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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>28nm嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)即將問世

28nm嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)即將問世

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2018-01-26 11:30:021334

新式DRAM存取技術(shù)提升動態(tài)隨機(jī)DRAM訪問速度

本文透過對于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究,提出一種新的 存取技術(shù) ,可望提升動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻與內(nèi)存的關(guān)聯(lián)性 提升供應(yīng)電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲器的頻率頻率。
2018-03-28 12:03:004031

MRAM進(jìn)駐MCU 28nm下將無閃存

隨著越來越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM),不僅為其帶來了成長動能,業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開始支持這一新興內(nèi)存選擇。
2018-05-15 09:24:494004

一文了解隨機(jī)存取和非隨機(jī)存取的區(qū)別

在計算機(jī)科學(xué)中,隨機(jī)存取(有時亦稱直接訪問)代表同一時間訪問一組序列中的一個隨意組件。反之則稱循序訪問,即是需要更多時間去訪問一個遠(yuǎn)程組件。
2018-05-17 16:43:2310333

隨機(jī)存取存儲器為什么叫隨機(jī)存取存儲器(結(jié)構(gòu)、特點、分類、優(yōu)缺點)

隨機(jī)存取存儲器(random access memory,RAM)又稱作“隨機(jī)存儲器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5819724

隨機(jī)存取存儲器的最大特點

隨機(jī)存取存儲器(randomaccessmemory,RAM)又稱作“隨機(jī)存儲器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1143325

Everspin 試生產(chǎn)1Gb STT-MRAM

Everspin 近日宣布,其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻)非易失性隨機(jī)存取器。
2019-06-27 08:59:439837

瑞薩電子發(fā)布了業(yè)界第一款使用28nm工藝的集成閃存微控制器

繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開發(fā)公布后,瑞薩電子于2016年9月宣布與臺積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU,將成為瑞薩電子的另一個重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:032715

STT-MRAM自旋磁阻內(nèi)存升級為GF 12nm工藝

GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存),包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162

GF、Everspin合作良好 STT-MRAM自旋磁阻內(nèi)存升級

GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存),包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497

新一代STT-MRAM升級到12nm,適用于各種嵌入式領(lǐng)域

GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存),包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516

太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級Everspin 4Mbit MRAM

隨機(jī)存取存儲器(MRAM),為太空工業(yè)提供輻射硬化,高度可靠的非易失性不受單事件翻轉(zhuǎn)(SEU),低壓單事件閂鎖(SEL)和單事件門破裂(SEGR)影響的存儲器。該產(chǎn)品還在-40C至+ 105C的溫度范圍內(nèi)提供
2020-05-14 12:01:15722

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器簡介及應(yīng)用

SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771

MRAM芯片與目前常用的幾種計算機(jī)內(nèi)存SRAM、DRAM及閃存的性能比較

新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機(jī)存取存儲器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開發(fā),直至巨磁阻磁頭GMR的制成與應(yīng)用都為MRAM存儲器研究開發(fā)奠定
2020-09-07 18:19:335079

簡單分析新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式的市場

隨機(jī)存取存儲器(MRAM)最早于1980年代開發(fā),并被推廣為通用存儲器。與其他存儲技術(shù)不同,MRAM將數(shù)據(jù)存儲為磁性元素,而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫入電流,因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與
2020-11-20 15:45:59772

實驗二 靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實驗

實驗二 靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實驗
2021-11-23 17:51:0737

隨機(jī)存取存儲器VDMR64M08xS54xx4V35用戶手冊

VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨(dú)立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292

隨機(jī)存取存儲器VDMR16M08xS54xx4V35用戶手冊

VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù),該設(shè)備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211

隨機(jī)存取存儲器VDMR16M08xS44xx1V35用戶手冊

VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造,可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541

隨機(jī)存取存儲器VDMR8M32xS68xx8V35用戶手冊

VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441

隨機(jī)存取存儲器VDMR4M08xS44xx4V35用戶手冊

VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131

隨機(jī)存取存儲器VDMR2M16xS54xx2V35用戶手冊

VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481

相變隨機(jī)存取存儲器(PCRAM)制造工藝

相變隨機(jī)存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699

隨機(jī)存取存儲器的誕生

無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數(shù)碼照片,你的電腦都會定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲器(RAM),今天的計算機(jī)甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317

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