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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>Microchip全新存儲(chǔ)器系列亮相 擁有超強(qiáng)耐用性并可在斷電時(shí)保障數(shù)據(jù)安全

Microchip全新存儲(chǔ)器系列亮相 擁有超強(qiáng)耐用性并可在斷電時(shí)保障數(shù)據(jù)安全

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1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn) 如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器 2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
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因此,隨著程序的發(fā)展,鏈接將我的變量重新定位到不同的內(nèi)存位置。這會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞。將EDATA移動(dòng)到可在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中任何位置的探地雷達(dá)的正確方法是什么?Movff?還是使用銀行卡?謝謝 以上
2019-05-31 08:28:13

嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法是什么?

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2019-11-01 07:01:17

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Cache 或者片上存儲(chǔ)器?! ?duì)于嵌入式設(shè)備上的數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用,數(shù)據(jù)Cache 與片上存儲(chǔ)器相比存在以下缺陷:(1) 片上存儲(chǔ)器是固定的單周期訪問(wèn),可在設(shè)計(jì)時(shí)而不是運(yùn)行時(shí)研究數(shù)據(jù)訪問(wèn)模式;而Cache還要
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2020-12-07 16:15:36

帶FRAM存儲(chǔ)器MSP430常見(jiàn)問(wèn)題及解答

,即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。 盡管從名稱上說(shuō),F(xiàn)RAM 是鐵電存儲(chǔ)器,但它不受磁場(chǎng)的影響,因?yàn)樾酒胁缓F基材料(鐵)。 鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性,但是它們不受磁場(chǎng)的影響。 2. FRAM
2018-08-20 09:11:18

常用存儲(chǔ)器的種類有哪些

常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類易失存儲(chǔ)器: 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器:掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20

求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

求助:數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜

求助:數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜,在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么,求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03

汽車系統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的選擇

切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù),以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器,如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10

電子令牌和嵌入式系統(tǒng)安全微控制AT91SC192192CTUSB相關(guān)資料下載

192Kbytes的FLASH程序存儲(chǔ)器、192Kbytes的高性能EEPROM(擦/寫快、耐用性高)以及24Kbytes的RAM。包括一個(gè)5端口全速USB2.0接口、一個(gè)可以在嵌入式系統(tǒng)環(huán)境中進(jìn)行通信或與
2021-04-16 06:05:50

相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

設(shè)計(jì)需求相變存儲(chǔ)器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費(fèi)者,電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合,所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)增長(zhǎng),數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)速度甚至更快.為了滿足這種增長(zhǎng)的需要,存儲(chǔ)器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35

程序存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH,程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH,請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊?請(qǐng)具體詳解!~{:1:}
2013-01-15 09:01:22

聊聊存儲(chǔ)器的相關(guān)知識(shí)

具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“易失存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類。易失存儲(chǔ)器斷電后,里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器分為哪幾大類

,只能臨時(shí)保存信息(經(jīng)cup處理后的數(shù)據(jù)),斷電后信息就會(huì)消失,這就需要另一種存儲(chǔ)器——外存儲(chǔ)器。外存儲(chǔ)器:外存容量大,存取速度比內(nèi)存慢,能永久保存信息,斷電后信息不會(huì)消失。它好比是數(shù)據(jù)的外部倉(cāng)庫(kù)一樣,相當(dāng)于有了記憶功能,外存主要是磁盤。光盤:是用激光打上去的數(shù)據(jù),區(qū)別于磁盤。磁盤:
2021-07-22 09:48:45

請(qǐng)問(wèn)有大神知道2806x系列怎么外擴(kuò)存儲(chǔ)器嗎?

項(xiàng)目剛開(kāi)始用的28062系列做的,用在掃圖上面,由于傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)太多,所以想把數(shù)據(jù)先儲(chǔ)存起來(lái),再慢慢讀到上位機(jī),但是看資料2806x系列好像沒(méi)有外擴(kuò)存儲(chǔ)器的接口了?求教大神,怎么辦
2017-12-10 21:20:01

談?wù)勔淮?b class="flag-6" style="color: red">性可編程存儲(chǔ)器OTP

繼《談?wù)勂囆酒?b class="flag-6" style="color: red">安全-上篇》之后,本文針對(duì)芯片安全存儲(chǔ)、FOTA、安全診斷、安全運(yùn)行環(huán)境做了進(jìn)一步闡述。1.安全存儲(chǔ)1.1 OTP存儲(chǔ)器一次可編程存儲(chǔ)器(On Chip One Time
2022-02-14 06:21:17

