9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 3D NAND仍然是其主要閃存產(chǎn)品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)向批量生產(chǎn)，現(xiàn)在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:555462 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)
2019-12-13 10:46:0711441 面對(duì)儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）供貨緊縮，以及二維（2D）NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝（Toshiba）已于近期宣布將于2013年8月底展開(kāi)五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠（Fab
2013-07-08 09:46:13814 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15775 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:436006 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0640846 
傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開(kāi)出，屆時(shí)3D NAND可能會(huì)從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過(guò)剩的狀況。
2016-10-10 14:08:471838 
蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫(xiě)性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問(wèn)題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會(huì)在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121258 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 我們將會(huì)介紹SSD市場(chǎng)的一些最新發(fā)展，如日益普及的3D NAND和存儲(chǔ)器單元的堆疊技術(shù)。3D NAND緊跟三星之后，慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術(shù)，使存儲(chǔ)單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57
，既有超強(qiáng)的性能，同時(shí)兼顧了低功耗的設(shè)計(jì)，外加強(qiáng)大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場(chǎng)的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲(chǔ)并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
128GB容量。并且?guī)?lái)的成本優(yōu)勢(shì)開(kāi)始減弱，16nm制程后，繼續(xù)采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過(guò)3D技術(shù)，因此3D NAND開(kāi)始成為主流。比如旺宏也計(jì)劃跟進(jìn)在2020年下半年實(shí)現(xiàn)48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
市場(chǎng)份MAX3232EUE+T額超過(guò)20%，排名第三。韓國(guó)三星排名第一，份額是42.5%。日本東芝排名第二，份額是24.7%。韓國(guó)SK Hynix Semiconductor排名第四，份額
2012-09-24 17:03:43
大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號(hào)的規(guī)格書(shū)與SK海力士和Spansion進(jìn)行了對(duì)比，驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
（Frame sequential）功能的3D顯示器應(yīng)該只有三星一家。 說(shuō)到這里，筆者最近正在測(cè)試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗(yàn)了一把接藍(lán)光播放機(jī)的原生3D效果，可以說(shuō)非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
的算法提供舒適的視聽(tīng)環(huán)境。三星note8手機(jī)殼的一石二鳥(niǎo)功能 這款手機(jī)殼除了令人驚訝的3D顯示屏功能，當(dāng)您想要觀看3D立體圖像時(shí)，可以直接當(dāng)作3D屏幕來(lái)使用外，在正常使用情況下，它可以用作一般的手機(jī)
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
韓國(guó)三星電子日前宣布，位于中國(guó)陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國(guó)
2014-05-14 15:27:09
的商機(jī)仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術(shù)量產(chǎn)困難，在這些現(xiàn)實(shí)下，2019年對(duì)存儲(chǔ)器廠商而言仍會(huì)是個(gè)豐收的年度。如果要考慮供過(guò)于求的變量，可能是第二代10nm等級(jí)的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
了第一個(gè)障礙，但第二個(gè)難題是要尋找符合標(biāo)準(zhǔn)的制造商。解決了這個(gè)問(wèn)題之后，那么在未來(lái)幾年，三星可折疊產(chǎn)品的價(jià)格可能會(huì)逐漸下降。據(jù)悉，三星有望在今年下半年再發(fā)布兩款可折疊產(chǎn)品，可能有很大概率會(huì)采用新專利，包括
2020-05-23 09:31:29
的市場(chǎng)份額接近40%。 就市場(chǎng)情況而言，目前可以生產(chǎn)eMMC型號(hào)閃存的廠商很多，但能夠生產(chǎn)UFS卻只有三星、東芝、SK海力士三家，而在具體的量產(chǎn)能力上，三星比起其他兩家公司來(lái)說(shuō)更勝一籌。 在主流的高端手機(jī)
2019-04-24 17:17:53
ofweek電子工程網(wǎng)訊 10月31日，三星電子宣布了兩件“喜事”，其一，三星電子宣布了最新高管理層人員名單；其二，三星電子今年第三季度營(yíng)收再創(chuàng)新高。三星這次“內(nèi)部大換血”更加印證了此前其公司內(nèi)部
2017-11-01 15:56:56
三星貼片電阻的卷帶上的標(biāo)簽上有個(gè)P M2，在條碼的旁邊有時(shí)候是PM3或S之類的，哪位大蝦告訴我下，那是什么意思??？
2012-07-28 16:37:17
的BCH8 ECC。 uboot 和kernel dts里面都是BCH8。工作正常?，F(xiàn)在要換成三星的K9K8G08U0E我看了下芯片手冊(cè)，發(fā)現(xiàn)page/block/sub-page size之類的都是
2018-06-21 07:09:15
！ 那么今年China Joy MM們最關(guān)注的是什么呢？當(dāng)然是核心話題“3D”啦，本次展會(huì)最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺(tái)顯示器在整個(gè)展會(huì)，其中3D顯示器體驗(yàn)區(qū)是最吸引China Joy MM們的地區(qū)，下面就來(lái)看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
NAND Flash大廠改用電荷擷取閃存(Charge Trap Flash；CTF)技術(shù)，但目前僅止于研發(fā)階段。此外，3D Flash技術(shù)也是未來(lái)的趨勢(shì)之一。而東芝和三星都趨之若鶩
2022-01-22 08:05:39
6工廠，于2018年9月正式落成，主要是量產(chǎn)最新研發(fā)的96層3D NAND，這次西部數(shù)據(jù)宣布延后導(dǎo)入新設(shè)備，應(yīng)是第二期設(shè)備，第一期已于落成時(shí)導(dǎo)入。不過(guò)，這次西部數(shù)據(jù)宣布四日市工廠將減少投入晶圓，可能是
2022-02-01 23:19:53
S3F94C4EZZ-SK94三星單片機(jī)，誰(shuí)可以幫我寫(xiě)下程序 可以電話聯(lián)系***QQ：2454159515，重謝
2015-07-24 15:59:07
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
$ `# J蘇寧的銷售員馬躍輝表示，“沒(méi)有想到五一短短的3天會(huì)有如此大的需求，很多賣場(chǎng)三星3D電視的供貨已經(jīng)跟不上銷售，一些客人只能訂購(gòu)”。由于其他廠商沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的3D電視銷售，唯一實(shí)現(xiàn)3D電視銷售的三星電子
2010-05-06 14:24:28
爆炸案似乎現(xiàn)今也對(duì)三星電子影響甚微，三星方面還表示要在本月23日舉行Note7爆炸調(diào)查新聞發(fā)布會(huì)，似乎要在今年一并作氣、重振旗鼓。而媒體方面則表示，作為一家能影響韓國(guó)經(jīng)濟(jì)的走勢(shì)公司，三星電子不會(huì)把公司
2017-01-20 11:09:50
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三星（K9
2021-10-26 19:13:52
