲(chǔ)背后的大腦:NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的?

但同樣重要的組件。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)而言之,沒有它什么都行不通。 ? NAND 閃存控制器,或簡(jiǎn)稱“控制器”,專為不同的接口(如 PCIe、eMMC、SD、SATA 和 USB)而設(shè)計(jì),具有不同的質(zhì)量和不同的用例。它們的共同點(diǎn)是管理 NAND 閃存上的數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)技術(shù)在過
2022-09-05 14:42:551453

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111231

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢(shì)

圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32864

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開放式NAND閃存接口規(guī)范說明書

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲(chǔ)設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495233

USB 3.1與第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異

USB Implementers Forum 已將 USB 3.0 更新為 USB 3.1。 FLIR 更新了其產(chǎn)品描述來(lái)反映此項(xiàng)更改。 ?本頁(yè)將介紹 USB 3.1 以及第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異及兩者能給機(jī)器視覺開發(fā)人員帶來(lái)的實(shí)際益處。
2023-07-14 14:52:23670

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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