();wait_NAND_readay(); GPIO_SetBits(GPIOD, GPIO_Pin_8); my_send_byte(0); my_send_byte(1); my_send_byte(2
2018-07-04 02:33:25
旺季來(lái)臨之前,被動(dòng)組件漲勢(shì)確立,國(guó)巨將從4月1日起調(diào)漲全系列MLCC(積層陶瓷電容)價(jià)格,據(jù)悉平均調(diào)漲幅度落在40~50%,高于2月份的10~20%,等于調(diào)漲幅度較2月提升2~2.5倍。 由于國(guó)巨
2018-03-23 14:58:05
`樂視盒子來(lái)啦!【NI群英會(huì)】8月21日-8月23日NI群英會(huì),坐等大拿怒揭【霸題榜】!蓋樓活動(dòng)現(xiàn)在開始!在本帖下方,大家可拋出各類LabVIEW霸題(提出關(guān)于LabVIEW的困惑和難題)進(jìn)行蓋樓
2014-08-21 21:29:07
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊,這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品,包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī),樣品將于2008年9月出廠,從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
現(xiàn)金紅包新老客戶福利:1、分享活動(dòng)頁(yè)面至朋友圈2、截圖回復(fù)華強(qiáng)芯城公眾號(hào),留下姓名、電話、華強(qiáng)芯城賬號(hào)3、每周隨機(jī)抽取3位贈(zèng)送京東卡活動(dòng)時(shí)間:7月25日-8月24日優(yōu)惠券有效期:7月25日-8月31日
2018-07-25 18:13:07
,優(yōu)化了控制器,這些產(chǎn)品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度提高約
8%,而寫入速度提高將近20%。 市場(chǎng)對(duì)于能夠支持智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用的
NAND閃存的需求繼續(xù)增長(zhǎng)。帶控制器的嵌入式內(nèi)存尤其供不應(yīng)求,因?yàn)?/div>
2018-09-13 14:36:33
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器(我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr?我走對(duì)路了嗎?
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性,您無(wú)法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái),由于速度需求,不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
本人編寫有一個(gè) 年,月,日時(shí)鐘,時(shí)鐘沒有問題了,就是在年,月,日有問題,不知為什么LCD1602寫第以行有個(gè)黑點(diǎn)去不了,仿真時(shí)候黑點(diǎn)就不見了,就正常了。還有一個(gè) 問題是在判斷日的時(shí)候老是出問題
2013-05-20 23:17:40
嗨,我想用頂點(diǎn)5做USB閃存盤2 USB閃存盤數(shù)據(jù)傳輸..不知道怎么啟動(dòng)它...請(qǐng)指導(dǎo)我...
2020-06-05 15:33:51
Introduction全閃存SD NAND是一個(gè)嵌入式存儲(chǔ)解決方案設(shè)計(jì)的LGA8(WSON)小封裝,尺寸只有8mm*6mm, SD卡的操作與SD卡類似,是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。SD NAND由高可靠性的SLC Nand閃存
2018-06-13 14:14:34
【摘要】:<正>Symwave(芯微科技)以及閃存存儲(chǔ)方案和DRAM模塊領(lǐng)導(dǎo)制造商Super Talent科技公司共同宣布,兩家公司將在2010年1月7-10日于拉斯韋加
2010-04-24 10:04:28
本帖最后由 kevin2011 于 2023-8-21 14:01 編輯
飛騰派將于8月24日正式發(fā)布啦?。?!圍觀圍觀!
飛騰派將于8月24日正式發(fā)布啦?。。^圍觀!
飛騰派將于8月24日正式發(fā)布啦!??!圍觀圍觀!
2023-08-20 17:32:04
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器,主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外,它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 英特爾和美光計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展
英特爾公司和美光科技計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展。
兩家公司有一個(gè)生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè),這
2010-01-27 09:45:43
1219 爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日本爾必達(dá)公司表態(tài)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion(飛索半導(dǎo)體)旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19
660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:35
8226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23
770 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/99/wKgZomUMOSyAbmPUAAD7oMUrVf8134.jpg)
東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%,為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06
