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武漢新芯可能2018年量產(chǎn)48層NAND

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AM335x UART+ETH 燒錄 NAND flash 并啟動,請問應該如何操作?

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本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-28 16:51 編輯 關(guān)于DM8127的NAND FLASH,有兩個問題請教一下:1、DM8127的NAND FLASH是否最大支持512MB
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2020內(nèi)完成測試芯片,并于2021實現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)。新ZETag無線廣域網(wǎng)云標簽SoC采用縱行科技LPWA(低功率廣域網(wǎng)) ZETA-G協(xié)議,并通過Socionext獨創(chuàng)的RF技術(shù)和MCU技術(shù)以單芯片實現(xiàn)從前需要兩顆芯片才能實現(xiàn)的功能,從而顯著降低成本、面積和功耗,并提高產(chǎn)品性能。
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[產(chǎn)品介紹及宣傳專區(qū)] 武漢源半導體|招賢納士,尋找有夢想的你!

補貼●通訊補貼補貼員工因公實際發(fā)生的公務(wù)話費●交通補助補貼員工因公實際發(fā)生的交通費用●節(jié)日福利法定或特定節(jié)日時發(fā)放禮物有競爭力的薪酬關(guān)于我們武漢源半導體有限公司,于20188月28日成立,為上市公司
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128甚至更高,外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲單元之上,從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉,長江存儲的643D NAND閃存產(chǎn)品將在2020進入
2020-03-19 14:04:57

請問1808最大支持多大的NAND FLASH?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-4 17:43 編輯 請問1808最大支持多大的NAND FLASH?或者給出推薦的已驗證的 NAND FLASH型號 謝謝
2018-06-04 10:35:35

請問nand write.e 和nand write.yaffs的區(qū)別是什么?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 14:15 編輯 nand write.e 和nand write.yaffs有什么區(qū)別?。?/div>
2018-06-22 01:32:05

請問AD526JN的后續(xù)替代型號那個最好,且將有5以上的量產(chǎn)周期?

AD526JN的后續(xù)替代型號那個最好,且將有5以上的量產(chǎn)周期?
2018-08-07 07:47:43

請問AM335x對nand的容量大小有限制嗎?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:48 編輯 從trm的表中可以看到AM335x對nand的支持是從512Mb到64Gb,我想問的是小于512Mb和大于64Gb的nand
2018-06-20 07:07:39

請問使用AM335X_StarterWare編譯出來的.out文件怎么燒寫到Nand里面,后期的量產(chǎn)又是怎么燒寫呢?

,但是關(guān)于該芯片入門的資料一直沒有系統(tǒng)性的給出。想請教一下: (1)使用AM335X_StarterWare編譯出來的.out文件怎么燒寫到Nand里面,后期的量產(chǎn)又是怎么燒寫呢? (2)使用CCS編譯出來的.out文件燒寫到Nand里面需要提前燒入bootloader嗎,怎么引導從nand啟動的呢?萬分感謝
2018-06-20 03:44:55

超低功耗家族再添新成員,武漢源半導體發(fā)布32位M0+內(nèi)核MCU CW32L052系列產(chǎn)品

20232月,武漢源半導體超低功耗家族再添新成員——32位M0+內(nèi)核MCU CW32L052系列芯片。CW32L052 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器,集成了主頻高達 48
2023-02-21 14:02:10

軒微燒錄器已支持武漢源半導體CW32F030系列芯片的全區(qū)燒錄!

20227月4日,電子行業(yè)內(nèi)較知名的軒微燒錄器已完成系統(tǒng)升級,可支持武漢源CW32F030系列芯片的全區(qū)燒錄,并且以前購買過XW16PRO設(shè)備的用戶,無需額外付費,按照步驟操作即可完成設(shè)備升級
2022-07-05 16:35:32

雷克薩斯UX或20184月發(fā)布 接替CT200h

日前,有海外媒體報道雷克薩斯UX有望于20184月正式發(fā)布,并有望在同年年末量產(chǎn)上市。新車定位入門緊湊SUV車型,上市之后將接替CT200h成為雷克薩斯的入門級車型。  雷克薩斯UX概念車
2017-06-06 18:40:59

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別,他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088

為確保行業(yè)優(yōu)勢 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261209

中韓NAND Flash軍備競賽再起 2018年或供過于求

儲存型快閃存儲器(NAND Flash)軍備競賽再起,南韓存儲器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲器產(chǎn)能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠,也預定本月底正式動土,都為2018年供給過于求再現(xiàn),埋下隱憂。
2016-12-26 09:41:09572

西數(shù)力挺QLC:首發(fā)96層3D NAND閃存!SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會支持QLC,這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40709

長江存儲32層NAND閃存預計2018年內(nèi)量產(chǎn)

武漢建設(shè)NAND工廠,預計今年內(nèi)量產(chǎn),據(jù)悉國產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的,是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:003750

武漢國家存儲器基地3D NAND量產(chǎn)日期指日可待

在國家存儲器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,預計2018年4月搬入機臺設(shè)備,力爭三季度量產(chǎn)。
2018-03-13 10:14:002062

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn),填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白

位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝,這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段,我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:001857

武漢市正在重點打造存儲器 長江存儲首個芯片計劃量產(chǎn)

萬勇透露,武漢國家存儲器基地計產(chǎn)能10萬片/月的一號生產(chǎn)及動力廠房,首個芯片會在2018年點亮,明年實現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國務(wù)院批復的武漢國家存儲器基地,規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:003563

美格智能2018中國武漢國際汽車技術(shù)展覽會圓滿落幕!

