強攻FD-SOI，實現(xiàn)彎道超車？

　　與三星聯(lián)手搞定14nm FinFET并獲得AMDCPU/GPU全面采納，又與AMD簽訂五年晶圓供應(yīng)合約共同開發(fā)7nm工藝，習(xí)慣性炸雷的GlobalFoundries最近有點春風(fēng)得意的感覺，接下來又要進(jìn)軍12nm工藝了，但走的是道路有些特殊：FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）。

　　大家都知道，目前半導(dǎo)體工藝已經(jīng)全面從2D晶體管轉(zhuǎn)向3D晶體管，Intel、臺積電、三星以及GF自己都在做。

　　另一方面，AMD雖然工藝上一直落后，但有個獨門秘籍那就是SOI（絕緣層上硅），當(dāng)年與藍(lán)色巨人IBM合作搞的，可以將工藝提高半代水平，其優(yōu)秀表現(xiàn)也是有目共睹的。

　　不過，AMD進(jìn)入32nm之后就拋棄了SOI，不過獨立后的GF一直保留著SOI技術(shù)，還收購了IBM的相關(guān)技術(shù)，后者最新的Power8就是采用22nmSOI工藝制造的。

　　GF此前已經(jīng)全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI（22FDX），號稱性能功耗指標(biāo)堪比22nm FinFET，但是制造成本與28nmm相當(dāng)，適用于物聯(lián)網(wǎng)、移動芯片、RF射頻、網(wǎng)絡(luò)芯片等，已經(jīng)拿下50多家客戶，2017年第一季度量產(chǎn)。

　　現(xiàn)在，GF又宣布了全新的12nmFD-SOI（12FDX）工藝，計劃2019年投入量產(chǎn)。

　　GF表示，12FDX工藝的性能等同于10nmFinFET，但是功耗和成本低于16nm FinFET，相比現(xiàn)有FinFET工藝性能提升15％，功耗降低50％，掩膜成本比10nmFinFET減少40％！

　　它還將提供業(yè)界最寬泛的動態(tài)電壓，通過軟件控制晶體管大大提升設(shè)計彈性，在高負(fù)載時可提供最高性能，靜態(tài)時則具備更高能效。

　　該工藝也是針對低功耗平臺的，包括移動計算、5G互連、人工智能、自動駕駛等等，中國中科院上海微電子研究所、NXP半導(dǎo)體、VeriSilicon半導(dǎo)體、CEATech、Soitec等都參與了合作。

　　GF正在德國德累斯頓Fab 1晶圓廠推進(jìn)12FDX工藝的研發(fā)，預(yù)計2019年上半年完成首批流片，并在當(dāng)年投入量產(chǎn)。

　　簡單來說，GF現(xiàn)在是兩條腿走路：低功耗方面主打22/12DFX，尤其后者可以替代10nm FinFET；高性能方面直接進(jìn)軍7nmFinFET。

　　搶中國集成電路紅利，與重慶合建晶圓廠

　　在今年五月份，重慶市與全球著名集成電路企業(yè)Global Foundries簽署諒解備忘錄，雙方將在重慶共同組建合資公司，生產(chǎn)300毫米芯片。

　　按照計劃，這個項目包括運用在Global Foundries新加坡工廠的成熟工藝技術(shù)，將一個現(xiàn)有半導(dǎo)體工廠升級為12英寸晶圓制造廠。這個合資企業(yè)將直接采購現(xiàn)代化先進(jìn)設(shè)備節(jié)省產(chǎn)品上市時間，預(yù)計將于2017年投產(chǎn)。

　　據(jù)悉，重慶市政府將提供土地與現(xiàn)有廠房，Global Foundries將負(fù)責(zé)技術(shù)的升級，現(xiàn)有廠房將從8 吋晶圓廠，提升為12 寸晶圓廠，根據(jù)消息，該現(xiàn)有廠房為***DRAM 廠茂德出售的舊廠房，Global Foundries指稱，屆時將采新加坡廠的生產(chǎn)驗證技術(shù)。官方預(yù)計，該廠房于2017 年即可重新啟用、量產(chǎn)，但GlobalFoundries未透露新廠采用的技術(shù)節(jié)點、初期產(chǎn)能等資訊。

　　雖然GF在中國市場的進(jìn)步比較緩慢，但最起碼也走出了重要的一步。

　　展望

　　作為AMD的緊密合作伙伴，當(dāng)年AMD能夠和Intel一爭高下，其晶圓廠的貢獻(xiàn)功不可沒。最近GlobalFoundries似乎一直不盡順暢，但肉眼所看，這幾年無論在資金和技術(shù)方面，Global Foundries都在一直加大投入，F(xiàn)D-SOI方面也是進(jìn)展喜人，早前更是宣布跳過10nm，直接進(jìn)攻7nm。在中國的投資和合作更是堅定了Global Foundries重新崛起的決心是舉目可見的。至于未來表現(xiàn)如何，就留待時間驗證了。