邊緣智能的邊緣節(jié)點(diǎn)安全性

層協(xié)議。TLS常用于保護(hù)互聯(lián)網(wǎng)流量并提供端到端安全性。盡管TLS使用TCP,而很多物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備利用UDP進(jìn)行通信,但DTLS(數(shù)據(jù)報(bào)傳輸層安全性可在UDP上工作。雖然物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的功耗和存儲(chǔ)器受限,但只需
2018-10-22 16:52:49

連接傳感安全保障

在之前的博文中,我介紹了建筑自動(dòng)化無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)數(shù)個(gè)趨勢(shì)中的第一個(gè)趨勢(shì):能源效率。我們回顧一下,建筑自動(dòng)化系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更多傳感的4個(gè)關(guān)鍵趨勢(shì)包括:能源效率。安全保障。用戶的舒適度。預(yù)防維護(hù)。本系列
2022-11-15 06:23:05

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長(zhǎng)

(Ferroelectric Random Access Memory)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用
2020-05-07 15:56:37

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失和非易失。易失存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失和非易失。易失存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57

集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU有何作用

的寫入次數(shù)、并為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度(允許其通過(guò)軟件變更來(lái)完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲(chǔ)器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:非易失,寫入速度快,無(wú)限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的原理

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26

非易失MRAM存儲(chǔ)在ADAS 安全系統(tǒng)存儲(chǔ)的實(shí)用分析與應(yīng)用框圖

,非易失性存儲(chǔ)器還需確保足夠的讀寫次數(shù)來(lái)記錄至少 20 年數(shù)據(jù)。此外,為了達(dá)到汽車級(jí)認(rèn)證和資格,所有子系統(tǒng)應(yīng)采用符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器組件。同時(shí),功能安全性能符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)是另外一
2018-05-21 15:53:37

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失FRAM存儲(chǔ)器容量??焖俚膶懭胨俣群蜔o(wú)限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11

Microchip推出全新32位PIC32 MCU系列

Microchip推出全新32位PIC32 MCU系列   Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今天宣布,在80 MHz 32位 PIC32單片機(jī)(MCU)產(chǎn)品組合的成功基礎(chǔ)上推出3個(gè)全新系列單片機(jī),提供
2009-11-19 09:53:39689

相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器 從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求: 容量
2009-12-31 10:09:301115

Numonyx推出全新相變存儲(chǔ)器系列

Numonyx推出全新相變存儲(chǔ)器系列系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù),具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性,適用于固線
2010-04-29 11:30:371141

DS3655 防篡改存儲(chǔ)器

DS3655是一款防篡改存儲(chǔ)器,特別用于需要數(shù)據(jù)保護(hù)和要求高安全性的設(shè)備。器件包括64字節(jié)專有的無(wú)痕跡存儲(chǔ)器,該存儲(chǔ)器可在100ns時(shí)間內(nèi)快速擦除
2011-04-26 10:04:24699

Microchip推出全新獨(dú)立實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷器件系列

Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布,推出全新獨(dú)立實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTCC)器件系列。MCP795WXX/BXX RTCC器件具備10 MHz SPI接口、非易失性存儲(chǔ)器和比競(jìng)爭(zhēng)器件性價(jià)比更高的有效功能組合。
2011-11-16 10:13:02979

Microchip全新PIC32MX3/4快閃存儲(chǔ)器MCU

Microchip Technology 推出采用64/16 KB、256/64 KB和512/128 KB快閃記憶體RAM配置的全新系列 PIC32MX3 /4微控制器(MCU)。這些新型MCU配備了Microchip針對(duì)圖形、連線、數(shù)位音訊和通用嵌入式控制設(shè)計(jì)提供全面的軟體和工具。
2013-07-09 10:11:421013

射頻功率晶體管耐用性的驗(yàn)證

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377

快閃存儲(chǔ)器控制器選擇技巧

現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255

我國(guó)如何突圍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)

存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的核心芯片,對(duì)于保障國(guó)家安全和信息安全具有重要意義。當(dāng)前以云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展,引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長(zhǎng),對(duì)存儲(chǔ)器的需求也在不斷增加。2017年,我國(guó)僅存儲(chǔ)器進(jìn)口規(guī)模就達(dá)到870億美元。
2018-11-04 10:23:371695