智能車載 智能生活 美格智能2018中國武漢國際汽車技術(shù)展覽會圓滿落幕!
2018-03-28 11:29:273435

長江存儲正式裝機:3D NAND量產(chǎn)還有多遠?

4月11日,長江存儲以芯存長江,智儲未來為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目(一期)一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機臺設(shè)備而準備,預計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)
2018-04-15 10:08:009280

中國力推半導體國產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_始提供三維NAND閃存芯片

據(jù)報道,由于智能手機需求下降,NAND目前行情疲軟。不過,年初向來是需求下降的時期。很多人認為,為迎接年底促銷,各公司2018年夏季將開始采購智能手機零件,屆時可能再次出現(xiàn)NAND短缺的情況。
2018-04-17 09:50:3014307

天馬武漢G6 OLED產(chǎn)線正式量產(chǎn)

深天馬A董事長陳宏良在儀式上表示,天馬武漢G6 OLED產(chǎn)線正式量產(chǎn),并將向品牌大客戶供貨。
2018-06-17 09:01:004531

2018年全球DRAM及NAND價格預測

根據(jù)Yole 預測2018年DRAM價格將上漲23%,NAND價格下降15%。
2018-06-28 17:05:015696

三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

,第一代3D NAND閃存的成本也符合預期,堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188

長江存儲32層三維NAND閃存芯片與今年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)

在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責任公司(國家存儲器基地),紫光集團聯(lián)席總裁刁石京透露,中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:145523

2018上半年3D NAND市場低迷,下半年寄希望iPhone能重啟拉貨動力

2018上半年3D NAND市場供應量大幅增加,使得NAND Flash價格持續(xù)下滑,據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket報價,2018上半年NAND Flash綜合價格指數(shù)累計跌幅達35
2018-08-09 15:56:18535

2018上半年市場行情回歸理性,6月NAND Flash價格呈下滑趨勢

NAND Flash價格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后,2018上半年市場行情回歸理性,在原廠擴大64層3D NAND產(chǎn)出下,NAND Flash基本已回到2016年的價格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:002863

NAND Flash市場供貨量增加,綜合價格指數(shù)已累計下滑28%

隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die,以及提高新工廠的產(chǎn)出量,2018年三星將全面向3D NAND普及,美光預計2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:431607

旺宏預計2019年量產(chǎn)3D NAND,并進軍SSD市場

非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露,該公司已切入3D NAND Flash開發(fā),預計2018年或2019年量產(chǎn),并進軍固態(tài)硬盤(SSD)市場。
2018-09-17 16:30:301863

半導體行業(yè)3D NAND Flash

32-48層,廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中,三星最早量產(chǎn)了3D NAND,其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39395

長江存儲預計在2019年全速量產(chǎn) 2020年會趕超國際領(lǐng)先的閃存公司

科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工,2019年全速量產(chǎn),預計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。
2018-11-23 08:45:2812115

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日,三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND,與48層256Gb V-NAND相比,生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:002263

中國首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682

中國量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會帶來什么影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028

華星光電t4項目柔性屏正式量產(chǎn),武漢成為全國最大新型顯示產(chǎn)業(yè)基地

據(jù)長江日報報道,這意味著350億元投資的武漢華星光電t4項目已實現(xiàn)量產(chǎn),武漢第二條柔性屏幕生產(chǎn)線量產(chǎn)后,東湖高新區(qū)中小尺寸顯示面板產(chǎn)出規(guī)模已達全國第一,武漢成為全國最大的新型顯示產(chǎn)業(yè)基地。
2020-01-03 11:01:1812658

西部數(shù)據(jù)和Kioxia研發(fā)第五代BiCS 3D NAND成功,今年實現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報道,西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布,他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功,第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn),今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:344317

西安2工廠NAND Flash開始量產(chǎn)以應對市場需求

三星在該工廠主要量產(chǎn)用于智能手機,PC,服務(wù)器等領(lǐng)域作為數(shù)據(jù)處理設(shè)備使用的 Nand Flash 記憶芯片。值得注意的是,通過垂直結(jié)構(gòu)堆疊電路提高儲存容量的 3D Nand Flash 芯片便在此生產(chǎn)。
2020-03-20 16:03:57506

武漢新芯50納米NOR Flash存儲芯片已全線量產(chǎn)

  據(jù)了解,武漢新芯50納米閃存技術(shù)于2019年12月取得突破,隨后投入量產(chǎn)準備。從65納米到50納米的躍升,武漢新芯用了18個月。
2020-07-17 08:19:444077

武漢菲光預計今年3月正式量產(chǎn),將實現(xiàn)60萬顆芯片的月產(chǎn)能

據(jù)長江網(wǎng)報道,1月6日,位于武漢光谷光電創(chuàng)新園的武漢菲光科技有限公司(簡稱“武漢菲光”)光通信芯片封裝測試車間,研發(fā)人員正在為客戶樣品進行貼片焊線。武漢菲光預計今年3月正式量產(chǎn),將實現(xiàn)60萬顆芯片
2021-01-08 13:58:282762

武漢天馬微電子G6產(chǎn)線二期已投產(chǎn),目前正在開展量產(chǎn)準備工作

據(jù)長江日報報道,145億元投資建設(shè)的武漢天馬G6生產(chǎn)線二期,已于2020年12月投產(chǎn),目前正在開展量產(chǎn)準備工作。 武漢天馬G6生產(chǎn)線最初投資額為120億元,該項目一期于2016年1月主廠房樁基開工
2021-02-03 13:40:265572

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲密度高達1Tb

和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND
2022-11-08 13:37:36577

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281

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