第一幅圖是加了.step文件后的樣子。第二幅圖是加載這個(gè)自建庫(kù)后的pcb預(yù)覽。在沒(méi)加3D元件時(shí)。自定義庫(kù)是可以用，可預(yù)覽的。加了3D元件后，工程文件使用了后預(yù)覽并沒(méi)有顯示出3D的形式。這是怎么回事
2019-09-04 04:36:03
,LPDDR,GDDR.品牌：Micron,Samsung,SK Hynix,Nanya,Winbond.2. 閃存IC : Nand Flash,Nor Flash,Emmc,UFS,MCP.品牌
2019-09-27 17:34:40
例如攝影機(jī)拍攝3張圖，利用第一張和第三張構(gòu)建出3D結(jié)構(gòu)，測(cè)試第二張圖中的特征距離該3D模型中心的距離！
2014-10-08 22:21:02
對(duì)DRAM芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過(guò)供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過(guò)供應(yīng)。供蘋果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長(zhǎng)，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
歐電子長(zhǎng)期全國(guó)回收品原裝存儲(chǔ)芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
`對(duì)于“全球存儲(chǔ)器三強(qiáng)”的三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron），恐即將受到中國(guó)大陸的反壟斷制裁？日前消息傳出后，引發(fā)各界高度關(guān)注
2018-11-22 14:49:22
手機(jī)進(jìn)水了怎么辦？三星手機(jī)
2013-05-13 17:34:01
2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲(chǔ)器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊(cè)說(shuō)有Unique ID可以用，但是沒(méi)有說(shuō)明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊(cè)中有看到OTP區(qū)域，可以來(lái)保存Unique
2017-03-21 09:22:02
優(yōu)勢(shì)，或許，未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開(kāi)始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)品也開(kāi)始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過(guò)程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫(xiě)性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過(guò)堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:11991 市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。
2017-05-06 01:03:11633 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40709 Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:29
25 武漢建設(shè)NAND工廠，預(yù)計(jì)今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國(guó)產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時(shí)2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:003750 在SK Hynix的72層（72L） TLC NAND快閃存儲(chǔ)器中，所謂的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）單元，是利用管線式（pipe）閘極連結(jié)每一個(gè)
2018-06-21 12:23:002150 
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030 層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4847895 美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開(kāi)端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度。可見(jiàn)，3D NAND閃存已經(jīng)成為國(guó)際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場(chǎng)”。
2018-07-17 10:34:084865 
三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫(xiě)入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:327167 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043195 市場(chǎng)。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)從36層起步，不過(guò)真正量產(chǎn)的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39395 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:47991 忠清南道的清州市，投資額高達(dá)15萬(wàn)億韓元，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，初期將生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆棧3D NAND，不過(guò)明年初就會(huì)轉(zhuǎn)向96層堆棧的3D NAND閃存。
2018-12-22 11:09:233925 繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場(chǎng)便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進(jìn)一步推出了48層的產(chǎn)品。
2019-01-28 11:21:2711795 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143302 SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。
2019-05-16 15:01:083092 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 三星是NAND閃存市場(chǎng)最強(qiáng)大的廠商，在3D NAND閃存上也是一路領(lǐng)先，他們最早在2013年就開(kāi)始量產(chǎn)3D NAND閃存了。在3D NAND路線上，三星也研究過(guò)多種方案，最終量產(chǎn)的是VG垂直柵極結(jié)構(gòu)
2019-09-04 09:17:135973 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 固態(tài)硬盤市場(chǎng)的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011073 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:47:302953 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135022 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-10 14:23:27640 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級(jí)到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 的應(yīng)用效能。 據(jù)了解，176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘（Replacement Gate）架構(gòu)，是目前全球技術(shù)最為先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn)，相較于前代3D NAND相比，美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:091666 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開(kāi)始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122028 層3D NAND；長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來(lái)到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說(shuō)，存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒(méi)有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659 日本芯片制造商Kioxia開(kāi)發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:216521 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281
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