如何采用EEPROM的接口提高程序存儲(chǔ)器耐用性的詳細(xì)中文資料概述

有一種解決方法是選擇使用外部串行 EEPROM。不過(guò)這對(duì)于那些成本敏感或受引腳限制的應(yīng)用來(lái)說(shuō)可能也并不適用。該應(yīng)用筆記介紹用于解決上述問(wèn)題的第三種選擇。這種算法的特點(diǎn)是采用一個(gè)類似于內(nèi)部數(shù)據(jù) EEPROM 的接口,最高可將現(xiàn)有程序存儲(chǔ)器耐用性提升為原來(lái)的 500 倍。
2018-06-20 09:26:008

一加6耐用性測(cè)試 它能幸存下來(lái)嗎

一加6已經(jīng)在海外正式發(fā)布,國(guó)行版發(fā)布會(huì)正在進(jìn)行中,現(xiàn)在YouTube頻道JerryRigEverything已經(jīng)發(fā)布了該機(jī)的耐用性測(cè)試,它能幸存下來(lái)嗎?
2019-04-04 10:15:291974

Microchip全新EERAM存儲(chǔ)器解決方案,可降低存儲(chǔ)器成本

Microchip 今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口(SPI)EERAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,與當(dāng)前的串行NVRAM產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員節(jié)省高達(dá)25%的成本。
2019-12-03 18:05:28822

美國(guó)微芯科技公司推出了全新的EERAM存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品

按照每比特存儲(chǔ)單價(jià)計(jì)算,目前用于這些數(shù)據(jù)記錄的低密度(64 Kb至1Mb)非易失性串行RAM(NVRAM)解決方案通常是成本最高的終端產(chǎn)品。Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口(SPI)EERAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2019-12-05 08:53:473283

Microchip宣布進(jìn)入存儲(chǔ)器基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)

接口協(xié)議,例如DDR4。SMC1000 8 x 25G是Microchip產(chǎn)品系列中第一款支持介質(zhì)獨(dú)立的OMI接口的存儲(chǔ)器基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品。
2019-12-12 14:46:313056

西部數(shù)據(jù)推出全新閃迪專業(yè)級(jí)高耐用存儲(chǔ)

全新閃迪專業(yè)級(jí)高耐用存儲(chǔ)卡,適用于行車記錄儀和家用監(jiān)控系統(tǒng)存儲(chǔ),容量高達(dá)256GB,支持長(zhǎng)達(dá)120,000小時(shí)連續(xù)視頻錄制,讓您存儲(chǔ)無(wú)憂 西部數(shù)據(jù)公司旗下閃迪品牌推出新品——適用于行車記錄儀和家用
2020-03-18 08:45:151081

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02824

64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

CYPRESS提供全面的鐵電RAM非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合,可在斷電時(shí)立即捕獲和保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中,例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器 (PLC),或以
2021-06-30 15:42:461607

三星推出全新 PROPlus系列和EVO Plus系列存儲(chǔ)

、攝像師和內(nèi)容創(chuàng)作者而設(shè)計(jì)的全新存儲(chǔ)系列,PRO Plus系列 和 EVO Plus系列 microSD 和 SD 卡。 三星電子品牌存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁KyuYoung Lee 表示:“各類專業(yè)人士和消費(fèi)者都希望存儲(chǔ)卡能夠輕松保存和檢索數(shù)據(jù),同時(shí)知道他們寶貴的圖像和視頻文件受到保護(hù)?!叭?/div>
2021-09-08 14:33:012585

詳解Microchip微芯全新三模式RAID和HBA存儲(chǔ)適配器

Microchip微芯全新的Adaptec PCIe Gen 4 NVMe、24G SAS三模式RAID和HBA存儲(chǔ)適配器擁有新一代的基本NVMe和SAS-4連接與管理能力,既可提供市場(chǎng)領(lǐng)先的性能,同時(shí)又能滿足數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施最嚴(yán)苛的全新安全要求。
2022-02-07 12:01:201785

提供即時(shí)寫入功能的FRAM存儲(chǔ)器

FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能,無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率,以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣,因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327

耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors

新技術(shù)星期二:耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501015

功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級(jí)-AN10273

功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級(jí)-AN10273
2023-02-09 19:23:422

如何降低寫入放大系數(shù)對(duì)存儲(chǔ)器的影響

TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響,實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù),并探討如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:19:39253

dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207

ram是什么存儲(chǔ)器斷電后會(huì)丟失嗎

為DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)。根據(jù)題目提到的“斷電后會(huì)丟失”,我們可以確定RAM屬于易失性存儲(chǔ)器,即斷
2024-01-12 17:27:15522

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17

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