793 USB+3.1+TIF,有需要的朋友可以下來(lái)看看
2016-07-22 15:31:13
51 USB 3.1標(biāo)準(zhǔn)附錄E
2016-09-27 17:02:25
5 USB Type-C和USB 3.1如何區(qū)分與選擇?
2016-12-20 22:46:18
20 2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑,除了游戲相關(guān)的硬件之外,活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了,2016下半年開始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存及NAND閃存
2017-01-16 10:40:24
638 USB-3.1-讓USB-Type-C成為現(xiàn)實(shí)
2017-01-21 11:49:35
19 行業(yè)技術(shù)聯(lián)盟 USB 3.0 Promoter Group 今天公布了 USB 3.2 標(biāo)準(zhǔn),USB 3.2 將替代目前的 USB 3.1標(biāo)準(zhǔn)。
2017-07-26 13:52:58
2417 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 USB3.1 HUB4芯片
2017-12-07 17:04:13
35 在討論 USB 3.1 測(cè)試之前,我想先大概說一下 USB 的命名規(guī)則。早在 2015 年 3月,蘋果推出新的 12 吋 MacBook,把 “Type-C” 和 “USB 3.1” 這兩個(gè)概念帶到
2018-07-09 10:40:00
3668 DVEVM可以啟動(dòng)或(默認(rèn)),與非門,或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)(UART)。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價(jià)格低,速度快,壽命長(zhǎng),許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:57
9 對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:00
9847 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/52/D9/pIYBAFsXk3OAYaIEAAAYYddMYho964.gif)
據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道,頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:05
3682 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:03
1188 從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01
485 從Q1季度之后,NAND閃存價(jià)格就止不住下滑了,主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增,而需求卻降下來(lái)了,智能手機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)多個(gè)季度下滑,蘋果新機(jī)不如預(yù)期,英特爾CPU缺貨
2018-11-20 10:14:14
623 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:24
1684 由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:34
5462 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A7/50/wKgZomUMQ8-AWoBUAAAXWBMpoxg060.png)
IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01
283 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26
582 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/8B/CD/pIYBAFyW5eiAH0bjAACx6cDo1TA120.jpg)
2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:22
2630 西部數(shù)據(jù)公司品牌閃迪科技每年都會(huì)在CES上給用戶帶來(lái)驚喜,2017年的CES展會(huì)上依舊沒有讓用戶們失望,閃迪推出固態(tài)閃存盤概念,并推出全新的閃迪至尊超極速USB3.1固態(tài)閃存盤CZ880。
2019-05-15 15:15:07
7267 這首先需要理解USBType-C與USB3.1某種程度上是不同的東西,嚴(yán)格來(lái)說,USBType-C雖然是USB3.1標(biāo)準(zhǔn)的一部分,但USBType-C這個(gè)規(guī)范,其實(shí)是在定義連接器的界面樣式,相比之下
2020-02-25 14:19:17
2139 2014年4月,負(fù)責(zé)USB接口規(guī)范的USB開發(fā)者論壇(USB-IF)公布USB 3.1連接接口設(shè)計(jì)圖,包括Type-A、Type-B以及全新設(shè)計(jì)的Type-C。
2019-12-18 14:05:00
1551 現(xiàn)在有不少新款存儲(chǔ)設(shè)備具備Type-C和USB 3.1規(guī)范,不少用戶可能就犯迷糊了。今天我們就來(lái)介紹一下USB 3.1和Type-C。
2019-12-18 14:01:52
5285 任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00
634 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/B1/F6/o4YBAF4GtEGAcjCCAABltPhLf5k991.png)
無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講,NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?;趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:03
14752 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C3/74/pIYBAF8iOViABqdtAAE3_dJWCYw426.png)
通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46
716 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C5/1A/o4YBAF9IdaOAFdEwAACmprG7qNk010.jpg)
我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:52
7052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
2025 的協(xié)議。 從SK海力士在官網(wǎng)公布的消息來(lái)看,兩家公司簽署的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)收購(gòu)協(xié)議,包括NAND固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾在大連的NAND閃存制造工廠。 在這一收購(gòu)交易中,SK海力士將向英特爾支付90億美元,外媒在報(bào)道中稱收購(gòu)交易將以全現(xiàn)金
2020-10-23 11:05:15
2133 存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:55
2599 日前,TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)的主要情況。
2020-11-27 09:00:13
1799 NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:14
3918 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/E2/BA/o4YBAGA-C3GAQjmMAAIFBGtjLCI827.png)
寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么?
2021-04-01 17:50:56
2894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:56
1299 USB3.1typeC設(shè)計(jì)資料(英文版)(電源技術(shù)基礎(chǔ)上課個(gè)人總結(jié))-USB3.1typeC設(shè)計(jì)資料(英文版),希望對(duì)大家有所幫助
2021-09-24 13:56:06
0 USB 3.0/3.1接口連接器沉板產(chǎn)品圖
2021-10-21 18:07:19
11 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:15
2100 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/4B/5C/pYYBAGKoNuuARp8IAAICnVSNU7M584.png)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《擴(kuò)展塢USB3.1設(shè)計(jì)案例.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-10 10:38:22
16 但同樣重要的組件。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)而言之,沒有它什么都行不通。 ? NAND 閃存控制器,或簡(jiǎn)稱“控制器”,專為不同的接口(如 PCIe、eMMC、SD、SATA 和 USB)而設(shè)計(jì),具有不同的質(zhì)量和不同的用例。它們的共同點(diǎn)是管理 NAND 閃存上的數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)技術(shù)在過
2022-09-05 14:42:55
1453 在NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:11
1231 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/72/6F/poYBAGNWMReAQxXfAAGIYRViwiY106.png)
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32
864 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/73/51/pYYBAGNXPDeAekb9AAFycyMNels646.png)
在NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:43
1519 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/7F/46/pYYBAGOG_7KAJMC6AAGGToUDhpY253.png)
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:45
0 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
2147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:00
1983 閃存存儲(chǔ)設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:49
5233 USB Implementers Forum 已將 USB 3.0 更新為 USB 3.1。 FLIR 更新了其產(chǎn)品描述來(lái)反映此項(xiàng)更改。 ?本頁(yè)將介紹 USB 3.1 以及第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異及兩者能給機(jī)器視覺開發(fā)人員帶來(lái)的實(shí)際益處。
2023-07-14 14:52:23
670 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/BE/wKgaomSw8KuAdmxuAABBwfW8CcQ178.jpg)
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58
423 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53
282 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22
222
評(píng)論